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16,819 results on '"PHOTONIQUE"'

1. Imprinting nanoporous alumina patterns into the magneto-transport of oxide superconductors

Author: Unité Mixte de physique CNRS/THALES (France) - Thales, CNRS-ESPCI-UPMC, Paris - LPEM, UMR 8213, CNRS, Phynano Team, Marcoussis, France - Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, UCL - SST/IMCN/BSMA - Bio and soft matter, Villegas, J.E., Swiecicki, I., Bernard, R., Crassous, A., Briatico, J., Wolf, T., Bergeal, N., Lesueur, J., Ulysse, C., Faini, G., Hallet, Xavier, Piraux, Luc, Unité Mixte de physique CNRS/THALES (France) - Thales, CNRS-ESPCI-UPMC, Paris - LPEM, UMR 8213, CNRS, Phynano Team, Marcoussis, France - Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, UCL - SST/IMCN/BSMA - Bio and soft matter, Villegas, J.E., Swiecicki, I., Bernard, R., Crassous, A., Briatico, J., Wolf, T., Bergeal, N., Lesueur, J., Ulysse, C., Faini, G., Hallet, Xavier, and Piraux, Luc
Abstract: We used oxygen ion irradiation to transfer the nanoscale pattern of a porous alumina mask into high-TC superconducting thin films. This causes a nanoscale spatial modulation of superconductivity and strongly affects the magneto-transport below TC, which shows a series of periodic oscillations reminiscent of the Little–Parks effect in superconducting wire networks. This irradiation technique could be extended to other oxide materials in order to induce ordered nanoscale phase segregation.
Published: 2011

2. Dynamic body potential variation in SOI MOSFETs: Physics, model and applications

Author: UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP), University of cambridge - Engineering Department, Bawedin, Maryline, Cristoloveanu, Sorin, Udrea, F., Flandre, Denis, EUROSOI Conference 2009, UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP), University of cambridge - Engineering Department, Bawedin, Maryline, Cristoloveanu, Sorin, Udrea, F., Flandre, Denis, and EUROSOI Conference 2009
Published: 2009

3. Thin Film Fully-Depleted SOI Four-Gate Transistors

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP), UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité, The University of Tennessee - ECE Department, Akarvardar, K., Cristoloveanu, Sorin, Bawedin, Maryline, Gentil, P., Blalock, B.J., Flandre, Denis, 2nd Workshop of the Thematic-Network-on-Silicon-on-Insulator-Technology-Devices-and-Circuits (EUROSOI 06), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP), UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité, The University of Tennessee - ECE Department, Akarvardar, K., Cristoloveanu, Sorin, Bawedin, Maryline, Gentil, P., Blalock, B.J., Flandre, Denis, and 2nd Workshop of the Thematic-Network-on-Silicon-on-Insulator-Technology-Devices-and-Circuits (EUROSOI 06)
Abstract: The fully-depleted version of the SOI four-gate transistor (G4-FET) is introduced and its characteristics are systematically investigated. It is shown that the thinning-down of the silicon film promotes vertical coupling between the front and the back gates while mitigating the horizontal coupling between the lateral gates. As a consequence the direct influence of the lateral junction-gates on the body potential distribution is reduced. However, by biasing the back interface in inversion the junction-gates can indirectly modulate the body potential. This provides a very efficient control of the front-channel conduction parameters - such as threshold voltage, subthreshold swing and transconductance - by the junction-gates regardless the device width. The experimental results are clarified by 3-D device simulations and analytical modelling.
Published: 2006

4. Fully Depleted Four-Gate Transistors

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP), UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité, University of Tennessee - ECE Department, Akarvardar, K., Cristoloveanu, S., Bawedin, Maryline, Gentil, P., Blalock, B., Flandre, Denis, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP), UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité, University of Tennessee - ECE Department, Akarvardar, K., Cristoloveanu, S., Bawedin, Maryline, Gentil, P., Blalock, B., and Flandre, Denis
Published: 2006

5. Novel capacitor-less 1T-DRAM using MSD effect

Author: UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP), Bawedin, Maryline, Cristoloveanu, Sorin, Flandre, Denis, 2006 IEEE International SOI Conference, UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP), Bawedin, Maryline, Cristoloveanu, Sorin, Flandre, Denis, and 2006 IEEE International SOI Conference
Abstract: In this paper, we propose a different single-transistor capacitor-less DRAM which is operated at low drain voltage and enables low-power applications. The basic mechanism is the meta-stable dip (MSD) effect recently discovered (Bawedin et al., 2004, 2005). MSD gives rise to a hysteresis in ID(VG) curves and a dip in transconductance gm. We demonstrate by systematic measurements and simulations that MSDRAMs with long retention time can be achieved.
Published: 2006

6. Synthesis and Characterization of Sensitizers for Surface Derivatization of Nanocrystalline Photocatalyst Film Devices

Author: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERLE DE LAUSANNE(SWITZERLAND) LAB DE PHOTONIQUE ET INTERFACES, Graetzel, Michael, ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERLE DE LAUSANNE(SWITZERLAND) LAB DE PHOTONIQUE ET INTERFACES, and Graetzel, Michael
Abstract: The work performed over the period from Sept. 1996-Oct. 1997 under the original grant no. DAJA 45-90-C-0007 from the European Research Office of the US. Army was in line with the principal objectives of the proposed investigations, i.e. the synthesis of ligands, the complexation of the ligands to appropriate metal ions, the application of the metal complexes to nanocrystalline semiconductor surfaces, the examination of the properties of such films and the use of nanocrystalline semiconductor films to accomplish the catalytic and photocatalytic decomposition of toxic chemicals, in particular warfare agents or simulants. The first line of interest was to develop efficient charge transfer sensitizers for nanocrystalline anatase films in order to render the photocatalytic action efficient in daylight. To this end, compounds containing transition metal ions complexed by ligands containing anchoring groups as well as bystander molecules were synthesized. Specifically, the synthesis of the dithiol derivative of pyrazine and the tetrathiooxalate anion were undertaken, as well as of a new ruthenium charger transfer sensitizer having a high oxidation potential (Eo=1.7V vs. NHE). Sensitization of nano-crystalline TiO2 films employing this complex was investigated and exhibited interesting wavelength dependent quantum yields for electron injection; a phenomena attributed to electron injection from vibrationally unrelaxed ( << hot >> ) sensitizer states
Published: 1997

7. Endohedral metallofullerenes in self-assembled monolayersElectronic supplementary information (ESI) available: Synthesis, 1H and 13C NMR spectra of 3; MALDI-TOF mass spectrum of the crude mixture of 1; heteronuclear multiple quantum correlation (HMQC) spectrum of 1; 1H and 13C NMR spectra of 4; MALDI-TOF mass spectrum of 4; HPLC chromatogram of 4; reactivities of C70and C78inthereaction of 1,3-dipolar cycloaddition. See DOI: 10.1039/b915170b

Author: Gimenez-Lopez, Maria del Carmen, Gardener, Jules A., Shaw, Adam Q., Iwasiewicz-Wabnig, Agnieszka, Porfyrakis, Kyriakos, Balmer, Claire, DantellePresent address: Laboratoire de Photonique Quantique et Moleculaire-ENS Cachan-61 Avenue du, Geraldine, Hadjipanayi, Maria, Crossley, Alison, Champness, Neil R., Castell, Martin R., Briggs, G. Andrew D., and Khlobystov, Andrei N.
Abstract: A method has been developed for the attachment of a dithiolane group to endohedral metallofullerenes viaa 1,3-dipolar cycloaddition reaction. This sulfur-containing functional group serves as an anchor, enabling efficient immobilisation of endohedral fullerenes on Au(111) surfaces at room temperature, directly from the solution phase. The functionalised fullerenes form disordered monolayers that exhibit no long-range ordering, which is attributed to both the strong bonding of the dithiolane anchor to the surface and to the conformational flexibility of the functional group. Endohedral fullerenes Er3N@C80and Sc3N@C80have been used as models for functionalisation and subsequent surface deposition. Their chemical reactivity towards dithiolane functionalisation and their surface behaviour have been compared to that of C60. The endohedral fullerenes appear to be significantly less reactive towards the functionalisation than C60, however they bind in a similar manner to a gold surface as their dithiolane terminated C60counterparts. The optical activity of Er3N@C80molecules is preserved after attachment of the functional group. We report a splitting of the endohedral Er3穨겲⨧ lines due to the reduction in symmetry of the functionalised fullerene cage, as compared to the highly symmetrical icosahedral C80cage of pristine Er3N@C80. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Published: 2010
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8. Design of an reconfigurable smart antenna for cognitive radio

Author: Institut de la Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Université de Grenoble, Tan-phu Vuong, Nguyen, Trong Duc, Institut de la Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Université de Grenoble, Tan-phu Vuong, and Nguyen, Trong Duc
Abstract: Reconfigurable antennas offer multiple functions by dynamically changing their properties such as operating frequency, polarization, radiation pattern, and a combination of all these factors. Their agility and diversity create a wide range of different and new applications for radio systems such as local networks, satellites, and especially in cognitive radio. In this thesis, two new frequency reconfigurable antennas are proposed. The frequency reconfiguration is obtained by changing the geometry of radiating patch. Their dimensions have been optimized by genetic algorithm embedded in the electromagnetic simulation software. These antennas operate at the frequency band for IEEE 802.11b/g standard with satisfactory radiation characteristics. This thesis also presents a method of controlling the operation of the frequency reconfigurable antenna by a micro-controller. The operation of electronic switches (PIN diodes) are carried out through programs which allows an adaptive operating system like smart antennas and work well in cognitive radio environment., Les antennes reconfigurables offrent de multiples fonctions en changeant dynamiquement leurs propriétés telles que la fréquence de fonctionnement, la polarisation, le diagramme de rayonnement ou toute combinaison de ces trois paramètres. Leur agilité et leur diversité créent de nouvelles possibilités d'applications pour les systèmes radio tels que les réseaux locaux, les liaisons par satellite et notamment la radio cognitive. Dans cette thèse, deux antennes reconfigurables en fréquence fonctionnant dans les bandes des standards sans fil actuels ont été proposées. Elles sont basées sur la modification de la géométrie du patch rayonnant. Leurs dimensions ont été optimisées par algorithmes génétiques embarqués et combinés à un logiciel de simulation électromagnétique. La commande de la reconfiguration de ces antennes est réalisée à l'aide d'un microcontrôleur qui pilote l'état des commutateurs (des diodes PIN). De ce fait, un système d'antenne reconfigurable intelligent dédié à la radio cognitive a été développé.

9. Theoretical and experimental studies of FD SOI devices performances for sub 32 nm nodes

Author: Institut de la Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Université de Grenoble, Francis Balestra, Ben Akkez, Imed, Institut de la Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Université de Grenoble, Francis Balestra, and Ben Akkez, Imed
Abstract: This manuscript presents a theoretical and experimental study carried out on advanced technology the FD SOI MOSFETs (Fully Depleted Silicon On Insulator MOSFET's). Electrical measurements combined with modeling were performed with an aim of bringing explanations of phenomena related to the dimension reduction in these structures. This work gives an answer of the impact of these aspects on the electrical parameters and on the carriers transport in the channel., Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d'une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d'apporter des explications sur des phénomènes> liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l'impact de ces> aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport."

10. Reliability characterization and modeling of transistors and millimetric waves circuits designed in BiCMOS and CMOS technologies

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Université de Grenoble, Philippe Benech, Ighilahriz, Salim, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Université de Grenoble, Philippe Benech, and Ighilahriz, Salim
Abstract: Nowadays, the microelectronics industry develops new technologies that allow the production of applications combining high speed, low power consumption and high performance. For this, the transistor, active elementary and essential component of electronics, sees its miniaturized dimensions at a breakneck pace following Moore's Law in 1965. This size reduction allows the implementation of several billion transistors on surfaces of a few square millimeters and increasing the integration density. This leads to a production at constant costs and offers opportunities for shopping performing products at a large number of consumers. The MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), field effect transistor, also called MOS transistor is the most used in different circuits coming from the microelectronics industries. This transistor has electrical lengths of 14 nm for the industrially most advanced technology and allows a maximum integration density specifically for digital circuits such as microprocessors. Bipolar transistor, dedicated to analog applications, was invented before the MOS transistor. However, the characteristic dimensions of the most advanced technologies for BiCMOS technology nodes is 55 nm. This type of transistor enables the implementation of systems requiring very high frequency operation, mainly in the telecommunications industry , such as automotive collision avoidance radar operating at 77 GHz. Each of these transistors has its own advantages and disadvantages. The advantages of MOS transistor are mainly based on two points that are its integration capacity and its low power consumption when used to implement logic circuits. Knowing that these two types of transistors are, nowadays, comparable on the miniaturization aspect, benefits of bipolar transistor differ from those of the MOS transistor. Indeed, the bipolar transistor supports higher current levels than a MOS transistor which gives it a greater ability of power amplification. Moreo, De nos jours, l'industrie de la microélectronique développe des nouvelles technologies qui permettent l'obtention d'applications du quotidien alliant rapidité, basse consommation et hautes performances. Pour cela, le transistor, composant actif élémentaire et indispensable de l'électronique, voit ses dimensions miniaturisées à un rythme effréné suivant la loi de Moore de 1965. Cette réduction de dimensions permet l'implémentation de plusieurs milliards de transistors sur des surfaces de quelques millimètres carrés augmentant ainsi la densité d'intégration. Ceci conduit à une production à des coûts de fabrication constants et offre des possibilités d'achats de produits performants à un grand nombre de consommateurs. Le MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), transistor à effet de champ, aussi appelé MOS, représente le transistor le plus utilisé dans les différents circuits issus des industries de la microélectronique. Ce transistor possède des longueurs électriques de 14 nm pour les technologies industrialisables les plus avancées et permet une densité intégration maximale spécialement pour les circuits numériques tels que les microprocesseurs. Le transistor bipolaire, dédié aux applications analogiques, fut inventé avant le transistor MOS. Cependant, son développement correspond à des noeuds technologiques de génération inférieure par rapport à celle des transistors MOS. En effet, les dimensions caractéristiques des noeuds technologiques les plus avancés pour les technologies BiCMOS sont de 55 nm. Ce type de transistor permet la mise en oeuvre de circuits nécessitant de très hautes fréquences d'opération, principalement dans le secteur des télécommunications, tels que les radars anticollisions automobiles fonctionnant à 77 GHz. Chacun de ces types de transistors possède ses propres avantages et inconvénients. Les avantages du transistor MOS reposent principalement en deux points qui sont sa capacité d'intégration et sa faible consommation lorsqu'

11. Caractérisation de la transition isolant/métal du dioxyde de vanadium du DC aux fréquences THz

Author: PHOTONIQUE ; XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - CNRS, MINACOM ; Institut de recherche en communications optiques et microondes (IRCOM) ; CNRS - Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS, PHOTONIQUE ; XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - CNRS - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS, Axe 2 : procédés de traitements de surface ; Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - CNRS, Leroy, Jonathan, Crunteanu, Aurelian, Humbert, Georges, Passerieux, Damien, Orlianges, Jean-Christophe, Champeaux, Corinne, Blondy, Pierre, PHOTONIQUE ; XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - CNRS, MINACOM ; Institut de recherche en communications optiques et microondes (IRCOM) ; CNRS - Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS, PHOTONIQUE ; XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - CNRS - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS, Axe 2 : procédés de traitements de surface ; Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - CNRS, Leroy, Jonathan, Crunteanu, Aurelian, Humbert, Georges, Passerieux, Damien, Orlianges, Jean-Christophe, Champeaux, Corinne, and Blondy, Pierre
Abstract: National audience

12. Design and Characterization of Active THz Metamaterials based on Metal-Insulator Transition of VO2 Patterns

Author: PHOTONIQUE ; XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - CNRS, MINACOM ; Institut de recherche en communications optiques et microondes (IRCOM) ; CNRS - Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS, PHOTONIQUE ; XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - CNRS - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS, Axe 2 : procédés de traitements de surface ; Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - CNRS, Leroy, Jonathan, Crunteanu, Aurelian, Humbert, Georges, Orlianges, Jean-Christophe, Champeaux, Corinne, Blondy, Pierre, PHOTONIQUE ; XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - CNRS, MINACOM ; Institut de recherche en communications optiques et microondes (IRCOM) ; CNRS - Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS, PHOTONIQUE ; XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - Université de Limoges - CNRS - XLIM (XLIM) ; Université de Limoges - CNRS - CNRS, Axe 2 : procédés de traitements de surface ; Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - CNRS, Leroy, Jonathan, Crunteanu, Aurelian, Humbert, Georges, Orlianges, Jean-Christophe, Champeaux, Corinne, and Blondy, Pierre
Abstract: International audience, We designed and characterized a tunable metamaterial in the terahertz frequency domain (0.1- 1 THz) based on an hybrid topology composed of metallic cut-wires separated by vanadium dioxide (VO2) patterns. The THz frequency response of the hybrid metamaterial is significantly changing as the VO2 material is performing a reversible thermally or electrically-driven metal-insulator transition which drastically modifies its electrical and optical properties.

13. Réalisation de micro-résonateurs 3D organiques par procédés micro-fluidiques et couches minces pour des applications en photonique intégrées

Author: Institut de Physique de Rennes (IPR) ; CNRS - Université de Rennes 1, Optique et Photonique ; Institut de Physique de Rennes (IPR) ; CNRS - Université de Rennes 1 - CNRS - Université de Rennes 1, Dispositifs électroniques (DE) ; Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (IETR) ; CNRS - SUPELEC - Université de Rennes 1 - Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Rennes - CNRS - SUPELEC - Université de Rennes 1 - Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Rennes - Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (IETR) ; CNRS - Université de Nantes - SUPELEC - Université de Rennes 1 - Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Rennes - Université de Nantes, Matériaux Nanosciences ; Institut de Physique de Rennes (IPR) ; CNRS - Université de Rennes 1 - CNRS - Université de Rennes 1, Laboratoire d'acoustique de l'université du Maine (LAUM) ; CNRS - Université du Maine, Groupe matière condensée et matériaux (GMCM) ; CNRS - Université de Rennes 1, Optique et Photonique ; Institut Universitaire de France (IUF) ; Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique - Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique - Institut de Physique de Rennes (IPR) ; CNRS - Université de Rennes 1 - CNRS - Université de Rennes 1 - Institut Universitaire de France-IUF ; Institut Universitaire de France-IUF - Institut Universitaire de France-IUF, Pluchon, David, Huby, Nolwenn, Coulon, Nathalie, Belloul, Malika, Moréac, Alain, Gaviot, Etienne, Panizza, Pascal, Bêche, Bruno, Institut de Physique de Rennes (IPR) ; CNRS - Université de Rennes 1, Optique et Photonique ; Institut de Physique de Rennes (IPR) ; CNRS - Université de Rennes 1 - CNRS - Université de Rennes 1, Dispositifs électroniques (DE) ; Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (IETR) ; CNRS - SUPELEC - Université de Rennes 1 - Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Rennes - CNRS - SUPELEC - Université de Rennes 1 - Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Rennes - Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (IETR) ; CNRS - Université de Nantes - SUPELEC - Université de Rennes 1 - Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Rennes - Université de Nantes, Matériaux Nanosciences ; Institut de Physique de Rennes (IPR) ; CNRS - Université de Rennes 1 - CNRS - Université de Rennes 1, Laboratoire d'acoustique de l'université du Maine (LAUM) ; CNRS - Université du Maine, Groupe matière condensée et matériaux (GMCM) ; CNRS - Université de Rennes 1, Optique et Photonique ; Institut Universitaire de France (IUF) ; Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique - Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique - Institut de Physique de Rennes (IPR) ; CNRS - Université de Rennes 1 - CNRS - Université de Rennes 1 - Institut Universitaire de France-IUF ; Institut Universitaire de France-IUF - Institut Universitaire de France-IUF, Pluchon, David, Huby, Nolwenn, Coulon, Nathalie, Belloul, Malika, Moréac, Alain, Gaviot, Etienne, Panizza, Pascal, and Bêche, Bruno
Abstract: International audience

14. The Revealing Flashlight: Interactive spatial augmented reality for detail exploration of cultural heritage artifacts

Author: Laboratoire Bordelais de Recherche en Informatique (LaBRI) ; Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 - Université Bordeaux Segalen - Bordeaux 2 - CNRS - École Nationale Supérieure d'Électronique, Informatique et Radiocommunications de Bordeaux (ENSEIRB), MANAO (INRIA Bordeaux - Sud-Ouest) ; CNRS - CNRS - INRIA - Université de Bordeaux (UB), Laboratoire Photonique, Numérique et Nanosciences (LP2N) ; Institut d'Optique Graduate School (IOGS) - Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 - CNRS, ESTIA Recherche ; Ecole Supérieure des Technologies Industrielles Avancées (ESTIA), POTIOC (INRIA Bordeaux - Sud-Ouest) ; INRIA, Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1, Virtual Environments and Computer Graphics ; Department of Computer Science ; University College of London (UCL) - University College of London (UCL), European Project : 270404, ICT, FP7-ICT-2009-6, V-MUST.NET(2011), Ridel, Brett, Reuter, Patrick, Laviole, Jérémy, Mellado, Nicolas, Couture, Nadine, Granier, Xavier, Laboratoire Bordelais de Recherche en Informatique (LaBRI) ; Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 - Université Bordeaux Segalen - Bordeaux 2 - CNRS - École Nationale Supérieure d'Électronique, Informatique et Radiocommunications de Bordeaux (ENSEIRB), MANAO (INRIA Bordeaux - Sud-Ouest) ; CNRS - CNRS - INRIA - Université de Bordeaux (UB), Laboratoire Photonique, Numérique et Nanosciences (LP2N) ; Institut d'Optique Graduate School (IOGS) - Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 - CNRS, ESTIA Recherche ; Ecole Supérieure des Technologies Industrielles Avancées (ESTIA), POTIOC (INRIA Bordeaux - Sud-Ouest) ; INRIA, Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1, Virtual Environments and Computer Graphics ; Department of Computer Science ; University College of London (UCL) - University College of London (UCL), European Project : 270404, ICT, FP7-ICT-2009-6, V-MUST.NET(2011), Ridel, Brett, Reuter, Patrick, Laviole, Jérémy, Mellado, Nicolas, Couture, Nadine, and Granier, Xavier
Abstract: International audience, Cultural heritage artifacts often contain details that are diffcult to distinguish due to aging effects such as erosion. We propose the revealing flashlight, a new interaction and visualization technique in spatial augmented reality that helps to reveal the detail of such artifacts. We locally and interactively augment a physical artifact by projecting an expressive 3D visualization that highlights its features, based on an analysis of its previously acquired geometry at multiple scales. Our novel interaction technique simulates and improves the behavior of a flashlight: according to 6-degree-of-freedom input, we adjust the numerous parameters involved in the expressive visualization - in addition to specifying the location to be augmented. This makes advanced 3D analysis accessible to the greater public with an everyday gesture, by naturally combining the inspection of the real object and the virtual object in a co-located interaction and visualization space. The revealing flashlight can be used by archeologists, for example, to help decipher inscriptions in eroded stones, or by museums to let visitors interactively discover the geometric details and meta-information of cultural artifacts. We confirm its effectiveness, ease-of-use and ease-of-learning in an initial preliminary user study and by the feedbacks of two public exhibitions.

15. La Lampe torche magique : Une interface tangible pour l'inspection géométrique d'objets en réalité augmentée spatiale

Author: Laboratoire Bordelais de Recherche en Informatique (LaBRI) ; Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 - Université Bordeaux Segalen - Bordeaux 2 - CNRS - École Nationale Supérieure d'Électronique, Informatique et Radiocommunications de Bordeaux (ENSEIRB), MANAO (INRIA Bordeaux - Sud-Ouest) ; CNRS - CNRS - INRIA - Université de Bordeaux (UB), Laboratoire Photonique, Numérique et Nanosciences (LP2N) ; Institut d'Optique Graduate School (IOGS) - Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 - CNRS, POTIOC (INRIA Bordeaux - Sud-Ouest) ; INRIA, ESTIA Recherche ; Ecole Supérieure des Technologies Industrielles Avancées (ESTIA), Session 1 : Réalité mixte, European Project : 270404, ICT, FP7-ICT-2009-6, V-MUST.NET(2011), Ridel, Brett, Reuter, Patrick, Laviole, Jeremy, Mellado, Nicolas, Granier, Xavier, Couture, Nadine, Laboratoire Bordelais de Recherche en Informatique (LaBRI) ; Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 - Université Bordeaux Segalen - Bordeaux 2 - CNRS - École Nationale Supérieure d'Électronique, Informatique et Radiocommunications de Bordeaux (ENSEIRB), MANAO (INRIA Bordeaux - Sud-Ouest) ; CNRS - CNRS - INRIA - Université de Bordeaux (UB), Laboratoire Photonique, Numérique et Nanosciences (LP2N) ; Institut d'Optique Graduate School (IOGS) - Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 - CNRS, POTIOC (INRIA Bordeaux - Sud-Ouest) ; INRIA, ESTIA Recherche ; Ecole Supérieure des Technologies Industrielles Avancées (ESTIA), Session 1 : Réalité mixte, European Project : 270404, ICT, FP7-ICT-2009-6, V-MUST.NET(2011), Ridel, Brett, Reuter, Patrick, Laviole, Jeremy, Mellado, Nicolas, Granier, Xavier, and Couture, Nadine
Abstract: International audience, La Réalité Augmentée Spatiale (RAS) permet d'enrichir des objets du monde réel par apposition d'informations numériques à l'aide de vidéo-projecteurs. Elle présente un fort potentiel pour introduire de nouvelles techniques d'interaction, car la co-localisation de l'espace de rendu et de l'espace d'interaction dans le monde réel permet de se baser sur nos habitudes spontanées, comme l'interaction directe avec les mains. Nous proposons la Lampe torche magique, une nouvelle interaction à six degrés de libertés destinée à améliorer l'analyse visuelle d'un objet réel grâce à l'apposition sélective d'informations numériques par le biais de la RAS. Cette interaction fait référence à une triple métaphore de lampe torche : la zone à inspecter déterminée par le spot lumineux, l'angle d'inspection caractérisé par la direction de la lampe torche, et l'intensité de la visualisation déterminée par la distance entre la lampe torche et l'objet "éclairé". Grâce à une numérisation 3D préalable de l'objet et une analyse géométrique multi-échelle de sa surface, nous augmentons l'objet réel avec une visualisation expressive qui met en évidence les détails de l'objet, tels que les courbures, à différentes échelles et selon différents angles. Une première étude utilisateur exploratoire montre que sur une stèle égyptienne comportant une inscription peu visible à l'oeil nu, notre technique permet d'améliorer la lisibilité sans perdre le lien entre l'objet réel et les informations abstraites.

16. Integration of a Graphene FET on SiC Substrates

Author: Laboratoire de mécanique des sols, structures et matériaux (MSSMat) ; CNRS - Ecole Centrale Paris, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Clavel, M., Poiroux, T., Becerra, L., Mouis, M., Laboratoire de mécanique des sols, structures et matériaux (MSSMat) ; CNRS - Ecole Centrale Paris, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Clavel, M., Poiroux, T., Becerra, L., and Mouis, M.
Abstract: International audience

17. 'Comparative Measurement of Tapering input Effect on Tunable Distributed Phase Shifter Performances'

Author: RFM ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Ould Elhassen, M., Mabrouk, M., Benech, Ph., RFM ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Ould Elhassen, M., Mabrouk, M., and Benech, Ph.
Abstract: International audience

18. Convergence between future wireless and photonic communication systems

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Cabon, B., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), and Cabon, B.
Abstract: International audience

19. Interférence entre lignes signals en technologie silicium submicronique

Author: Laboratoire des sciences et techniques de l'information, de la communication et de la connaissance (Lab-STICC) ; CNRS - Université de Bretagne Occidentale (UBO) - Université de Bretagne Sud (UBS) - Télécom Bretagne - Institut Supérieur des Sciences et Technologies de Brest (ISSTB) - Institut Mines-Télécom - PRES Université Européenne de Bretagne (UEB), Laboratoire d'Electronique et Systèmes de Télécommunications (LEST) ; CNRS - Université de Bretagne Occidentale (UBO) - Ecole Nationale Supérieure des Télécommunications de Bretagne, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Le Gouguec, Thierry, Tanguy, Noël, Huret, Fabrice, Chilo, Jean, Laboratoire des sciences et techniques de l'information, de la communication et de la connaissance (Lab-STICC) ; CNRS - Université de Bretagne Occidentale (UBO) - Université de Bretagne Sud (UBS) - Télécom Bretagne - Institut Supérieur des Sciences et Technologies de Brest (ISSTB) - Institut Mines-Télécom - PRES Université Européenne de Bretagne (UEB), Laboratoire d'Electronique et Systèmes de Télécommunications (LEST) ; CNRS - Université de Bretagne Occidentale (UBO) - Ecole Nationale Supérieure des Télécommunications de Bretagne, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Le Gouguec, Thierry, Tanguy, Noël, Huret, Fabrice, and Chilo, Jean
Abstract: International audience

20. Antennes dédiées à des terminaux portaux optimisés par algorithme génétique

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire de Conception et d'Intégration des Systèmes (LCIS) ; Université Pierre-Mendès-France - Grenoble II - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Nguyen, Trong Duc, Vuong, Tan-Phu, Duroc, Yvan, Vu, Van Yem, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire de Conception et d'Intégration des Systèmes (LCIS) ; Université Pierre-Mendès-France - Grenoble II - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Nguyen, Trong Duc, Vuong, Tan-Phu, Duroc, Yvan, and Vu, Van Yem
Abstract: National audience

21. Low Temperature Characterization of FDSON MOSFETs WOLTE

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Subramanian, N., Mouis, M., Bidal, G., Boeuf, F., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Subramanian, N., Mouis, M., Bidal, G., and Boeuf, F.
Abstract: International audience

22. Extraction de la mobilité de magnétorésistance de nMOSFETs FD-SOI et sSOI courts à grille TiN/HfO2: discussion sur l'origine de sa dégradation

Author: Département d'Astrophysique, de physique des Particules, de physique Nucléaire et de l'Instrumentation Associée (DAPNIA) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Rochette, F., Cassé, M., Mouis, M., Département d'Astrophysique, de physique des Particules, de physique Nucléaire et de l'Instrumentation Associée (DAPNIA) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Rochette, F., Cassé, M., and Mouis, M.
Abstract: International audience

23. Design and characterization of a signal insulation coreless transformer integrated in a CMOS gate driver chip

Author: Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Simonot, Timothé, Rouger, Nicolas, Crébier, Jean-Christophe, Arnould, Jean-Daniel, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Simonot, Timothé, Rouger, Nicolas, Crébier, Jean-Christophe, and Arnould, Jean-Daniel
Abstract: International audience, With the development of multi-level, multiphase or network converters requiring the implementation of numerous distinct power transistor gate drivers, the control signal insulation is becoming more and more important in power converters. This paper presents an isolation technique based on a coreless transformer integrated in a CMOS silicon die together with the gate driver and other required functions. The associated demodulation circuit will also be presented, as the control signal must be modulated at a high frequency through the coreless transformer. The chosen design methodology will be explained and experimental results will be shown in order to validate the functionality.

24. -FET: electrostatics and influence of spacer thickness.

Author: Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Tachi, K., Ernst, T., Dupre, C., Hubert, A., Becu, S., Iwai, H., Cristoloveanu, S., Faynot, O., Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Tachi, K., Ernst, T., Dupre, C., Hubert, A., Becu, S., Iwai, H., Cristoloveanu, S., and Faynot, O.
Abstract: International audience

25. Mobility enhancement by CESL strain in SOI MOSFETs. Euro-SOI

Author: Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Pham-Nguyen, L., Fenouillet-Beranger, C., Ghibaudo, G., Cristoloveanu, S., Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Pham-Nguyen, L., Fenouillet-Beranger, C., Ghibaudo, G., and Cristoloveanu, S.
Abstract: International audience

26. Hybrid Localized SOI/Bulk technology for Low Power System-on-Chip.

Author: Beijing Meteorological Bureau ; Beijing Meteorological Bureau, STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES) ; STMicroelectronics, Laboratoire de physiopathologie de la nutrition (LPN) ; CNRS - Université Paris VII - Paris Diderot, Université Paris-Sud (IDES) ; CNRS, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Huguenin, J.-L., Monfray, S., Bidal, G., Denorme, S., Perreau, P., Barnola, S., Samson, M.-P., Arvet, C., Benotmane, K., Loubet, N., Liu, Q., Campidelli, Y., Leverd, F., Abbate, F., Clement, L., Borowiak, C., Cros, A., Bajolet, A., Handler, S., Marin-Cudraz, D., Benoist, T., Galy, P., Fenouillet-Beranger, C., Faynot, O., Ghibaudo, G., Boeuf, F., Skotnicki, T., Beijing Meteorological Bureau ; Beijing Meteorological Bureau, STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES) ; STMicroelectronics, Laboratoire de physiopathologie de la nutrition (LPN) ; CNRS - Université Paris VII - Paris Diderot, Université Paris-Sud (IDES) ; CNRS, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Huguenin, J.-L., Monfray, S., Bidal, G., Denorme, S., Perreau, P., Barnola, S., Samson, M.-P., Arvet, C., Benotmane, K., Loubet, N., Liu, Q., Campidelli, Y., Leverd, F., Abbate, F., Clement, L., Borowiak, C., Cros, A., Bajolet, A., Handler, S., Marin-Cudraz, D., Benoist, T., Galy, P., Fenouillet-Beranger, C., Faynot, O., Ghibaudo, G., Boeuf, F., and Skotnicki, T.
Abstract: International audience

27. Low temperature characterization of different deep submicron SOI and FinFET devices

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Jomaah, J., Bennamane, K., Balestra, F., Ghibaudo, G., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Jomaah, J., Bennamane, K., Balestra, F., and Ghibaudo, G.
Abstract: International audience

28. ' Caractérisation de l'atténuation radiofréquence de matériaux isolants naturels du bâtiment '

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Xavier, P., Belli-Riz, A.-M., Frau, J.-Y., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Xavier, P., Belli-Riz, A.-M., and Frau, J.-Y.
Abstract: International audience

29. Comparison of Radio Frequency Physical Vapor Deposition target material used for LaOx cap layer deposition in 32nm

Author: UMS 831 unité mixte de service (UMS 831) ; CNRS - Institut de recherche pour le développement [IRD] - CNES - INSU - Observatoire Midi-Pyrénées - Université Paul Sabatier (UPS) - Toulouse III, STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES) ; STMicroelectronics, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des sciences et techniques de l'information, de la communication et de la connaissance (Lab-STICC) ; CNRS - Université de Bretagne Occidentale (UBO) - Université de Bretagne Sud (UBS) - Télécom Bretagne - Institut Supérieur des Sciences et Technologies de Brest (ISSTB) - Institut Mines-Télécom - PRES Université Européenne de Bretagne (UEB), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Baudot, S., Caubet, P., Grégoire, M., A. Bianchi, R., Pantel, R., Zoll, S., Gros-Jean, M., Boujamaa, R., Normandon, P., Leroux, C., Ghibaudo, G., UMS 831 unité mixte de service (UMS 831) ; CNRS - Institut de recherche pour le développement [IRD] - CNES - INSU - Observatoire Midi-Pyrénées - Université Paul Sabatier (UPS) - Toulouse III, STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES) ; STMicroelectronics, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des sciences et techniques de l'information, de la communication et de la connaissance (Lab-STICC) ; CNRS - Université de Bretagne Occidentale (UBO) - Université de Bretagne Sud (UBS) - Télécom Bretagne - Institut Supérieur des Sciences et Technologies de Brest (ISSTB) - Institut Mines-Télécom - PRES Université Européenne de Bretagne (UEB), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Baudot, S., Caubet, P., Grégoire, M., A. Bianchi, R., Pantel, R., Zoll, S., Gros-Jean, M., Boujamaa, R., Normandon, P., Leroux, C., and Ghibaudo, G.
Abstract: International audience

30. Impact of Coulomb Scattering on the Characteristics of Nanoscale Devices

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Boeuf, F., Ghibaudo, G., Skotnicki, T., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Boeuf, F., Ghibaudo, G., and Skotnicki, T.
Abstract: International audience

31. Oxide Soft BreakDown : From Device Modeling to Small Circuit Simulation

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Gerrer, L., Ghibaudo, G., Ribes, G., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Gerrer, L., Ghibaudo, G., and Ribes, G.
Abstract: International audience

32. Fabrication of Compressively-Straiend GeOI Substrates using the Smart Cut ™ Technology

Author: Institut de Biologie du Développement de Marseille Luminy (IBDML) ; Université de la Méditerranée - Aix-Marseille II - CNRS, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Silicon-on-Insulator Technologies (SOITEC) ; Parc Technologique des Fontaines, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Augendre, E., Sanchez, L., Hartmann, J.-M., Van Des Daele, W., Favier, S., Guiot, E., Ghyselein, B., Bourdelle, K.K., Cristoloveanu, S., Billon, T., Clavelier, L., Institut de Biologie du Développement de Marseille Luminy (IBDML) ; Université de la Méditerranée - Aix-Marseille II - CNRS, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Silicon-on-Insulator Technologies (SOITEC) ; Parc Technologique des Fontaines, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Augendre, E., Sanchez, L., Hartmann, J.-M., Van Des Daele, W., Favier, S., Guiot, E., Ghyselein, B., Bourdelle, K.K., Cristoloveanu, S., Billon, T., and Clavelier, L.
Abstract: International audience

33. Analytical modelling of short channel planar FDSOI and triple-gateFET transistors.

Author: Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Ritzenthaler, R., Lime, F., Faynot, O., Cristoloveanu, S., Iniguez, B., Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Ritzenthaler, R., Lime, F., Faynot, O., Cristoloveanu, S., and Iniguez, B.
Abstract: International audience

34. Simulation full-3D real-space NEGF du transport et du magnétotransport dans le FET à nanofil de Silicium

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Buran, C., Pala, M.G., Bescond, M., Mouis, M., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Buran, C., Pala, M.G., Bescond, M., and Mouis, M.
Abstract: National audience

35. 'Orthogonal Frequencies Pulsed-Signal Ultra-Wideband Communication System'

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Novakov, E., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, and Novakov, E.
Abstract: International audience

36. Impact of Ohmic Contacts on Space Charge Limited Currents in Au / Pentacene / Au Structures

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Altazin, S., Clerc, R., Gwoziecki, R., Ghibaudo, G., Pananakakis, G., Coppard, R., Serbutoviez, C., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Altazin, S., Clerc, R., Gwoziecki, R., Ghibaudo, G., Pananakakis, G., Coppard, R., and Serbutoviez, C.
Abstract: National audience

37. Etude du transport dans les composants ultracourts sur SOI

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Buran, C., Pala, M.G., Poli, S., Mouis, M., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Buran, C., Pala, M.G., Poli, S., and Mouis, M.
Abstract: National audience

38. Vertical Transport in Spin Coated Ultra Thin Polycrystalline Pentacene Organic Stacks

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Altazin, S., Clerc, R., Gwoziecki, R., Boudinet, D., M. Verilhac, J., Coppard, R., Ghibaudo, G., Pananakakis, G., Serbutoviez, C., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Altazin, S., Clerc, R., Gwoziecki, R., Boudinet, D., M. Verilhac, J., Coppard, R., Ghibaudo, G., Pananakakis, G., and Serbutoviez, C.
Abstract: National audience

39. Three-interface pseudo-MOSFET model : application to ultrathin BOX SOI wafers.

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Rodriguez, N., Cristoloveanu, S., Gamiz, F., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Rodriguez, N., Cristoloveanu, S., and Gamiz, F.
Abstract: International audience

40. European Nanoelectronics: the Initiatives and Networks of the Academic Community

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Nassiopoulou, A., Balestra, F., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Nassiopoulou, A., and Balestra, F.
Abstract: National audience

41. 'TFMS Microstrip line modelling and characterization up to 110 GHz on 45 nm node silicon technology: application for CAD,'

Author: Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Quémerais, T., Moquillon, L., Fournier, J.-M., Benech, P., Corrao, N., Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Quémerais, T., Moquillon, L., Fournier, J.-M., Benech, P., and Corrao, N.
Abstract: International audience

42. Growth of SiC microwires through Si microwires carburization

Author: Institut d'astrophysique spatiale (IAS) ; CNRS - INSU - Université Paris XI - Paris Sud, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Ollivier, M., Mantoux, A., Bano, Edwige, Rogdakis, K., Baron, T., Latu-Romain, L., Institut d'astrophysique spatiale (IAS) ; CNRS - INSU - Université Paris XI - Paris Sud, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Ollivier, M., Mantoux, A., Bano, Edwige, Rogdakis, K., Baron, T., and Latu-Romain, L.
Abstract: International audience

43. Ultrathin SOI and GeOI Materials and Transistors. Invited paper

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Cristoloveanu, S., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, and Cristoloveanu, S.
Abstract: International audience

44. 'Quasi Static Approach to Optimise RF Modulation of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers'

Author: Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN) ; CNRS - Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN) - Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis - Université Lille I - Sciences et technologies, Laboratoire sols, solides, structures - risques [Grenoble] (3S-R) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Bouhamri, Z., Lombard, P., Le Guennec, Y., Duchamp, J.M., Maury, G., Cabon, B., Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN) ; CNRS - Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN) - Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis - Université Lille I - Sciences et technologies, Laboratoire sols, solides, structures - risques [Grenoble] (3S-R) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Bouhamri, Z., Lombard, P., Le Guennec, Y., Duchamp, J.M., Maury, G., and Cabon, B.
Abstract: International audience

45. Process integration of boron BSF by CVD technique on large surface in bifacial solar cell process flow

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Cabal, R., Auriac, N., Grange, B., Veschetti, Y., Kaminski, A., Heslinga, D., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Cabal, R., Auriac, N., Grange, B., Veschetti, Y., Kaminski, A., and Heslinga, D.
Abstract: International audience

46. Elastic and inelastic scattering in SiNWs

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Pala, M.G., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, and Pala, M.G.
Abstract: International audience

47. New concepts for 1T-DRAMs on SOI.

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Cristoloveanu, S., Bawedin, M., Rodriguez, N., Park, K.-H., Hubert, A., Gamiz, F., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Cristoloveanu, S., Bawedin, M., Rodriguez, N., Park, K.-H., Hubert, A., and Gamiz, F.
Abstract: International audience

48. Exploiting SOICMOS for the extreme environments of future space missions.

Author: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Mojararradi, M., Cristoloveanu, S., Blalock, B., Kolawa, E., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Mojararradi, M., Cristoloveanu, S., Blalock, B., and Kolawa, E.
Abstract: International audience

49. A 2D analytical model of threshold voltage for Pi-gate FinFET transistors.

Author: Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes (InESS) ; Université de Strasbourg - CNRS, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Ritzenthaler, R., Tang, M., Faynot, O., Lime, F., Pregaldiny, F., Lallement, C., Cristoloveanu, S., Iniguez, B., Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes (InESS) ; Université de Strasbourg - CNRS, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Ritzenthaler, R., Tang, M., Faynot, O., Lime, F., Pregaldiny, F., Lallement, C., Cristoloveanu, S., and Iniguez, B.
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50. Impact of hot carrier stress on small signal MOSFET RF parameters

Author: Laboratoire SUBATECH Nantes (SUBATECH) ; CNRS - IN2P3 - Université de Nantes - École Nationale Supérieure des Mines - Nantes, STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES) ; STMicroelectronics, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Negre, L., Roy, D., Boret, S., Scheer, P., Kauffmann, N., Gloria, D., Ghibaudo, G., Laboratoire SUBATECH Nantes (SUBATECH) ; CNRS - IN2P3 - Université de Nantes - École Nationale Supérieure des Mines - Nantes, STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES) ; STMicroelectronics, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Negre, L., Roy, D., Boret, S., Scheer, P., Kauffmann, N., Gloria, D., and Ghibaudo, G.
Abstract: International audience

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