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1. Impact of Ohmic Contacts on Space Charge Limited Currents in Au / Pentacene / Au Structures

Author

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Altazin, S., Clerc, R., Gwoziecki, R., Ghibaudo, G., Pananakakis, G., Coppard, R., Serbutoviez, C., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Altazin, S., Clerc, R., Gwoziecki, R., Ghibaudo, G., Pananakakis, G., Coppard, R., and Serbutoviez, C.

Abstract

National audience

2. Vertical Transport in Spin Coated Ultra Thin Polycrystalline Pentacene Organic Stacks

Author

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Altazin, S., Clerc, R., Gwoziecki, R., Boudinet, D., M. Verilhac, J., Coppard, R., Ghibaudo, G., Pananakakis, G., Serbutoviez, C., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Altazin, S., Clerc, R., Gwoziecki, R., Boudinet, D., M. Verilhac, J., Coppard, R., Ghibaudo, G., Pananakakis, G., and Serbutoviez, C.

Abstract

National audience

3. Growth of SiC microwires through Si microwires carburization

Author

Institut d'astrophysique spatiale (IAS) ; CNRS - INSU - Université Paris XI - Paris Sud, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Ollivier, M., Mantoux, A., Bano, Edwige, Rogdakis, K., Baron, T., Latu-Romain, L., Institut d'astrophysique spatiale (IAS) ; CNRS - INSU - Université Paris XI - Paris Sud, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Ollivier, M., Mantoux, A., Bano, Edwige, Rogdakis, K., Baron, T., and Latu-Romain, L.

Abstract

International audience

4. A stacked SONOS technology, up to 4 levels and 6nm crystalline nanowires, with gate-all-around or independent gates (Φ-Flash), suitable for full 3D integration.

Author

Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Bertin Technologies (Bertin Technologies) ; Bertin Technologies, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Hubert, A., Nowak, E., Tachi, K., Maffini-Alvaro, V., Vizioz, C., Arvet, C., Colonna, J.-P., Hartmann, J.-M., Loup, V., Baud, L., Pauliac, S., Delaye, V., Carabasse, C., Molas, G., Ghibaudo, G., De Salvo, B., Faynot, O., Ernst, T., Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (FEMTO-ST) ; CNRS - Université de Franche-Comté - Université de Technologie de Belfort-Montbeliard - Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques, Bertin Technologies (Bertin Technologies) ; Bertin Technologies, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Hubert, A., Nowak, E., Tachi, K., Maffini-Alvaro, V., Vizioz, C., Arvet, C., Colonna, J.-P., Hartmann, J.-M., Loup, V., Baud, L., Pauliac, S., Delaye, V., Carabasse, C., Molas, G., Ghibaudo, G., De Salvo, B., Faynot, O., and Ernst, T.

Abstract

National audience

5. Contact Resistance in Top Gate / Bottom Contact OTFTs.

Author

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Altazin, S., Clerc, R., Gwoziecki, R., Boudinet, D., Ghibaudo, G., Pananakakis, G., Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Altazin, S., Clerc, R., Gwoziecki, R., Boudinet, D., Ghibaudo, G., and Pananakakis, G.

Abstract

National audience

6. 'Lateral Field Excitation of thickness shear modes in an AlN membrane'

Author

Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture (TIMA) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, RFM ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Gorisse, M., Bertaud, T., Reinhardt, A., Borel, M., Billard, C., Defaÿ, E., Lacrevaz, T., Bermond, C., Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture (TIMA) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, RFM ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Gorisse, M., Bertaud, T., Reinhardt, A., Borel, M., Billard, C., Defaÿ, E., Lacrevaz, T., and Bermond, C.

Abstract

International audience

7. Bio-mag-MEMS with micro-magnets for biological applications

Author

Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP) ; CNRS - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - Minatec, Axe 2 : procédés de traitements de surface ; Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - CNRS, Blaire, Guillaume, Masse, Alain, Zanini, Luiz-Fernando, Gaude, Victor, Delshadi, Sara, Honneger, Thibaud, Peyrade, David, Weidenhaupt, Marianne, Dumas-Bouchiat, Frédéric, Bruckert, Franz, Cugat, Orphée, Reyne, Gilbert, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP) ; CNRS - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - Minatec, Axe 2 : procédés de traitements de surface ; Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface (SPCTS) ; Université de Limoges - Ecole Nationale Supérieure de Céramique Industrielle - Institut des Procédés Appliqués aux Matériaux - CNRS - CNRS, Blaire, Guillaume, Masse, Alain, Zanini, Luiz-Fernando, Gaude, Victor, Delshadi, Sara, Honneger, Thibaud, Peyrade, David, Weidenhaupt, Marianne, Dumas-Bouchiat, Frédéric, Bruckert, Franz, Cugat, Orphée, and Reyne, Gilbert

Abstract

International audience

8. 'Lateral Field Excitation of thickness shear modes in an AlN membrane'

Author

Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture (TIMA) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, RFM ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Gorisse, M., Bertaud, T., Reinhardt, A., Borel, M., Billard, C., Defaÿ, E., Lacrevaz, T., Bermond, C., Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture (TIMA) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM) ; CNRS - Université Joseph Fourier - Grenoble I, Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) ; CEA, RFM ; Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) ; CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) - CNRS - Université de Savoie - Université Joseph Fourier - Grenoble I - Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Gorisse, M., Bertaud, T., Reinhardt, A., Borel, M., Billard, C., Defaÿ, E., Lacrevaz, T., and Bermond, C.

Abstract

International audience

9. Modulated filamentary conduction of Ag/TiO2 core-shell nanowires to impart extremely sustained resistance switching behavior in a flexible composite

Author

Woojin Jeon, Cheol Seong Hwang, Minsung Kim, Youngjin Kim, Jong Hyuk Park, Sang Soo Lee, Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Seoul National University [Seoul] (SNU), Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
Materials science, business.industry, Composite number, Nanowire, 02 engineering and technology, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 010402 general chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Thermal conduction, 01 natural sciences, 0104 chemical sciences, Electric field, Electrode, Optoelectronics, General Materials Science, Resilience (materials science), Deformation (engineering), 0210 nano-technology, business, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Voltage
Abstract

A core-shell nanowire-embedded composite formulation, exhibiting exquisite resistance switching behavior at quite low operating voltage (∼0.1 V) and extremely sustained switching behavior even under repeated mechanical deformation, has been developed for the application of a non-volatile memory device. This structure is based on a simple spin-casted composite comprising a stochastic distribution of Ag/TiO2 core-shell nanowires deploying resistance switching behavior, and poly(vinyl alcohol) (PVA) as a dielectric matrix. The Ag/TiO2 core-shell architecture of the one-dimensional (1D) resistance switching fillers (RSFs) and their distribution on a two-dimensional electrode surface were both designed to confine the electric field to the contact points between the RSFs and electrodes, imparting facile filamentary conduction in a highly confined region. These structural features render the switching behavior highly sustainable against mechanical stress and electrical noise; consequently, a notable switching operation, including a quite narrow variation of switching parameters, and very low operating voltages (Vset ∼ 0.098 ± 0.011 V, and Vreset ∼ −0.102 ± 0.013 V) were all successfully obtained for up to ∼50,000 mechanical deformation cycles. The resistance switching memory employing the core-shell nanowire-embedded composite formulation is highly promising for applications in which mechanical resilience, transparency, device lifetime, and power conservation are crucial, such as wearable electronics.

Published
2020

10. Polyacrylamide hydrogels with rigidity-independent surface chemistry show limited long-term maintenance of pluripotency of human induced pluripotent stem cells on soft substrates

Author

Solenne Paiva, Camille Migdal, Alice Nicolas, Eline Lopez Soler, Yeranuhi Hovhannisyan, Onnik Agbulut, Pierre Joanne, Adaptation Biologique et Vieillissement = Biological Adaptation and Ageing (B2A), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut de Biologie Paris Seine (IBPS), Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CELL AND SOFT, Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Biologie Paris Seine (IBPS), Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Cellules Souches et Biothérapies (CSB), Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut de Biologie Paris Seine (IBPS), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut de Biologie Paris Seine (IBPS), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut de Biologie Paris Seine (IBPS), and Sorbonne Université (SU)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Polyacrylamide Hydrogel, [SDV.BIO]Life Sciences [q-bio]/Biotechnology, 0206 medical engineering, Polyacrylamide, Induced Pluripotent Stem Cells, Biomedical Engineering, Acrylic Resins, Cell Culture Techniques, 02 engineering and technology, [SDV.BC.BC]Life Sciences [q-bio]/Cellular Biology/Subcellular Processes [q-bio.SC], Cell fate determination, Biomaterials, chemistry.chemical_compound, Mechanobiology, Humans, Induced pluripotent stem cell, Cell adhesion, [SDV.IB.BIO]Life Sciences [q-bio]/Bioengineering/Biomaterials, Cells, Cultured, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Cell Differentiation, 021001 nanoscience & nanotechnology, 020601 biomedical engineering, In vitro, chemistry, Biophysics, Stem cell, 0210 nano-technology
Abstract

In general, cells are cultured and adapted to the in vitro rigidities of plastic or glass ranging between 1 and 10 GPa, which is very far from physiological values that are mostly in the kilopascal range. Stem cells however show a high sensitivity to the rigidity of their culture environment, which impacts their differentiation program. Here, we address the impact of rigidity on the long-term maintenance of pluripotency in human induced pluripotent stem cells (hiPSCs) to determine whether soft substrates could provide a new standard for hiPSC expansion and maintenance. To do this, we set up a fabrication process of polyacrylamide-based culture supports with a rigidity-decoupled surface chemistry. Soft elastic substrates with uniform and reproducible physicochemical properties were designed. The maintenance of pluripotency of two hiPSCs lines on substrates with stiffnesses ranging from 3 to 25 kPa was studied with an identical chemical coating consisting of a truncated recombinant vitronectin with defined surface density. Based on the analysis of cellular adhesion, survival, growth kinetics, three-dimensional distribution, and gene and protein expressions, we demonstrate that below 25 kPa hiPSCs do not maintain pluripotency on long-term culture, while pluripotency and self-renewal capacities are maintained above 25 kPa. In contrast to previous studies, no drift toward a specific germ line lineage was revealed. On soft substrates, cell colonies started to grow in three-dimensional (3D), suggesting that softness allows cells to limit contact with the synthetic matrix and to build their own microenvironment. These observations drastically limit the benefit of using standardized soft substrates to expand hiPSCs, at least with the current culture conditions. The development of a robust technology for the design of soft substrates nevertheless opens up perspectives to fine-tune physicochemical properties of the culture environment in addition to or in replacement of soluble growth factors to finely direct cell fate.

Published
2019

11. Skilled manpower shortage in microelectronics A challenge for the french education microelectronics network

Author

Ahmad Bsiesy, Olivier Bonnaud, Laurent Fesquet, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés (TIMA), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), ANR-11-IDFI-0017, ANR-11-IDFI-0017,FINMINA,Réseau national pour les Formations INnovantes en MIcro et Nanoélectronique(2011), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1), Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (IETR), Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture (TIMA), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), and Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble

Subjects
Pedagogical approach for engineers, Engineering, Smart system, business.industry, 4. Education, media_common.quotation_subject, French national network, Jobs in shortage, Context (language use), Economic shortage, 02 engineering and technology, Engineering management, Broad spectrum, Presentation, [SPI]Engineering Sciences [physics], Microelectronics, 020204 information systems, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, business, Industrial Revolution, Internet of Things, media_common
Abstract

International audience; The rapid growth of the Internet of Things associated with the fourth industrial revolution requires more and more connected objects and smart systems. Microelectronics is technically at the very core of all these systems and must therefore contribute to this development. To achieve this, it is necessary to develop highly specialized but also broad spectrum skills and know-how. The industry worldwide observes a shortage of these skills and identifies areas of stressed. The educational world of engineering must therefore respond to this demand and adapt its pedagogical approaches and content. This is the mission of the French microelectronics training network, which focuses on innovation in accordance with the emerging needs. After a presentation of the technical and technological context, industrial needs and examples of innovative approaches taken by the network are presented. © 2019 IEEE.

Published
2019

12. Characterization by OCT of a new kind of micro-interferometric components for the NanoCarb miniature imaging spectrometer

Author

Yann Ferrec, Hélène Ehrhardt, Etienne Le Coarer, Silvère Gousset, J. Boussey, Laurence Croizé, Marie Panabière, Laure Brooker, Institut de Planétologie et d'Astrophysique de Grenoble (IPAG), Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire des Sciences de l'Univers de Grenoble (OSUG), Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut national de recherche en sciences et technologies pour l'environnement et l'agriculture (IRSTEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut national de recherche en sciences et technologies pour l'environnement et l'agriculture (IRSTEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), DOTA, ONERA, Université Paris Saclay [Palaiseau], ONERA-Université Paris-Saclay, Airbus Defence and Space [Toulouse], Scarbo Consortium, Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire des Sciences de l'Univers de Grenoble (OSUG ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Institut national de recherche en sciences et technologies pour l'environnement et l'agriculture (IRSTEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut national de recherche en sciences et technologies pour l'environnement et l'agriculture (IRSTEA)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), DOTA, ONERA, Université Paris Saclay (COmUE) [Palaiseau], ONERA-Université Paris Saclay (COmUE), and Ehrhardt, Hélène

Subjects
[SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Novel optical systems design, Computer science, Imaging spectrometer, Field of view, 02 engineering and technology, Optical Coherence Tomography (OCT) characterization, Miniaturized imaging spectrometer, 01 natural sciences, 010309 optics, Optical path, Optical coherence tomography, 0103 physical sciences, Astronomical interferometer, medicine, Electronic engineering, medicine.diagnostic_test, Metrology for interferometers, Detectors, 021001 nanoscience & nanotechnology, Metrology, Interferometry, Cardinal point, Green-house gasses monitoring, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology
Abstract

International audience; In this paper, we describe the NanoCarb concept as well as its key elements. Then we will explain the design of the prototype followed by the development of characterization techniques. Finally, we will present how this tool can be used as part of end-to-end model. The key element of the NanoCarb concept is a matrix of silicon Fabry-Perot micro-interferometers, which allows us to perform both imaging and interferometry with a field of view of 18° and several interferometric samples in a snapshot. This technique permits us to optimize the SNR for a much reduced volume. The very complex and unusual design of this component brings huge optical and technological challenges, and requires the development of characterization techniques at the nanometer scale. Upon achievement of this purpose, the next step will be the integration of this matrix in a NanoCarb prototype to demonstrate its effective performances. We present a test bench using the interferential metrology technique of Optical Coherence Tomography (OCT). In a first time, we managed to obtain optical path maps of different silicon wafers with nanometer accuracy. Then, we employed the technique to characterize the first micro-interferometers. In parallel, we realized the first prototype integration of NanoCarb with an InGaAs focal plane array and started its characterization

Published
2019

13. Resistive Non-Volatile Memories Characteri-zation by Conductive Atomic Force Micros-copy (C-AFM) in Ultra-High Vacuum Environment

Author

Singh, Amit Kumar, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Grenoble Alpes, Martin Kogelschatz, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), STAR, ABES, and Laboratoire des technologies de la microélectronique [2016-2019] (LTM [2016-2019])

Subjects
Scanning probe microscopy, OxRAM, Electrical characterisation, Caractérisation électrique, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Resistive memory, Pcram, Mémoire non volatile, Microscopie à sonde locale, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Mémoire résistive, Non volatile memory
Abstract

Memories are the fundamental for any electronic system we interact with in our daily life and are getting more and more important day by day in our present era. The growing functionalities and performance of the electronic products such as digital cameras, smart phone, personal computer, solid state hard disk and many more, need continues improvement of its features. Floating gate-based Flash technology is the main NVM technology used extensively in market these days. Nevertheless, Flash technology presents many problems making further scaling impossible. In this context, there are many other memory technologies emerging and interest in new concepts and materials to go beyond the Flash technology is growing. Resistive non-volatile memories based on two terminal devices, in which an active material is sandwiched between two electrodes have been investigated. The main idea of using this kind of structure and material is to use a specific physical mechanism allowing to switch it between two different resistive states for information storage. For example, in oxide based random-access memory (OxRAM), a conductive filament is grown inside the oxide layer, linking the two electrodes. By creation and disruption of this filament, two different resistance states can be generated. Another example is the phase change random-access memory (PCRAM), in which a chalcogenide material with the ability to change its phase between a high resistive amorphous and a low resistive crystalline state is used. Over the last few years OxRAM has been widely investigated due to many advantages like good scalability, long data retention time, fast read & write speed and low power consumption. The main benefit is that it is compatible with Back-end of line fabrication. In MIM structures for OxRAM, forming and disruption of the nanometer sized conductive filament is commonly accepted as the physical phenomenon for the switching, but still a debate is going on to understand the nature and characteristics of the conductive filament. Also, many studies have been done to evaluate the scaling capability of OxRAM and PCRAM. Hence, in this thesis work we studied mechanisms related to the conductive filament based resistive switching at nanoscale. To do the electrical characterization, a new technique using conductive atomic force microscopy (C-AFM) in ultra-high vacuum is proposed. The impact of different AFM tip materials (which is used as top electrode), different bottom electrode materials and the compliance current effect in two different regimes (in nA and in µA) are investigated. It is found that in the case of HfO2 based OxRAM, the filament is formed by Ti diffusion from the bottom electrode through the oxide layer. The results are in good agreement with device characteristics and could be reproduced by modeling. Also, phase transition in phase change materials for PCRAM is investigated for Ge2Sb2Te5 (GST-225) and Ge rich GST. It was found that the phase transition from amorphous to crystalline is possible at nanoscale. Finally, the threshold for GST-225 is observed at values nearer to those observed on devices than former observations with standard C-AFM., Les mémoires sont à la base de tout système électronique avec lequel nous interagissons dans notre vie quotidienne et deviennent de plus en plus important jour après jour à notre époque. Les fonctionnalités et les performances croissantes des produits électroniques tels que les appareils photo numériques, les téléphones cellulaires, les ordinateurs personnels, les disques durs, etc., nécessitent une amélioration continue de ses fonctionnalités. La technologie Flash à grille flottante est la principale technologie NVM utilisée sur le marché actuellement. Néanmoins, la technologie Flash pose de nombreux problèmes rendant tout redimensionnement impossible. Dans ce contexte, de nombreuses autres technologies de mémoire sont en train d'émerger et l'intérêt pour les nouveaux concepts et matériaux allant au-delà de la technologie Flash ne cesse de croître. Des mémoires résistives non volatiles basées sur deux types de dispositifs, dans lesquelles un matériau actif est pris en sandwich entre deux électrodes, ont été étudiées. L'idée principale d'utiliser ce type de structure et de matériau est d'utiliser un mécanisme physique spécifique permettant de le basculer entre deux états résistifs différents pour le stockage d'informations. Par exemple, dans la mémoire à base d’oxydes (OxRAM), un filament conducteur est développé à l’intérieur de la couche d’oxyde, reliant les deux électrodes. En créant et en interrompant ce filament, deux états de résistance différents peuvent être générés. Un autre exemple est la mémoire à changement de phase (PCRAM), dans laquelle un matériau à base de chalcogénure capable de changer de phase entre un état amorphe à haute résistance et un état cristallin à faible résistance est utilisé. Les mémoires OxRAM ont été largement étudiées au cours des dernières années en raison de leurs nombreux avantages, tels qu'une bonne évolutivité en matière de réduction de taille, une longue rétention, une vitesse de lecture et d'écriture rapide et une faible consommation d'énergie. Le principal avantage est leur compatibilité avec la fabrication en back end. Dans les structures MIM pour OxRAM, la formation et la rupture d’un filament conducteur de taille nanométrique sont communément acceptées comme étant le phénomène physique de la commutation, mais un débat est toujours en cours pour comprendre la nature et les caractéristiques du filament conducteur. De plus, de nombreuses études ont été réalisées pour évaluer le potentiel de réduction des dimensions des mémoires OxRAM et PCRAM. Par conséquent, dans cette thèse, nous étudions les mécanismes liés à la commutation résistive à base de filaments conducteurs à l’échelle nanométrique. Pour effectuer la caractérisation électrique, une nouvelle technique utilisant la microscopie à force atomique en mode conduction (C-AFM) sous ultravide est proposée. L’influence du matériau de la pointe AFM (utilisés comme électrode supérieure), du matériau de l’électrode inférieure et l’effet du courant limite dans deux régimes différents (en nA et en µA) sont étudiés. Il ressort de notre travail que dans les mémoires OxRAM à base de HfO2, le filament est créé par diffusion de Ti de l’électrode inférieure à travers l’oxyde. Les résultats sont en bon accord avec ceux obtenus sur des dispositifs et ont pu être reproduits par un modèle. En outre, la transition de phase dans les matériaux pour PCRAM est étudiée pour le GST riche en Ge et le GST-225. Il a été constaté que la transition de phase dans les matériaux à changement de phase est possible à l'échelle nanométrique. Enfin, le champ électrique de seuil observé dans le cas du GST-225 est bien plus proche des valeurs mesurées que celles obtenues avec un CAFM standard.

Published
2019

14. Optimization of resistive memories using In2O3 nanostructures integration with a CMOS Back-End-Off-Line process

Author

Abdelkader Souifi, Pierre-Vincent Guenery, Damien Deleruyelle, Liviu Militaru, Moeyaert, J., Labau, S., Bassem Salem, Blonkowski, S., Baron Thierry, Deleruyelle, Damien, INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
[SPI.GPROC] Engineering Sciences [physics]/Chemical and Process Engineering, [SPI.GPROC]Engineering Sciences [physics]/Chemical and Process Engineering, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2019

15. In Situ Investigation of the Early-Stage Growth of Nanoporous Alumina

Author

Thérèse Gorisse, Alessandro Coati, Alina Vlad, Yves Garreau, Ludovic Dupré, Marc Zelsmann, Denis Buttard, Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures (SiNaps), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Synchrotron SOLEIL (SSOLEIL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques (MPQ (UMR_7162)), Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], Fabrication, Materials science, Article Subject, Nanoporous, Anodizing, Scattering, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Electrolyte, 010402 general chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, 0104 chemical sciences, Electrochemical cell, chemistry, Aluminium, lcsh:Technology (General), lcsh:T1-995, General Materials Science, Composite material, 0210 nano-technology, Layer (electronics)
Abstract

International audience; We report the successful use of in situ grazing incidence small-angle X-ray scattering to follow the anodization of aluminum. A dedicated electrochemical cell was designed and developed for this purpose with low X-ray absorption, with the possibility to access all azimuthal angles (360°) and to remotely control the temperature of the electrolyte. Three well-known fabrication techniques of nanoporous alumina, i.e., single, double, and pretextured, were investigated. The differences in the evolution of the scattering images are described and explained. From these measurements, we could determine at which moment the pores start growing even for very short anodization times. Furthermore, we could follow the thickness of the alumina layer as a function of the anodization time by monitoring the period of the Kiessig fringes. This work is aimed at helping to understand the different steps taking place during the anodization of aluminum at the very early stages of nanoporous alumina formation.

Published
2018

16. Aluminum nitride thin films deposited by hydrogen plasma enhanced and thermal atomic layer deposition

Author

Carmen Jiménez, Liang Tian, Michel Pons, S. Ponton, Fabien Volpi, M. Benz, Roman Reboud, Elisabeth Blanquet, Christophe Vallée, Gael Giusti, Alexandre Crisci, Laetitia Rapenne, Arnaud Mantoux, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), SIL’TRONIX-ST, Archamps, France, Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés ( SIMaP ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology ( Grenoble INP ) -Institut National Polytechnique de Grenoble ( INPG ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ), Laboratoire des matériaux et du génie physique ( LMGP ), Institut National Polytechnique de Grenoble ( INPG ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology ( Grenoble INP ), Laboratoire des Technologies de la Microélectronique ( LTM ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA )

Subjects
Materials science, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, Nitride, 01 natural sciences, Atomic layer deposition, chemistry.chemical_compound, Aluminium, 0103 physical sciences, Materials Chemistry, Silicon carbide, C/AL, Thin film, Deposition (law), ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, computer.programming_language, 010302 applied physics, Surfaces and Interfaces, General Chemistry, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Surfaces, Coatings and Films, chemistry, Chemical engineering, [ CHIM.MATE ] Chemical Sciences/Material chemistry, 0210 nano-technology, computer, Carbon
Abstract

Plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) of aluminum nitride (AlN) thin films often utilizes NH3 or a mixture of N2 and H2 as a plasma source. However, the possibility of separating the activation step from the nitridation step by using H2 alone as the plasma source has never been explored. In this paper, we study the deposition of AlN by PE-ALD by using trimethylaluminum, H2 plasma and NH3 for deposition temperatures below 400 °C. The self-limiting ALD growth was achieved between 325 °C and 350 °C. As a comparison, AlN was also deposited by thermal ALD (T-ALD), where surface reactions between TMA and NH3 occurred with reasonable growth rates only at temperatures above 400 °C. The PE-ALD films showed low oxygen (1.5 at.%) and carbon contaminations (1 at.%). The T-ALD films contained carbon (5 at.%) mainly attributed to the presence of C Al bonds that was insignificant in PE-ALD films. The flow rate of H2 used in H2 plasma was found to have a significant impact on the preferred orientation of AlN films, where higher H2 flow rate promoted the (002) preferred orientation. Besides, the electrical resistivities were probed to be 108 Ω cm, as expected in an insulating material. As an example, AlN was used to infiltrate porous sintered silicon carbide (SiC). Both AlN deposited by PE-ALD and by T-ALD operating with exposure mode deposited at 400 °C were attempted. Even though, there is a greater risk for TMA precursor to decompose at 400 °C, infiltration of AlN was more successful by T-ALD operating with exposure mode.

Published
2018

17. Improvement of Sidewall Roughness of Submicron SOI Waveguides by Hydrogen Plasma and Annealing

Author

Camille Petit-Etienne, Vincent Hugues, Corrado Sciancalepore, Cyril Bellegarde, Philippe Lyan, Daniel Robin-Brosse, Erwine Pargon, Jean-Michel Hartmann, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire Interuniversitaire des Systèmes Atmosphériques (LISA (UMR_7583)), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle, INL - Nanophotonique (INL - Photonique), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Navier (navier umr 8205), Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École des Ponts ParisTech (ENPC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Laboratoire des technologies de la microélectronique [2016-2019] (LTM [2016-2019])

Subjects
Fabrication, Materials science, Silicon, Annealing (metallurgy), chemistry.chemical_element, Silicon on insulator, 02 engineering and technology, Surface finish, Waveguide (optics), law.invention, [PHYS] Physics [physics], 020210 optoelectronics & photonics, law, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electrical and Electronic Engineering, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS]Physics [physics], business.industry, Plasma, 021001 nanoscience & nanotechnology, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Wavelength, chemistry, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business, Waveguide
Abstract

International audience; We report the successful fabrication of low-loss submicrometric silicon-on-insulator strip waveguides for on-chip links. Postlithography treatment and postetching hydrogen annealing have been used to smoothen the waveguide sidewalls, as roughness is the major source of transmission losses. An extremely low silicon line-edge roughness of 0.75 nm is obtained with the optimized process flow. As a result, record-low optical losses of less than 0.5 dB/cm are measured at 1310 nm for strip waveguide dimensions exceeding 500 nm. They range from 1.2 to 0.8 dB/cm for 300-400-nm-wide waveguides. Those results are to our knowledge the best ever published for a 1310-nm wavelength. These results are compared to modeling based on Payne and Lacey equations.

Published
2018

18. Electrical properties of metal/Al 2 O 3 /In 0.53 Ga 0.47 As capacitors grown on InP

Author

Alexandre Arnoult, H. Grampeix, Maud Vinet, Mickael Martin, Mathilde Billaud, Philippe Ferrandis, Julien Duvernay, Thierry Baron, Mikael Casse, Gilles Reimbold, Hervé Boutry, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, NANO 2017 programLabEx Minos ANR-10-LABX-5501French 'Recherches Technologiques de Base' (Basis Technological Research)RENATECH programs, European Project: 688784,H2020,H2020-ICT-2015,INSIGHT(2015), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes [Toulouse] (LAAS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UPS), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique [Toulouse] (INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UPS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique [Toulouse] (INP), Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (CEA-LETI), Université Grenoble Alpes (UGA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Université de Toulon ( UTLN ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique ( LAAS-TEAM ), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes [Toulouse] ( LAAS ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Toulouse III - Paul Sabatier ( UPS ), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National Polytechnique [Toulouse] ( INP ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Toulouse III - Paul Sabatier ( UPS ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National Polytechnique [Toulouse] ( INP ), Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information ( CEA-LETI ), Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Direction de Recherche Technologique (CEA) ( DRT (CEA) ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA )

Subjects
Materials science, Deep-level transient spectroscopy, Analytical chemistry, Oxide, General Physics and Astronomy, 02 engineering and technology, Chemical vapor deposition, Dielectric, 01 natural sciences, law.invention, chemistry.chemical_compound, law, 0103 physical sciences, Deposition (phase transition), Metalorganic vapour phase epitaxy, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, [ PHYS ] Physics [physics], 021001 nanoscience & nanotechnology, Capacitor, chemistry, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], 0210 nano-technology, Molecular beam epitaxy
Abstract

International audience; To overcome the Fermi-level pinning in III-V metal-oxide-semiconductor capacitors, attention is usually focused on the choice of dielectric and surface chemical treatments prior to oxide deposi-tion. In this work, we examined the influence of the III-V material surface cleaning and the semiconductor growth technique on the electrical properties of metal/Al 2 O 3 /In 0.53 Ga 0.47 As capacitors grown on InP(100) substrates. By means of the capacitance-voltage measurements, we demonstrated that samples do not have the same total oxide charge density depending on the cleaning solution used [(NH 4) 2 S or NH 4 OH] prior to oxide deposition. The determination of the interface trap density revealed that a Fermi-level pinning occurs for samples grown by metalorganic chemical vapor deposition but not for similar samples grown by molecular beam epitaxy. Deep level transient spectroscopy analysis explained the Fermi-level pinning by an additional signal for samples grown by metalorganic chemical vapor deposition, attributed to the tunneling effect of carriers trapped in oxide toward interface states. This work emphasizes that the choice of appropriate oxide and cleaning treatment is not enough to prevent a Fermi-level pinning in III-V metal-oxide-semiconductor capacitors. The semiconductor growth technique needs to be taken into account because it impacts the trapping properties of the oxide. Published by AIP Publishing.

Published
2018

19. Letter to the Editor: About bovine beta-casofensin genetic variants-A comment on Bruno et al. (2017) Response

Author

Pascale Plaisancie, Bruno, J., Aurélie Nicolas, Sandra Pesenti, Schwarz, J., Simon, J. L., Leonil, J., Cardiovasculaire, métabolisme, diabétologie et nutrition (CarMeN), Institut National de la Recherche Agronomique (INRA)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Hospices Civils de Lyon (HCL)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Sandia National Laboratories [Albuquerque] (SNL), Sandia National Laboratories - Corporation, inconnu, Inconnu, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
milk, Food Science & Technology, [SDV]Life Sciences [q-bio], Agriculture, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2018

20. How to design brains on a chip

Author

Libralesso, Luc, Larramendy, Florian, Jost, Vincent, Maffray, Frédéric, Honegger, Thibault, ROSP ( G-SCOP_ROSP ), Laboratoire des sciences pour la conception, l'optimisation et la production ( G-SCOP ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology ( Grenoble INP ) -Institut National Polytechnique de Grenoble ( INPG ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology ( Grenoble INP ) -Institut National Polytechnique de Grenoble ( INPG ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ), Équipe NanoBioSystèmes ( LAAS-NBS ), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes [Toulouse] ( LAAS ), Institut National Polytechnique [Toulouse] ( INP ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National Polytechnique [Toulouse] ( INP ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), OC ( G-SCOP_OC ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), LIBRALESSO, Luc, Recherche Opérationnelle pour les Systèmes de Production (G-SCOP_ROSP ), Laboratoire des sciences pour la conception, l'optimisation et la production (G-SCOP), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Optimisation Combinatoire (G-SCOP_OC ), and Université Grenoble AlpesERC Connexio GA 714291

Subjects
[INFO.INFO-RO] Computer Science [cs]/Operations Research [cs.RO], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [INFO.INFO-RO]Computer Science [cs]/Operations Research [cs.RO], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [ INFO.INFO-RO ] Computer Science [cs]/Operations Research [cs.RO]
Abstract

International audience

Published
2017

21. Strongly directional scattering from dielectric nanowires

Author

Thierry Baron, Arnaud Arbouet, Frank Fournel, Peter R. Wiecha, Gérard Colas des Francs, Aurélien Cuche, Christian Girard, Guilhem Larrieu, Vincent Paillard, Aurélie Lecestre, Vincent Larrey, Nano-Optique et Nanomatériaux pour l'optique (CEMES-NeO), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Nano-Optique et Forces (NOF ), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne [Dijon] (LICB), Université de Bourgogne (UB)-Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales ( CEMES ), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Nano-Optique et Nanomatériaux pour l'optique ( CEMES-NeO ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique ( LAAS-TEAM ), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes [Toulouse] ( LAAS ), Institut National Polytechnique [Toulouse] ( INP ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Paul Sabatier - Toulouse 3 ( UPS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National Polytechnique [Toulouse] ( INP ) -Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse ( INSA Toulouse ), Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique ( LAAS-MPN ), Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information ( CEA-LETI ), Université Grenoble Alpes [Saint Martin d'Hères]-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Labau, Isabelle, Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nano-Optique et Forces (NEEL - NOF), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne (ICB), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Université de Bourgogne (UB)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Université de Bourgogne (UB)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne (LICB), NOF - Nano-Optique et Forces, Institut Néel ( NEEL ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Grenoble Alpes [Saint Martin d'Hères]-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Grenoble Alpes [Saint Martin d'Hères], Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne [Dijon] ( LICB ), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard ( UTBM ) -Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes [Saint Martin d'Hères]

Subjects
Nanowire, Nanoparticle, FOS: Physical sciences, Physics::Optics, 02 engineering and technology, Dielectric, 01 natural sciences, [PHYS] Physics [physics], 010309 optics, 0103 physical sciences, Mesoscale and Nanoscale Physics (cond-mat.mes-hall), Electrical and Electronic Engineering, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Physics, [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS ] Physics [physics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Condensed matter physics, Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, Scattering, 021001 nanoscience & nanotechnology, Polarization (waves), Atomic and Molecular Physics, and Optics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Transverse plane, 0210 nano-technology, Excitation, Biotechnology, Visible spectrum
Abstract

It has been experimentally demonstrated only recently that a simultaneous excitation of interfering electric and magnetic resonances can lead to uni-directional scattering of visible light in zero-dimensional dielectric nanoparticles. We show both theoretically and experimentally, that strongly anisotropic scattering also occurs in individual dielectric nanowires. The effect occurs even under either pure transverse electric or pure transverse magnetic polarized normal illumination. This allows for instance to toggle the scattering direction by a simple rotation of the incident polarization. Finally, we demonstrate that directional scattering is not limited to cylindrical cross-sections, but can be further tailored by varying the shape of the nanowires., Comment: 12 pages, 6 figures + supporting informations of 12 pages, 19 figures

Published
2017

22. Modélisation des sites instrumentés et évaluation des flux d’azote

Author

Benhamou, Cyril, Durand, P., Drouet, J.-L, Akkal, Nouraya, Anglade, Juliette, BARBILLON, Pierre, CASAL, Laurène, Cellier, Pierre, CHAMBON, Camille, Ferrant, Sylvain, Ferrer-Savall, J, Fléchard, C, Franqueville, Damien, Garnier, Jacques, Hénault, Catherine, Monod, Herve, Pasquier, Catherine, Probst, Anne, Salmon-Monviola, Jordy, Laboratoire d'aérologie (LAERO), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Observatoire Midi-Pyrénées (OMP), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Météo-France -Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Météo-France -Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Sol Agro et hydrosystème Spatialisation (SAS), Institut National de la Recherche Agronomique (INRA)-AGROCAMPUS OUEST, Agro-Systèmes Territoires Ressources Mirecourt (ASTER Mirecourt), Institut National de la Recherche Agronomique (INRA), Mathématiques et Informatique Appliquées (MIA-Paris), Institut National de la Recherche Agronomique (INRA)-AgroParisTech, Ecologie fonctionnelle et écotoxicologie des agroécosystèmes (ECOSYS), Université Paris-Saclay, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Mathématiques et Informatique Appliquées du Génome à l'Environnement [Jouy-En-Josas] (MaIAGE), Unité de Science du Sol (Orléans) (URSols), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire Midi-Pyrénées (OMP), Météo France-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Météo France-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Institut national d'enseignement supérieur pour l'agriculture, l'alimentation et l'environnement (Institut Agro)-Institut national d'enseignement supérieur pour l'agriculture, l'alimentation et l'environnement (Institut Agro), AgroParisTech-Institut National de la Recherche Agronomique (INRA), Unité de recherche Science du Sol (USS), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Observatoire Midi-Pyrénées (OMP), Météo France-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Météo France-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'aérologie (LA), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble, Agroécologie [Dijon], Institut National de la Recherche Agronomique (INRA)-Université de Bourgogne (UB)-AgroSup Dijon - Institut National Supérieur des Sciences Agronomiques, de l'Alimentation et de l'Environnement-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
[SDV]Life Sciences [q-bio]
Abstract

Modélisation des sites instrumentés et évaluation des flux d’azote. Séminaire de clôture ANR ESCAPADE " Evaluation de scénarios sur la cascade de l'azote dans les paysages agricoles et modélisation territoriale"; Les deux modèles NitroScape et TNT2 ont été appliqués pour simuler la cascade de l'azote sur les quatre sites instrumentés du projet : Naizin en Bretagne, OSOS en Centre-Val de Loire, Avenelles en Île-de-France et Auradé en Occitanie. Ces sites sont contrastés par leurs structures paysagères, leur étendue spatiale, topographie et contexte pédoclimatique, ainsi que par leurs pratiques agricoles et d'élevage. Les deux modèles permettent de simuler de manière spatialisée et dynamique les ordres de grandeur des flux des différentes formes d'azote (volatilisation et dépôt d'ammoniac, pertes directes et indirectes de N 2 O par dénitrification et nitrification, minéralisation, lixiviation de nitrates, prélèvement et restitution par les cultures) dans les différents compartiments des paysages (terrestre, aquatique, aérien). Les dynamiques des flux d'eau et d'azote à l'exutoire, qui intègre en un point l'ensemble des processus spatialisés du site, sont plutôt bien représentées par les modèles. Mais le manque de données ne permet pas toujours d'évaluer de manière précise la répartition spatiale des flux d'azote et l'intensité des processus de transfert et de transformation (e.g. présence d'animaux au pâturage, porosité des sols). Ce manque de données ne permet pas de statuer sur l'intensité des flux qui interagissent et se compensent (e.g. minéralisation, dénitrification, volatilisation), et différentes conditions initiales ont produit des flux simulés d'azote similaires à l'exutoire. L'analyse de sensibilité des modèles a permis de hiérarchiser les processus et les facteurs d'entrée les plus influant sur les variables cibles (e.g. pertes NO 3 , N 2 O, NH 3 , bilans N, rendements) et sur lesquelles il est prioritaire de focaliser les mesures. Les résultats obtenus sur les sites sont présentés, discutés et comparés. Ils montrent la nécessité de développements supplémentaires pour mieux représenter les structures paysagères et les flux d'azote (e.g. zones drainées, sols argileux dont les propriétés physiques évoluent au cours de l'année, paramétrisations de la diversité des cultures). Dénitrification moyenne (kg N/ha/an) calculée par les modèles, spatialisée (cartes) et intégrée (encadrés noirs) sur les quatre sites du projet.

Published
2017

23. IDEFI-FINMINA: a French educative project for the awareness, innovation and multidisciplinarity in microelectronics

Author

Ahmad Bsiesy, Laurent Fesquet, Beatrice Pradarelli, Olivier Bonnaud, Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre Interuniversitaire de Micro-Electronique (CIME), Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés (TIMA), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Coordination Nationale de la Formation en Microélectronique (CNFM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier (LIRMM), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble, Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture (TIMA), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), and Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1)

Subjects
Innovative education, Engineering, business.industry, 4. Education, Project strategy, media_common.quotation_subject, 05 social sciences, Lifelong learning, 050301 education, 0102 computer and information sciences, 01 natural sciences, Engineering management, Presentation, 010201 computation theory & mathematics, Multidisciplinary approach, Microelectronics, Technical skills, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, business, 0503 education, Excellence initiative, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, media_common
Abstract

This paper presents a mid-term assessment of an eight-year project hosted by the National Network for Education in Microelectronics (GIP-CNFM) in the frame of a French governmental Investment Program for the Future in education (PIA). This framework notably includes a specific section, IDEFI (Excellence Initiative for Innovative Education), in which the project FINMINA (standing for Innovative Education in Microelectronics and Nanotechnologies) is currently running. The FINMINA consortium counts 14 partners among which 12 are academics, one industrial body and the GIP-CNFM, which is the coordinator. The project strategy aims at upgrading and developing the practices for undergraduate and postgraduate students enhancing their technical skills and know-how in the fields of Microelectronics and Nanotechnologies. The targeted topics are: i) Innovation in the lab practices on the GIP-CNFM platforms ii) Awareness of schoolers to electronics and engineering; iii) Multidisciplinary approaches highlighting the wide spectrum of microelectronic application domains; iv) Lifelong Learning. These four aspects are considered as key elements for motivating students to develop innovative technical skills. After a presentation of the project and its objectives, the paper describes the main results after five years; in total, 65 innovative platforms have been used by more than 4,000 students each year, corresponding to about 300,000 hours of practices per year.

Published
2017

24. Indium-Oxide Nanoparticles for RRAM devices compatible with CMOS backend- off-line

Author

Leon Perez, Edgar, GUENERY, Pierre-Vincent, ABOUZAID, O., Ayadi, Khaled, BROTTET, Solène, Moeyaert, J., Labau, S., Baron, T., Blanchard, Nicholas, BABOUX, Nicolas, militaru, Liviu, SOUIFI, Abdelkader, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CSNSM SEMI, Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse (CSNSM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut de Recherche en Informatique Fondamentale (IRIF (UMR_8243)), Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (CEA-LETI), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon, Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

International audience; no abstract

Published
2017

25. A Link between CBRAM Performances and Material Microscopic Properties Based on Electrical Characterization and Atomistic Simulations

Author

Cecile Nail, Remy Berthier, Mathieu Bernard, Gerard Ghibaudo, Luca Perniola, Christophe Vallée, Benoit Sklenard, Philippe Blaise, Gabriel Molas, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (CEA-LETI), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), and Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
Stack-based memory allocation, Materials science, Programmable metallization cell, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, thermal stability, RRAM tradeoff, 0103 physical sciences, Electronic engineering, window margin (WM), Electrical and Electronic Engineering, 010302 applied physics, endurance, [PHYS]Physics [physics], Resistive touchscreen, business.industry, defect diffusion, 021001 nanoscience & nanotechnology, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Characterization (materials science), Resistive random-access memory, Ab initiocalculation, Electrode, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business, Material properties, Voltage
Abstract

International audience; In this paper, we investigate the link between various resistive memory (RRAM) electrical characteristics: endurance, window margin (WM), and retention. For this purpose, several RRAMs are characterized using various resistive layers and bottom electrodes. By focusing on one technology and optimizing programming conditions (current, voltage, and time), we establish a tradeoff between endurance and WM. Then, by changing memory stack, we demonstrate the correlation between endurance plus window marging improvement and retention degradation. Studying this last feature from a material point of view, we analyze different oxides by density functional theory. We realize a systematic review for possible exchanges of species between resistive layer and Cu-based top electrode and study their diffusion. This provides insights on conductive filament composition in different stacks. Combining previous experiments and simulations, we propose a link between memory characteristics and material microscopic parameters, through the ion energy migration barrier. Finally, we extract how endurance, WM, and retention are correlated to material properties and electrical parameters in order to choose the suitable material for a defined application using the RRAM technology.

Published
2017

26. Preferential crystal orientation etching of GaN nanopillars in Cl2 plasma

Author

Jaloustre, Lucas, Ackermann, Valentin, Sales de Mello, Saron, Labau, Sébastien, Petit-Etienne, Camille, Pargon, Erwine, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), « Investissements d'avenir » ANR-15-IDEX-02, and ANR-22-CE51-0032,HARAlN,Fabrication de nanosources émettant efficacement dans l'UV profond à partir de nanofils AlN à fort facteur de forme(2022)

Subjects
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract

International audience; The ability to fabricate organized, dense arrays of GaN nanostructures with high aspect ratios is of great interest for improving light extraction and absorption in optoelectronic devices, such as light-emitting diodes (LEDs) and Lasers. However, achieving this requires a patterning method that allows for the fabrication of GaN nanostructures with a controlled final shape and specific crystallographic facets. Our study shows that a top-down approach combining lithography and Cl2-based plasma etching processes offers the possibility of anisotropically transferring a pattern while revealing smooth nonpolar facets. Although GaN etching in Cl2 is driven by ion-enhanced chemical etching mechanisms, the chemical component is very strong, and Cl2 plasma leads to preferential crystallographic orientation etching of GaN. The mechanisms that drive facet formation are very similar to those involved in wet KOH etching. The etching ability of a specific crystallographic plane by chlorine atoms depends on the planar density and the N dangling bonds present on the plane. Predictably, GaN crystallographic planes will be etched in Cl2 plasmas as follows: a-type semipolar > m-type semipolar planes > a nonpolar plane > m polar planes > c polar planes. Crystallographic etching usually reveals the slowest etching planes, meaning the m-planes. However, consistently with the wet mechanisms, our study shows that the final revealed plane in Cl2 plasma will strongly depend on the surface curvature: in concave surfaces, fast-etch facets persist, while in convex surfaces, slow-etch facets persist. Consequently, Cl2 plasma etching of pillars (convex surfaces) will result in a-type facets, while etching of holes (concave surfaces) result in m-type facets.

Published
2023

27. Study of the light emission in Ge layers and strained membranes on Si substrates

Author

Nicolas Pauc, Yann-Michel Niquet, D. Rouchon, Samuel Tardif, Jose M. Escalante, J.M. Hartmann, Alban Gassenq, Vincent Calvo, G. Osvaldo Dias, Vincent Reboud, A. Chelnokov, Ivan Duchemin, Kevin Guilloy, Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures (SiNaps), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire Interuniversitaire des Systèmes Atmosphériques (LISA (UMR_7583)), Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Nanostructures et Rayonnement Synchrotron (NRS), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Nanostructures et Rayonnement Synchrotron (NRS ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), and Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM )

Subjects
Materials science, Photoluminescence, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Spectral line, 010309 optics, Optics, Interference (communication), 0103 physical sciences, Materials Chemistry, Spectroscopy, Range (particle radiation), [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Strain (chemistry), business.industry, Metals and Alloys, Surfaces and Interfaces, 021001 nanoscience & nanotechnology, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Membrane, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, Light emission, 0210 nano-technology, business
Abstract

International audience; The influence of pattern design and tensile strain on light emission was investigated in Ge layers and suspended membranes. The optical properties were examined by micro-photoluminescence and reflectivity. Tensile strain was extracted from micro-Raman spectroscopy. It has been shown that Fabry–Pérot interference fringes can dominate the photoluminescence spectra. It is crucial to remove them in order to analyze the photoluminescence changes coming from tensile strain; especially if Fabry–Pérot oscillations are in the same energy range compared to the stress-induced spectral shift. This study highlights the fact that this interference must be taken into account in order to examine the strain in suspended Ge layers.

Published
2016

28. An Atomistic View of the Incipient Growth of Zinc Oxide by in-situ Xray Absorption Spectroscopy'

Author

Chu, M. H., Tian, L., Chaker, A., Cantelli, V., Ouled, T., Boichot, R., Crisci, A., Lay, S., Richard, M. I., Thomas, O., Deschanvres, J.-L., Renevier, Hubert, Fong, D. D., Ciatto, G., Synchrotron SOLEIL (SSOLEIL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Géoazur (GEOAZUR 7329), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD [France-Sud]), National University of Ireland [Galway] (NUI Galway), Argonne National Laboratory [Lemont] (ANL), Lmgp, Labo, Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD [France-Sud]), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD [France-Sud])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble, Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD [France-Sud])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, and Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)

Subjects
[CHIM.MATE] Chemical Sciences/Material chemistry, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2016

29. Origin of second-harmonic generation from individual silicon nanowires

Author

Peter R. Wiecha, Vincent Paillard, Arnaud Arbouet, Christian Girard, Thierry Baron, Nano-Optique et Nanomatériaux pour l'optique (CEMES-NeO), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse)

Subjects
Nanowire, FOS: Physical sciences, Physics::Optics, Near and far field, 02 engineering and technology, Dielectric, 01 natural sciences, 010309 optics, Condensed Matter::Materials Science, Optics, Mesoscale and Nanoscale Physics (cond-mat.mes-hall), 0103 physical sciences, Perpendicular, [PHYS.COND.CM-MSQHE]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect [cond-mat.mes-hall], Physics, PACS: 78.67.Uh, 42.65.Ky, 42.70.Nq, 78.35.+c, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, Condensed matter physics, business.industry, Second-harmonic generation, 021001 nanoscience & nanotechnology, Polarization (waves), 3. Good health, Nonlinear system, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Surface second harmonic generation, 0210 nano-technology, business
Abstract

We investigate Second Harmonic Generation from individual silicon nanowires and study the influence of resonant optical modes on the far-field nonlinear emission. We find that the polarization of the Second Harmonic has a size-dependent behavior and explain this phenomenon by a combination of different surface and bulk nonlinear susceptibility contributions. We show that the Second Harmonic Generation has an entirely different origin, depending on whether the incident illumination is polarized parallel or perpendicularly to the nanowire axis. The results open perspectives for further geometry-based studies on the origin of Second Harmonic Generation in nanostructures of high-index centrosymmetric semiconductors., 7 Pages, 4 Figures + 3 Pages, 6 Figures in Appendix

Published
2016

30. Excess risk of urinary tract cancers in patients receiving thiopurines for inflammatory bowel disease: a prospective observational cohort study

Author

Bourrier, A., Carrat, F., Colombel, F., Bouvier, A., Abitbol, Vered, Marteau, P., Cosnes, J., Simon, T., Peyrin-Biroulet, Laurent, Beaugerie, L., Carbonnel, Franck, Colombel, Jean Frédéric, Filippi, Jérôme, Katsanos, Konstantinos, Allez, Mathieu, Nachury, Maria, Novacek, Gottfried, Danese, Silvio, Bossa, Fabrizio, Moreau, Jacques, Bommelaer, Gilles, Bourreille, Arnaud, Fumery, Mathurin, Roblin, Xavier, Reinisch, Walter, Bouhnik, Yoram, Brixi, Hedia, Seksik, Philippe, Malamut, Georgia, Färkkilä, Martti, Coulibaly, Baya, Dewit, Olivier, Louis, Edouard, Deplanque, Dominique, Michetti, Pierre, Sarter, Hélène, Laharie, David, Demolin, Julie, Détré, Patricia, Brillaut, Gaëlle, CHU Saint-Antoine [AP-HP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Sorbonne Université (SU), Laboratoire des biomolécules (LBM UMR 7203), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Département de Chimie - ENS Paris, École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ESIM - Déterminants Sociaux de la Santé et du Recours aux Soins (DS3), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM), Icahn School of Medicine at Mount Sinai [New York] (MSSM), Lipides - Nutrition - Cancer (U866) (LNC), Université de Bourgogne (UB)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-AgroSup Dijon - Institut National Supérieur des Sciences Agronomiques, de l'Alimentation et de l'Environnement-Ecole Nationale Supérieure de Biologie Appliquée à la Nutrition et à l'Alimentation de Dijon (ENSBANA), Université Paris Descartes - Paris 5 (UPD5), Service de Gastro-entérologie [CHU Cochin], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Hôpital Cochin [AP-HP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP), Hôpital Lariboisière, Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Hôpital Lariboisière-Fernand-Widal [APHP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7), Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7), Centre d'investigation clinique Paris Est [CHU Pitié Salpêtrière] (CIC Paris-Est), Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-CHU Pitié-Salpêtrière [AP-HP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Sorbonne Université (SU)-Sorbonne Université (SU), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC), Centre de Ressources Biologiques HUEP-UPMC (CRB HUEP-UPMC), UMS omique (OMIQUE), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM), Nutrition-Génétique et Exposition aux Risques Environnementaux (NGERE), Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université de Lorraine (UL), Service d'Hépato-gastro-entérologie [CHRU Nancy], Centre Hospitalier Régional Universitaire de Nancy (CHRU Nancy), Hépatogastroentérologie, CHU de Bicêtre, Centre d'Investigation Clinique Lille, PRES Université Lille Nord de France-Centre Hospitalier Régional Universitaire [Lille] (CHRU Lille), Hépato-Gastroentérologie, Centre Hospitalier Universitaire de Nice (CHU Nice), University Hospital of Ioannina, Hôpital Saint-Louis, Centre Hospitalier Régional Universitaire [Lille] (CHRU Lille), Gastroenterology, Istituto Clinico Humanitas [Milan] (IRCCS Milan), Humanitas University [Milan] (Hunimed)-Humanitas University [Milan] (Hunimed), Service de Gastroentérologie et pancréatologie [CHU Toulouse], Pôle Maladies de l'appareil digestif [CHU Toulouse], Centre Hospitalier Universitaire de Toulouse (CHU Toulouse)-Centre Hospitalier Universitaire de Toulouse (CHU Toulouse), Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM), Microbes, Intestin, Inflammation et Susceptibilité de l'Hôte (M2iSH), Institut National de la Recherche Agronomique (INRA)-Université d'Auvergne - Clermont-Ferrand I (UdA), Neuropathies du système nerveux entérique et pathologies digestives, implication des cellules gliales entériques, Université de Nantes (UN)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM), CHU Amiens-Picardie, Service de Gastro-entérologie et Hépatologie [CHU Saint-Etienne], Centre Hospitalier Universitaire de Saint-Etienne [CHU Saint-Etienne] (CHU ST-E), Clinic of Internal Medicine IV, Department of Gastroenterology and Hepathology, Universität Wien, Service de Gastroentérologie [Hôpital Beaujon], Hôpital Beaujon [AP-HP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP), Hôpital Robert Debré, Hôpital Robert Debré-Centre Hospitalier Universitaire de Reims (CHU Reims), Service de gastroenterologie [CHU HEGP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Hôpital Européen Georges Pompidou [APHP] (HEGP), Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Hôpitaux Universitaires Paris Ouest - Hôpitaux Universitaires Île de France Ouest (HUPO)-Hôpitaux Universitaires Paris Ouest - Hôpitaux Universitaires Île de France Ouest (HUPO), Université de Liège, CIC CHU ( Lille)/inserm, Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université de Lille, Droit et Santé, Centre Hospitalier Universitaire Vaudois [Lausanne] (CHUV), Institut National de Veille Sanitaire, Institut national de veille sanitaire, Service d'Hépato-Gastro-Entérologie, CHU Bordeaux [Bordeaux]-Hôpital Saint-André, Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (APHP), Department of Gastroenterology, CHU Toulouse [Toulouse], Microbes, Intestin, Inflammation et Susceptibilité de l'Hôte - Clermont Auvergne (M2iSH), Institut National de la Recherche Agronomique (INRA)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université Clermont Auvergne (UCA)-Centre de Recherche en Nutrition Humaine d'Auvergne (CRNH d'Auvergne), Centre hospitalier universitaire d'Amiens (CHU Amiens-Picardie), Service de gastroentérologie [CHU Saint-Etienne], Centre Hospitalier Universitaire de Saint-Etienne (CHU de Saint-Etienne), Hôpital Beaujon, Service de Gastroentérologie et nutrition [CHU Saint-Antoine], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (APHP)-CHU Saint-Antoine [APHP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (APHP)-Hôpital Européen Georges Pompidou [APHP] (HEGP), Hôpitaux Universitaires Paris Ouest - Hôpitaux Universitaires Île de France Ouest (HUPO)-Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (APHP)-Hôpitaux Universitaires Paris Ouest - Hôpitaux Universitaires Île de France Ouest (HUPO), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Epidémiologie, Systèmes dínformation et modélisation (ESIM), Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (APHP)-CHU Cochin [AP-HP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (APHP)-Hôpital Lariboisière-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7), CHU Saint-Antoine [APHP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP)-CHU Saint-Antoine [APHP], Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 ( UPMC ), Département de santé publique, Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 ( UPMC ) -Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP)-CHU Tenon [APHP], Institut Pierre Louis d'Epidémiologie et de Santé Publique ( iPLESP ), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 ( UPMC ) -Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale ( INSERM ), Icahn School of Medicine at Mount Sinai [New York], Lipides - Nutrition - Cancer (U866) ( LNC ), Université de Bourgogne ( UB ) -Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale ( INSERM ) -AgroSup Dijon - Institut National Supérieur des Sciences Agronomiques, de l'Alimentation et de l'Environnement-Ecole Nationale Supérieure de Biologie Appliquée à la Nutrition et à l'Alimentation de Dijon ( ENSBANA ), Université Paris Descartes - Paris 5 ( UPD5 ), Département de gastroentérologie, CHU Cochin [AP-HP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP)-Hôpital Lariboisière-Université Paris Diderot - Paris 7 ( UPD7 ), Centre de Recherche Saint-Antoine ( CR Saint-Antoine ), Centre Hospitalier Régional Universitaire de Nancy ( CHRU Nancy ), Nutrition-Génétique et Exposition aux Risques Environnementaux ( NGERE ), Université de Lorraine ( UL ) -Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale ( INSERM ), Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (APHP)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7), Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (APHP)-Hôpitaux Universitaires Paris Ouest - Hôpitaux Universitaires Île de France Ouest (HUPO)-Hôpitaux Universitaires Paris Ouest - Hôpitaux Universitaires Île de France Ouest (HUPO), CHU Tenon [APHP]-Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 ( UPMC ), Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale ( INSERM ) -Université de Lorraine ( UL ), Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP), Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-CHU Saint-Antoine [AP-HP], Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC), and Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Hôpital Lariboisière-Fernand-Widal [APHP]

Subjects
Adult, Male, Nonmelanoma Skin Cancers, medicine.medical_specialty, Urologic Neoplasms, Urinary system, Gastroenterology, Cohort Studies, Association, 03 medical and health sciences, Young Adult, 0302 clinical medicine, [ CHIM.ORGA ] Chemical Sciences/Organic chemistry, Risk Factors, Internal medicine, Azathioprine, Medicine, Humans, Pharmacology (medical), Prospective Studies, Prospective cohort study, Proportional Hazards Models, Transplantation, Bladder cancer, Hepatology, business.industry, Incidence (epidemiology), Incidence, Hazard ratio, Malignancy, [SDV.BBM.BM]Life Sciences [q-bio]/Biochemistry, Molecular Biology/Molecular biology, Middle Aged, Metaanalysis, medicine.disease, Inflammatory Bowel Diseases, [SDV.MP.BAC]Life Sciences [q-bio]/Microbiology and Parasitology/Bacteriology, 3. Good health, 030220 oncology & carcinogenesis, Cohort, 030211 gastroenterology & hepatology, Female, Therapy, business, Cohort study
Abstract

Background The risk of urinary tract cancers, including kidney and bladder cancers, was increased in transplant recipients receiving thiopurines. Aim To assess the risk of urinary tract cancers in patients with inflammatory bowel disease (IBD) receiving thiopurines in the CESAME observational cohort. Methods Between May 2004 and June 2005, 19 486 patients with IBD, 30.1% of whom were receiving thiopurines, were enrolled. Median follow-up was 35 months (IQR: 29-40). Results Ten and six patients developed respectively kidney and bladder cancer. The incidence rates of urinary tract cancer were 0.48/1000 patient-years in patients receiving thiopurines (95% CI: 0.21-0.95), 0.10/1000 patient-years in patients who discontinued thiopurines (95% CI: 0.00-0.56) and 0.30/1000 patient-years in patients never treated with thiopurines (95% CI: 0.12-0.62) at entry. The standardised incidence ratio of urinary tract cancer was 3.40 (95% CI: 1.47-6.71, P = 0.006) in patients receiving thiopurines, 0.64 (95% CI: 0.01-3.56, P = 0.92) in patients previously exposed to thiopurines and 1.17 (95% CI: 0.47-12.42, P = 0.78) in patients never treated with thiopurines. The multivariate-adjusted hazard ratio (HR) of urinary tract cancer between patients receiving thiopurines and those not receiving thiopurines was 2.82 (95% CI: 1.04-7.68, P = 0.04). Other significant risk factors were male gender (HR: 3.98, 95% CI: 1.12-14.10, P = 0.03) and increasing age (HR after 65 years (ref

Published
2016

31. Reliability of HfO2 metal-insulator-metal capacitors under AC stress

Author

Patrice Gonon, Ahmad Bsiesy, O. Khaldi, C. Mannequin, B Yangui, Laurence Latu-Romain, M. Kassmi, Skandar Basrour, Fathi Jomni, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble, Laboratoire Matériaux: Organisation et Propriétés, Université Paul Cézanne - Aix-Marseille 3, Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture (TIMA), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université de Bizerte, université de Bizerte, and Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés (TIMA)

Subjects
Materials science, Acoustics and Ultrasonics, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, 7. Clean energy, 01 natural sciences, Oxygen, law.invention, Stress (mechanics), Reliability (semiconductor), law, 0103 physical sciences, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, 010302 applied physics, [PHYS]Physics [physics], business.industry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Capacitor, PACS 8542, chemistry, Electrode, Optoelectronics, Degradation (geology), Metal insulator metal capacitor, 0210 nano-technology, business, Voltage
Abstract

International audience; The electrical reliability of HfO2 based metal–insulator–metal capacitors is investigated under AC stress voltage. The capacitance–time (C–t) and conductance–time (G–t) responses are studied for different stress amplitudes and frequencies. Time-to-breakdown is observed to strongly depend on the electrode nature. Electrical degradation is discussed via a model based on oxygen vacancy/oxygen ions generation. Defect generation is controlled by the injecting nature of electrodes. Partial recovery, and so time-to-breakdown, are controlled by the ability of electrodes to store oxygen.

Published
2016

32. Functionalized silicon nanowires/conjugated polymer hybrid solar cells: Optical, electrical and morphological characterizations

Author

Emmanuel Beyou, N. Chehata, Pascal Gentile, Hassen Maaref, Bouraoui Ilahi, Thierry Baron, A. Ltaief, A. Bouazizi, Bassem Salem, Faculté des Sciences de Monastir (FSM), Université de Monastir - University of Monastir (UM), Ingénierie des Matériaux Polymères (IMP), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures (SiNaps), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Jean Monnet - Saint-Étienne (UJM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Faculté des Sciences de Monastir ( FSM ), Université de Monastir ( UM ), Ingénierie des Matériaux Polymères - Site Université Claude Bernard Lyon 1 ( IMP ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Université Jean Monnet [Saint-Étienne] ( UJM ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire Silicium Nanoélectronique Photonique et Structures ( SINAPS ), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS ( PHELIQS ), Institut Nanosciences et Cryogénie ( INAC ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Institut Nanosciences et Cryogénie ( INAC ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes ( UGA )

Subjects
Materials science, Luminescence, Biophysics, Nanowire, 7. Clean energy, Biochemistry, Polymer solar cell, chemistry.chemical_compound, Organic compounds, Organic chemistry, Composites, chemistry.chemical_classification, Nanocomposite, Optical properties, business.industry, General Chemistry, Polymer, Hybrid solar cell, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Condensed Matter Physics, Acceptor, Atomic and Molecular Physics, and Optics, [ CHIM.POLY ] Chemical Sciences/Polymers, [CHIM.POLY]Chemical Sciences/Polymers, chemistry, [ CHIM.MATE ] Chemical Sciences/Material chemistry, Electrical properties, Optoelectronics, Surface modification, Polystyrene, business
Abstract

International audience; We investigate the effects of Si nanowires surface modification with polystyrene (PS) on the performance of bulk heterojunction hybrid solar cells based on poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene] (MEH-PPV) and PS-SiNWs. The optical, electrical and morphological properties of these hybrid nanocomposites have been investigated. Due to charge transfer efficiency, improved electrical coupling between SiNWs and MEH-PPV and homogeneous dispersion of functionalized SiNWs, the performance of studied photovoltaic structure shows a significant improvement with the progressive addition of PS-SiNWs. With polystyrene surrounded SiNWs as acceptor materials, the device typically shows a J(SC) of 7.36 mu A/cm(2), V-OC of 0.87 V and a FF of 48% for the composition MEH-PPV:PS-SiNWs (1:4).

Published
2015

33. Effects of zinc nitrate and HMTA on the formation mechanisms of ZnO nanowires on Au seed layers

Author

Clément Lausecker, Bassem Salem, Xavier Baillin, Vincent Consonni, Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), the French RENATECH network, ANR-17-CE09-0033,ROLLER,Réseaux ordonnés de nanofils de ZnO résistifs et unipolaires pour capteurs souples adaptés aux milieux biologiques(2017), ANR-17-CE24-0003,DOSETTE,Hétérostructures de Type II Basées sur des Nanofils de ZnO Ordonnés pour les Photodétecteurs UV Auto-Alimentés(2017), ANR-10-LABX-0055,MINOS Lab,Minatec Novel Devices Scaling Laboratory(2010), and ANR-10-EQPX-0033,IMPACT,Caractérisation et Test In-situ des Matériaux, Procédés et des Architectures(2010)

Subjects
chemical bath deposition, ZnO nanowires, Au seed layers, HMTA, General Materials Science, General Chemistry, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, [CHIM.INOR]Chemical Sciences/Inorganic chemistry, Condensed Matter Physics
Abstract

International audience; The ability to form ZnO nanowire arrays with dedicated morphological properties is crucial for the development of efficient piezoelectric devices such as piezoelectric nanogenerators and sensors. However, their integration typically requires the use of metallic seed layers for their synthesis by chemical bath deposition, from which their morphological control is still very limited. In this context, the formation mechanisms of ZnO nanowires from Au seed layers are carefully investigated for different precursor (i.e., zinc nitrate and hexamethylenetetramine (HMTA)) concentrations in the range of 1–100 mM, where drastic variations of the morphological properties are observed. By coupling $in\ situ$ pH measurements and thermodynamic computations, we perform an in-depth analysis of the thermodynamic properties of the chemical bath, where the predominant role of the NO$_3$$^–$ ions in the evolution of the pH of the chemical bath is revealed. An original approach is further developed to carefully determine the hydrolysis ratio of HMTA molecules, which is found to vary in the range of 20–45% with the precursor concentration, and to directly impact the supersaturation ratio of Zn(II) species. From these results, we identify the presence of three different growth regimes depending on the precursor concentrations, each of them giving rise to ZnO nanowire arrays with specific morphological properties. These results highlight the critical importance of the thermodynamic properties of the chemical bath in the formation process of ZnO nanowires from Au seed layers and provide key elements of understanding to efficiently optimize their morphology for their integration into piezoelectric devices.

Published
2023

34. Magnetic superparamagnetic-like microparticles for cancer cells destruction

Author

Bernard Dieny, Mélissa Morcrette, Guillermo P. Ortiz, Yanxia Hou, A. Bsiesy, Stéphane Lequien, Marie Carrière, H. Joisten, Philippe Sabon, SPINtronique et TEchnologie des Composants (SPINTEC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Nanostructures et Magnétisme (NM), Service de Physique des Matériaux et Microstructures (SP2M - UMR 9002), Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Service de Chimie Inorganique et Biologique (SCIB - UMR E3), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Structures et propriétés d'architectures moléculaire (SPRAM - UMR 5819), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), HOU-BROUTIN, Yanxia, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], Permalloy, Materials science, 02 engineering and technology, equipment and supplies, 010402 general chemistry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Magnetic hysteresis, 01 natural sciences, [PHYS] Physics [physics], 0104 chemical sciences, Magnetic field, Nuclear magnetic resonance, Membrane, Targeted drug delivery, Cancer cell, Magnetic nanoparticles, 0210 nano-technology, human activities, Superparamagnetism
Abstract

To improve cancer treatment with reduced side effects, several techniques are currently under investigation, such as targeted drug delivery or hyperthermia. This work is related to the study of a newly discovered technique: the triggering of cancer cell apoptosis by mechanical vibrations of magnetic microparticles attached to the cancer cells membrane. This method, which targets only diseased cells, was firstly demonstrated by Kim et al in 2010 [1]. The method consists in specifically attaching magnetic anisotropic particles to cancer cells membrane and then applying a weak alternative magnetic field. The induced particles vibrations generate a stress on the cells membrane. A chemical chain reaction is then triggered, which causes the reactivation of the apoptosis (programmed cell death) of cancer cells. The triggering of the apoptosis of human renal cancer cells was also demonstrated by SPINTEC [2]. The magnetic particles used for this purpose have to respect a few specifications: they must have a sufficiently large volume, they must be anisotropic so that they can be actuated by a magnetic field rather than a gradient of magnetic field, and they have to be superparamagnetic-like in order to avoid any aggregation in solution. Two types of magnetic particles fulfilling these specifications were developed in this work: permalloy particles presenting a vortex structure and magnetite particles presenting a polycrystalline random anisotropy configuration.

Published
2015

35. Carrier dynamics in semiconductor nanowires studied using optical-pump terahertz-probe spectroscopy

Author

Morris, D., Chauvin, Nicolas, MAVEL, Amaury, Beaudoin, A., Salem, B., TUTASHKONKO, Olesia, Baron, T., GENDRY, Michel, RedZinc Services Ltd.[Dublin], INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Department of Mechanical and Industrial Engineering ( MIE ), University of Illinois at Urbana-Champaign [Urbana], Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Université de Sherbrooke (UdeS), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Inl, Laboratoire INL UMR5270

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

June 15-19, 2015; International audience; no abstract

Published
2015

36. The EChO science case

Author

Tinetti, G., Drossart, P., Eccleston, P., Hartogh, P., Isaak, K., Linder, M., Lovis, C., Micela, G., Olliver, M., Puig, L., Ribas, I., De Sio, A., Frith, J., Justtanot, K., Showman, A., Alard, C., Yurchenko, S. N., Parviainen, H., Fouqué, P., Oliva, E., Bordé, P., Balado, A., Varley, R., Di Giorgio, A., Griffin, M., Maillard, J. P., Maggio, A., Lellouch, E., Strazzulla, G., Villaver, E., Griffith, C., Stamper, R., Amado, P. J., Rezac, L., Laken, B., Hargrave, P., Orton, G., Thompson, S., Morales, J. C., Wright, G., Massi, F., Lundgaard Rasmussen, I., Altieri, F., Covino, E., Coustenis, A., Moses, J., Lithgow Bertelloni, C., Demangeon, O., Fletcher, L., Morales Calderón, M., Lo Cicero, U., López Puertas, M., Capria, M. T., Danielski, C., Luntzer, A., Bulgarelli, A., González Hernández, J., Jacquemoud, S., MacTavish, C., Mall, U., Christian Jessen, N., Sanromá, E., Femenía Castella, B., Rocchetto, M., Miles Paez, P., Allard, F., Aylward, A., Leconte, J., Palla, F., White, G., Malaguti, G., Cavarroc, C., Lammer, H., Leto, G., Batista, V., Adybekian, V., Readorn, K., Polichtchouk, I., Petrov, R., García Piquer, A., Pancrazzi, M., Gómez Leal, I., Israelian, G., Rebolo López, R., Peralta, J., Giro, E., Tecsa, M., Haigh, J., Moro Martín, A., Pezzuto, S., Piskunov, N., Agnor, C., Hollis, M., Radioti, A., De Kok, R., Gear, W., Eymet, V., Achilleos, N., Koskinen, T., Maurin, A. S., Rank Lüftinger, T., Barlow, M., Figueira, P., Affer, L., Viti, S., Machado, P., Vakili, F., Burston, R., González Merino, B., Dominic, C., Dorfi, E., Smith, A., Sitek, P., Sánchez Lavega, A., Kerschbaum, F., Hoogeeven, R., Ballerini, P., Filacchione, G., Rodler, F., Stixrude, L., Parmentier, V., Del Val Borro, M., Vandenbussche, B., Tingley, B. W., Deeg, H. J., Tabernero, H. M., Shore, S., Fossey, S., Alonso Floriano, F. J., Santos, N., Tozzi, A., Kipping, D., Maruquette, J. B., Trifoglio, M., Scandaratio, G., Scuderi, S., Hébrard, E., Lodieu, N., Forget, F., Gustin, J., Poretti, E., Murgas Alcaino, F., Sicardy, B., Stiepen, A., Hubert, B., Grodent, D., Magnes, W., Tennyson, J., Temple, J., Galand, M., Barton, E. J., Winter, B., Valdivieso, M. L., Cordier, D., Heredero, R. L., Barrado, D., Mueller Wodarg, I., Giani, E., Correira, A., Widemann, T., Ward Thompson, D., Montañés Rodríguez, P., Moya Bedon, A., Venot, O., Prinja, R., Pinfield, D., Waldmann, I., Morello, G., Lim, T., Pallé, E., Waters, R., Wawer, P., Lognonné, P., Pietrzak, R., Fernández Hernández, Maite, Winek, W., Andersen, A., Monteiro, M., Liu, S. J., Rengel, M., Tanga, P., Yelle, R., Barstow, J. K., Maldonado, J., Irshad, R., Nelson, R., Colomé, J., De Witt, J., Lanza, N., Glasse, A., Coudé du Foresto, V., Branduardi Raymont, G., Beaulieu, J. P., Claudi, R., García López, Ramón, Eales, S., López Valverde, M. A., Turrini, D., Vinatier, S., Crook, J., Damasso, M., Ramos Zapata, G., Kovács, G., Banaszkiewicz, M., Focardi, M., Mauskopf, P., Guedel, M., Rebordao, J., Stolarski, M., Adriani, A., Norgaard Nielsen, H. U., Selig, A., Peña Ramírez, K. Y., Schmider, F. X., Baffa, C., Piccioni, G., Pantin, E., Bowles, N., Hornstrup, A., Pilat Lohinger, E., Buchhave, L. A., Soret, L., Börne, P., López Morales, M., Medvedev, A., Gesa, L., Jones, H., Pérez Hoyos, S., Gerard, J. C., Bellucci, G., Morais, H., Álvarez Iglesias, C. A., Abe, L., Pinsard, F., Tessenyi, M., Blecka, M., Wawrzaszk, A., Middleton, K., Martín Torres, J., Cho, J., Berry, D., Rataj, M., Schrader, J. R., Scholz, A., Watkins, C., Abreu, M., Testi, L., Decin, L., Sánz Forcada, J., Sozzetti, A., Lagage, P. O., Ade, P., Alcala, J., Sousa, S., Espinoza Contreras, M., Swinyard, B., Dobrijévic, M., Sánchez Béjar, V. J., Krupp, N., Bakos, G., Chamberlain, S., Chadney, J., Brown, L., Iro, N., Montalto, M., Sethenadh, J., Bouy, H., Ottensamer, R., Kehoe, T., Doel, P., Delgado Mena, E., Read, P., Coates, A., Cecchi Pestellini, C., Guillot, T., Budaj, J., Selsis, F., Jarchow, C., Del Vecchio, C., Cassan, A., Burleigh, M. R., Pagano, I., Ray, T., Gambicorti, L., Biondi, D., Cerulli, R., Ciaravella, A., Watson, D., Deroo, P., Collura, A., Graczyk, R., North, C., Ramos, A. A., Waltham, D., Montes, D., Gianotti, F., Thrastarson, H., Cockell, C., Pace, E., Bryson, I., Gómez, H., Esposito, M., Azzollini, R., Allende Prieto, C., Gillon, M., Fabrizio, N., Rickman, H., Rees, J. M., Pascale, E., Luzzi, D., Bonford, B., Cole, R., Gizon, L., Licandro Goldaracena, J., Agundez, M., Lahav, O., Zapatero Osorio, M. R., Gaulme, P., Encrenaz, T., Heyrovsky, D., Guàrdia, J., Prisinzano, L., Terenzi, L., Swain, M., Grassi, D., Eiroa, C., Maxted, P., Kerins, E., Yung, Y., Irwin, P., Herrero, E., Guio, P., Boisse, I., Claret, A., Kervella, P., Heiter, U., Bézard, B., Cabral, A., Michaut, C., Giuranna, M., Hersant, F., Hueso, R., Savini, G., Snellen, I. A., Charnoz, S., Jones, G., Belmonte Avilés, J. A., Barber, R. J., Wisniowski, T., Morgante, G., University College of London [London] (UCL), Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique (LESIA), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de Paris, Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Max-Planck-Institut für Sonnensystemforschung = Max Planck Institute for Solar System Research (MPS), Max-Planck-Gesellschaft, European Space Research and Technology Centre (ESTEC), Agence Spatiale Européenne = European Space Agency (ESA), INAF - Osservatorio Astronomico di Palermo (OAPa), Istituto Nazionale di Astrofisica (INAF), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Dpto. de Organización de Empresas, Escuela Técnica Superior de Ingeniería Industrial de Barcelona, Universitat Politècnica de Catalunya [Barcelona] (UPC), Centre de Recherche Astrophysique de Lyon (CRAL), École normale supérieure de Lyon (ENS de Lyon)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Department of Physics and Astronomy [Leicester], University of Leicester, U.S. Army Research Laboratory [Adelphi, MD] (ARL), United States Army (U.S. Army), Royal Observatory Edinburgh (ROE), University of Edinburgh, Departamento de Fisica [Aveiro], Universidade de Aveiro, SRON Netherlands Institute for Space Research (SRON), Laboratoire de Météorologie Dynamique (UMR 8539) (LMD), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-École polytechnique (X)-École des Ponts ParisTech (ENPC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Département des Géosciences - ENS Paris, École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL), Department of Planetary Sciences [Tucson], University of Arizona, Joseph Louis LAGRANGE (LAGRANGE), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Lunar and Planetary Laboratory [Tucson] (LPL), Space Research Institute of Austrian Academy of Sciences (IWF), Austrian Academy of Sciences (OeAW), The Samuel Roberts Noble Foundation, Center for Human-Computer Interaction (HCI), Virginia Tech [Blacksburg], Istituto di Astrofisica e Planetologia Spaziali - INAF (IAPS), Centre for Astrophysics Research [Hatfield], University of Hertfordshire [Hatfield] (UH), ECLIPSE 2015, Laboratoire d'Astrophysique de Bordeaux [Pessac] (LAB), Université de Bordeaux (UB)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Bordeaux (UB)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Department of Physics and Astronomy [UCL London], Laboratoire de Physique Atmosphérique et Planétaire (LPAP), Université de Liège, Centro de Astronomia e Astrofísica da Universidade de Lisboa (CAAUL), Universidade de Lisboa = University of Lisbon (ULISBOA), Department of Physics and Astronomy [Uppsala], Uppsala University, Space Research Centre of Polish Academy of Sciences (CBK), Polska Akademia Nauk = Polish Academy of Sciences (PAN), Institute for Control Engineering of Machine Tools and Manufacturing Units (ISW), University of Stuttgart, Institute for Control Engineering of Machine Tools and Manufacturing Units (ISW), Department of Atmospheric, Oceanic and Planetary Physics [Oxford] (AOPP), University of Oxford, Mullard Space Science Laboratory (MSSL), Institut de Recherches sur les lois Fondamentales de l'Univers (IRFU), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay, Institut Curie [Paris], Instituut voor Sterrenkunde [Leuven], Catholic University of Leuven - Katholieke Universiteit Leuven (KU Leuven), Centre for Behaviour and Evolution, Institute of Neuroscience, Newcastle University [Newcastle], foreign laboratories (FL), CERN [Genève], STFC Rutherford Appleton Laboratory (RAL), Science and Technology Facilities Council (STFC), Estrutura de Missão para a Extensão da Plataforma Continental, Estrutura de Missão para a Extensão para a Extensão da Plataforma Continental, Centre for Planetary Sciences [UCL/Birkbeck] (CPS), Queen Mary University of London (QMUL), Institut d'Astrophysique de Paris (IAP), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Dark Cosmology Centre (DARK), Niels Bohr Institute [Copenhagen] (NBI), Faculty of Science [Copenhagen], University of Copenhagen = Københavns Universitet (UCPH)-University of Copenhagen = Københavns Universitet (UCPH)-Faculty of Science [Copenhagen], University of Copenhagen = Københavns Universitet (UCPH)-University of Copenhagen = Københavns Universitet (UCPH), Computational Science and Engineering Department [Daresbury] (STFC), Science & Technologie Facilities Council, Departamento de Astrofisica [Madrid], Centro de Astrobiologia [Madrid] (CAB), Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial (INTA)-Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Madrid] (CSIC)-Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial (INTA)-Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Madrid] (CSIC), Calar Alto Observatory, Centro Astronómico Hispano-Alemán, Department of Geoscience, Nelson Mandela University [Port Elizabeth], African Earth Observatory Network - Earth Stewardship Science Research Institute (AEON-ESSRI), Animal Genetics, Teagasc - The Agriculture and Food Development Authority (Teagasc), Laboratoire d'Astrophysique de Marseille (LAM), Aix Marseille Université (AMU)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial (INTA)-Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Madrid] (CSIC), Jet Propulsion Laboratory (JPL), NASA-California Institute of Technology (CALTECH), Instituto Nacional de Engenharia, Tecnologia e Inovacao (INETI), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC), CEA- Saclay (CEA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Università di Salerno - Dipartimento di Matematica, Università degli Studi di Salerno = University of Salerno (UNISA), Department of Genetics, University of North Carolina [Chapel Hill] (UNC), University of North Carolina System (UNC)-University of North Carolina System (UNC)-Carolina Center for the Genome Sciences, Institut de Recerca i Tecnologia Agroalimentàries = Institute of Agrifood Research and Technology (IRTA), Univers, Transport, Interfaces, Nanostructures, Atmosphère et environnement, Molécules (UMR 6213) (UTINAM), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC), Department of Molecular Medicine, Università degli Studi di Padova = University of Padua (Unipd), Institut d'astrophysique spatiale (IAS), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National d’Études Spatiales [Paris] (CNES), ASP 2015, Laboratoire d'astrodynamique, d'astrophysique et d'aéronomie de bordeaux (L3AB), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire aquitain des sciences de l'univers (OASU), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Laboratoire d'Astrophysique de Bordeaux [Pessac] (LAB), Université de Bordeaux (UB)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Bordeaux (UB), Institute for Astronomy [Vienna], University of Vienna [Vienna], Institut de génétique et microbiologie [Orsay] (IGM), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Deutsches Forschungszentrum für Künstliche Intelligenz GmbH = German Research Center for Artificial Intelligence (DFKI), Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas [Buenos Aires] (CONICET), Centro de Astrofísica da Universidade do Porto (CAUP), Universidade do Porto = University of Porto, Dipartimento di Matematica 'Ulisse Dini', Università degli Studi di Firenze = University of Florence (UniFI), Institut Universitaire de France (IUF), Ministère de l'Education nationale, de l’Enseignement supérieur et de la Recherche (M.E.N.E.S.R.), Université de Rennes (UR), Imperial College London, Laboratoire Hippolyte Fizeau (FIZEAU), School of Physics and Astronomy [Cardiff], Cardiff University, Institut d'Astrophysique et de Géophysique [Liège], Laboratoire de l'Accélérateur Linéaire (LAL), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), University of Bradford, Instituto Universitario de Electroquimica, Universidad de Alicante, Centre de recherche en éducation de Nantes (CREN), Le Mans Université (UM)-Université de Nantes - UFR Lettres et Langages (UFRLL), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN), Departamento de Fisica Aplicada [Bilbao], Universidad del Pais Vasco / Euskal Herriko Unibertsitatea [Espagne] (UPV/EHU), NASA Goddard Space Flight Center (GSFC), Onsala Space Observatory (OSO), Chalmers University of Technology [Göteborg], Los Alamos National Laboratory (LANL), Osserv Astrofis Catania, Ist Nazl Astrofis, Centre d'Etude de l'Energie Nucléaire (SCK-CEN), Institut de Physique du Globe de Paris (IPGP (UMR_7154)), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université de La Réunion (UR)-Institut de Physique du Globe de Paris (IPG Paris)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris Cité (UPCité), Instituto de Astrofísica de Andalucía (IAA), Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Madrid] (CSIC), Consejo Super Invest Cient, Inst Astrofis Andalucia, ES-18080 Granada, Spain, Department of Rheumatology (LEIDEN - Rhumato), Leiden University Medical Center (LUMC), Universiteit Leiden-Universiteit Leiden, Department of Rheumatology (COIMBRA - Rhumato), Universidade de Coimbra [Coimbra], Centre Scientifique et Technique du Bâtiment (CSTB), INAF - Osservatorio Astrofisico di Arcetri (OAA), Université de Bordeaux (UB), Institut de Physique du Globe de Paris (IPGP), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Université de La Réunion (UR)-Institut de Physique du Globe de Paris (IPG Paris)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de physique des gaz et des plasmas (LPGP), Pontificia Universidad Católica de Chile (UC), Department of Computer Science [Verona] (UNIVR | DI), Università degli studi di Verona = University of Verona (UNIVR), IEB-UNIVERSITY OF BARCELONA, Departamento de Física e Astronomia [Porto] (DFA/FCUP), Faculdade de Ciências da Universidade do Porto (FCUP), Universidade do Porto = University of Porto-Universidade do Porto = University of Porto, Thüringer Landessternwarte Tautenburg (TLS), Bremer Institut für Produktion und Logistik GmbH (BIBA), Universität Bremen, INAF - Osservatorio Astrofisico di Catania (OACT), Plasmon Nano-optics, Institut de Ciencies Fotoniques [Castelldefels] (ICFO), Royal Holloway [University of London] (RHUL), Hong Kong Government Environmental Protection Department, Water Policy and Science Group, National Space Agencies, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Observatoire de Paris, PSL Research University (PSL)-PSL Research University (PSL)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC), Max Planck Institute for Solar System Research (MPS), European Space Agency (ESA), European Space Agency, Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), École normale supérieure - Lyon (ENS Lyon)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), École normale supérieure - Paris (ENS Paris)-École normale supérieure - Paris (ENS Paris), Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Samuel Roberts Noble Foundation, Inc., Universidade de Lisboa (ULISBOA), Polska Akademia Nauk (PAN), University of Oxford [Oxford], Max-Planck-Institut für Sonnensystemforschung (MPS), Institut Curie, University of Copenhagen = Københavns Universitet (KU)-University of Copenhagen = Københavns Universitet (KU)-Faculty of Science [Copenhagen], University of Copenhagen = Københavns Universitet (KU)-University of Copenhagen = Københavns Universitet (KU), Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Spain] (CSIC)-Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial (INTA)-Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Spain] (CSIC)-Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial (INTA), Nelson Mandela Metropolitan University [Port Elizabeth, South Africa], AEON-ESSRI African Earth Observatory Network — Earth Stewardship Science Research Institute, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Aix Marseille Université (AMU)-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Spain] (CSIC)-Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial (INTA), Instituto Nacional de Engenharia, Tecnologia e Inovacco (INETI), Physiologie de la reproduction et des comportements [Nouzilly] (PRC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Tours-Institut Français du Cheval et de l'Equitation [Saumur]-Institut National de la Recherche Agronomique (INRA), Université Francois Rabelais [Tours], Institut Français du Cheval et de l'Equitation, Università degli Studi di Salerno (UNISA), IRTA, Laboratoire d'astrophysique de l'observatoire de Besançon (LAOB), Universita degli Studi di Padova, Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire aquitain des sciences de l'univers (OASU), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Laboratoire d'Astrophysique de Bordeaux [Pessac] (LAB), Deutsches Forschungszentrum für Künstliche Intelligenz GmbH (DFKI), Universidade do Porto [Porto], Università degli Studi di Firenze [Firenze], Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, Department of Earth Sciences, University College London, Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-IPG PARIS-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Université de La Réunion (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Spain] (CSIC), Centre interdisciplinaire de recherche, culture, éducation, formation, travail (CIRCEFT), Université Paris 8 Vincennes-Saint-Denis (UP8)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de La Réunion (UR)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-IPG PARIS-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS), Station biologique, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Dipartimento di Informatica [Verona], Università degli Studi di Verona, Departamento de Física e Astronomia [Porto], UMR5116, Centre Émile Durkheim (CED), Université de Bordeaux (UB)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Bordeaux (UB)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clinica Neurologica, Università degli Studi di Perugia (UNIPG), Rebordao, J. [0000-0002-7418-0345], Kerschbaum, F. [0000-0001-6320-0980], Abreu, M. [0000-0002-0716-9568], Tabernero, H. [0000-0002-8087-4298], López Puertas, M. [0000-0003-2941-7734], Jacquemoud, S. [0000-0002-1500-5256], Tennyson, J. [0000-0002-4994-5238], Focardi, M. [0000-0002-3806-4283], Leto, G. [0000-0002-0040-5011], Lodieu, N. [0000-0002-3612-8968], Tinetti, G. [0000-0001-6058-6654], Sanroma, E. [0000-0001-8859-7937], Poretti, E. [0000-0003-1200-0473], Deeg, H. [0000-0003-0047-4241], Grassi, D. [0000-0003-1653-3066], Piccioni, G. [0000-0002-7893-6808], Ribas, I. [0000-0002-6689-0312], Coates, A. [0000-0002-6185-3125], García Ramón, J. [0000-0002-8204-6832], Bouy, H. [0000-0002-7084-487X[, Lognonne, P. [0000-0002-1014-920X], Demangeon, O. [0000-0001-7918-0355], Morales, J. C. [0000-0003-0061-518X], Ray, T. [0000-0002-2110-1068], Guio, P. [0000-0002-1607-5862], Tanga, P. [0000-0002-2718-997X], Prisinzano, L. [0000-0002-8893-2210], Barstow, J. [0000-0003-3726-5419], Balado, A. [0000-0003-4268-2516], Lithgow Bertelloni, C. [0000-0003-0924-6587], Barton, E. [0000-0001-5945-9244], Delgado, M. E. [0000-0003-4434-2195], Affer, L. [0000-0001-5600-3778], Ciaravella, A. [0000-0002-3127-8078], Barrado Navascues, D. [0000-0002-5971-9242], Figueira, P. [0000-0001-8504-283X], Covino, E. [0000-0002-6187-6685], Venot, O. [0000-0003-2854-765X], Cabral, A. [0000-0002-9433-871X], Watson, D. [0000-0002-4465-8264], Morales Calderon, M. [0000-0001-9526-9499], Ward Thompson, D. [0000-0003-1140-2761], Rebolo, R. [0000-0003-3767-7085], López Valverde, M. A. [0000-0002-7989-4267], Gillon, M. [0000-0003-1462-7739], Morgante, G. [0000-0001-9234-7412], Zapatero Osorio, M. R. [0000-0001-5664-2852], Bulgarelli, A. [0000-0001-6347-0649], Pena Ramírez, K. [0000-0002-5855-401X], Galand, M. [0000-0001-5797-914X], Pancrazzi, M. [0000-0002-3789-2482], Malaguti, G. [0000-0001-9872-3378], Sánchez Lavega, A. [0000-0001-7234-7634], Waldmann, I. [0000-0002-4205-5267], Kovacs, G. [0000-0002-2365-2330], Guillot, T. [0000-0002-7188-8428], Turrini, D. [0000-0002-1923-7740], Altieri, F. [0000-0002-6338-8300], Bellucci, G. [0000-0003-0867-8679], Baffa, C. [0000-0002-4935-100X], Olivia, E. [0000-0002-9123-0412], Selsis, F. [0000-0001-9619-5356], Scuderi, Salvatore [0000-0002-8637-2109], Hersant, F. [0000-0002-2687-7500], Gear, W. [0000-0001-6789-6196], Damasso, M. [0000-0001-9984-4278], Tizzi, A. [0000-0002-6725-3825], Pinfield, D. [0000-0002-7804-4260], Kipping, D. [0000-0002-4365-7366], Maldonado, J. [0000-0002-4282-1072], Pace, E. [0000-0001-5870-1772], Burleigh, M. [0000-0003-0684-7803], Monteiro, M. [0000-0001-5644-0898], Pilat Lohinger, E. [0000-0002-5292-1923], Chadney, J. [0000-0002-5174-2114], Moro Martín, A. [0000-0001-9504-8426], Claret, A. [0000-0002-4045-8134], Gómez, H. [0000-0003-3398-0052], Maldonado, J. [0000-0002-2218-5689], Michaut, C. [0000-0002-2578-0117], Hornstrup, A. [0000-0002-3363-0936], Scholz, A. [0000-0001-8993-5053], Irwin, P. [0000-0002-6772-384X], Bezard, B. [0000-0002-5433-5661], López Heredero, R. [0000-0002-2197-8388], Sanz Forcada, J. [0000-0002-1600-7835], Danielski, C. [0000-0002-3729-2663], Sousa, S. [0000-0001-9047-2965], Medved, A. [0000-0003-2713-8977], Bakos, G. [0000-0001-7204-6727], Ade, P. [0000-0002-5127-0401], Vandenbussche, B. [0000-0002-1368-3109], Martín Torres, J. [0000-0001-6479-2236], Correira, A. [0000-0002-8946-8579], Haigh, J. [0000-0001-5504-4754], Scandariato, G. [0000-0003-2029-0626], Guedel, M. [0000-0001-9818-0588], Sánchez Bejar, V. [0000-0002-5086-4232], Rodríguez, P. [0000-0002-6855-9682], Piskunov, N. [0000-0001-5742-7767], Adibekyan, V. [0000-0002-0601-6199], Pérez Hoyos, S. [0000-0001-9797-4917], Kervella, P. [0000-0003-0626-1749], Pascale, E. [0000-0002-3242-8154], Claudi, R. [0000-0001-7707-5105], Filacchione, G. [0000-0001-9567-0055], Rickman, H. [0000-0002-9603-6619], Amado, P. J. [0000-0002-8388-6040], Maggio, A. [0000-0001-5154-6108], Agundez, M. [0000-0003-3248-3564], Montes, D. [0000-0002-7779-238X], Fletcher, L. [0000-0001-5834-9588], Stixrude, L. [0000-0003-3778-2432], Morais, M. H. [0000-0001-5333-2736], Hueso, R. [0000-0003-0169-123X], Yurchenko, S. [0000-0001-9286-9501], Rataj, M. [0000-0002-2978-9629], Pérez Hoyos, S. [0000-0002-2587-4682], Santos, N. [0000-0003-4422-2919], Peralta, J. [0000-0002-6823-1695], Budaj, J. [0000-0002-9125-7340], Barlow, M. [0000-0002-3875-1171], Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS), Département des Géosciences - ENS Paris, École normale supérieure - Paris (ENS Paris), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-École normale supérieure - Paris (ENS Paris), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École des Ponts ParisTech (ENPC)-École polytechnique (X)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC), Université Côte d'Azur (UCA)-Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC), Universidade do Porto, Università degli Studi di Firenze = University of Florence [Firenze] (UNIFI), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-IPG PARIS-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Université de La Réunion (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), University of Verona (UNIVR), Universidade do Porto-Universidade do Porto, Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS), Université de Nantes - UFR Lettres et Langages (UFRLL), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Le Mans Université (UM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-École normale supérieure - Lyon (ENS Lyon), Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial (INTA)-Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Spain] (CSIC)-Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial (INTA)-Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Spain] (CSIC), Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial (INTA)-Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Spain] (CSIC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), École normale supérieure - Paris (ENS Paris)-École normale supérieure - Paris (ENS Paris)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École des Ponts ParisTech (ENPC)-École polytechnique (X)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC), COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National de la Recherche Agronomique (INRA)-Institut Français du Cheval et de l'Equitation [Saumur]-Université de Tours-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Università degli Studi di Firenze = University of Florence [Firenze], COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, University College of London [London] ( UCL ), Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique ( LESIA ), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 ( UPMC ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de Paris-Université Paris Diderot - Paris 7 ( UPD7 ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Max Planck Institute for Solar System Research ( MPS ), School of Physics & Astronomy, European Space Agency ( ESA ), INAF - Osservatorio Astronomico di Palermo ( OAPa ), Istituto Nazionale di Astrofisica ( INAF ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation ( IMEP-LAHC ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology ( Grenoble INP ) -Institut National Polytechnique de Grenoble ( INPG ) -Université Savoie Mont Blanc ( USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry] ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ), Universidad Politécnica de Cataluña, U.S. Army Research Laboratory [Adelphi, MD] ( ARL ), United States Army ( U.S. Army ), Royal Observatory Edinburgh ( ROE ), SRON Netherlands Institute for Space Research ( SRON ), Laboratoire de Météorologie Dynamique (UMR 8539) ( LMD ), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 ( UPMC ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -École polytechnique ( X ) -École des Ponts ParisTech ( ENPC ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Département des Géosciences - ENS Paris, École normale supérieure - Paris ( ENS Paris ) -École normale supérieure - Paris ( ENS Paris ), Joseph Louis LAGRANGE ( LAGRANGE ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Lunar and Planetary Laboratory [Tucson], Space Research Institute of Austrian Academy of Sciences ( IWF ), Austrian Academy of Sciences ( OeAW ), Centre de Recherche Astrophysique de Lyon ( CRAL ), École normale supérieure - Lyon ( ENS Lyon ) -Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Center for Human-Computer Interaction ( HCI ), Istituto di Astrofisica e Planetologia Spaziali ( IAPS ), University of Hertfordshire [Hatfield] ( UH ), Laboratoire d'Astrophysique de Bordeaux [Pessac] ( LAB ), Université de Bordeaux ( UB ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université de Bordeaux ( UB ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire de Physique Atmosphérique et Planétaire ( LPAP ), Centro de Astronomia e Astrofísica da Universidade de Lisboa ( CAAUL ), Universidade de Lisboa ( ULISBOA ), Space Research Centre [Warsaw] ( CBK ), Polska Akademia Nauk ( PAN ), Department of Atmospheric, Oceanic and Planetary Physics [Oxford] ( AOPP ), Mullard Space Science Laboratory ( MSSL ), Max-Planck-Institut für Sonnensystemforschung ( MPS ), Institut de Recherches sur les lois Fondamentales de l'Univers ( IRFU ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Paris-Saclay, Instituut voor Sterrenkunde, Katholieke Universiteit Leuven ( KU Leuven ), foreign laboratories ( FL ), STFC Rutherford Appleton Laboratory ( RAL ), Science and Technology Facilities Council ( STFC ), Centre for Planetary Sciences [UCL/Birkbeck] ( CPS ), Queen Mary University of London ( QMUL ), Institut d'Astrophysique de Paris ( IAP ), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 ( UPMC ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Dark Cosmology Center, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen ( KU ), Computational Science and Engineering Department [Daresbury] ( STFC ), LAEX, Depto. Astrofísica, Centro de Astrobiología, Nelson Mandela Metropolitan University, Nelson Mandela Metropolitan University [Port Elizabeth, South Africa]-Nelson Mandela Metropolitan University [Port Elizabeth, South Africa], Teagasc, Laboratoire d'Astrophysique de Marseille ( LAM ), Aix Marseille Université ( AMU ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Centre National d'Etudes Spatiales ( CNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Fraunhofer-Institute for Applied Solid-State Physics (IAF), Centro de Astrobiologia [Madrid] ( CAB ), Instituto Nacional de Técnica Aeroespacial ( INTA ) -Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Spain] ( CSIC ), Jet Propulsion Laboratory ( JPL ), NASA-California Institute of Technology ( CALTECH ), Instituto Nacional de Engenharia, Tecnologia e Inovacco ( INETI ), INETI, Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 ( UPMC ), Physiologie de la reproduction et des comportements [Nouzilly] ( PRC ), Institut National de la Recherche Agronomique ( INRA ) -Institut Français du Cheval et de l'Equitation [Saumur]-Université de Tours-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Università degli Studi di Salerno ( UNISA ), The University of North Carolina at Chapel Hill-Carolina Center for the Genome Sciences, Laboratoire d'astrophysique de l'observatoire de Besançon ( LAOB ), Université de Franche-Comté ( UFC ), Universita degli Studi di Padova = University of Padua = Université de Padoue, Institut d'astrophysique spatiale ( IAS ), Université Paris-Sud - Paris 11 ( UP11 ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire d'astrodynamique, d'astrophysique et d'aéronomie de bordeaux ( L3AB ), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Observatoire aquitain des sciences de l'univers ( OASU ), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Laboratoire d'Astrophysique de Bordeaux [Pessac] ( LAB ), Université de Bordeaux ( UB ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université de Bordeaux ( UB ), Institut de génétique et microbiologie [Orsay] ( IGM ), Université Paris-Sud - Paris 11 ( UP11 ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Deutsches Forschungszentrum für Künstliche Intelligenz GmbH ( DFKI ), Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas ( CONICET ), Centro de Astrofísica da Universidade do Porto ( CAUP ), Institut Universitaire de France ( IUF ), Ministère de l'Éducation nationale, de l’Enseignement supérieur et de la Recherche ( M.E.N.E.S.R. ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ), Laboratoire Hippolyte Fizeau ( FIZEAU ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Istituto di Fisica dello Spazio Interplanetario CNR (IFSI), Laboratoire de l'Accélérateur Linéaire ( LAL ), Université Paris-Sud - Paris 11 ( UP11 ) -Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS ( IN2P3 ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Centre de recherche en éducation de Nantes ( CREN ), Université de Nantes ( UN ), Universidad del Pais Vasco / Euskal Herriko Unibertsitatea ( UPV/EHU ), NASA Goddard Space Flight Center ( GSFC ), Onsala Space Observatory ( OSO ), Los Alamos National Laboratory ( LANL ), Centre d'Etude de l'Energie Nucléaire ( SCK-CEN ), Institut de Physique du Globe de Paris ( IPGP ), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 ( UPMC ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -IPG PARIS-Université Paris Diderot - Paris 7 ( UPD7 ) -Université de la Réunion ( UR ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Instituto de Astrofísica de Andalucía ( IAA ), Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Spain] ( CSIC ), Department of Rheumatology ( LEIDEN - Rhumato ), Department of Rheumatology ( COIMBRA - Rhumato ), Centre Scientifique et Technique du Bâtiment ( CSTB ), INAF - Osservatorio Astrofisico di Arcetri ( OAA ), Centre interdisciplinaire de recherche, culture, éducation, formation, travail ( CIRCEFT ), Université Paris 8 Vincennes-Saint-Denis ( UP8 ) -Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 ( UPEC UP12 ), Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -IPG PARIS-Université Paris Diderot - Paris 7 ( UPD7 ) -Université de la Réunion ( UR ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire de physique des gaz et des plasmas ( LPGP ), Pontificia Universidad Católica de Chile, Thüringer Landessternwarte Tautenburg ( TLS ), BIBA Bremer Institut für Produktion und Logistik GmbH, Centre Émile Durkheim ( CED ), Université de Bordeaux ( UB ) -Sciences Po-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Université de Bordeaux ( UB ) -Sciences Po-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INAF - Osservatorio Astrofisico di Catania ( OACT ), Institut de Ciencies Fotoniques [Castelldefels] ( ICFO ), Università di Perugia, Royal Holloway [University of London] ( RHUL ), and Low Energy Astrophysics (API, FNWI)

Subjects
Astrofísica, Solar System, Computer science, [SDU.ASTR.EP]Sciences of the Universe [physics]/Astrophysics [astro-ph]/Earth and Planetary Astrophysics [astro-ph.EP], HOT-JUPITER ATMOSPHERES, 7. Clean energy, Space missions, law.invention, Astronomi, astrofysik och kosmologi, Planet, law, Observatory, Astronomy, Astrophysics and Cosmology, Transit (astronomy), Atmospheric science, Exoplanets, IR astronomy, Spectroscopy, Astronomy and Astrophysics, Space and Planetary Science, QC, QB, Eclipse, Earth and Planetary Astrophysics (astro-ph.EP), education.field_of_study, [SDU.ASTR]Sciences of the Universe [physics]/Astrophysics [astro-ph], [ SDU.ASTR.EP ] Sciences of the Universe [physics]/Astrophysics [astro-ph]/Earth and Planetary Astrophysics [astro-ph.EP], Exoplanet, GIANT PLANETS, Physical Sciences, ENERGY-BALANCE, Astrophysics::Earth and Planetary Astrophysics, Population, MU-M, FOS: Physical sciences, F500, Astronomy & Astrophysics, Telescope, INFRARED-EMISSION-SPECTRUM, education, [ SDU.ASTR ] Sciences of the Universe [physics]/Astrophysics [astro-ph], EXTRASOLAR PLANET ATMOSPHERE, Science & Technology, Astronomy, EXOPLANET HD 189733B, HUBBLE-SPACE-TELESCOPE, Astronomía, TRANSMISSION SPECTROSCOPY, 0201 Astronomical And Space Sciences, 13. Climate action, WATER-VAPOR, astro-ph.EP, Astrophysics - Earth and Planetary Astrophysics
Abstract

The discovery of almost 2000 exoplanets has revealed an unexpectedly diverse planet population. Observations to date have shown that our Solar System is certainly not representative of the general population of planets in our Milky Way. The key science questions that urgently need addressing are therefore: What are exoplanets made of? Why are planets as they are? What causes the exceptional diversity observed as compared to the Solar System? EChO (Exoplanet Characterisation Observatory) has been designed as a dedicated survey mission for transit and eclipse spectroscopy capable of observing a large and diverse planet sample within its four-year mission lifetime. EChO can target the atmospheres of super-Earths, Neptune-like, and Jupiter-like planets, in the very hot to temperate zones (planet temperatures of 300K-3000K) of F to M-type host stars. Over the next ten years, several new ground- and space-based transit surveys will come on-line (e.g. NGTS, CHEOPS, TESS, PLATO), which will specifically focus on finding bright, nearby systems. The current rapid rate of discovery would allow the target list to be further optimised in the years prior to EChO's launch and enable the atmospheric characterisation of hundreds of planets. Placing the satellite at L2 provides a cold and stable thermal environment, as well as a large field of regard to allow efficient time-critical observation of targets randomly distributed over the sky. A 1m class telescope is sufficiently large to achieve the necessary spectro-photometric precision. The spectral coverage (0.5-11 micron, goal 16 micron) and SNR to be achieved by EChO, thanks to its high stability and dedicated design, would enable a very accurate measurement of the atmospheric composition and structure of hundreds of exoplanets., Comment: 50 pages, 30 figures. Experimental Astronomy

Published
2015

37. Optofluidic Near-Field Optical Microscopy: Near-Field Mapping of a Silicon Nanocavity Using Trapped Microbeads

Author

Benoit Cluzel, Emmanuel Picard, Claude Renaut, Emmanuel Hadji, David Peyrade, Christophe Pin, Frédérique de Fornel, Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne (LICB), Université de Bourgogne (UB)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures (SiNaps), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-11-LABX-0001,ACTION,Systèmes intelligents intégrés au cœur de la matière(2011), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne ( LICB ), Université de Bourgogne ( UB ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire Silicium Nanoélectronique Photonique et Structures ( SINAPS ), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS ( PHELIQS ), Institut Nanosciences et Cryogénie ( INAC ), Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Institut Nanosciences et Cryogénie ( INAC ), Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), ANR-11-LABX-0001/11-LABX-0001,ACTION,Systèmes intelligents intégrés au cœur de la matière ( 2011 ), Laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne (ICB), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Materials science, Optical Tweezers, Cavity, Physics::Optics, Near and far field, Optical Lattice, Trapping, Optics, Nanoparticle, Microscopy, Near-Field Optical Forces, Wave-Guide, Laser power scaling, Physics::Atomic Physics, Electrical and Electronic Engineering, Near-Field Optical Microscopy, Photonic crystal, Condensed Matter::Quantum Gases, [PHYS]Physics [physics], Optical lattice, [ PHYS ] Physics [physics], business.industry, Standing-Wave, Force Microscopy, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Optical tweezers, Plasmonic Nanotweezers, Photonics, business, Photonic Crystal, Biotechnology
Abstract

International audience; By analyzing the thermal motion of fluorescent dielectric microbeads trapped in the near-field of a silicon nanocavity, we investigate the influence of the bead's size and the trapping laser power on the shape of the optical trap and the "effective" trap stiffness. We demonstrate that the trapping potential is proportional to the subwavelength patterns of the electromagnetic near-field intensity distribution for unexpectedly large Mie particle sizes. More especially, we show that mapping the trapping potential experienced by a 500 nm diameter bead reveals the nanopattems of the cavity resonant mode. This result highlights how photonic force microscopy in nanotweezers can provide an elegant way to image evanescent fields at the nanoscale via the thermal motion of optically trapped fluorescent microprobes.

Published
2015

38. Density multiplication of pores and their propagation in a thin layer of nanoporous alumina on silicon substrates

Author

Marc Zelsmann, Denis Buttard, Thérèse Gorisse, Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures (SiNaps), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS (PHELIQS), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Silicium Nanoélectronique Photonique et Structures ( SINAPS ), PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS ( PHELIQS ), Institut Nanosciences et Cryogénie ( INAC ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Institut Nanosciences et Cryogénie ( INAC ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ) -Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ) -Université Grenoble Alpes ( UGA ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
MECHANISM, Materials science, Silicon, Oxide, General Physics and Astronomy, chemistry.chemical_element, Nanotechnology, FILMS, UV NANOIMPRINT LITHOGRAPHY, chemistry.chemical_compound, Period multiplication, Aluminium, Electrochemistry, Composite material, Lithography, Porous anodic alumina, [PHYS]Physics [physics], [ PHYS ] Physics [physics], Nanoporous, Anodizing, OXIDE, Surfaces and Interfaces, General Chemistry, Condensed Matter Physics, Surfaces, Coatings and Films, ARRAYS, Surface, Pore propagation, Nanopore, arrangement, chemistry, GROWTH, Triangular array, ANODIC POROUS ALUMINA
Abstract

International audience; In this work, perfectly organized triangular arrays of vertical nanopores are formed in an alumina matrix by combining a pre-patterning technique with the natural ability of alumina to form a triangular unit cell. More precisely, we imprinted a triangular array of indents on a thin layer of aluminum deposited on silicon substrates using nano-imprint lithography. During the anodization process, we forced the growth of pores in and in-between the indents obtaining a larger number of pores in the final alumina array than the initial number of indents patterned on the aluminum. Adapting the anodization conditions, a density multiplication by three was successfully achieved with a very good surface organization. The experimental details of the process are described in this paper. We studied in details the inner organization of the pores and we identified differences in their propagation between oxalic and orthophosphoric acid. The former showed a good surface propagation until 1500 nm in depth. On the contrary, the latter showed a perturbation in the organization at 450 nm: at this depth, the induced pores stopped whereas the indented ones rearranged into two or three. A longer shift in the initiation of the induced pores seemed to causes this poor propagation. A systematic study was performed to investigate the effect of the anodization conditions on the pores' propagation. We demonstrate that the optimization of the orthophosphoric acid concentration and the applied voltage towards harder anodization conditions, i.e. to higher values, allows a better control of this self-assembling process and deeper order propagation until more than 1000 nm. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.

Published
2015

39. Carrier trapping study on a Ge nanocrystal by two-pass lift mode electrostatic force microscopy

Author

Armel Descamps, Pavel N. Brunkov, Georges Bremond, Colm O'Dwyer, Zhen Lin, Franck Bassani, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] ( MATEIS ), Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA )

Subjects
Nanostructure, Materials science, Electrostatic force microscopy, Polymers and Plastics, Electrostatic force microscope, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, Analytical chemistry, chemistry.chemical_element, Germanium, 02 engineering and technology, Trapping, Electron, 01 natural sciences, Capacitance, Molecular physics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, Biomaterials, [SPI]Engineering Sciences [physics], 0103 physical sciences, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Memory device, Leakage (electronics), 010302 applied physics, Metals and Alloys, 021001 nanoscience & nanotechnology, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, chemistry, Nanocrystal, Germanium nanocrystal, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0210 nano-technology
Abstract

International audience; Trapped charges inside an isolated germanium nanocrystal (Ge NC) have been studied by two-pass lift mode electrostatic force microscopy (EFM) measurements at room temperature. From visualized EFM images, electrons and holes were proven to be successfully injected and trapped in the Ge NC and distributed homogenously at the edge of its truncated spherical morphology. The Ge NC is found to have iso-potential surface and behave as a conductive material after being charged. It is also shown that the dominant charge decay mechanism during discharging of Ge NCs is related to the leakage of these trapped charges. A truncated capacitor model is used to approximate the real capacitance between the tip and Ge NC surface and to quantitatively study these trapped charges. These investigations demonstrate the potential for Ge nanocrystal memory applications.

Published
2015

40. Single-Mode Photonic Crystal Nanobeam Lasers Monolithically Grown on Si for Dense Integration

Author

Taojie Zhou, Mingchu Tang, Haochuan Li, Zhan Zhang, Yuzhou Cui, Jae-Seong Park, Markel Martin, Thierry Baron, Siming Chen, Huiyun Liu, Zhaoyu Zhang, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], Electrical and Electronic Engineering, Atomic and Molecular Physics, and Optics
Abstract

International audience

Published
2022

41. An Ultra-Thin Near-Perfect Absorber via Block Copolymer Engineered Metasurfaces

Author

Cian Cummins, Alberto Alvarez-Fernandez, Nils Demazy, Marc Zelsmann, Georges Hadziioannou, Philippe Barois, Ahmed Bentaleb, Alexandre Baron, Ranjeet Dwivedi, Gwenaelle Pound-Lana, Quentin Flamant, Guillaume Fleury, Virginie Ponsinet, Centre de Recherche Paul Pascal (CRPP), Université de Bordeaux (UB)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Chimie des Polymères Organiques (LCPO), Université de Bordeaux (UB)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie, de Biologie et de Physique (ENSCBP)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Team 4 LCPO : Polymer Materials for Electronic, Energy, Information and Communication Technologies, Université de Bordeaux (UB)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie, de Biologie et de Physique (ENSCBP)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Bordeaux (UB)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie, de Biologie et de Physique (ENSCBP)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), University College of London [London] (UCL), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), ANR-10-EQPX-0028,ELORPrinttec,'Plate-forme de l'Université de Bordeaux pour l'organique électronique imprimable : de la molécule aux dispositifs et systèmes intégrés - valorisation et commercialisation'(2010), ANR-10-IDEX-0003,IDEX BORDEAUX,Initiative d'excellence de l'Université de Bordeaux(2010), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Bordeaux (UB)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie, de Biologie et de Physique (ENSCBP)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Bordeaux (UB)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie, de Biologie et de Physique (ENSCBP)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Bordeaux (UB)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie, de Biologie et de Physique (ENSCBP)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Institut de Chimie du CNRS (INC), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Equipex ELORPrintTec ANR-10-EQPX-28-01 French state’s Initiative d’Excellence Bordeaux IdEx ANR-10-IDEX-003-02, and European Project: IdEx Bordeaux (ANR-10-IDEX- 003-02)

Subjects
Materials science, business.industry, Nanoparticle, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, Block copolymers, metasurfaces, nanoresonators, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Biomaterials, Colloid and Surface Chemistry, Planar, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Copolymer, Optoelectronics, Photonics, Absorption (electromagnetic radiation), business, Light absorber, perfect absorbers, flat optics, Layer (electronics)
Abstract

International audience; Producing ultrathin light absorber layers is attractive towards the integration of lightweight planar components in electronic, photonic, and sensor devices. In this work, we report the experimental demonstration of a thin gold (Au) metallic metasurface with near-perfect visible absorption (~ 95 %). Au nanoresonators possessing heights from 5-15 nm with sub-50 nm diameters were engineered by block copolymer (BCP) templating. The Au nanoresonators were fabricated on an alumina (Al2O3) spacer layer and a reflecting Au mirror, in a film-coupled nanoparticle design. The BCP nanopatterning strategy to produce desired heights of Au nanoresonators was tailored to achieve nearperfect absorption at ≈ 600 nm. The experimental insight described in this work is a step forward towards realizing large area flat optics applications derived from subwavelengththin metasurfaces.

Published
2022

42. Plasma Induced Damage on AlGaN/GaN Heterostructure During Gate Opening for Power Devices

Author

O. Fesiienko, C. Petit-Etienne, M. Darnon, A. Soltani, H. Maher, E. Pargon, Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] (LN2), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
Plasma etching, [SPI]Engineering Sciences [physics], HEMT - High Electronic Mobility Transistor, III-V SEMICONDUCTORS, Plasma etching of III-V materials, Surfaces and Interfaces, Condensed Matter Physics, Surfaces, Coatings and Films
Abstract

During the fabrication of metal oxide semiconductor high electron mobility transistor based on AlGaN/GaN heterostructure, gate patterning is recognized as the most critical step that can lead to electrical degradation of the transistor. In this work, we performed the SiN cap layer plasma etching processes by two fluorine-based plasma processes (SF6/Ar and CHF3/CF4/Ar) with low (≈15 eV) and high (≈260 eV) ion energies. Moreover, we investigate the postetching treatment using a KOH solution in order to restore the quality of the AlGaN barrier surface after etching. The objective of this article is to evaluate the AlGaN barrier surface damage after the listed plasma etching processes and postetching strategies by using quasi- in situ angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy, transmission electron microscopy, and atomic force microscope. Accordingly, it is found that both high ion energy plasma processes lead to a significant stoichiometric change and modification of the AlGaN barrier layer into a 1.5 nm F-rich AlGaNFx subsurface reactive layer. The decrease in ionic energy leads to a decrease in the SiN etch rate and a significant improvement in the SiN/AlGaN etch selectivity (which becomes infinite) for both plasma chemistries. Moreover, the decrease in ion energy decreases the depth of the modification (about 0.5 nm) and reduces the stochiometric change of the AlGaN barrier layer. However, both low and high ion energy SF6/Ar plasma lead to 0.8 eV Fermi level shift toward the valence band. Furthermore, the KOH postetching treatment demonstrates complete and effective removal of the AlGaNFx subsurface reactive layer and restoration of the surface properties of the AlGaN layer. However, this removal leads to AlGaN recesses that are correlated to the thickness of the reactive layer formed during the etching.

Published
2023

43. Force tuning through regulation of clathrin-dependent integrin endocytosis

Author

Alexander Kyumurkov, Anne-Pascale Bouin, Mathieu Boissan, Sandra Manet, Francesco Baschieri, Mathilde Proponnet-Guerault, Martial Balland, Olivier Destaing, Myriam Régent-Kloeckner, Claire Calmel, Alice Nicolas, François Waharte, Philippe Chavrier, Guillaume Montagnac, Emmanuelle Planus, Corinne Albiges-Rizo, Institute for Advanced Biosciences / Institut pour l'Avancée des Biosciences (Grenoble) (IAB), Centre Hospitalier Universitaire [Grenoble] (CHU)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Etablissement français du sang - Auvergne-Rhône-Alpes (EFS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Centre de Recherche Saint-Antoine (CRSA), Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Sorbonne Université (SU), Service de biochimie et hormonologie [CHU Tenon], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-CHU Tenon [AP-HP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Sorbonne Université (SU)-Sorbonne Université (SU), Institut Gustave Roussy (IGR), Dynamique des cellules tumorales (UMR1279), Institut Gustave Roussy (IGR)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Université Paris-Saclay, Laboratoire Interdisciplinaire de Physique [Saint Martin d’Hères] (LIPhy ), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Minatec, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Biologie Cellulaire et Cancer, Institut Curie [Paris]-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-17-CE13-0022,CODECIDE,Coincidence de detection dans l'identité cellulaire(2017), Chavrier, Philippe, Coincidence de detection dans l'identité cellulaire - - CODECIDE2017 - ANR-17-CE13-0022 - AAPG2017 - VALID, Institut d'oncologie/développement Albert Bonniot de Grenoble (INSERM U823), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-CHU Grenoble-EFS-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM), CHU Tenon [AP-HP], Assistance publique - Hôpitaux de Paris (AP-HP) (AP-HP)-Sorbonne Université (SU), Laboratoire de Didactique André Revuz (LDAR (URP_4434)), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Université de Lille-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Université Paris Cité (UPCité)-CY Cergy Paris Université (CY), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), BioImaging Cell and Tissue Core Facility (PICT-IBiSA), Institut Curie [Paris], Centre de recherche de l'Institut Curie [Paris], Dynamique moléculaire de la transformation hématopoïétique (Dynamo), and Centre Hospitalier Universitaire [Grenoble] (CHU)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Etablissement français du sang - Auvergne-Rhône-Alpes (EFS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])

Subjects
Talin, [SDV] Life Sciences [q-bio], Focal Adhesions, Integrin beta1, [SDV]Life Sciences [q-bio], Integrin beta3, Cell Biology, [SDV.BC]Life Sciences [q-bio]/Cellular Biology, Mechanotransduction, Cellular, Clathrin, Endocytosis
Abstract

International audience; Integrin endocytosis is essential for many fundamental cellular processes. Whether and how the internalization impacts cellular mechanics remains elusive. Whereas previous studies reported the contribution of the integrin activator, talin, in force development, the involvement of inhibitors is less documented. We identified ICAP-1 as an integrin inhibitor involved in mechanotransduction by co-working with NME2 to control clathrin-mediated endocytosis of integrins at the edge of focal adhesions (FA). Loss of ICAP-1 enables β3-integrin-mediated force generation independently of β1 integrin. β3-integrin-mediated forces were associated with a decrease in β3 integrin dynamics stemming from their reduced diffusion within adhesion sites and slow turnover of FA. The decrease in β3 integrin dynamics correlated with a defect in integrin endocytosis. ICAP-1 acts as an adaptor for clathrin-dependent endocytosis of integrins. ICAP-1 controls integrin endocytosis by interacting with NME2, a key regulator of dynamin-dependent clathrin-coated pits fission. Control of clathrin-mediated integrin endocytosis by an inhibitor is an unprecedented mechanism to tune forces at FA.

Published
2023

44. Puce photonique reconfigurable en silicium pour la génération de Qudits enchevêtrés dans des bacs de fréquence

Author

Borghi, Massimo, Tagliavacche, Noemi, Sabattoli, Federico Andrea, Dirani, Houssein El, Youssef, Laurene, Petit-Etienne, Camille, Pargon, Erwine, Sipe, J.E., Liscidini, Marco, Sciancalepore, Corrado, Galli, Matteo, Bajoni, Daniele, Università degli Studi di Pavia = University of Pavia (UNIPV), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), and University of Toronto

Subjects
[SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract

International audience; Quantum optical microcombs in integrated ring resonators generate entangled photon pairs over many spectral modes, and allow the preparation of high dimensional qudit states. Ideally, those sources should be programmable and have a high generation rate, with comb lines tightly spaced for the implementation of efficient qudit gates based on electro-optic frequency mixing. While these requirements cannot all be satisfied by a single resonator device, for which there is a trade-off between high generation rate and tight bin spacing, a promising strategy is the use of multiple resonators, each generating photon pairs in specific frequency bins via spontaneous four-wave mixing. Based on this approach we present a programmable silicon photonics device for the generation of frequency bin entangled qudits, in which bin spacing, qudit dimension, and bipartite quantum state can be reconfigured on-chip. Using resonators with a radius of 22 µm, we achieve a high brightness (∼ MHz/(mW) 2) per comb line with a bin spacing of 15 GHz, and fidelities above 85% with maximally entangled Bell states up to a Hilbert space dimension of sixteen. By individually addressing each spectral mode, we realize states that can not be generated on-chip using a single resonator. We measure the correlation matrices of maximally entangled two-qubit and two-qutrit states on a set of mutually unbiased bases, finding fidelities exceeding 98%, and indicating that the source can find application in high-dimensional secure communication protocols.

Published
2023

45. Investigation of the magnetron balancing effect on the ionized flux fraction and deposition rate of sputtered titanium species for the high-power impulse magnetron sputtering pulses of different lengths

Author

Anna Kapran, Vinicius G. Antunes, Zdeněk Hubička, Charles Ballage, Tiberiu Minea, Institute of Physics v. v. i, Czech Academy of Sciences [Prague] (CAS), Laboratoire de physique des gaz et des plasmas (LPGP), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-PLASM-PH]Physics [physics]/Physics [physics]/Plasma Physics [physics.plasm-ph], Surfaces and Interfaces, Condensed Matter Physics, Surfaces, Coatings and Films
Abstract

The study is focused on the impact of different magnetic field configurations of a high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) in a nonreactive mode on the film precursors. Ionized flux fraction and total flux deposited onto the substrate were measured with the magnetic quartz crystal microbalance probe placed in front of the target racetrack. Particularly, we investigated the degree of magnetron balancing and the geometry of the magnetic field above the Ti target surface (4 in. diameter), as crucial factors influencing the thin film deposition, for different HiPIMS pulse lengths. Three unbalanced (II type) magnetron configurations have been chosen for this study: two symmetric geometries—with a regular magnetic field (B parallel to the target about 80 and 35 mT) and one asymmetric (highly unbalanced) magnetron configuration with an intermediate magnetic field (B parallel to the target about 48 mT). The HiPIMS was operated keeping constant the peak current at 43 A for C0-E0 and C10-E0 B-field configurations and a lower value, 33 A, when operating in C10-E10 configuration. In addition to the peak current, the pulse frequency was kept constant at 100 Hz but the pulse length (power on-time, Ton) was varied from 50 up to 100 μs. Obviously, the pulse power and the average power continuously increase with the length of the pulse. The results reveal a significant difference in the trends of the deposition rate and ionized flux fraction reaching the substrate with respect to the degree of balancing of the magnetron. It was found that the ionized fraction of metal arriving at the substrate reaches its maximum for the pulse length between Ton ≈ 70–80 μs in both symmetric cases, with strong and weak magnetic fields. The ionized fraction of Ti atoms in the asymmetric configuration increased in all measured range with the pulse length and the growth rate has a smooth increase.

Published
2023

46. Etude des interfaces et de l'encapsulation des mémoires à changement de phase

Author

Goffart, Ludovic, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA), Université Grenoble Alpes [2020-....], and Ahmad Bsiesy

Subjects
GeSbTe, Memory, Matériaux, Interfaces, Oxidation, Mémoire, Oxydation, Gst, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Materials
Abstract

The world of memories has evolved enormously in recent years, both in terms of performance and storage capacity, and in terms of application areas. One of the latest innovations was phase change memory, also called PCM memory for Phase Change Memory. This new type of memory is based on the use of a material, GeSbTe, well known since it was previously used in CDs, DVDs and Blu-rays for its optical properties. In the case of PCM memories, it is thanks to its electrical properties that we manage to encode the information. This material can pass from the amorphous state to the crystalline state in a reversible way, and the electrical resistivity contrast between the two states makes it possible to encode the information bit. These electrical properties are closely linked to its chemical composition, and any alteration of the latter would have a direct impact on the behavior and performance of the memory. Therefore it is critical to be able to understand and protect it against all the possible alterations that this material could undergo during its integration as a PCM memory. STMicroelectronics has chosen to use a GeSbTe enriched in germanium and doped with nitrogen, called Ge-rich GST doped N, to be able to be integrated in its memories intended for the automotive market, because this material presents the best performances for this type of application. The objective of this thesis is to understand the surface interactions between the Ge rich GST and its environment, in particular its oxidation in the atmosphere which greatly degrades its initial performance, in order to be able to propose suitable solutions to avoid it. Thanks to complementary characterization techniques such as pARXPS, TEM-EDX, nano-diffraction, XRD and XRR, as well as FTIR, used throughout this thesis, new observations have been made concerning the oxidation of Ge-rich GST. A double kinetics of oxidation, never observed before, has been brought to light, and a physical explanation associated with a new mathematical model made it possible to describe this double kinetics. Studies on the amorphous and crystalline state have been carried out to determine its influence on oxidation, as well as the influence of the annealing temperature and the nitrogen doping rate on this oxidation kinetics. The results obtained made it possible to better understand how the oxidation of the Ge-rich GST takes place and made it possible to propose avenues for improvement to avoid or reduce this oxidation in order not to degrade the performance of the memories manufactured. A last part of this work was dedicated to the study and improvement of two critical steps in the manufacture of memory chips which are the Ge-rich GST etching step, and the step of its protection called capping, also impacted by the oxidation of the material. This last study is confidential due to the presence of detailed information necessary for a good understanding of the study. It shows the results obtained concerning the influence of each step on the oxidation, and the tracks as well as the prospects proposed to overcome the oxidation and improve the integration of memory chips in order to maintain the performance necessary for their use in the automobile industry.; Le monde des mémoires à énormément évolué au cours de ces dernières années, autant sur le plan des performances et capacités de stockage, que sur les domaines d’applications. Une des dernières innovations a été la mémoire à changement de phase, également appelée mémoire PCM pour Phase Change Memory. Ce nouveau type de mémoire repose sur l’utilisation d’un matériau, le GeSbTe, bien connu puisqu’auparavant utilisé dans les CD, DVD et Blu-ray pour ses propriétés optiques. Dans le cas des mémoires PCM, c’est grâce à ses propriétés électrique que l’on parvient à encoder l’information. Ce matériau peut passer de l’état amorphe à l’état cristallin de manière réversible, et le contraste de résistivité électrique entre les deux états permet de coder le bit d’information. Ces propriétés électriques sont intimement liées à sa composition chimique, et une quelconque altération de celle-ci se répercuterait directement sur le comportement et les performances de la mémoire. C’est pourquoi il est critique de pouvoir comprendre et se protéger de toutes les altérations possibles que ce matériau pourrait subir au cours de son intégration en tant que mémoire PCM. STMicroelectronics a fait le choix d’utiliser un GeSbTe enrichi en germanium et dopé à l’azote, appelé Ge-rich GST dopé N, pour pouvoir être intégrée dans ses mémoires destinées au marché de l’automobile, car ce matériau présente les meilleures performances pour ce type d’application.L’objectif de cette thèse est de comprendre les interactions de surface entre le Ge rich GST et son environnement, notamment son oxydation à l’atmosphère qui dégrade grandement ses performances initiales, afin de pouvoir proposer des solutions adaptés pour l’éviter. Grâce à des techniques de caractérisations complémentaires telles que le pARXPS, le TEM-EDX, la nano-diffraction, l’XRD et l’XRR, ainsi que le FTIR, utilisées tout au long de cette thèse, de nouvelles observations ont pu être effectuées concernant l’oxydation du Ge-rich GST. Une double cinétique d’oxydation, jamais observée auparavant, a pu être mis en lumière, et une explication physique associée à un nouveau modèle mathématique a permis de décrire cette double cinétique. Des études sur l’état amorphe et cristallin ont été menées pour déterminer l’influence de celui-ci sur l’oxydation, ainsi que l’influence de la température de recuit et le taux de dopage azote sur cette cinétique d’oxydation. Les résultats obtenus ont permis de mieux comprendre comment l’oxydation du Ge-rich GST a lieu et ont permis de proposer des pistes d’améliorations pour éviter ou réduire cette oxydation afin de ne pas dégrader les performances des mémoires fabriquées. Une dernière partie de ce travail a été dédié à l’étude et l’amélioration de deux étapes critiques dans la fabrication des puces mémoires qui sont l’étape de gravure du Ge-rich GST, et l’étape de sa protection appelé capping, également impactés par l’oxydation du matériau. Cette dernière étude est confidentielle due à la présence d’informations détaillées nécessaire pour la bonne compréhension de l’étude. Elle présente les résultats obtenues concernant l’influence de chaque étape sur l’oxydation, et les pistes ainsi que les perspectives proposées pour palier à l’oxydation et améliorer l’intégration des puces mémoires afin de conserver les performances nécessaires à leurs utilisations dans l’industrie automobile.

Published
2022

47. Influence of the Cl$_2$ etching on the Al$_2$O$_3$ /GaN metal–oxide–semiconductor interface

Author

T. Meyer, S. Boubenia, C. Petit-Etienne, B. Salem, E. Pargon, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], Process Chemistry and Technology, Materials Chemistry, Electrical and Electronic Engineering, Instrumentation, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials
Abstract

Controlling the plasma etching step involved in metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility-transistor (MOSHEMT) GaN fabrication is essential for device performance and reliability. In particular, understanding the impact of GaN etching conditions on dielectric/GaN interface chemical properties is critically important. In this work, we investigate the impact of the carrier wafers (Si, photoresist, SiO2, and Si3N4) used during the etching of GaN in chlorine plasma on the electrical behavior of Al2O3/n-GaN metal–oxide–semiconductor (MOS) capacitors. X-ray Photoelectron spectroscopy (XPS) analyses show that the Al2O3/GaN interface layer contains contaminants from the etching process after the Al2O3 deposition. Their chemical nature depends on the plasma chemistry used as well as the chemical nature of the carrier wafer. Typically, Cl and C are trapped at the interface for all substrates. In the particular case of Si carrier wafer, a significant amount of SiOx is present at the Al2O3/GaN interface. The capacitance–voltage (C–V) characteristics of the MOS capacitors indicate that the presence of Si residues at the interface shifts the flat band voltage to negative values, while the presence of Cl or C at the interface increases the hysteresis. We demonstrate that introducing an in situ plasma cleaning treatment based on N2/H2 gas, before the atomic layer deposition, allows the removal of most of the residues except silicon and suppresses the hysteresis.

Published
2022

48. AlGaInAs Multi-Quantum Well Lasers on Silicon-on-Insulator Photonic Integrated Circuits Based on InP-Seed-Bonding and Epitaxial Regrowth

Author

Claire Besancon, Delphine Néel, Dalila Make, Joan Manel Ramírez, Giancarlo Cerulo, Nicolas Vaissiere, David Bitauld, Frédéric Pommereau, Frank Fournel, Cécilia Dupré, Hussein Mehdi, Franck Bassani, Jean Decobert, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
Technology, direct wafer bonding, QH301-705.5, QC1-999, 02 engineering and technology, semiconductor lasers, 020210 optoelectronics & photonics, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, General Materials Science, Biology (General), Instrumentation, QD1-999, [PHYS]Physics [physics], Fluid Flow and Transfer Processes, silicon photonics, Process Chemistry and Technology, epitaxial growth, Physics, General Engineering, 021001 nanoscience & nanotechnology, Engineering (General). Civil engineering (General), Computer Science Applications, Chemistry, TA1-2040, 0210 nano-technology, heterogeneous integration
Abstract

International audience; The tremendous demand for low-cost, low-consumption and high-capacity optical transmitters in data centers challenges the current InP-photonics platform. The use of silicon (Si) photonics platform to fabricate photonic integrated circuits (PICs) is a promising approach for low-cost large-scale fabrication considering the CMOS-technology maturity and scalability. However, Si itself cannot provide an efficient emitting light source due to its indirect bandgap. Therefore, the integration of III-V semiconductors on Si wafers allows us to benefit from the III-V emitting properties combined with benefits offered by the Si photonics platform. Direct epitaxy of InP-based materials on 300 mm Si wafers is the most promising approach to reduce the costs. However, the differences between InP and Si in terms of lattice mismatch, thermal coefficients and polarity inducing defects are challenging issues to overcome. III-V/Si hetero-integration platform by wafer-bonding is the most mature integration scheme. However, no additional epitaxial regrowth steps are implemented after the bonding step. Considering the much larger epitaxial toolkit available in the conventional monolithic InP platform, where several epitaxial steps are often implemented, this represents a significant limitation. In this paper, we review an advanced integration scheme of AlGaInAs-based laser sources on Si wafers by bonding a thin InP seed on which further regrowth steps are implemented. A 3 µm-thick AlGaInAs-based MutiQuantum Wells (MQW) laser structure was grown onto on InP-SiO2/Si (InPoSi) wafer and compared to the same structure grown on InP wafer as a reference. The 400 ppm thermal strain on the structure grown on InPoSi, induced by the difference of coefficient of thermal expansion between InP and Si, was assessed at growth temperature. We also showed that this structure demonstrates laser performance similar to the ones obtained for the same structure grown on InP. Therefore, no material degradation was observed in spite of the thermal strain. Then, we developed the Selective Area Growth (SAG) technique to grow multi-wavelength laser sources from a single growth step on InPoSi. A 155 nm-wide spectral range from 1515 nm to 1670 nm was achieved. Furthermore, an AlGaInAs MQW-based laser source was successfully grown on InP-SOI wafers and efficiently coupled to Si-photonic DBR cavities. Altogether, the regrowth on InP-SOI wafers holds great promises to combine the best from the III-V monolithic platform combined with the possibilities offered by the Si photonics circuitry via efficient light-coupling.

Published
2022

49. Flexible optical-infrared metafilter

Author

Brueckner, Jean-Baptiste, Brissonneau, Vincent, Le Rouzo, Judikaël, Ferchichi, Abdelkerim, Gourgon, Cecile, Dubarry, Christophe, Berginc, Gerard, Escoubas, Ludovic, Adibi, A, Lin, SY, Scherer, A, Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence (IM2NP), Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Thalès Optronique, OptoPV, Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence ( IM2NP ), Aix Marseille Université ( AMU ) -Université de Toulon ( UTLN ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information ( CEA-LETI ), Université Grenoble Alpes [Saint Martin d'Hères]-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ( CEA ), Aix Marseille Université ( AMU ) -Université de Toulon ( UTLN ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -Aix Marseille Université ( AMU ) -Université de Toulon ( UTLN ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU)-Université de Toulon (UTLN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Materials science, Infrared, business.industry, 7. Clean energy, law.invention, Nanoimprint lithography, Wavelength, Tungsten film, Anti-reflective coating, Optics, law, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Absorption (electromagnetic radiation), business, Refractive index, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Common emitter
Abstract

By combining the antireflective properties from gradual changes in the effective refractive index and cavity coupling from cone gratings, and the efficient optical behavior of a tungsten film, we have conceived a flexible filter showing very broad antireflective (AR) properties from the visible to short wavelength infrared region (SWIR: 0.7-1.5 μm) and simultaneously a mirror-like behavior in the mid-infrared wavelength region (MWIR: 3-5 μm) and long-infrared wavelength region (LWIR: 8 to 15 μm). Nanoimprint technology has permitted us to replicate inverted cone patterns on a large scale on a flexible polymer, afterwards coated with a thin tungsten film. This optical metafilter is of great interest in the stealth domain where optical signature reduction from the optical to SWIR region is an important matter. As it also acts as selective thermal emitter offering a good solar-absorption/ infrared-emissivity ratio, interests are found as well for solar heating applications.

Published
2014

50. Control of In droplets for self-catalyzed growth of InP nanowires by VLS-MBE on silicon substrates

Author

DUMONT , Hervé, BARAKAT , Jean-Baptiste, FERRAH , Djawhar, GRENET , Geneviève, Regreny , Philippe, MAVEL , Amaury, Chauvin , Nicolas, Bru-Chevallier , C., Patriarche , G., Salem , B., GENDRY , Michel, Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Université de Lyon, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

May, 11-15, 2014; International audience; no abstract

Published
2014

Catalog

Books, media, physical & digital resources
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