109 results on '"Fléchet, B."'
Search Results
2. Characterization and modeling of RF substrate coupling effects in 3D integrated circuit stacking
3. Wideband frequency and in situ characterization of aluminum nitride (AlN) in a metal/insulator/metal (MIM) configuration
4. Quality factor and frequency bandwidth of 2D self-inductors in 3D integration stacks
5. Performance predictions of interconnect networks for advanced technology nodes
6. RF characterization and modelling of high density Through Silicon Vias for 3D chip stacking
7. Microwave characterization of porous SiOCH permittivity after integration dedicated to the 32 nm node
8. Wideband frequency and in situ characterization of ultra thin ZrO 2 and HfO 2 films for integrated MIM capacitors
9. Caractérisation in-situ jusqu'à 100 GHz d'isolants utilisés dans les nouvelles technologies 3D de type 'System in Package on Board' (SiPoB)
10. Impact of porous SiOCH on propagation performance measured for narrow interconnects of the 45 nm node
11. Impact of process parameters on circuit performance for the 32 nm technology node
12. High frequencies characterization of Cu-MIM capacitors in parallel configuration for advanced integrated circuits
13. Impact of dummies on interconnects network HF propagation performances for the 65 nm node
14. Wide band frequency and in situ characterisation of high permittivity insulators (High- K) for H.F. integrated passives
15. Wide band frequency and in situ characterization of high permittivity insulators (high- k) for high-speed integrated passives
16. Characterization and optimization of a new Cu/SiN/TaN/Cu damascene architecture for metal–insulator–metal capacitors
17. Conception et optimisation d’un nouveau contact Ethernet 10 Gbits/s pour environnement sévère
18. Impact of copper dummies on interconnect propagation performance in advanced integrated circuits
19. Intercomparison of permittivity measurement techniques for ferroelectric thin layers.
20. Caractérisation et modélisation HF des couplages électromagnétiques par les substrats entre interconnexions verticales et transistors MOSFET dans les empilements 3D de circuits intégrés
21. Méthodologie et résultats de caractérisation large bande d'une couche diélectrique enfouie dans un empilement de circuits intégrés 3D
22. Distributed Model of Two-Level Asymmetrical PCB Interconnect Tree
23. Growth of high dielectric constant TiO2 films in capacitors using a low temperature ALD process
24. Module intégré 3D sur silicium pour les transmissions sans fil haut-débit WiGig et WiHD à 60 GHz
25. Experimental validation of balanced tree interconnection model for high speed signal integrity
26. MmW devices: from WLCSP to smart interposers
27. Impact des effets de couplage par les substrats sur l'intégrité de signaux numériques rapides dans les empilements 3D de circuits intégrés
28. Focus on Links between High Frequency Substrate Noise and High Speed Signal Transmission in Interconnection Channels of 3D-IC
29. ' Influence de la température sur l'intégrité des signaux haut débit véhiculés dans les interconnexions de PCB '
30. ' Extraction entre 40 MHz et 67 GHz de la permittivité complexe du KTa 0.65Nb0.35O3 déposé en couche mince '
31. Inter-comparaisons de caractérisations électromagnétiques de couches minces ferroélectriques
32. Electrical characterization of advanced MIM capacitors with ZrO2 Insulator for high-density packaging and RF applications
33. ' Caractérisation et modélisation microondes des vias traversant le silicium (TSV) dans les circuits intégrés 3D '
34. ' Caractérisation très large bande des oxydes ZrO2 et TiTaO à permittivité élevée pour la réalisation de capacités MIM RF intégrées '
35. ' Caractérisation des couplages électriques RF par les substrats de silicium en intégration 3D de circuits '
36. ' Caractérisation et optimisation des performances RF des interconnexions pour les architectures 3D de circuits intégrés '
37. Ultra wide Band frequency of integrated TiTaO-based metal-insulator-metal devices
38. Modélisation RLCG de lignes coplanaires sur un substrat Silicium pour applications CMOS
39. ' Effets de couplage RF par les substrats de silicium dans les empilements de circuits intégrés 3D '
40. 'Characterization and Modelling of Substrate Coupling Effects in 3D Integrated Circuit Stacking'
41. 'Innovative HF Extraction Procedure of the Characteristic Impedance for Embedded Planar Transmission Line on High Conductive Si Substrate'
42. Frequency effect on voltage linearity of ZrO2 based RF metal-insulator-metal capacitors
43. ' Caractérisation microondes et in-situ du Nitrure d'Aluminium (AlN) en configuration Métal/Isolant/Métal '
44. ' Influence des substrats de silicium sur les performances des inductances planaires 2D lors d'une intégration 3D '
45. Wideband frequency and in situ characterization of ultra-thin ZrO2 and HfO2 films for integrated MIM capacitors
46. Caractérisation en hyperfréquences et modélisation de Vias Traversant le Silicium pour l'intégration de puces tridimensionnelles
47. Caractérisation large bande et in-situ de couches minces de ZrO2 et HfO2 intégrées dans des capacités MIM
48. Caractérisation microondes de la permittivité du SiOCH poreux pour la génération CMOS 32 nm
49. Méthode d'extraction de l'impédance caractéristique d'interconnexions de circuits intégrés avancés et application à la caractérisation des isolants poreux ULK
50. Prédiction des performances HF de réseaux d'interconnexions pour les générations CMOS avancées
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