Back to Search Start Over

'Characterization and Modelling of Substrate Coupling Effects in 3D Integrated Circuit Stacking'

Authors :
Eid, E.
Lacrevaz, T.
Bermond, C.
de Rivaz, S.
Capraro, S.
Roullard, J.
Cadix, L.
Fléchet, B.
Farcy, A.
Ancey, P.
Calmon, F.
Valorge, O.
Leduc, P.
Dispositifs et Instrumentation en Optoélectronique et micro-ondes (DIOM)
Université Jean Monnet [Saint-Étienne] (UJM)
Institut Pprime (PPRIME)
ENSMA-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Poitiers
STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES)
Institut de biologie et chimie des protéines [Lyon] (IBCP)
Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL)
Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC)
Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE)
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL)
Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL)
Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI)
Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA))
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Domenget, Chahla
Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
École Centrale de Lyon (ECL)
Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL)
Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL)
Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Michelin, Isabelle
Source :
Materials for Advanced Metallization, Materials for Advanced Metallization, Mar 2010, Mechelen, Belgium, Microelectronic Engineering, Microelectronic Engineering, Elsevier, 2011, 88 (5), pp.729-733, Microelectronic Engineering, 2011, 88 (5), pp.729-733
Publication Year :
2010
Publisher :
HAL CCSD, 2010.

Abstract

International audience

Details

Language :
English
ISSN :
01679317 and 18735568
Database :
OpenAIRE
Journal :
Materials for Advanced Metallization, Materials for Advanced Metallization, Mar 2010, Mechelen, Belgium, Microelectronic Engineering, Microelectronic Engineering, Elsevier, 2011, 88 (5), pp.729-733, Microelectronic Engineering, 2011, 88 (5), pp.729-733
Accession number :
edsair.dedup.wf.001..d9fe0aca22b4267c3a09fc88b5e3c631