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129 results on '"Grandidier B"'

1. Molecular beam epitaxy of TaSe2 on GaP(111)B

Author

Sthioul, C., Koussir, H., Chernukha, Y., Chapuis, N., Haber, E., Coinon, Christophe, Diener, Pascale, Grandidier, B., Wallart, Xavier, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), NANODYN - ANR-21-CE24-0001 AAPG2021 - 2021TUNNE2D - ANR-21-CE24-0030 AAPG2021 - 2021, Renatech Network, PCMP PCP, CMNF, ANR-21-CE24-0030,TUNNE2D,Diodes tunnel miniaturisables à base de matériaux 2D(2021), and ANR-21-CE24-0001,NANODYN,Transition de Mott hors équilibre pour la Nanoélectronique(2021)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], TaSe2, GaP(111)B, [SPI]Engineering Sciences [physics], Molecular beam epitaxy
Abstract

National audience

Published
2023

2. Sonder les phénomènes physiques avec la résolution spatiale et temporelle

Author

Berthe, Maxime, Chernukha, Yevheniia, Canneson, Damien, Diener, Pascale, Biadala, Louis, Grandidier, B., Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), PCMP PCP, and Renatech Network

Subjects
stomatognathic diseases, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

oral; National audience

Published
2022

3. Electric field driven insulator-to-metal transition in GaMo4S8 studied with the Nanoprobe

Author

Koussir, Houda, Chernukha, Yevheniia, Berthe, Maxime, Lefebvre, Isabelle, Grandidier, B., Diener, Pascale, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), PCMP PCP, and Renatech Network

Subjects
stomatognathic diseases, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

oral; National audience

Published
2022

4. Characterization of electron transport inside InAs/GaSb quantum nanostructures using four probe scanning tunnelling microscopy

Author

Khelifi, Wijden, Berthe, Maxime, Coinon, Christophe, Grandidier, B., Desplanque, L., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), PCMP PCP, Renatech Network, C'Nano Nord-Ouest, and CMNF

Subjects
stomatognathic diseases, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

oral; National audience

Published
2022

5. Charge carriers dynamics in LT-GaAs/GaAs junction

Author

Chernukha, Yevheniia, Berthe, Maxime, Grandidier, B., Diener, Pascale, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), PCMP PCP, and Renatech Network

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], ComputingMethodologies_GENERAL, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

poster; National audience

Published
2022

6. Electronic properties of selective area grown semiconductor heterostructures

Author

Peric, N., Durand, Corentin, Biadala, Louis, Berthe, Maxime, Desplanque, L., Dubrovskii, V., Wallart, X., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Surfaces, Interfaces et Nano-Objets (CEMES-SINanO), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), St Petersburg State University (SPbU), PCMP PCP, and Renatech Network

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

Poster P9-08; National audience

Published
2021

7. Electric field driven out of equilibrium insulator to metal transition in Mott insulators

Author

Diener, Pascale, Koussir, H., Chernukha, Y., Lefebvre, Isabelle, Berthe, Maxime, Grandidier, B., Corraze, Benoit, Tranchant, J., Janod, Etienne, Cario, Laurent, Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN), Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), PCMP PCP, and Renatech Network

Subjects
stomatognathic diseases, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

oral; National audience

Published
2021

8. Nanoprobe study of the electric field driven insulator-to-metal transition in GaMo4S8

Author

Koussir, H., Lefebvre, Isabelle, Berthe, Maxime, Grandidier, B., Diener, Pascale, Tranchant, J., Corraze, Benoit, Janod, Etienne, Cario, Laurent, Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Nantes université - UFR des Sciences et des Techniques (Nantes univ - UFR ST), Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - pôle Sciences et technologie, Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université - Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (Nantes Univ - EPUN), Nantes Université (Nantes Univ)-Nantes Université (Nantes Univ), This work was supported by the RENATECH network, I-SITE ULNE (R-20-004), Hauts-deFrance region and the French National Research Agency (ANR-21-CE24-0001-01), PCMP PCP, and Renatech Network

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

Poster P9-06; National audience; The resistive switching observed under electric pulses in Mott materials has a high potential for micro and nanoelectronics. Here we report on the study of the resistive switching observed at the surface of single crystals of the canonical Mott semiconductor GaMo4S8. The study is made using a multiprobe setup with 4 nanopositionable tips under the supervision of a high resolution scanning electron microscop. We find a resistivity of 38 Ω.cm by four-point probe measurements, in agreement with the literature. The volatile insulator to metal transition is studied with a two probes configuration for interelectrode distances varying between 4 and 200 microns. Finite element simulations are performed to determine the spatial distribution of the electric field prior to the transition. Our results are in agreement with i) an intrinsic voltage threshold of 60 mV independent of the interelectrode distance ii) a maximum electric field close to the electrodes and iii) a threshold electric field of 0.2 kV/cm.

Published
2021

9. Resolving the structure of the striped Ge layer on Ag ( 111 ) : Ag 2 Ge surface alloy with alternate fcc and hcp domains

Author

Zhang, K., Sciacca, D., Coati, A., Bernard, R., Borensztein, Yves, Diener, P., Grandidier, B., Lefebvre, Isabelle, Derivaz, M., Pirri, C., Prévot, Geoffroy, Physico-chimie et dynamique des surfaces (INSP-E6), Institut des Nanosciences de Paris (INSP), Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Sorbonne Université (SU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Synchrotron SOLEIL (SSOLEIL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Institut des Biomolécules Max Mousseron [Pôle Chimie Balard] (IBMM), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier (ENSCM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Science des Matériaux de Mulhouse (IS2M), Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Matériaux et Nanosciences Grand-Est (MNGE), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Réseau nanophotonique et optique, Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Chinese Scholarship Council (CSC Contract No. 201808070070), This study is financially supported by the French National Research Agency (Germanene Project No. ANR-17-CE09-0021-03), Renatech Network, PCMP PCP, ANR-17-CE09-0021,GERMANENE,Croissance de germanene sur substrats à bande interdite(2017), Borensztein, Yves, Croissance de germanene sur substrats à bande interdite - - GERMANENE2017 - ANR-17-CE09-0021 - AAPG2017 - VALID, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Matériaux et nanosciences d'Alsace (FMNGE), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Réseau nanophotonique et optique, and Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Strasbourg (UNISTRA)

Subjects
[PHYS.COND.CM-GEN] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Other [cond-mat.other], [PHYS.COND.CM-GEN]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Other [cond-mat.other], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract

International audience; Two-dimensional (2D) honeycomb lattices beyond graphene, such as germanene, promise new physical properties such as quantum spin Hall effect. While there have been many claims of growth of germanene, the lack of precise structural characterization of the epitaxial layers synthesized hinders further research. The striped layer formed by Ge deposition on Ag(111) has been recently ascribed as a stretched germanene layer. Using surface X-ray diffraction and density functional theory calculations, we demonstrate that it corresponds in fact to a Ag2Ge surface alloy with an atomic density 6.45% higher than the Ag(111) atomic density. The overall structure is formed by stripes associated with a face-centered cubic top-layer alignment, alternating with stripes associated with an hexagonal-close-packed top-layer alignment, in great analogy with the (22×√3) Au(111) reconstruction.

Published
2021

10. Bandes plates et cônes de Dirac dans des réseaux électroniques artificiels en nids d’abeilles

Author

Delerue, Christophe, Franchina Vergel, Nathali, Post, L. Christiaan, Tadjine, Athmane, Lambert, Yannick, Vaurette, Francois, Desplanque, Ludovic, Wallart, X., Stiévenard, Didier, Boneschanscher, M.P., Peters, J.L., Alimoradi Jazi, Maryam, Gardenier, Thomas, Van Den Broeke, Jette, Moes, J.R., Swart, Ingmar, Morais Smith, Cristiane, Grandidier, B., Vanmaekelbergh, Daniel, Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Debye Institute for Nanomaterials Science, Utrecht University [Utrecht], Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF-IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Institute for Theoretical Physics [Utrecht], and Renatech Network

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2020

11. Bandes plates et cônes de Dirac dans des réseaux électroniques artificiels en nids d’abeilles

Author

Delerue, Christophe, Franchina Vergel, Nathali, Post, L. Christiaan, Tadjine, Athmane, Lambert, Yannick, Vaurette, Francois, Desplanque, Ludovic, Wallart, X., Stiévenard, Didier, Boneschanscher, M.P., Peters, J.L., Alimoradi Jazi, Maryam, Gardenier, Thomas, Van Den Broeke, Jette, Moes, J.R., Swart, Ingmar, Morais Smith, Cristiane, Grandidier, B., Vanmaekelbergh, Daniel, Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Debye Institute for Nanomaterials Science, Utrecht University [Utrecht], Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF-IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Institute for Theoretical Physics [Utrecht], and Renatech Network

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2020

12. Bandes plates et cônes de Dirac dans des réseaux électroniques artificiels en nids d’abeilles

Author

Delerue, Christophe, Franchina Vergel, Nathali Alexandra, Post, L. Christiaan, Tadjine, Athmane, Lambert, Yannick, Vaurette, Francois, Desplanque, L., Wallart, X., Stiévenard, Didier, Boneschanscher, M.P., Peters, J.L., Alimoradi Jazi, Maryam, Gardenier, Thomas, van den Broeke, Jette, Moes, J.R., Swart, Ingmar, Morais Smith, Cristiane, Grandidier, B., Vanmaekelbergh, Daniel, Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Debye Institute for Nanomaterials Science, Utrecht University [Utrecht], Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Institute for Theoretical Physics [Utrecht], and Renatech Network

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2020

13. Influence of doping level and surface states in tunneling spectroscopy of an In0.53Ga0.47As quantum well grown on p-type doped InP(001)

Author

Franchina Vergel, Nathali Alexandra, Tadjine, A., Notot, V., Mohr, M., Kouassi N’guissan, A., Coinon, Christophe, Berthe, Maxime, Biadala, Louis, Sossoe, K., Dzagli, M., Girard, J.-C., Rodary, Guillemin, Desplanque, L., Berndt, R., Stievenard, D., Wallart, X., Delerue, Christophe, Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF-IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Physique-IEMN (PHYSIQUE-IEMN), Centre de Nanosciences et Nanotechnologies (C2N (UMR_9001)), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut für Experimentelle und Angewandte Physik [Kiel] (IEAP), Christian-Albrechts-Universität zu Kiel (CAU), ANR-11-EQPX-0015,Excelsior,Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.(2011), ANR-16-CE24-0007,Dirac-III-V,Super-réseau d'antipoints de Dirac pour les électrons dans les semiconducteurs III-V(2016), ANR-17-CE24-0024,MechaSpin,Positionnement à l'échelle atomique et contrôle cohérent mécanique du spin d'un atome magnétique(2017), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), and EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect
Abstract

International audience; A steplike density of states is the hallmark of a two-dimensional electron gas. Here, scanning tunneling spectroscopy is used to investigate this property in the differential conductance of an In0.53Ga0.47As quantum well grown on p-type doped InP(001). We show that the appearance of a steplike function in the conduction band strongly depends on both the hole concentration in the quantum well and the current injected into the quantized states. Based on four-point probe transport measurements and tunneling-induced light-emission spectroscopy, we discuss the physical mechanisms at the origin of the current and unveil the significant contribution of midgap surface states in the relaxation of the tunneling electrons. These surface states, via pinning of the Fermi level, also affect the potential landscape across the quantum well, as demonstrated by tight-binding calculations of the quantum well electronic structure.

Published
2019

14. Supramolecular self-assembly on semiconductor surfaces and outlook

Author

Younes Makoudi, Frank Palmino, Frédéric Cherioux, Christophe Krzeminski, Fabrizio Cleri, Grandidier, B., Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174) (FEMTO-ST), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Physique-IEMN (PHYSIQUE-IEMN)

Subjects
[SPI.ACOU]Engineering Sciences [physics]/Acoustics [physics.class-ph], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

International audience; While spectacular molecular networks have been assembled on metal surfaces and then observed with scanning tunneling microscopy, there have been fewer studies of supramolecular networks on semiconductor surfaces, due to the high reactivity of their dangling bonds with organics. However, the saturation of the dangling bonds is known to make them inert and offers a unique way for the engineering of molecular patterns on these surfaces. In this talk, I will review a few examples of supramolecular networks on the passivated B-Si(111)-(3x3) R30° surface as a function of the molecule geometries and moieties. With the help of theoretical simulations, I will insist on the relative importance of the molecule-substrate and molecule-molecule interactions that give rise to several types of arrangements depending on the growth conditions. Based on the different packings that can be obtained, I will provide directions for the potential utility of these molecular-semiconductor interfaces.

Published
2019

15. Composition modulation by twinning in InAsSb nanowires Composition modulation by twinning in InAsSb nanowires

Author

SCHNEDLER, M., Xu, T, Portz, V, Nys, J-P, Plissard, S.R., Berthe, Maxime, Eisele, H, Dunin-Borkowski, R, Ebert, P, Grandidier, B, Peter Grünberg Institute, Forschungszentrum Jülich GmbH | Centre de recherche de Juliers, Helmholtz-Gemeinschaft = Helmholtz Association-Helmholtz-Gemeinschaft = Helmholtz Association, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), University of Shanghai [Shanghai], Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin (TU), AcknowledgmentsThe authors thank P Caroff for the growth of the nanowires.This study was financially supported by the European Communityʼs Horizon H2020 Program (Grant No. PITN-GA-2016-722176, ‘Indeed’ Project), the EQUIPEX program Excelsior(Grant No. ANR-11-EQPX-0015), the RENATECH network,and the Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG, GermanResearch Foundation) (Grant No. 390247238)., RENATECH network, ANR-11-EQPX-0015,Excelsior,Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.(2011), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Technische Universität Berlin (TU), and Physique-IEMN (PHYSIQUE-IEMN)

Subjects
ternary III-V compounds, [PHYS.QPHY]Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph], composition modulation, ternary III–V compounds, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.CRIS]Chemical Sciences/Cristallography, twin boundaries, scanning tunneling microscopy, [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, semiconductor nanowires
Abstract

International audience; We observe a composition modulated axial heterostructure in zincblende (ZB) InAs 0.90 Sb 0.10 nanowires initiated by pseudo-periodic twin boundaries using scanning tunneling microscopy. The twin boundaries exhibit four planes with reduced Sb concentration due to a lower Sb incorporation during lateral overgrowth of a 4H wurtzite as compared to a ZB stacking sequence. We anticipate that this leads to compositional band offsets in addition to known structural band offsets present between 4H and ZB polytypes, changing the band alignment from type II to type I.

Published
2019

16. Shallow Heavily Doped n\mathplus\mathplus Germanium by Organo-Antimony Monolayer Doping

Author

Alphazan, Thibault, Álvarez, Adrian Díaz, Martin, François, Grampeix, Helen, Enyedi, Virginie, Martinez, Eugénie, Rochat, Névine, Veillerot, Marc, Dewitte, Marc, Nys, Jean-Philippe, Berthe, Maxime, Stiévenard, Didier, Thieuleux, Chloé, Grandidier, B., Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 (C2P2), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut de Chimie du CNRS (INC), and Physique-IEMN (PHYSIQUE-IEMN)

Subjects
[CHIM]Chemical Sciences
Abstract

International audience; Functionalization of Ge surfaces with the aim of incorporating specific dopant atoms to form high-quality junctions is of particular importance for the development of solid-state devices. In this study, we report the shallow doping of Ge wafers with a monolayer doping strategy that is based on the controlled grafting of Sb precursors and the subsequent diffusion of Sb into the wafer upon annealing. We also highlight the key role of citric acid in passivating the surface before its reaction with the Sb precursors and the benefit of a protective SiO2 overlayer that enables an efficient incorporation of Sb dopants with a concentration higher than 1020 cm–3. Microscopic four-point probe measurements and photoconductivity experiments show the full electrical activation of the Sb dopants, giving rise to the formation of an n++ Sb-doped layer and an enhanced local field-effect passivation at the surface of the Ge wafer.

Published
2017

17. Architectures supramoléculaires sur la surface de Si(111)-B

Author

Makoudi, Younes, JEANNOUTOT, Judicaël, Beyer, Matthieu, Baris, Bulent, Grandidier, B., Palmino, Frank, Cherioux, Frédéric, Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174) (FEMTO-ST), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC), Université de Franche-Comté (UFC), and Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)

Subjects
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract

National audience; La formation des réseaux supramoléculaires périodiques à grande échelle sur une surface est d'un intérêt primordial pour le développement de composants intelligents [1]. Cet objectif nécessite la synthèse des molécules organiques ayant des fonctions appropriées en vue d'obtenir des nanostructures hybrides avec une géométrie de précision atomique sur une surface [2]. Les réseaux supramoléculaires basés sur des interactions non covalentes telles que van der Waals (vdW), liaison hydrogène et de coordination métallique, ont été largement étudiés sur des surfaces métalliques ou HOPG [3,4]. En revanche, la réalisation d'assemblages supra moléculaires couvrant une grande surface est très rare les surfaces semi-conductrices. En effet, la diffusion des molécules sur les surfaces semi-conductrices est généralement limitée par la réactivité chimique des liaisons pendantes de la surface. Ce problème peut être contourné en passivant les liaisons pendantes de surface [5-8]. Pour parvenir à la formation d'un assemblage supramoléculaire macroscopique (> 1 µm2) sur des surfaces semi-conductrices, nous avons choisi la surface de silicium passivé Si(111)-B [9,10]. Cette surface est inerte vis-à-vis des molécules pi-conjuguées en raison des atomes de bore présents sous les atomes du silicium, qui dépeuplent les liaisons pendantes des atomes du silicium. Sur la base de l'observation des réseaux supramoléculaires par microscopie à effet tunnel, nous proposons d'étudier le rôle de quelques substituants dans les molécules sur la géométrie des arrangements moléculaires. Nous démontrons que la formation d'un réseau 1D ou 2D (poreux ou compact) peut être obtenue en choisissant judicieusement la terminaison de la molécule

Published
2014

18. Transport properties of CdSe nanocrystal superlattice

Author

Capiod, Pierre, Berthe, Maxime, Grandidier, B., Evers, Wiel, Vanmaekelbergh, Daniel, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Kavli Institute of Nanosciences [Delft] (KI-NANO), Delft University of Technology (TU Delft), Debye Institute for Nanomaterials Science, and Utrecht University [Utrecht]

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], Condensed Matter::Materials Science
Abstract

Two-dimensional materials exhibit exotic electronic properties and high specific surface areas that make them unique to investigate novel physical phenomena. In addition, their two-dimensional geometry is directly compatible with established design and processing approaches from the semiconductor industry and such an asset has motivated numerous applications in sensing, catalysis and energy storage. Recent achievements in wet-chemical semiconductor fabrication have demonstrated that two-dimensional single crystalline sheets can be synthesized from nanocrystalline colloids, where the nanocrystal facets are atomically bonded. As a result, the sheets show a super periodicity with a square or a honeycomb geometry, that make their electronic structure quite unique. Here, we report on the investigation of the transport properties of CdSe sheets with multiple probe scanning tunneling microscopy in ultra high vacuum. By performing four-point probe measurements, we are able to determine the conductivity of the sheets with dimensions exceeding a few micrometers. We also find a change of the conductivity as a gate voltage is applied to the underlying substrate. Key transport parameters, such as the free carrier concentration and the mobility are deduced from these measurements and their magnitude will be discussed in light of the structural properties of the sheets.

Published
2014

19. [Invited] Surface science of semiconductor nanowires

Author

Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2014

20. Scanning tunneling microscopy of GaAs/GaAsSb nanowires

Author

Díaz Álvarez, Adrian, Capiod, Pierre, Berthe, Maxime, Xu, Tao, Nys, Jean-Philippe, Lefebvre, Isabelle, Caroff, Philippe, Ebert, Philipp, Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Key Laboratory of Advanced Display and System Application, and Shanghai University

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

National audience; Understanding surface structure and surface composition is of particular importance for semiconductor nanowire applications, since they might strongly contribute to the electrical, optical and thermal properties of the Nanowires. A prototypical material is GaAs, where polytype inclusions consisting of zinc-blende (ZB) and wurtzite (WZ) segments form during the growth of nanowires, in particular when Sb atoms are incorporated. Here, we will investigate the structural and electronic properties of GaAs and GaAsSb nanowires with scanning tunneling microscopy and spectroscopy. These techniques gives access to the nanofaceting morphology of a single semiconductor nanowire with a detailed picture of the sidewall structural and compositional properties at the atomic scale. It will also be used to measure the band gap and the position of the Fermi level at the surface. In particular, we will show that the ZB_WZ structures on the surface of GaAs nanowires naturally introduce p-i juntions solely due to the Fermi level pinning at different energies on the non-polar WZ and ZB sidewall facets.

Published
2014

21. Sheet resistance of multi-layer stacking of silicene

Author

CAPIOD, P., Berthe, Maxime, Resta, A., De Padova, P., Vogt, P., Le Lay, G., Nys, J.P., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINaM), Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Instituto di Struttura della Materia (ISM), National Research Council of Italy | Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Institut für Festkörperphysik, Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin (TU), Consiglio Nazionale delle Ricerche [Roma] (CNR), and Technische Universität Berlin (TU)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience

Published
2013

22. Ionisation par impact dans les jonctions p-n de silicium

Author

Durand, Corentin, Capiod, Pierre, Berthe, Maxime, Nys, Jean-Philippe, Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

National audience

Published
2013

23. News from the non-polar GaN(10-10) surface : hidden surface states and intrinsic versus extrinsic Fermi-level pinning

Author

LYMPERAKIS, L., WEIDLICH, P.H., EISELE, H., SCHNEDLER, M., Nys, J.P., Grandidier, B., Stievenard, D., DUNIN-BORKOWSKI, R.E., NEUGEBAUER, J., Ebert, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

24. [Invited] Nanoscale transport measurements with multiple probe scanning tunneling microscopy

Author

Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

25. Structural transitions in ordered supramolecular networks on a semiconductor surface

Author

Guillaume Copie, Christophe Krzeminski, Grandidier, B., Fabrizio Cleri, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Abstract

We report the experimental and theoretical study of the self-assembly of planar organic molecules of the type tris-X-biphenyl-benzene (with X=N, I, Br, CH) on a passivated, boron-doped Si(111)-√3x√3 (R=30°) surface. Ordered molecular structures are observed by high-resolution STM. We perform multi-scale atomistic simulations, by DFT structure relaxation (Gaussian), metadynamics, molecular dynamics (MD) with empirical forces, and kinetic Monte Carlo with condensed degrees of freedom. Al low coverage, we identify by metadynamics the lowest-energy adsorption sites consistently with the STM images. Upon increasing molecular coverage, structural phase transitions of the molecular network are observed, in excellent agreement with experimental STM data. Our theoretical models allow to elucidate the subtle interplay between dispersion forces and hydrogen bonding, leading to some unexpected phenomena. Biasing the MD by a simple elastic-band constraint method, we identify the kinetic path leading from a low-density to a high-density ordered phase. Next, kinetic Monte Carlo simulations over a frozen Si:B surface, with energy parameters derived from the MD, help explaining the apparently striking experimental observations, according to which lower-density phases are favoured over higher-density phases.

Published
2013

26. Sheet resistance of multi-layer stacking of silicene

Author

CAPIOD, P., Berthe, Maxime, Resta, A., De Padova, P., Vogt, P., Le Lay, G., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Synchrotron SOLEIL (SSOLEIL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Instituto di Struttura della Materia (ISM), National Research Council of Italy | Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin (TU), Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINaM), and Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience

Published
2013

27. Modelisation of supra-molecular network on semi-conductor

Author

Copie, G., Christophe Krzeminski, Fabrizio Cleri, Makoudi, Y., Grandidier, B., Cherioux, F., Palmino, F., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012

28. Electrical transport measurements of individual III-V semiconductor nanowires with reconstructed sidewalls

Author

DURAND, Corentin, Berthe, Maxime, MAKOUDI, Y., Nguyen, T.H., Caroff, P., Nys, J.P., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012

29. Influence of antimony on III-V nanowires grown by MBE

Author

Caroff, P., Conesa-Boj, S., Makoudi, Y., Grandidier, B., Fontcuberta I Morral, A., Wallart, X., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012

30. NCs self-assembly mechanims revisited using advanced transmission electron microscopy

Author

Cheynet, M., Neisius, T., Rauch, E., Lazar, S., Botton, G., Cristini, O., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012

31. Direct characterization of native chemical ligation of peptides on hydrogenated silicon nanowires

Author

Dendane, N., Melnyk, O., Xu, T., Grandidier, B., Boukherroub, Rabah, Stievenard, D., Coffinier, Y., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012

32. STM and STS characterization of PTCDI self assembly on Si(111) Ag surface

Author

Stiufiuc, R., Iacovita, C., Grandidier, B., Chis, V., Stiufiuc, G., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012

33. Growth of antimony-containing heterostructure nanowires by molecular beam epitaxy : crystal phase control, surfaces and interfaces

Author

Caroff, P., Xu, T., Dick, K.A., Plissard, S.R., Nguyen, T.H., Grandidier, B., Wallart, X., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Institut Supérieur de l'Electronique et du Numérique - Lille (ISEN-Lille), Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université catholique de Lille (UCL), Lund University [Lund], and Eindhoven University of Technology [Eindhoven] (TU/e)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience; Growth of III-V nanowires has now gained some maturity and fundamental understanding of the growth mechanisms has dramatically progressed. However, there are only three families of III-Vs which have been extensively explored: nitrides, arsenides and phosphides. The growth and understanding of binary or ternary antimonides is only emerging now. The main motivation for developing antimonide nanowires is to link the intrinsic advantages of the nanowire geometry (possibility to relax strain very efficiently without creation of dislocations, quantum confinement, control of crystal phase), with the exceptional bulk properties of these semiconductors, such as small bandgaps, huge electron (InSb) or hole (GaSb) mobilities, the largest Landé g factor (InSb), a high thermoelectric figure of merit (InSb) and vast possibilities of bandstructure engineering, both in type I or type II/III alignments.Here we present advanced nanowire structures containing antimony and grown by molecular beam epitaxy. Structural characteristics are analyzed using scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and scanning tunneling microscopy. Nanowire heterostructures have been grown by a vapour-liquid-solid mechanism, using either gold seed particles or a gold-free “self-catalyzed” approach. We report the achievement, for the first time, of InSb nanowires by molecular beam epitaxy. We then show ternary GaAs/GaAsxSb1-x, InAs/InAsxSb1-x abrupt nanowire heterostructures, of controlled composition. It is demonstrated that crystal structure of ternary nanowires can be tuned with high control from defected to perfect phases, by inclusion of just a few atomic percent of antimony. Due to an overgrowth process, both wurtzite and zinc-blende InAsSb sidewall facets occur, and are revealed by low temperature STM with atomic resolution.

Published
2011

34. Nanobiodetectors

Author

Stievenard, D., Grandidier, B., Nys, J.P., Xu, T., Melnyk, O., Olivier, N., Blanpain, A., Desmet, R., Dendane, N., Boukherroub, Rabah, Coffinier, Yannick, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

35. Investigation of dopants in silicon nanowires grown by solid-liquid-solid or vapor-liquid-solid

Author

Chen, W., Lardé, R., Cadel, E., Grandidier, B., Stievenard, D., Yu, L.W., Roca I Cabarrocas, Pere, Patriarche, G., Bouchoule, S., Pareige, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

36. Nanobiodetectors

Author

Stievenard, D., Grandidier, B., Nys, J.P., Xu, T., Melnyk, O., Olivier, N., Blanpain, A., Desmet, R., Dendane, N., Boukherroub, Rabah, Coffinier, Y., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

37. Electrical transport measurements and topography of III-V semiconductor nanowires by four probe and low temperature scanning tunneling microscopy

Author

DURAND, Corentin, Berthe, Maxime, MAKOUDI, Y., Nguyen, T.H., Caroff, P., Nys, J.P., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

38. Electrical and structural properties of as-grown core-shell silicon nanowires

Author

Lambert, Yannick, Xu, Tao, Zhou, Di, Grandidier, B., Stievenard, D., Krzeminski, Christophe, Akjouj, Abdellatif, Pennec, Yan, Djafari-Rouhani, Bahram, Patriarche, G., Chen, Wanghua, Pareige, P., Murthy, D.H., Savenije, T.J., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Groupe de physique des matériaux (GPM), Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Delft University of Technology (TU Delft)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Published
2011

39. Atom probe investigation of silicon nanowires grown by VLS and IPSLS

Author

Chen, W., Pareige, P., Grandidier, B., Stievenard, D., Yu, Lianbo, Roca I Cabarrocas, Pere, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

40. Atomic analyzis and photocurrent studies of isolated sub-100 nm diameter silicon nanowires

Author

Stievenard, D., Xu, T., Grandidier, B., Lambert, Yannick, Kreminsky, C., Akjouj, Abdellatif, Pennec, Yan, Djafari-Rouhani, Bahram, Chen, W., Larde, R., Cadel, E., Pareige, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

41. Charge generation efficiency of core-shell Si nanowires

Author

Xu, T., Nys, J.P., Berthe, Maxime, Grandidier, B., Stievenard, D., Patriarche, G., Chen, W., Larde, R., Cadel, E., Pareige, P., Murthy, D.H.K., Savenije, T.J., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

42. Mesure de l'énergie de Coulomb à l'échelle atomique

Author

Nguyen, T.H., Mahieu, G., Berthe, Maxime, Grandidier, B., Delerue, C., Stievenard, D., Ebert, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

43. Étude des propriétés électroniques de nanofils semiconducteurs d'InAs par microscopie à effet tunnel basse température et quatre pointes

Author

DURAND, Corentin, Berthe, Maxime, Nguyen, T.H., Caroff, P., Nys, J.P., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

44. Electrical transport measurements and topography of semiconductor nanowires by four probe and low temperature scanning tunneling microscopy

Author

DURAND, Corentin, Berthe, Maxime, Nguyen, T.H., Caroff, P., Nys, J.P., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

National audience

Published
2011

45. Four-point probe measurements at the nanoscale

Author

Berthe, Maxime, DURAND, Corentin, Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

46. Nanobiodetectors

Author

Stievenard, D., Grandidier, B., Nys, J.P., Xu, T., Melnyk, O., Olivier, N., Blanpain, A., Desmet, R., Dendane, N., Boukherroub, Rabah, Coffinier, Y., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

47. Band offsets in PbSe/CdSe core/shell nanocrystals

Author

Habinshuti, Justin, Justo, Y., Nguyen, T.H., Cristini, O., Bournel, F., Gallet, J.J., Hens, Z., Turrell, S., Vobornik, I., Fujii, J., Avila, J., Grandidier, B., Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 (LASIRE), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centrale Lille Institut (CLIL), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Physics and Chemistry of Nanostructures, Universiteit Gent = Ghent University [Belgium] (UGENT), Laboratoire de Chimie Physique - Matière et Rayonnement (LCPMR), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), TASC national laboratory, Trieste, Synchrotron SOLEIL (SSOLEIL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Universiteit Gent = Ghent University (UGENT)

Published
2010

48. Electronic structure of PbSe/CdSe core/shell quantum dots and the effect of an added shell

Author

Nguyen, T.H., Mahieu, G., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

49. Photoelectron spectroscopy and structural modification of PbSe/CdSe core/shell quantum dots (QDs)

Author

Habinshuti, J., Nguyen, T.H., Godey, S., Justo, Y., Bournel, F., Gallet, J.J., Avila, J., ASCENSIO, M.C., Vobornik, I., Fujii, J., Hens, Z., Nys, J.P., CRISTINI, S.O., Turrell, S., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

50. Electronic structure of PbSe/CdSe core/shell nanocrystals revealed by scanning tunneling- and photo- electron spectroscopies

Author

Habinshuti, J., Nguyen, T.H., Justo, Y., Cristini, O., Bournel, F., J.J., Gallet, Hens, Z., Turrell, S., Vobornik, I., Fujii, J., Avila, J., Grandidier, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 (LASIRE), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Physics and Chemistry of Nanostructures, Universiteit Gent = Ghent University (UGENT), Laboratoire de Chimie Physique - Matière et Rayonnement (LCPMR), Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), TASC national laboratory, Trieste, Synchrotron SOLEIL (SSOLEIL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centrale Lille Institut (CLIL), and Universiteit Gent = Ghent University [Belgium] (UGENT)

Published
2010

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