1. Adsorption de disilane sur Si(111) 7 × 7. Influence de l'hydrogène
- Author
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M. Alaoui, J.J. Koulmann, F. Ringeisen, and D. Bolmont
- Subjects
Ge ,Materials science ,Silicon ,Semiconductor materials ,chemistry.chemical_element ,H effects ,02 engineering and technology ,disilane adsorption ,SiH ,01 natural sciences ,chemistry.chemical_compound ,X ray photoelectron spectra ,0103 physical sciences ,monohydride phase ,XPS measurements ,25 to 550 degC ,010302 applied physics ,Ge 111 substrate ,sticking ,SiH sub 2 groups ,silicon ,dihydride phases ,semiconductor ,021001 nanoscience & nanotechnology ,chemistry ,adsorption ,[PHYS.HIST]Physics [physics]/Physics archives ,SiH sub 4 ,Physical chemistry ,Si 1117*7 ,Si ,Disilane ,elemental semiconductors ,room temperature ,silicon compounds ,0210 nano-technology ,SiH sub 2 sub n polysilane - Abstract
L'adsorption de disilane sur Si(111) 7 x 7 dans la gamme de température 25-550 °C fait apparaître la formation des phases mono et dihydrure déjà observées avec les systèmes Si(111) : H et Si(111) : SiH4. La phase monohydrure Si-H est maximale à 350 °C et subsiste jusqu'à 550 °C. La phase dihydrure est très importante à température ambiante (TA), inexistante à partir de 250 °C et traduit la formation d'un polysilane de type (SiH 2)n. Une surface (111) de silicium, saturée en hydrogène ou disilane à 350 °C, est passivée vis-à-vis du disilane à TA. Pour obtenir la formation d'une phase dihydrure, il est nécessaire de casser la molécule de disilane ou d'hydrogène au contact d'un filament de tungstène porté à haute température. Par comparaison avec l'adsorption de disilane sur Ge(111), nous concluons, à partir de mesures XPS, qu'une partie au moins de la phase dihydrure résulte de la fixation de groupements SiH2.
- Published
- 1990
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