Author: "Mickael Petit" - Searchworks@Jio Institute Digital Library Search Results

Your search keyword '"Mickael Petit"' showing total 64 results

Start Over Author "Mickael Petit"

64 results on '"Mickael Petit"'

1. Analytical model of a resonator for PCB-embedded power conversion.

Author: Yoann Pascal, Mickael Petit, Denis Labrousse, and François Costa
Published: 2021
Full Text: View/download PDF

2. Design of a 4-phase intercell transformer converter for a space charge measuring system.

Author: Thierry Martiré, Jean-Charles Laurentie, Mourad Jebli, Ludovic Boyer, and Mickael Petit
Published: 2018
Full Text: View/download PDF

3. Experimental investigation of the reliability of Printed Circuit Board (PCB)-embedded power dies with pressed contact made of metal foam.

Author: Yoann Pascal, Denis Labrousse, Mickael Petit, Stéphane Lefebvre, and François Costa
Published: 2018
Full Text: View/download PDF

4. Adaptation of a Solid-State Marx Modulator for Electroactive Polymer

Author: Morgan Almanza, Thomas Martinez, Mickael Petit, Yoan Civet, Yves Perriard, and Martino LoBue
Subjects: Electrical and Electronic Engineering
Published: 2022
Full Text: View/download PDF

5. EMI Mitigation of GaN Power Inverter Leg by Local Shielding Techniques

Author: Pawel B. Derkacz, Jean-Luc Schanen, Pierre-Olivier Jeannin, Piotr J. Chrzan, Piotr Musznicki, and Mickael Petit
Subjects: Electrical and Electronic Engineering
Published: 2022
Full Text: View/download PDF

6. Study of short-circuit robustness of SiC MOSFETs, analysis of the failure modes and comparison with BJTs.

Author: Cheng Chen, Denis Labrousse, Stéphane Lefebvre, Mickael Petit, Cyril Buttay, and Hervé Morel
Published: 2015
Full Text: View/download PDF

7. Income inequality: past, present and future in a political economy perspective

Author: Pascal Mickael Petit
Published: 2022
Full Text: View/download PDF

8. Impact of routing on the EMC behavior of a GaN HEMT-based full bridge DC-DC converter

Author: Ayawo Roger Ekon, Mickael Petit, Francois Costa, Francois Bouvet, and Eric Dupuy
Published: 2022
Full Text: View/download PDF

9. On-line temperature measurement during power cycle of PCB-embedded diode

Author: Stéphane Lefebvre, Mickael Petit, Mounira Berkani, S. Bensebaa, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), and École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Normale Supérieure Paris-Saclay (ENS Paris Saclay)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY)
Subjects: Test bench, Materials science, business.industry, 020208 electrical & electronic engineering, Electrical engineering, 02 engineering and technology, AC power, Condensed Matter Physics, Temperature measurement, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, [SPI]Engineering Sciences [physics], 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Power cycling, Junction temperature, Power semiconductor device, Electrical and Electronic Engineering, Safety, Risk, Reliability and Quality, business, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Diode, Voltage
Abstract: This paper presents an original methodology and a test bench for active power cycling and on-line junction temperature measurement during power cycling of power devices embedded in PCB. This method is based on the use of the ratio between forward voltage and forward current variations (∆VF,∆IF) during conduction period to estimate the thermal voltage UT and thus the junction temperature in real time. The objective of this study is to estimate the junction temperature even for high frequency of power cycling tests. First, the measurement method is presented, and then the test bench is described.
Published: 2021
Full Text: View/download PDF

10. Comparison of magnetic coupling topologies for interleaved multilevel inverters

Author: Rita Mattar, Stephane Lefebvre, Eric Monmasson, Mickael Petit, Christelle Saber, and Marwan Ali
Published: 2021
Full Text: View/download PDF

11. Commander aujourd’hui pour mieux transmettre demain

Author: Mickael Petit
Subjects: General Medicine
Abstract: L’exercice du commandement dans l’Armee de l’air est la resultante d’une experience acquise depuis un siecle. La technicite des systemes a mettre en œuvre exige des competences et une capacite a diriger des aviateurs. Le leadership et le management necessitent un apprentissage et s’inscrivent tout au long de la carriere.
Published: 2019
Full Text: View/download PDF

12. Analytical model of a resonator for PCB-embedded power conversion

Author: Denis Labrousse, Francois Costa, Mickael Petit, Yoann Pascal, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Normale Supérieure Paris-Saclay (ENS Paris Saclay)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY), Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12), École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Normale Supérieure Paris-Saclay (ENS Paris Saclay)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY), and HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)
Subjects: Materials science, General Computer Science, Magnetism, 010103 numerical & computational mathematics, 02 engineering and technology, 7. Clean energy, 01 natural sciences, Theoretical Computer Science, law.invention, Printed circuit board, Resonator, Electric power conversion, law, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, 0101 mathematics, Transformer, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Numerical Analysis, Applied Mathematics, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, Electrostatics, Finite element method, Electromagnetic coil, Modeling and Simulation, 020201 artificial intelligence & image processing
Abstract: This study proposes a comprehensive analytical model of the magnetism, electrostatics, and loss mechanisms of a simple and economical structure with a printed circuit board-embedded magnetic component (coil, high leakage transformer, or resonator) for electric power conversion in the range 1 W–100 W. The predictions of this model are compared to finite element simulations. A good match is obtained over a wide bandwidth (up to at least 10 MHz). The model is adapted to predict the electrical characteristics of the device used as a monolithic series-LC tank, with a resonant frequency in the MHz range. A prototype is built to prove the applicability of the model, which is intended for the design and optimisation of power electronics converters.
Published: 2021
Full Text: View/download PDF

13. Analysis of the impact of manufacturing dissymmetry on current distribution for magnetically coupled interleaved inverters

Author: Christelle Saber, Marwan Ali, Rita Mattar, Stéphane Lefebvre, Cyrille Gautier, Mickael Petit, Eric Monmasson, Safran Tech, Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Normale Supérieure Paris-Saclay (ENS Paris Saclay)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY), CY Cergy Paris Université (CY), Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Normale Supérieure Paris-Saclay (ENS Paris Saclay)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Normale Supérieure Paris-Saclay (ENS Paris Saclay)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Normale Supérieure Paris-Saclay (ENS Paris Saclay)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Normale Supérieure Paris-Saclay (ENS Paris Saclay)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY), and SAFRAN Group
Subjects: Current distribution, Computer science, 020209 energy, 020208 electrical & electronic engineering, Open-loop controller, 02 engineering and technology, Two stages, Inductive coupling, law.invention, [SPI]Engineering Sciences [physics], law, Control theory, Electrical network, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, ICTS, Transformer, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Parametric statistics
Abstract: The impact of realistic cases of manufacturing dissymmetry on the distribution of the leg currents is presented for magnetically coupled interleaved inverters. The study of the parametric variations of the passive elements constituting the equivalent electrical circuit is carried out with an open loop control strategy. This parametric variation is made in two stages. The first deals with simple cases of dissymmetry that only affect one ICT. The second is based on the worst-case statistics, formed by multiple cases of dissymmetry on several ICTs. This study allows the understanding of the evolution of the currents in the cases of dissymmetry to ensure their control and their balancing. Then, these dissymmetries are simulated with a closed loop control strategy in order to test their impacts on the duty cycles.
Published: 2020
Full Text: View/download PDF

14. 3D PCB package for GaN inverter leg with low EMC feature

Author: Mickael Petit, Pawel B. Derkacz, Pierre-Olivier Jeannin, Piotr J. Chrzan, Piotr Musznicki, Jean-Luc Schanen, Faculty of Electrical and Control Engineering [GUT Gdańsk] (EIA), Gdańsk University of Technology (GUT), Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab ), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), and École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Normale Supérieure Paris-Saclay (ENS Paris Saclay)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY)
Subjects: Computer science, 020208 electrical & electronic engineering, 05 social sciences, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, 02 engineering and technology, High-electron-mobility transistor, Heat sink, Power (physics), Parasitic capacitance, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Inverter, 0501 psychology and cognitive sciences, Point (geometry), Common-mode signal, Reduction (mathematics), 050107 human factors, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: This paper presents the adaptation of a 3D integration concept previously used with vertical devices to lateral GaN devices. This 3D integration allows to reduce loop inductance, to ensure more symmetrical design with especially limited Common Mode emission, thanks to a low middle point stray capacitance. This reduction has been achieved by both working on the power layout and including a specific shield between the devices and the heatsink. The performances of this 3D layout have been verified in comparison with a more conventional 2D implementation, using both simulations and measurements.
Published: 2020
Full Text: View/download PDF

15. Optimized Design of an LCL Filter for Grid Connected Photovoltaic System and Analysis of the Impact of Neighbors’ Consumption on the System

Author: Chabakata Mahamat, Mickael Petit, Francois Costa, Rym Marouani, Abdelkader Mami, Mahamat, Chabakata, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'Application de l'Efficacité énergétique et Energies renouvelables (LAPER), and Laboratoire d'Application de l'Efficacité énergétique et Energies renouvelables (LAPER)-Laboratoire d'Application de l'Efficacité énergétique et Energies renouvelables (LAPER)
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, LCL filter, grid connected photovoltaic system, lcsh:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, Optimized design, lcsh:TK1-9971, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience; This paper presents an optimized design method for an filter for a grid connected photovoltaic system. This method is based on the Fast Fourier Transform () of the current and voltage which provides the current ripples thus allowing to find the filter passives elements. A trick which consists of inductances fragmentation is adopted in order to reduce the volume and the cost of the filter. Then, we do an analysis taking into account the impact of our neighbors' consumption. This system is controlled by a decoupled active and reactive power control (control) using a Phase Locked Loop () for the system's synchronization. Finally, we present and discuss the results of our simulation obtained by Matlab software (simulink and simpowersystems) in order to highlight the proposed study.
Published: 2017

16. Realization and characterization of instrumented power diode with aluminum RTD sensor – application to thermal impedance evaluation

Author: Laurent DUPONT, Mickael Petit, Yvan Avenas, Ibrahima KA, Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and ANR-13-PRGE-0005,MEMPHIS,Suivi de l'Etat de Santé des Composants à Semi-Conducteurs de Puissance dans les Onduleurs Photovoltaïques(2013)
Subjects: 010302 applied physics, Wheatstone bridge, Materials science, business.industry, Thermal resistance, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, 020208 electrical & electronic engineering, Electrical engineering, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 7. Clean energy, Power (physics), law.invention, Reliability (semiconductor), law, Power module, Power electronics, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Resistance thermometer, Electrical and Electronic Engineering, business, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Diode
Abstract: Semiconductor devices incorporated into power electronics systems are proven to be highly sensitive to their thermal environment. Thus, temperature measurement is a key concern when it comes to reliability of power modules. Some Thermo-Sensitive Electrical Parameters (TSEPs) are used to evaluate online temperature of semiconductor components, in operating conditions of power converters. However, the accuracy and the reliability of those TSEPs are not yet fully demonstrated. To overcome this drawback, a power instrumented diode was developed with a Resistance Temperature Detector (RTD) sensor integrated on its top metal surface. This validation tool is characterized in this paper under constant power dissipation. The embedded RTD sensor is conditioned in a resistance bridge circuit. A dynamic characterization of a realistic power module is performed through thermal impedance evaluation. A comparative study is carried out to discuss the static and dynamic performances of the RTD sensor and those of ...
Published: 2017
Full Text: View/download PDF

17. Die Interconnection for Power Module 3.0

Author: Vincent Bley, Cyril Buttay, Denis Labrousse, Mickael Petit, Bojan Djuric, Yoann Pascal, Matériaux Diélectriques dans la Conversion d’Energie (LAPLACE-MDCE), LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie (LAPLACE), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Mitsubishi Electric R&D Centre Europe [France] (MERCE-France), Mitsubishi Electric [France], Groupe de Recherche en Electromagnétisme (LAPLACE-GRE), and Buttay, Cyril
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience
Published: 2019

18. Modelling a redefined architecture for concentrated photovoltaic power plant

Author: O. Fruchier, Thierry Talbert, Mickael Petit, D. Gachon, T. Martire, and F. Thiery
Subjects: 060102 archaeology, Power station, Maximum power principle, Computer science, 020209 energy, Photovoltaic system, 06 humanities and the arts, 02 engineering and technology, Converters, DC-BUS, law.invention, Capacitor, law, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, 0601 history and archaeology, Transformer, Efficient energy use
Abstract: The whole research projects that concern the concentrated photovoitaic (CPV) are systematically about the yield improvement of the cell. The positioning of the work presented here is at the cell interconnections for achieving a stable DC bus to extract the maximum power from individual cells. This architecture minimizes interactions and limitations between cells and string. The main goal is to replace cell interconnection by a high-gain boost-mirror, in order to improve the energy efficiency of CPV installations. This paper presents both, the new global architecture and the structural optimization of a DC-DC converter for concentrated photovoitaic power plant. After the presentation of the architecture used for CPV power plant, a reference converter and a boost-mirror are presented. Both converters are sized to the field of CPV power plant (capacitors, intercellular transformer, control etc.). Then the optimization of the complete converter is presented.
Published: 2019
Full Text: View/download PDF

19. Thermal simulations of SiC MOSFETs under short- circuit conditions: influence of various simulation parameters

Author: Yoann Pascal, Mickael Petit, Denis Labrousse, François Costa, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), ANR-15-CE05-0010,HIT-TEMS,Nouvelle technologie d'intégration hybride d'un convertisseur entrelacé multiniveaux sûr et reconfigurable sous contraintes thermiques et CEM(2015), PASCAL, Yoann, and Nouvelle technologie d'intégration hybride d'un convertisseur entrelacé multiniveaux sûr et reconfigurable sous contraintes thermiques et CEM - - HIT-TEMS2015 - ANR-15-CE05-0010 - AAPG2015 - VALID
Subjects: modelling, SiC, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.MECA.THER]Engineering Sciences [physics]/Mechanics [physics.med-ph]/Thermics [physics.class-ph], short-circuit, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.MECA.THER] Engineering Sciences [physics]/Mechanics [physics.med-ph]/Thermics [physics.class-ph], [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power, thermal simulation, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; The temperature distribution in a Silicon Carbide (SiC) MOSFET during a destructive short-circuit is simulated using a custom 1D-finite difference model implemented using Matlab. Some of the main assumptions usually put forward in the literature dealing with this kind of simulations are tested in this paper. We show that some of those simplifications (model of the heat source, die top-side boundary conditions, etc.), sometime in-spite of common sense, have a great impact on the simulated temperature.
Published: 2019

20. Thermal simulations of SiC MOSFETs under short-circuit conditions: influence of various simulation parameters

Author: Francois Costa, Denis Labrousse, Mickael Petit, and Yoann Pascal
Subjects: Materials science, Distribution (number theory), Mechanics, Die (integrated circuit), chemistry.chemical_compound, chemistry, MOSFET, Thermal, Silicon carbide, Boundary value problem, MATLAB, computer, Short circuit, computer.programming_language
Abstract: The temperature distribution in a Silicon Carbide (SiC) MOSFET during a destructive short-circuit is simulated using a custom 1D-finite difference model implemented using Matlab. Some of the main assumptions usually put forward in the literature dealing with this kind of simulations are tested in this paper. We show that some of those simplifications (model of the heat source, die top-side boundary conditions, etc.), sometime in-spite of common sense, have a great impact on the simulated temperature.
Published: 2019
Full Text: View/download PDF

21. Study of the Impedance of the Bypassing Network of a Switching Cell – Influence of the Positioning of the Decoupling Capacitors

Author: Francois Costa, Mickael Petit, Yoann Pascal, Denis Labrousse, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), ANR-15-CE05-0010,HIT-TEMS,Nouvelle technologie d'intégration hybride d'un convertisseur entrelacé multiniveaux sûr et reconfigurable sous contraintes thermiques et CEM(2015), PASCAL, Yoann, and Nouvelle technologie d'intégration hybride d'un convertisseur entrelacé multiniveaux sûr et reconfigurable sous contraintes thermiques et CEM - - HIT-TEMS2015 - ANR-15-CE05-0010 - AAPG2015 - VALID
Subjects: Materials science, 02 engineering and technology, Decoupling capacitor, law.invention, decoupling, overvoltage, law, Derating, switching cell, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, switching transient, Electrical impedance, bypass, high speed switching, DC-link capacitor, business.industry, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, 020208 electrical & electronic engineering, Transistor, Electrical engineering, Converters, 021001 nanoscience & nanotechnology, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Capacitor, Overvoltage, GaN transistor, 0210 nano-technology, business, Decoupling (electronics), [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience; Mechanisms responsible for ringing and oscillations in power converters at transistors turn-offs are, first, studied using small signal modelling. It is explained why a 50 % derating must be applied to high-speed transistors. Experimental measurements validate the analytical predictions. The influence of the distance between a switching cell and its decoupling capacitors is then studied; it appears that using a low-inductance – though simple – layout results in a stray inductance as low as 11 nH when the capacitor is 30 cm away from the switching cell, enabling degrees of freedom for thermal management.
Published: 2019
Full Text: View/download PDF

22. Technique innovante de contacts sur des puces de puissance enfouies dans du PCB : application à un redresseur de courant

Author: Yoann Pascal, Denis Labrousse, Mickael Petit, Stéphane Lefebvre, François Costa, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lorraine [UL], Sciencesconf.org, CCSD, École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Gustave Eiffel, Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Gustave Eiffel-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Gustave Eiffel-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), ANR-15-CE05-0010,HIT-TEMS,Nouvelle technologie d'intégration hybride d'un convertisseur entrelacé multiniveaux sûr et reconfigurable sous contraintes thermiques et CEM(2015), and École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Normale Supérieure Paris-Saclay (ENS Paris Saclay)-Université Gustave Eiffel-CY Cergy Paris Université (CY)
Subjects: enfouissement de puce, pont de diodes, contact pressé, enfouissementPCB, packaging, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, intégration PCB, convertisseur résonnant, enfouissement PCB, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience; Une interface de mousse métallique pressée est utilisée pour connecter la face avant d'une puce de puissance enfouie dans un circuit imprimé. Le procédé technique mis en œuvre est détaillé, des prototypes simples sont réalisés et caractérisés électriquement. Les performances électriques observées pour les composants enfouis avec le procédé proposé sont similaires à celle d'un boitier industriel standard utilisant des fils de bonding tandis que le procédé est aisé et peu coûteux à mettre en œuvre. Un démonstrateur est réalisé sous la forme d'un pont de diodes enfoui et incorporé dans un convertisseur résonnant fonctionnant à 174 kHz et délivrant 25 V-3A. Le principe de report de contact proposé se trouve validé par le bon fonctionnement du convertisseur.
Published: 2018

23. Optimisation globale d'un convertisseur DC-DC fortement élévateur pour application CPV

Author: Mickael Petit, Thierry Martiré, Thierry Talbert, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Gustave Eiffel, Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Groupe énergie et matériaux (GEM), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Procédés, Matériaux et Energie Solaire (PROMES), Université de Perpignan Via Domitia (UPVD)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lorraine [UL], Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Gustave Eiffel-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Gustave Eiffel-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Sciencesconf.org, CCSD
Subjects: Mots-clés—Boost-miroir, Photovoltaïque à concentration, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, Boost-miroir, Dimensionnement, Opitmisation, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: National audience; Cet article présente l’optimisation de la structure d’un convertisseur DC-DC pour les installations photovoltaïque à concentration. L’objectif est de remplacer l’interconnexion des cellules par un boost-miroir à grand gain. L’objectif est l’amélioration de l’efficacité énergétique des installations CPV. Après la présentation du boost-miroir et son « adaptation » au domaine du CPV, le dimensionnement des différents composants est effectué (condensateurs, transformateur intercellulaire…). Puis l’optimisation du convertisseur complet est présentée.; RESUME –Cet article présente l'optimisation de la structure d'un convertisseur DC-DC pour les installations photovoltaïque à concentration. L'objectif est de remplacer l'interconnexion des cellules par un boost-miroir à grand gain. L'objectif est l'amélioration de l'efficacité énergétique des installations CPV. Après la présentation du boost-miroir et son « adaptation » au domaine du CPV, le dimensionnement des différents composants est effectué (condensateurs, transformateur intercellulaire…). Puis l'optimisation du convertisseur complet est présentée.
Published: 2018

24. Inductances enfouies au PCB pour l'électronique de puissance

Author: Mickael Petit, Denis Labrousse, Stéphane Lefebvre, François Costa, Mounira Berkani, Bertrand Revol, Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Instrumentation et Imagerie (SATIE-II), Systèmes d'Information et d'Analyse Multi-Echelles (SIAME), CNES Toulouse, and Petit, Mickael
Subjects: Intégration 3D, Electronique de puissance, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, Composants magnétiques, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: National audience
Published: 2018

25. Design of a 4-phase intercell transformer converter for a space charge measuring system

Author: Ludovic Boyer, Jean-Charles Laurentie, Mickael Petit, Thierry Martire, and Mourad Jebli
Subjects: Materials science, business.industry, 020208 electrical & electronic engineering, Electrical engineering, Magnetic separation, 02 engineering and technology, Dielectric, Space charge, law.invention, Inductance, law, Power electronics, Thermal, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, business, Transformer, Step method
Abstract: This paper presents the design of a power electronics converter to produce strong current pulses (about 400A) in the core of a HVDC cable in order to use the thermal step method to evaluate the ageing state of the dielectric component. The described converter uses a magnetic coupler with intercells transformers and is current controlled.
Published: 2018
Full Text: View/download PDF

26. Étude de l'impédance de maille d'une cellule de commutation à puces sic selon l'agencement des condensateurs de découplage

Author: Yoann Pascal, Labrousse, D., Mickael Petit, François Costa, PASCAL, Yoann, Nouvelle technologie d'intégration hybride d'un convertisseur entrelacé multiniveaux sûr et reconfigurable sous contraintes thermiques et CEM - - HIT-TEMS2015 - ANR-15-CE05-0010 - AAPG2015 - VALID, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and ANR-15-CE05-0010,HIT-TEMS,Nouvelle technologie d'intégration hybride d'un convertisseur entrelacé multiniveaux sûr et reconfigurable sous contraintes thermiques et CEM(2015)
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience; L'effet de la distance séparant une cellule de commutation et son découplage sur les inductances parasites est étudié. Un prototype est réalisé, l'impédance de la maille de commutation est mesurée en petits signaux. Les résultats sont comparés à ceux obtenus par simulation ainsi que par mesure sur un convertisseur réel, en signaux de grande amplitude. Les résultats montrent que si minimiser la distance entre composant permet de minimiser les inductances, un routage simple permet de fortement limiter la sensibilité des inductances aux distances entre composants. On observe ainsi que l'inductance d'une maille constituée d'une cellule de commutation et d'un condensateur céramique éloigné de 30 cm peut être limitée à 11 nH.
Published: 2018

27. Etat de l’art de l’intégration en électronique de puissance et axes de recherches associés

Author: Vincent Bley, Cyril Buttay, Mickael Petit, Matériaux Diélectriques dans la Conversion d’Energie (LAPLACE-MDCE), LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie (LAPLACE), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Petit, Mickael, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Subjects: Intégration 3D, Electronique de puissance, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: National audience
Published: 2017

28. Estimation of the Losses in Si and SiC Power Modules for Automotive Applications

Author: Dounia Oustad, Menouar Ameziani, Dominique Lhotellier, Stéphane Lefebvre, Mickael Petit, Petit, Mickael, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), VEhicule DEcarboné et COmmuniquant et sa Mobilité (VeDeCom), Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), and Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE)
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience; This paper compares 1200 V - 120 A Silicon Carbide (SiC) MOSFET module with 1200 and 650 V - 100 A Silicon (Si) IGBT module performances in different converter topologies (2 and 3 level inverters) and it focuses on the prediction and the study of the veracity of a losses model (both conduction and switching losses) in Si IGBT and SiC MOSFET power modules used for electric vehicle applications. It shows a test case based on an experimental estimation of the losses with a double pulse test circuit. The behavioral model used to estimate losses in a wide range of operating conditions is only linked to the knowledge of the IGBT, MOSFET and diode characteristics obtained from datasheets. Then, it is compared with experimental measurements. Several studies have already been made on the estimation of the losses in Si and SiC power modules. This paper focuses on the study of the influence of the DC bus voltage on the switching losses for Si and SiC devices and all the other switching conditions: temperature, load current, gate resistance, but also the inductance of the power loop.
Published: 2017

29. Static magnetometer suitable for weakly permeable magnetic fluids. Highlighting method of anisotropy assessment

Author: Olivier Geoffroy, Wahid Cherief, Afef Kedous-Lebouc, Mickael Petit, Yvan Avenas, Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des Écoulements Géophysiques et Industriels [Grenoble] (LEGI), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF), Laboratoire Rhéologie et Procédés (LRP), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Ferrofluid, Materials science, Computer simulation, Magnetometer, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, Isotropy, Mechanics, Characterization (materials science), law.invention, Nonlinear system, Nuclear magnetic resonance, law, Measuring principle, Electrical and Electronic Engineering, Anisotropy
Abstract: International audience; Ferrofluids have a highly nonlinear magnetic behavior. Moreover, their colloidal nature may, in certain circumstances, make anisotropic by forming chains. A fine characterization of these liquids is essential. However, conventional measurement methods, setting in motion the samples tested are ineffective against these materials. The following article highlights a static method to draw the characteristic J(H) of a sample of ferrofluid. It consists in four parts. The first describes the measurement principle and the mathematical method involved. The second part of the article shows how the magnetometer was designed, implemented and calibrated. In the third part, the magnetometer is tested on a solid sample slightly permeable. Down results obtained are compared to measurement by extraction. Finally, a fourth part shows thanks to a numerical simulation that the device is able to highlight the isotropic or anisotropic nature of the test sample.
Published: 2014
Full Text: View/download PDF

30. Decoupled PQ control Applied to a Multicellular Parallel Inverter for Grid-connected Photovoltaic System

Author: Chabakata Mahamat, Francois Costa, Cyrille Gautier, Rym Marquant, Mickael Petit, Abdelkader Mami, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'Application de l'Efficacité énergétique et Energies renouvelables (LAPER), Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), Laboratoire SATIE-ENS Cachan, Lab-STA, ATTNA, and IEEE Conferences
Subjects: Engineering, decoupled, 02 engineering and technology, 7. Clean energy, Maximum power point tracking, [SPI.AUTO]Engineering Sciences [physics]/Automatic, Synchronization (alternating current), Multicellular, Control theory, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Grid-connected photovoltaic power system, Electronic engineering, Parallel Inverter, filter, business.industry, 020208 electrical & electronic engineering, Photovoltaic system, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, 021001 nanoscience & nanotechnology, Phase-locked loop, Control system, Inverter, 0210 nano-technology, business, control, Pulse-width modulation
Abstract: International audience; – This paper presents the decoupled active and reactive power control (control), using a Phase-Locked Loop () for synchronization, and applied to the control of Multicellular Parallel Inverter (MPI) for a grid-connected Photovoltaic () system. We explain the value of this multicellular structure of inverter compared to a conventional inverter. We also present and discuss the simulation results obtained using the Matlab software (simulink and simpowersystems).
Published: 2016
Full Text: View/download PDF

31. Dynamic electric model for IGBT power module based on Q3D® and Simplorer®: 3D Layout design, stray inductance estimation, experimental verifications

Author: Dominique Lhotellier, Francois Costa, Eric Laboure, Menouar Ameziani, Hocine Daou, Mickael Petit, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), VEhicule DEcarboné et COmmuniquant et sa Mobilité (VeDeCom), Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (SATIE-CSEE), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-HESAM Université - Communauté d'universités et d'établissements Hautes écoles Sorbonne Arts et métiers université (HESAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (GeePs), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 (UPMC)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Proccedings of ESARS-ITEC 2016, Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), and Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE)
Subjects: Engineering, Layout, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Chopper, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Electronic engineering, Multichip modules, Parasitic extraction, Inductance, 010302 applied physics, Resistive touchscreen, business.industry, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, 020208 electrical & electronic engineering, Biological system modeling, Logic gates, Insulated-gate bipolar transistor, Insulated gate bipolar transistors, Power (physics), Power module, Inverter, business, Switches
Abstract: International audience; The layout of power modules is one of the key points in power module design, especially for high power densities, where couplings are increased. Stray inductances cause various problems in switching devices and should be minimized at an early design stage to avoid later required countermeasures and redesign after the device prototype has been built. In this paper, using Ansys® Q3D® Extractor, electromagnetic simulation is carried out to extract and evaluate the inductive and resistive parasitics of one phase of a three-phase automotive inverter module with rating of 650 V-400 A. The purpose is to develop and verily the electrical model including parasitic parameters for the studied phase-leg operating as a chopper. The switching behavior of the studied structure is analyzed based on Ansys® Simplorer® simulation, and a dynamic electrical model is carried out. Experimental test measurements are performed. The comparison between the simulation models and the experimental data is reported and conclusions are made.
Published: 2016
Full Text: View/download PDF

32. Comparison of modeling switching losses of an IGBT based on the datasheet and an experimentation

Author: Stéphane Lefebvre, Dominique Lhotellier, Dounia Oustad, Mickael Petit, Menouar Ameziani, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), VEhicule DEcarboné et COmmuniquant et sa Mobilité (VeDeCom), Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), and Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE)
Subjects: business.product_category, Computer science, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Temperature measurement, 0103 physical sciences, Electric vehicle, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Inductance, Simulation, 010302 applied physics, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, 020208 electrical & electronic engineering, Insulated-gate bipolar transistor, Switching loss, Solver, Thermal conduction, Current measurement, Insulated gate bipolar transistors, Probes, business, Switches, Datasheet, Voltage
Abstract: International audience; This paper focuses on the prediction and the study of the veracity of a losses model (both conduction and switching losses) in IGBT power modules used for electric vehicle applications. This article shows a test case based on an experimental estimation of losses with a double pulse test circuit and a circuit model based on the use of ANSYS solver Circuit - Simplorer©. This modeling is only linked to the knowledge of the IGBT characteristics obtained from datasheets. Then, it is compared with experimental measurements. The veracity of these models is evaluated, the errors are quantified and if necessary, additional characterizations that will be performed to complete the data from datasheets will be identified. An estimation of the losses with sufficient accuracy will be obtained for different switching conditions (voltage, current, temperature, gate resistance).
Published: 2016
Full Text: View/download PDF

33. Comparaison d'une modélisation des pertes par commutation d'IGBT basée sur la datasheet à une étude expérimentale

Author: Dounia Oustad, Mickael Petit, Stéphane Lefebvre, Dominique Lhotellier, Menouar Ameziani, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), VEhicule DEcarboné et COmmuniquant et sa Mobilité (VeDeCom), and Sciencesconf.org, CCSD
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI] Engineering Sciences [physics]
Abstract: International audience; La problématique de cet article est axée sur la prédiction et l'étude de la véracité d'un modèle de pertes (conduction et commutation) dans des modules de puissance IGBT dédiés à des applications de véhicules électriques. Cet article montre un cas d'étude basé sur l'estimation expérimentale des pertes par un circuit double pulse et une étude de modélisation basée sur l'utilisation du solveur circuit ANSYS - Simplorer©. Cette modélisation est basée sur la seule connaissance des caractéristiques issues des spécifications des constructeurs des modules. Elle est alors comparée à des mesures expérimentales. Nous avons pour but de vérifier la véracité de ces modèles, quantifier les erreurs et lorsque nécessaire, déterminer quelles caractérisations supplémentaires devront être effectuées pour enrichir les données issues des datasheets et obtenir une estimation des pertes avec une précision suffisante.
Published: 2016

34. Effect of the Magnetic Field Direction on Forced Convection Heat Transfer Enhancements in Ferrofluids

Author: Jean Berard, Yvan Avenas, Afef Kedous-Lebouc, Wahid Cherief, Laurent Jossic, Mickael Petit, Sébastien Ferrouillat, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des Écoulements Géophysiques et Industriels [Grenoble] (LEGI), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Rhéologie et Procédés (LRP), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), and Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Ferrofluid, 02 engineering and technology, Heat transfer coefficient, 01 natural sciences, [SPI.MECA.MEFL]Engineering Sciences [physics]/Mechanics [physics.med-ph]/Fluids mechanics [physics.class-ph], Physics::Fluid Dynamics, Thermal conductivity, 0103 physical sciences, Statistical physics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Instrumentation, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, 010302 applied physics, Pressure drop, Chemistry, Laminar flow, Mechanics, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Magnetic field, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, Heat flux, Heat transfer, [SPI.MECA.THER]Engineering Sciences [physics]/Mechanics [physics.med-ph]/Thermics [physics.class-ph], 0210 nano-technology
Abstract: Applying a magnetic field on a ferrofluid flow induces a large increase of the convective heat transfer coefficient. In this paper, the thermal-hydraulic behaviors of two commercial ferrofluids are compared. The variations of both the pressure drop and the heat transfer coefficient due to the magnetic field are measured in the following conditions: square duct, laminar flow and uniform wall heat flux. The square section with two insulated walls allows for the characterization of the effect of the magnetic field direction. The experimental results show that the heat transfer is better enhanced when the magnetic field is perpendicular to the heat flux. In the best case, the local heat transfer coefficient increase is about 75%. On the contrary, another experimental setup shows no enhancement of thermal conductivity when the magnetic field is perpendicular to the heat flux.
Published: 2015

35. Study of short-circuit robustness of SiC MOSFETs, analysis of the failure modes and comparison with BJTs

Author: Denis Labrousse, Hervé Morel, Cheng Chen, Mickael Petit, Stéphane Lefebvre, Cyril Buttay, Lefebvre, Stéphane, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ampère, Département Energie Electrique (EE), Ampère (AMPERE), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Electronique de Puissance et Intégration (SATIE-EPI), Composants et Systèmes pour l'Energie Electrique (CSEE), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), and Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE)
Subjects: SiC, Materials science, [SPI] Engineering Sciences [physics], BJT, Time-dependent gate oxide breakdown, 02 engineering and technology, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, 01 natural sciences, law.invention, MOSFET, [SPI]Engineering Sciences [physics], chemistry.chemical_compound, Robustness (computer science), law, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Silicon carbide, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Electrical and Electronic Engineering, Safety, Risk, Reliability and Quality, 010302 applied physics, business.industry, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, 020208 electrical & electronic engineering, Transistor, Bipolar junction transistor, Electrical engineering, short circuit, Condensed Matter Physics, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, chemistry, Optoelectronics, business, Short circuit, AND gate, Hardware_LOGICDESIGN, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience; This paper presents experimental robustness tests made on Silicon Carbide (SiC) MOSFETs and SiC Bipolar Junction Transistors (BJTs) submitted to short-circuit operations (SC) or current limitation modes. For SiC MOSFETs, a gate leakage current is detected before failure without being responsible for the immediate failure. Nevertheless this gate leakage current is not without effect on the integrity of the SiC MOSFETs. Based on several robustness tests performed on SiC MOSFETs and on the comparison with experimental results obtained with SiC BJTs, the paper points out two main failure modes for SiC MOSFETs. The first one results in a simultaneously short circuit between drain and gate and drain and source and the second one in a degradation of the insulation between gate and source leading to a short circuit between gate and source. For some tested devices, the failure appears in a very interesting open state mode between drain and source after physical short-circuit between gate and source with a mode of failure very similar to those observed for SiC BJT.
Published: 2015
Full Text: View/download PDF

36. Impact of Single Event Gate Rupture and Latent Defects on Power MOSFETs Switching Operation

Author: Antoine Touboul, A. Privat, Francois Forest, Eric Lorfevre, Richard Arinero, Frédéric Wrobel, Jean-Jacques Huselstein, Frédéric Saigné, N. Chatry, Mickael Petit, G. Chaumont, J.-R. Vaille, S. Bourdarie, Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Radiations et composants (RADIAC), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Métrologie et de Dosimétrie des Neutrons (LMDN), Institut de Radioprotection et de Sûreté Nucléaire (IRSN), Groupe énergie et matériaux (GEM), Institut de recherche en astrophysique et planétologie (IRAP), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Observatoire Midi-Pyrénées (OMP), Météo France-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Météo France-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Nîmes (UNIMES), ONERA - The French Aerospace Lab [Toulouse], ONERA, Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), TRAD [Labège], TRAD, STMicroelectronics, and Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)
Subjects: Nuclear and High Energy Physics, Materials science, business.industry, Electrical engineering, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Stress (mechanics), Nuclear Energy and Engineering, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Gate driver, Enhanced degradation, Energy transformation, Power semiconductor device, Electrical and Electronic Engineering, Power MOSFET, business, Sensitivity (electronics), Event (particle physics), ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: This paper reports on the impact of single event gate rupture and post-irradiation gate stress on Power MOSFETs switching ability. A dedicated setup has been developed and presented in this paper. The data showed that devices can switch after Single Event Gate Rupture. Failure of energy conversion system does not depend on gate current of the device but its associated external circuitry. Moreover, the data showed that devices having a gate layout constituted of parallel stripes are less sensitive than hexagonal shape when electrical constraints are applied after failure. It was also observed that the sensitivity of SEGR can be enhanced by X-ray irradiation but enhanced degradation is not observed during the switching operation.
Published: 2014
Full Text: View/download PDF

37. Banc de test de transistors MOSFET de puissance sous irradiation par ions lourds

Author: Jean-Jacques Huselstein, François Forest, Mickael Petit, Aymeric Privat, Antoine Touboul, Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Groupe énergie et matériaux (GEM), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Radiations et composants (RADIAC)
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: Cet article présente un banc de vieillissement sous irradiation de transistors MOSFETs de puissance qui sera utilisé au GANIL (Grand Accélérateur National d'Ions Lourds). L'originalité de ce banc est d'assurer un fonctionnement par découpage haute fréquence des MOSFETs pendant la phase d'irradiation avec la possibilité de choisir de nombreux paramètres de fonctionnement. Un dispositif de mesure automatique de courant de fuite de grille pendant l'irradiation est incorporé au système. Ce banc est conçu pour faire travailler simultanément 6 transistors MOSFETs devant la fenêtre d'irradiation. Pour chaque transistor en test la structure de puissance est constituée par deux hacheurs en opposition (dont un est constitué avec le MOSFET sous irradiation) avec une régulation de courant et une régulation de température de jonction. Une première série de test sous irradiation a été réalisé GANIL en mai 2014 a permis d'obtenir des résultats brièvement présentés dans l'article.
Published: 2014

38. Magnétomètre statique adapté aux fluides magnétiques faiblement perméables

Author: Mickael Petit, Afef Kedous-Lebouc, Yvan Avenas, Wahid Cherief, Elisabeth Rullière, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, G2Elab-Matériaux, Machines et Dispositifs Electromagnétiques Avancés (G2Elab-MADEA), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, EP, Sciencesconf.org, CCSD, and Garcia, Sylvie
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: Dans cet article, un magnétomètre original dédié à la caractérisation statique d'un échantillon est proposé. Il est spécialement conçu pour les ferrofluides dont les comportements sont sensibles au champ magnétique et pour lesquels les méthodes classiques utilisant un échantillon mobile ne sont plus adaptées. Le magnétomètre peut également être utilisé pour tester un matériau faiblement perméable. Le document décrit le dispositif de caractérisation et son utilisation en quatre sections. La première décrit le principe de la mesure et de l'approche mathématique et physique pour la détermination de la courbe J(H). Le deuxième développe la conception du magnétomètre, sa réalisation pratique et son étalonnage ainsi qu'une validation numérique du dispositif et de la reconstruction de J(H). Dans la troisième partie, une validation expérimentale est étudiée sur un échantillon solide en composite de fer ayant une perméabilité faible. Les résultats sont comparés à ceux obtenus avec un magnétomètre à extraction et montrent un bon accord, les différences observées ne dépassant pas quelques pourcents. Enfin une quatrième partie montre par une simulation numérique que le dispositif est capable de mettre en évidence la nature isotrope ou anisotrope de l'échantillon testé.
Published: 2014

39. Intensification des transferts de chaleur par convection forcée en conduite de section carrée avec des ferrofluides

Author: Wahid Cherief, Yvan Avenas, Sébastien Ferrouillat, Afef Kedous-Lebouc, Laurent Jossic, Mickael Petit, EP, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Garcia, Sylvie, Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des Écoulements Géophysiques et Industriels [Grenoble] (LEGI), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de rhéologie (LR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF), and Sciencesconf.org, CCSD
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: Cet article présente une investigation expérimentale de l'étude du transfert de chaleur au sein d'un ferrofluide en convection forcée à flux thermique imposé sous champ magnétique. Le régime d'écoulement étudié est essentiellement laminaire (250 < Re
Published: 2014

40. Experimental Study of a Static System Based on a Magneto-Thermal Coupling in Ferrofluids

Author: Afef Kedous-Lebouc, Elisabeth Rullière, Wahid Cherief, Mickael Petit, Yvan Avenas, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Garcia, Sylvie
Subjects: Pressure drop, Ferrofluid, Materials science, Condensed matter physics, Mechanical Engineering, Hydrostatic pressure, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, Building and Construction, Magnetic field, Condensed Matter::Soft Condensed Matter, Physics::Fluid Dynamics, Temperature gradient, Curie temperature, Magneto, Pressure gradient, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: Liquid cooling of electronic devices requires generally a mechanical pump which reduces the performance of the system and its reliability. It has already been shown that ferrofluids with low Curie temperature are able to create a liquid flow without any mechanical part. In fact a pressure gradient can be obtained when subjecting this ferrofluids to both a temperature gradient and a magnetic field. In this paper a novel experimental setup is proposed. It is thermally and magnetically instrumented to achieve a precise analysis of the local behavior of the ferrofluids. A MnZn based ferrofluid was investigated on steady and transient states. The results confirm that a hydrostatic pressure can be successfully created. The behavior of the ferrofluid is analyzed considering a homogeneous applied magnetic field or not. A pressure drop is also highlighted and discussed in terms of temperature gradient evolution and magneto-convection in the ferrofluid.
Published: 2014

41. Analyse du comportement magnétique et thermique d'un transformateur intercellulaire cyclique à 4 phases pour application impulsionnelle

Author: Mickael Petit, Thierry Martiré, Abdallah Darkawi, Sciencesconf.org, CCSD, Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE), École normale supérieure - Cachan (ENS Cachan)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut Français des Sciences et Technologies des Transports, de l'Aménagement et des Réseaux (IFSTTAR)-École normale supérieure - Rennes (ENS Rennes)-Université de Cergy Pontoise (UCP), Université Paris-Seine-Université Paris-Seine-Conservatoire National des Arts et Métiers [CNAM] (CNAM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology, Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Groupe énergie et matériaux (GEM), and Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: Cet article présente l'étude et la réalisation d'un composant magnétique de type I.C.T. pour une application de chauffage impulsionnel de câble. L'objectif est de pouvoir injecter des impulsions de courant de quelques centaines d'ampères durant deux à trois secondes dans l'âme conductrice d'un câble HVDC dans le but de déterminer la répartition des charges électriques dans l'isolant de ce même câble grâce à la méthode de l'onde thermique. Le composant étudié est un prototype (400-600A) destiné à démontrer la faisabilité d'un composant capable de faire transiter des courants de l'ordre de 1200A. Cet article s'intéresse aux phénomènes magnétiques et thermiques au sein du coupleur aussi bien à l'échelle du découpage (80kHz) qu'à l'échelle de l'impulsion de courant de plusieurs secondes.
Published: 2014

42. First investigations in magnetothermal pumps: characterizations and modelling issues

Author: Mickael Petit, Wahid Cherief, Yvan Avenas, Afef Kedous-Lebouc, Mansour Tawk, Elisabeth Rullière, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2013

43. Static sample magnetometer: a new characterization method for low permeability materials and ferrofluids

Author: Baptiste Anceau, Elisabeth Rullière, Afef Kedous-Lebouc, Wahid Cherief, Mickael Petit, Yvan Avenas, Garcia, Sylvie, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: 010302 applied physics, Ferrofluid, Materials science, Magnetometer, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, 02 engineering and technology, Superconducting magnet, Experimental validation, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, Magnetic susceptibility, Electronic, Optical and Magnetic Materials, law.invention, Computational physics, Finite element simulation, Magnetic field, Nuclear magnetic resonance, law, 0103 physical sciences, Low permeability, Electrical and Electronic Engineering, 0210 nano-technology, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: In this paper, an original magnetometer dedicated to static sample characterization is proposed. It is especially designed for ferrofluids whose behaviors are sensitive to the magnetic field and for which the classic methods using a mobile sample are no more suitable. The magnetometer can also be used to test any feebly permeability material. The paper outlines the characterization device and its use in four sections. The first describes the principle of the measurement and the physical and mathematical approach for the reconstruction of the $J(H)$ curve. The second develops the magnetometer design, practical realization, and calibration. In the third section, a numerical validation of the magnetometer and $J(H)$ construction is performed owing to finite element simulation of the magnetometer. Finally, an experimental validation is investigated on a solid specimen made of a weak permeability iron composite. The results are compared with those achieved with an extraction magnetometer and show a good agreement as the differences observed reach a few percent.
Published: 2013

44. EXPERIMENTAL STUDY OF A STATIC PUMP BASED ON A MAGNETO-THERMAL COUPLING IN FERROFLUIDS

Author: Mickael Petit, Yvan Avenas, Afef Kedous-Lebouc, Mansour Tawk, Wahid Cherief, Elisabeth Rullière, Garcia, Sylvie, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Physics::Fluid Dynamics, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience; The cooling liquid of electronic devices is generally made using a mechanical pump which reduces the overall performances of the system and its reliability. It has already been shown that ferrofluids with low Curie temperature are able to create the liquid flow without any mechanical part. In fact a pressure gradient can be obtained when subjecting this ferrofluids to both a temperature gradient and a magnetic field. This paper proposes a novel experimental setup in order to measure this pressure gradient. Steady state and transient results are then discussed.
Published: 2012

45. Numerical study of a liquid metal mini-channel cooler for power semiconductor devices

Author: Mansour Tawk, Yvan Avenas, Afef Kedous-Lebouc, Mickael Petit, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience; The need to adopt new cooling techniques arouse because of the continuous increase in power dissipation of electronic parts and systems. Due to the low thermal conductivity of classical liquids (water, alcohols, dielectric fluids...), in many cases, the standard liquid cooling techniques cannot achieve the required cooling performances. This paper deals with dimensioning a liquid metal mini-channel cooler for power semi conductor devices (IGBT, MOSFET or diodes). A lot of investigations deal with of the subject of dimensioning water mini-channel cooler. Contrary, there's no paper deal with the subject of dimensioning a liquid metal mini-channel cooler. In this paper, a numerical investigation of liquid metal channel is presented in order to determinate a methodology to design a liquid metal mini-channel cooler. Three important functions will be discussed: the advantage of using liquid metal for cooling power electronics devices, the validity of classical method to design water mini-channel cooler in the case of liquid metal. In the last part a new method is proposed to design liquid metal mini-channel cooler.
Published: 2011

46. Une application multidisciplinaire en génie électrique : asservissement de vitesse d'un moteur à courant continu commandé par un pont mixte triphasé

Author: Mickael Petit, Elisabeth Rullière, Emmanuel Toutain, Garcia, Sylvie, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience
Published: 2011

47. Étude des forces magnétiques locales dans un ferrofluide

Author: Mickael Petit, Mansour Tawk, Yvan Avenas, Afef Kedous-Lebouc, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2010

48. Numerical and Experimental Investigations on Mini Channel Liquid Metal Coolers for Power Semiconductor Devices

Author: Afef Kedous-Lebouc, Mansour Tawk, Mickael Petit, Yvan Avenas, Garcia, Sylvie, Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut Polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Liquid metal, Thermal conductivity, Materials science, Computer cooling, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, Electromagnetic pump, Liquid dielectric, Mechanical engineering, Working fluid, Heat transfer coefficient, Dissipation, 7. Clean energy, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: International audience; The need to adopt new cooling techniques arouse because of the continuous increase in power dissipation of electronic parts and systems. Due to the low thermal conductivity of classical liquids (water, alcohols, dielectric fluid, etc.), in many cases, the standard liquid cooling techniques cannot achieve the required cooling performances. This paper deals with power semi conductor devices (IGBT, MOSFET or diodes) cooling. The major problem of those power components is that they can easily dissipate several hundreds W.cm-2. Thus their cooling needs very high heat transfer coefficients. Therefore we introduce the use of liquid Ga alloys whose thermal conductivity (approx. 28Wm-1K-1) is 40 times greater than thermal conductivity of water. In this paper a numerical modeling and an experimental study of liquid metal mini channel coolers are presented. In the experimental cooling loop the working fluid (Ga alloy) is moved via an electromagnetic pump. The values of the convection coefficient obtained by the numerical model are compared with the correlations founded in the bibliography and the experimental data.
Published: 2010
Full Text: View/download PDF

49. Comparaison d'une modélisation des pertes par commutation d'IGBT basée sur la datasheet à une étude expérimentale

Author: Mickael Petit

50. Enfouissement PCB de puces de puissance à l'aide d'un contact en mousse métallique pressée

Author: Yoann Pascal, Denis Labrousse, Mickael Petit, Stéphane Lefebvre, François Costa, PASCAL, Yoann, and Nouvelle technologie d'intégration hybride d'un convertisseur entrelacé multiniveaux sûr et reconfigurable sous contraintes thermiques et CEM - - HIT-TEMS2015 - ANR-15-CE05-0010 - AAPG2015 - VALID
Subjects: [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power
Abstract: This paper presents a new technique to manufacture the top-side contact of a PCB-embedded power die, using a pressed piece of metal foam. The manufacturing process is detailed, prototypes are manufactured and electrically characterized, and the technique is used to embed a switching cell with a 1.7 nH switching loop. This process is easy to make and highly cost-effective; the electric resistance of the assembly is close to that of a state-of-the-art industrial package using bond wires, moreover the stray inductance is minimized.

Catalog

Books, media, physical & digital resources

See catalog results

Searchworks

Select search scope, currently: Articles Catalog books, media & more in Jio Institute collections Articles journal articles & other e-resources

Search

Search Constraints

Refine your results

Search Limiters

Topic

Publication Year Range

Language

Publication Type

Journal

Database

Publisher

64 results on '"Mickael Petit"'

Search Results

Catalog

Select search scope, currently: Articles

Catalog

books, media & more in Jio Institute collections

Articles

journal articles & other e-resources