1. Impact of the design layout on threshold voltage in SiGe channel UTBB-FDSOI pMOSFET
- Author
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S. Ortolland, Michel Haond, E. Baylac, Thierry Poiroux, Didier Dutartre, Emmanuel Josse, R. Nicolas, R. Berthelon, Francois Andrieu, Alain Claverie, STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
- Subjects
Engineering ,Threshold voltage ,SiGe ,Stress analysis ,Multi-finger transistor ,01 natural sciences ,law.invention ,Stress (mechanics) ,law ,0103 physical sciences ,Electronic engineering ,Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS ,Layout dependences ,Stress profile ,Stresses ,MOSFET devices ,Silicon alloys ,010302 applied physics ,[PHYS]Physics [physics] ,business.industry ,Transistor ,Design layout ,Layout effects ,FDSOI ,business ,SiGe channels ,Communication channel - Abstract
cited By 3; International audience; The introduction of SiGe channel for pMOSFETs in FDSOI technology enables to achieve high performance. However, it has been demonstrated that such a global stressor induces layouts effects. In this paper, we present an exhaustive study of layout impact on threshold voltage. Especially, dissymmetric layouts, non-rectangular active areas and multifinger transistors are investigated. We propose an analytical model based on stress profile to reproduce the layout dependences. This model reproduces the experimental data with good accuracy, whatever the shape of the active area. © 2016 IEEE.
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- 2016
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