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201 results on '"Lasri, Tuami"'

9. E-tunable magnetic susceptibility and reversible magnetization switching in YIG/Pt/PMN-PZT/Pt heterostructure by low electric and magnetic fields.

Author

Han, Liuyang, Ponchel, Freddy, Rémiens, Denis, Lasri, Tuami, Tiercelin, Nicolas, Wang, Genshui, and Pernod, Philippe

Subjects
MAGNETIC susceptibility, MAGNETIC fields, ELECTRIC fields, MAGNETIZATION, YTTRIUM iron garnet
Abstract

The electric field (E) controlled magnetism in the multiferroic heterostructure comprising polycrystalline yttrium iron garnet (YIG) film, Pt electrodes, and lead magnesium niobate-lead zirconate titanate (PMN-PZT) ceramic is presented in this work. The electric-field-dependent magnetization and susceptibility of YIG film reveal the strain-mediated transformation of magnetocrystalline anisotropy. A strong converse magnetoelectric (CME) effect has been observed in the YIG/Pt/PMN-PZT/Pt heterostructure, and the CME coefficient can reach 17 × 10−8 s/m at 0 Oe and 4.2 kV/cm. The reversible magnetization switching by means of a low voltage pulse (±4.6 kV/cm) can be realized at 0 Oe in the YIG/Pt/PMN-PZT/Pt heterostructure, and the E-tunable susceptibility can reach Δχ/χ0+ = 55.5% at 20 Oe and 4 kV/cm. These results show great potential in power-efficient magnetoelectric components for information storage and tunable devices. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2019
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16. Influence of the magnetic state on the voltage-controlled magnetoelectric effect in a multiferroic artificial heterostructure YIG/PMN-PZT.

Author

Lian, Jianyun, Ponchel, Freddy, Tiercelin, Nicolas, Han, Liuyang, Chen, Ying, Rémiens, Denis, Lasri, Tuami, Wang, Genshui, Pernod, Philippe, Zhang, Wenbin, and Dong, Xianlin

Subjects
ELECTRIC fields, MAGNETIC fields, MAGNETIC stars, MAGNETOELECTRIC effect, HETEROSTRUCTURES, MAGNETRON sputtering, RADIO frequency
Abstract

The artificial multiferroic heterostructure used in this work is composed by an yttrium iron garnet (YIG) film deposited by radio frequency (rf) magnetron sputtering on a metalized PMN-PZT ceramic. We demonstrate, thanks to the well-known converse magnetoelectric (CME) coupling, the control of the magnetic state of the YIG film by means of a low electric field applied to the PMN-PZT ceramic. In particular, it is shown that the variations of the magnetization induced by the strain are functions of the magnetic sate of the film. It is shown that the maximum amplitude variation is observed at the coercive magnetic field (Hc), whereas when H increases, the strain effect has a limited impact on the film magnetization. A second effect has also been remarked on the magnetization of the YIG film but only after the first strain induced cycle has been applied. These variations, observed only under low applied magnetic fields, can be attributed to the re-orientation of some magnetic moments which are easy to switch under low magnetic fields. We find that after poling the YIG film, i.e., applying a magnetic field on it, the initial state is restored. The CME coupling coefficient is determined for different magnetic states of the YIG film, and the maximum value 11 × 10−8 s/m is obtained at H = Hc and E = Ec (the coercive field of the PMN-PZT ceramic). The relative susceptibility tunability available for the heterostructure proposed is 16.8% for an electric field applied between 0 and −4 kV/cm. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2018
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18. Calibration and performance of two new ultra-wideband four-port-based systems

Author

Haddadi, K., Wang, M.M., Nouri, K., Glay, D., and Lasri, Tuami

Subjects
Reflectometer -- Usage, Calibration -- Analysis, Business, Computers, Electronics, Electronics and electrical industries
Abstract

This paper presents two new structures for four-port-based systems with ultrawide operating bandwidth, using a combination of power dividers and delay lines. The prototype circuits, initially conceived to operate in the frequency band from I to 4 GHz, are fabricated to validate these new architectures by means of a hybrid integrated-circuit technology. Associated with these systems, a new explicit calibration solution is developed to extend the frequency band of use up to 10 GHz. Comparison between the results obtained from the new structures with those given by a conventional network analyzer show the validity of the systems proposed. Index Terms--Calibration, four-port, quadratic detector, reflectometer, six-port, S-parameters.

Published
2008

19. A comparison of converse magnetoelectric coupling effect of YIG film on FE and AFE ceramic substrates

Author

Wang Genshui, Lasri Tuami, Pernod Philippe, Rémiens Denis, Tiercelin Nicolas, Han Liuyang, Ponchel Freddy, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN (MAMINA - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 (IEMN-DOAE), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-INSA Institut National des Sciences Appliquées Hauts-de-France (INSA Hauts-De-France)-Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-INSA Institut National des Sciences Appliquées Hauts-de-France (INSA Hauts-De-France), Microtechnology and Instrumentation for Thermal and Electromagnetic Characterization - IEMN (MITEC - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire International associé sur les phénomènes Critiques et Supercritiques en électronique fonctionnelle, acoustique et fluidique (LIA LICS/LEMAC), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Acoustique Impulsionnelle & Magnéto-Acoustique Non linéaire - Fluides, Interfaces Liquides & Micro-Systèmes - IEMN (AIMAN-FILMS-IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Acoustique Impulsionnelle & Magnéto-Acoustique Non linéaire - Fluides, Interfaces Liquides & Micro-Systèmes - IEMN (AIMAN-FILMS - IEMN)

Subjects
Materials science, Yttrium iron garnet, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, chemistry.chemical_compound, [SPI]Engineering Sciences [physics], Coupling effect, Ferroelectric and antiferroelectric ceramics, 0103 physical sciences, Antiferroelectricity, Ceramic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, multiferroic heterostructures, [SPI.ACOU]Engineering Sciences [physics]/Acoustics [physics.class-ph], 010302 applied physics, [PHYS]Physics [physics], Condensed matter physics, Heterojunction, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, converse magneto electric coefficient, Ferromagnetism, chemistry, magnetic film, visual_art, visual_art.visual_art_medium, Magnetic films, 0210 nano-technology
Abstract

Joint IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics and 14th European Meeting on FerroelectricitySession TuORiv3BC - ISAF1-MultiFerro & MagnetoElec II; International audience; The magnetoelectric properties of laminated heterostructures consisting of ferromagnetic yttrium iron garnet (YIG) films deposited on antiferroelectric (AFE) (Pb0.97La0.02)(Zr0.6Sn0.3Ti0.1)O3 (PLZST) and on ferroelectric (FE) 0.75Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.25Pb(Zr0.48Ti0.52)O3 (PMN-PZT) ceramics are compared in this work. In particular, the Converse Magneto Electric (CME) coefficient is evaluated for these two types of structures. When the electric field is applied on an AFE ceramic, the CME coefficient peaks at the switching field and, without bias magnetic field, the maximum value is 11.6 × 10-8 s/m. In case of a FE ceramic, at the electric coercive field, the CME coefficient can reach 17 × 10-8 s/m at 0 Oe. Each structure has advantages and disadvantages depending on the applications.

Published
2020

31. Ferroelectric Phase Transition, Interfaces Quality, and Stress Evolution of TiOx /Ba xSr1−xTiO3 Structures

Author

Ghalem, Areski, Ponchel, Freddy, Remiens, Denis, Lasri, Tuami, Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN (MAMINA - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 (IEMN-DOAE), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), and Microtechnology and Instrumentation for Thermal and Electromagnetic Characterization - IEMN (MITEC - IEMN)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience; Ba(Sr,Ti)O3 material presents a remarkable property that lies in the possibility to change the permittivity by applying a dc electric field, i.e., BST is a tunable material. That makes BST a very interesting material for the development of reconfigurable devices in microelectronics. In this study, we focus our work on Ba(Sr,Ti)O3 with Ba/Sr = 30/70, the films are deposited by radio-frequency magnetron sputtering on Al2O3 (0001). A buffer layer of TiOx is used to control the film orientation. The influence of this buffer layer on the dielectric properties, the interfaces quality with respect to the film thickness, and the temperature is analyzed. An increase of 30% of the relative permittivity was measured and a tunability of 50% was attained at 300 KV/cm. The dielectric measurements on BST/TiOx as a function of the temperature show a shift of the Curie temperature (Tc = −40°C) in comparison to BST without TiOx layer (Tc = −80°C). We demonstrate that the Curie temperature does not correspond to the maximum permittivity. The important stress measured on the films (930 MPa) could explain this behavior.

Published
2015

37. 1 – 20 GHz kΩ -range BiCMOS 55 nm Reflectometer

Author

Maris Ferreira, Pietro, Donche, Cora, Haddadi, Kamel, Lasri, Tuami, Quemerais, Thomas, Dambrine, Gilles, Gloria, Daniel, Gaquière, Christophe, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), and Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)

Subjects
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract

International audience; Scanning m icrowave microscope (SMM) combines the high spatial resolution with the high-sensitivity electric measurement capabilities of a vector network analyzer (VNA). SMM has been pointed out as very well suited for nanodevices characterization. In recent publications, SMM has demonstrated high performance while measuring kΩ-range impedances at low microwave frequency range (1-20 GHz). In spite of exceptional results, interferometry-based systems are so far hardly feasible as an integrated circuit due to physical constraints. In this work, an innovative design of integrated reflectometer based on BiCMOS 55 nm technology from STMicroelectronics is proposed. Electrical simulation results have proved a linear tuner calibration from 0.9 to 1.4 fF with an 8-bits precision (i.e. 2.0 aF). Reflectometer performance has been considered under influence of temperature variation from -55 to 125 °C and process variability. Such results demonstrate a slight influence of temperature variation and process variability in the reflectometer calibration which is negligible for SMM applications.

Published
2014

38. 1-20 GHz k Omega-range BiCMOS 55 nm Reflectometer

Author

Ferreira, Pietro M., Donche, Cora, Haddadi, Kamel, Lasri, Tuami, Dambrine, Gilles, Gaquière, Christophe, Quemerais, Thomas, Gloria, Daniel, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN (CSAM - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut TELECOM/TELECOM Lille1, Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Microtechnology and Instrumentation for Thermal and Electromagnetic Characterization - IEMN (MITEC - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Advanced NanOmeter DEvices - IEMN (ANODE - IEMN), Puissance - IEMN (PUISSANCE - IEMN), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), and STMicroelectronics

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience; Scanning microwave microscope (SMM) combines the high spatial resolution with the high-sensitivity electric measurement capabilities of a vector network analyzer (VNA). SMM has been pointed out as very well suited for nanodevices characterization. In recent publications, SMM has demonstrated high performance while measuring kO-range impedances at low microwave frequency range (1-20 GHz). In spite of exceptional results, interferometry-based systems are so far hardly feasible as an integrated circuit due to physical constraints. In this work, an innovative design of integrated reflectometer based on BiCMOS 55 nm technology from STMicroelectronics is proposed. Electrical simulation results have proved a linear tuner calibration from 0.9 to 1.4 fF with an 8-bits precision (i.e. 2.0 aF). Reflectometer performance has been considered under influence of temperature variation from -55 to 125 degrees C and process variability. Such results demonstrate a slight influence of temperature variation and process variability in the reflectometer calibration which is negligible for SMM applications.

Published
2014

39. Contribution à la réalisation d'antennes patch à partir de polyaniline chargée de nanotubes de carbone

Author

Hamouda, Z., Wojkiewicz, J.L., Pul, A.A., Belaabed, B., Bergheul, S., Lasri, Tuami, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire des Sciences Aéronautiques, Université de Saâd Dahlab [Blida] (USDB ), École des Mines de Douai (Mines Douai EMD), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut of Bioorganic Chemistry and Petrochemistry of NASU, National Academy of Sciences of Ukraine (NASU), Ecole supérieure des techniques aéronautiques (ESTA), École Supérieure des Technologies et des Affaires (ESTA), and Université Saâd Dahlab Blida 1 (UB1)

Abstract

Cet article présente la simulation d'une antenne patch réalisée à partir de polymères conducteurs (polyaniline) chargés par des nanotubes de carbone (NTC). Ce type d'antennes possède des propriétés électriques et mécaniques intéressante pour une utilisation dans des applications à faible coût nécessitant des propriétés de flexibilité. Les antennes ont été conçues à partir de deux types de substrats : la première est un 'verre époxy' de type FR4 ayant une permittivité relative εr =4.4, le second est un RT/Duroid 5870 de permittivité relative εr=2.32 à la fréquence 4.5GHz. La géométrie choisie pour les patchs est rectangulaire. Deux antennes patch en cuivre font office de référence et le polymère conducteur utilisé (PANI/NTC) présente une conductivité de 4500 s/m. Nous montons que les paramètres de rayonnement des antennes patch dépendent très fortement de la forme géométrique du patch (PANI/NTC) et des caractéristiques des substrats utilisés.

Published
2014

40. Transition de phase et propriétés diélectriques de films de Ba(0.3)Sr(0.7)TiO3 déposés sur Al2O3 avec une couche tampon de TiO2

Author

Ghalem, Areski, Ponchel, Freddy, Remiens, Denis, Lasri, Tuami, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Abstract

Dans cet article, nous proposons l'étude des propriétés diélectriques ainsi que l'évolution de la transition de phase des films de Ba(0.3)Sr(0.7)TiO3 déposés par pulvérisation cathodique sur un substrat de saphir muni d'une couche tampon de TiO2 afin de contrôler l'orientation des films.

Published
2014

41. Conception d'un filtre accordable à partir de films minces ferroélectriques

Author

Ghalem, Areski, Ponchel, Freddy, Remiens, Denis, Lasri, Tuami, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Abstract

Au sein de cet article, un filtre agile en fréquence utilisant des capacités ferroélectriques a été réalisé. Les capacités interdigitées (IDC) sont réalisées à partir de films minces ferroélectrique de titanate de baryum et de strontium (BST). Après la caractérisation hyperfréquence des capacités, celles-ci ont été introduite au sein d'un filtre de topologie Hairpin. Les mesures montrent un décalage de la fréquence centrale de 3,5 GHz (sous champ nul) à 3,9 GHz (sous un champ de 300 kV/cm) ce qui correspond à une accordabilité de 11,4%.

Published
2014

42. Microscopie champ proche micro-ondes pour la caractérisation de liquides

Author

Gu, Sijia, Haddadi, Kamel, Lasri, Tuami, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Abstract

Une plate-forme de microscopie champ proche micro-ondes pour la caractérisation de liquides est proposée. La technique est basée sur l'association d'un analyseur de réseau micro-ondes et d'une sonde coaxiale évanescente. Le principe du système proposé est basé sur le développement d'un réseau d'adaptation large bande ajustable inséré entre le port de test de l'analyseur de réseau et la sonde. Le réseau d'adaptation qui repose sur une technique interférométrique donne la possibilité d'atteindre un fort couplage électromagnétique entre la pointe de la sonde et de liquides à caractériser dans la plage de 1 à 20 GHz. A titre de démonstration nous proposons d'étudier le suivi de l'évaporation de petits volumes de liquides.

Published
2014

43. Three-Paths Microwave Inteferometric System Based on a Six-Port technique

Author

Haddadi, Kamel, Lasri, Tuami, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Microtechnology and Instrumentation for Thermal and Electromagnetic Characterization - IEMN (MITEC - IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience; This paper presents a new type of six-port instrument to meet the specific needs of electrical characterization tools for impedances clearly different than the standard 50 Omega reference impedance. A method is developed for the precise adjustment of the reference impedance of the measurement system to any complex impedance value. A proof-of-concept system based on the association of a four-port network analyzer associated to an original three-paths additive mixing architecture is developed in the frequency range 1-10 GHz to validate the approach proposed.

Published
2013

47. Broadband microwave interferometry for non destructive evaluation

Author

Haddadi, Kamel, Lasri, Tuami, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Microtechnology and Instrumentation for Thermal and Electromagnetic Characterization - IEMN (MITEC - IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], nondestructive testing, near-field microwave microscopy, interferometry, evanescent probe
Abstract

A broadband microwave interferometric technique for scanning near-field microscopy applications is proposed. The method is based on the association of a vector network analyzer, a hybrid coupler, an evanescent microwave coaxial probe and a precise impedance tuner built up with a high precision programmable delay line and a variable motor-driven attenuator. Advantages such as simplicity of operation, broad frequency band capabilities and high measurement sensitivity are achieved. In particular, the measurement sensitivity, the depth and lateral resolutions of the microwave microscope are experimentally verified to evaluate the performances of the system. The usefulness and versatility of the method make it also suited for a wide range of applications.

Published
2013

48. High frequency characterization at the nanoscale

Author

Haddadi, Kamel, Dambrine, Gilles, Happy, Henri, Théron, Didier, Lasri, Tuami, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

49. Réalisation de capacités interdigitées à partir de filmes minces ferroélectriques dans le domaine de fréquence RF et millimétrique

Author

Ghalem, Areski, Ponchel, Freddy, Wu, Ming, Remiens, Denis, Lasri, Tuami, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Abstract

Dans cet article, nous décrivons la conception et la caractérisation de capacités interdigitées réalisées à partir de films minces ferroélectriques. Après une caractérisation structurale puis diélectrique du film de Ba0.3Sr0.7TiO3 jusqu'à 67 GHz, la conception des capacités interdigitées (IDC) nous a permis de conclure que celles-ci présentent une accordabilité de 35% à 5GHz et 32 % à 67 GHz sous 150 kV / cm.

Published
2013

50. Electric field tuning of magnetism in heterostructure of yttrium iron garnet film/lead magnesium niobate-lead zirconate titanate ceramic.

Author

Wang, Genshui, Zhang, Wenbin, Dong, Xianlin, Lian, Jianyun, Chen, Ying, Ponchel, Freddy, Tiercelin, Nicolas, Rémiens, Denis, Lasri, Tuami, and Pernod, Philippe

Subjects
MAGNETOELECTRONICS, MAGNETOELECTRIC effect, YTTRIUM iron garnet, HETEROSTRUCTURES, FERROMAGNETIC materials
Abstract

In this paper, the converse magnetoelectric (CME) effect by electric field tuning of magnetization in an original heterostructure composed of a polycrystalline yttrium iron garnet (YIG) film and a lead magnesium niobate-lead zirconate titanate (PMN-PZT) ceramic is presented. The magnetic performances of the YIG films with different thicknesses under a DC electric field applied to the PMN-PZT ceramics and a bias magnetic field are investigated. All the magnetization-electric field curves are found to be in good agreement with the butterfly like strain curve of the PMN-PZT ceramic. Both the sharp deformation of about 2.5‰ of PMN-PZT and the easy magnetization switching of YIG are proposed to be the reasons for the strongest CME interaction in the composite at the small electric coercive field of PMN-PZT (4.1 kV/cm) and the small magnetic coercive field of YIG (20 Oe) where the magnetic susceptibility reaches its maximum value. A remarkable CME coefficient of 3.1 × 10−7 s/m is obtained in the system with a 600 nm-thick YIG film. This heterostructure combining multiferroics and partially magnetized ferrite concepts is able to operate under a small or even in the absence of an external bias magnetic field and is more compact and power efficient than the traditional magnetoelectric devices. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2018
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