Author: "Folliot, Hervé" - Searchworks@Jio Institute Digital Library Search Results

Your search keyword '"Folliot, Hervé"' showing total 116 results

Start Over Author "Folliot, Hervé"

116 results on '"Folliot, Hervé"'

1. Heating-Enhanced Dielectrophoresis for Aligned Single-Walled Carbon Nanotube Film of Ultrahigh Density

Author: Gu, Qingyuan, Guezo, Maud, Folliot, Hervé, Batte, Thomas, Loualiche, Slimane, and Stervinou, Julie
Published: 2017
Full Text: View/download PDF

2. Photonics based on carbon nanotubes

Author: Gu, Qingyuan, Gicquel-Guézo, Maud, Loualiche, Slimane, Pouliquen, Julie Le, Batte, Thomas, Folliot, Hervé, Dehaese, Olivier, Grillot, Frederic, Battie, Yann, Loiseau, Annick, Liang, Baolai, and Huffaker, Diana
Published: 2013
Full Text: View/download PDF

3. Through investigation of mode-coupling in VECSELs: towards robust dual-frequency operation of a single-axis laser

Author: Alouini, Mehdi, Brevalle, Gaëlle, Pes, Salvatore, Paranthoen, Cyril, Perrin, Mathieu, Levallois, Christophe, Hamel, Cyril, Folliot, Hervé, Vallet, Arthur, Chusseau, Laurent, Mereuta, Alexandru, Caliman, Andrei, Kapon, Elyahou, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Abstract: International audience; The coupling constant C, as defined by Lamb, is an important physical parameter in multimode lasers as it governs the dynamics of coupled modes. In dual-mode lasers, C rules the stability condition as well as the robustness of dual-mode operation. As far as semiconductor disks are considered, a slight spatial separation between the two modes is usually introduced in order to reduce C leading to stringent shaping of the pump. Single axis laser is thus highly desired provided that the coupling constant is reduced or at least its spectral dependence is mastered. In this framework, the use of QD active media is expected to be a way forward as recently predicted theoretically. More recently, we performed the first direct measurement of C and its wavelength dependence in InGaAlAs-QW active medium by embedding the experiment within the laser oscillator itself. Thus, the wavelengths of the two modes can be tuned independently while simultaneous oscillation and perfect spatial overlap of the two modes are maintained. C is found to be significantly high, i.e., C = 0.84±0.02. More importantly, while the cross-to-self-saturation coefficients evolve with respect to wavelength, C is proven to remain constant for mode-frequency-differences ranging from 45 GHz up to 1.35 THz. This major result proves that the coupling constant, originally introduced by Lamb for gas lasers, is still a relevant physical parameter in semiconductor lasers. The reduction of C using lower dimensionality gain structures such as Quantum-Dash and Quantum-Dot active media is under investigation experimentally.
Published: 2020

4. Direct measurement of the spectral dependence of Lamb coupling constant in a dual frequency quantum well-based VECSEL

Author: Brévalle, Gaëlle, Pes, Salvatore, Paranthoen, Cyril, Perrin, Mathieu, Levallois, Christophe, Hamel, Cyril, Mereuta, Alexandru, Caliman, Andrei, Kapon, Eli, Vallet, Arthur, Chusseau, Laurent, Folliot, Hervé, Alouini, Mehdi, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Radiations et composants (RADIAC), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Agence Nationale de la Recherche (ANR) ANR-SNSF IDYLIC project, grant ANR-15-CE24-0034-01, Swiss National Science Foundation (SNSF), ANR-15-CE24-0034,IDYLIC,Etudes des boites quantiques au sein de lasers à émission verticale et en cavité externe sous injection électrique pour la réalisation d'émetteurs bi-fréquence cohérent et compact(2015), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: noise, [SPI]Engineering Sciences [physics], semiconductor-laser, Physics::Optics, gain, nm
Abstract: Spectral dependence of Lamb coupling constant C is experimentally investigated in an InGaAlAs Quantum Wells active medium. An Optically-Pumped Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser is designed to sustain the oscillation of two orthogonally polarized modes sharing the same active region while separated in the rest of the cavity. This laser design enables to tune independently the two wavelengths and, at the same time, to apply differential losses in order to extract without any extrapolation the actual coupling constant. C is found to be almost constant and equal to 0.84 +/- 0.02 for frequency differences between the two eigenmodes ranging from 45 GHz up to 1.35 THz. (C) 2019 Optical Society of America under the terms of the OSA Open Access Publishing Agreement
Published: 2019
Full Text: View/download PDF

5. Structural & Spectroscopic Study of InAs/InP Quantum Dots for Dual-Frequency Laser Engineering

Author: Brévalle, Gaëlle, Perrin, Mathieu, Paranthoen, Cyril, Levallois, Christophe, Léger, Yoan, Folliot, Hervé, Alouini, Mehdi, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), ANR-15-CE24-0034,IDYLIC,Etudes des boites quantiques au sein de lasers à émission verticale et en cavité externe sous injection électrique pour la réalisation d'émetteurs bi-fréquence cohérent et compact(2015), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Abstract: National audience; Nous développons un nouveau type de dispositif photonique consistant en une source laser bi-fréquence unique, combinant à la fois haute finesse spectrale, faible bruit et haute puissance, en vue de bénéficier de fréquence de battement dans le régime THz. L’originalité réside dans l’utilisation conjointe d’une architecture de type VECSEL (Vertical External Cavity Surface Emitting Laser) et d’une zone active à boites quantiques InAs/InP, présentant un gain avec un fort caractère inhomogène. Dans ce cadre, il est nécessaire de jouer sur la densité et la largeur homogène des boites quantiques. Nous montrons ici via des caractérisations spectroscopiques (photoluminescence et saturation du gain) et structurales comment ces paramètres peuvent être contrôlés.
Published: 2018

6. Guided Photoluminescence from Integrated Carbon-Nanotube-Based Optical Waveguides

Author: Bodiou, Loïc, Gu, Qingyuan, Guezo, Maud, Delcourt, Enguerran, Batté, Thomas, Lemaitre, Jonathan, Lorrain, Nathalie, Guendouz, Mohamed, Folliot, Hervé, Charrier, Joël, Mistry, Kevin, Larsen, B, Blackburn, Jeffrey, Doualan, Jean-Louis, Braud, Alain, Camy, Patrice, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, National Renewable Energy Laboratory (NREL), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), DE-AC36-08GO28308, Solar Photochemistry Program of the U.S. Department of Energy, Office of Science, Basic Energy Sciences, Division of Chemical Sciences, Geosciences and Biosciences, Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Photoluminescence, Materials science, Physics::Optics, Nanotechnology, Carbon nanotube, law.invention, Condensed Matter::Materials Science, Polyfluorene, chemistry.chemical_compound, law, General Materials Science, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Thin film, [PHYS]Physics [physics], Multi-mode optical fiber, Silicon photonics, silicon photonics, carbon nanotubes, Ridge waveguides, business.industry, Mechanical Engineering, waveguides, Optical properties of carbon nanotubes, chemistry, Mechanics of Materials, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, photoluminescence, business
Abstract: International audience; Thin films and ridge waveguides based on large-diameter semiconducting single-wall carbon nanotubes (s-SWCNTs) dispersed in a polyfluorene derivative are fabricated and optically characterized. Ridge waveguides are designed with appropriate dimensions for single-mode propagation at 1550 nm. Using multimode ridge waveguides, guided s-SWCNT photoluminescence is demonstrated for the first time in the near-infrared telecommunications window.
Published: 2015
Full Text: View/download PDF

7. Investigation of a Quantum Dot Vertical External-Cavity Surface-Emitting Laser: Towards THz Frequency Generation

Author: Brévalle, Gaëlle, Perrin, Mathieu, Paranthoën, Cyril, Levallois, Christophe, Léger, Yoan, Folliot, Hervé, Alouini, Mehdi, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-15-CE24-0034,IDYLIC,Etudes des boites quantiques au sein de lasers à émission verticale et en cavité externe sous injection électrique pour la réalisation d'émetteurs bi-fréquence cohérent et compact(2015), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: Bi-fréquence, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.QPHY]Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph], BQs InAs/InP, Spectral Hole Burning, VECSEL, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: National audience; Nous proposons un nouveau type de dispositif photonique permettant de concevoir une source laser bi-fréquence unique, combinant à la fois haute finesse spectrale, faible bruit et haute puissance, en vue de bénéficier de fréquence de battement dans le régime THz. L'originalité réside dans l'utilisation conjointe d'une architecture de type VECSEL (Vertical External Cavity Surface Emitting Laser) et d'une zone active à boites quantiques InAs/InP, présentant un gain avec un fort caractère inhomogène. Son développement s'appuie sur des caractérisations spectroscopiques (photoluminescence, saturation du gain) et structurales dont nous présentons les résultats préliminaires.
Published: 2017

8. Quantum Dash-based Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser on InP

Author: Pes, Salvatore, Levallois, Christophe, Paranthoen, Cyril, Chevalier, Nicolas, Hamel, Cyril, Gomez, Carmen, Harmand, Jean-Christophe, Bouchoule, Sophie, Folliot, Hervé, Alouini, Mehdi, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR, DGA, Région Bretagne, ANR-14-ASTR-0007,HYPOCAMP,Lasers à cavités verticales accordables hybrides , contrôlées en polarisation et entièrement monolithiques pour la conception systèmes optiques et micro-ondes embarqués et compacts.(2014), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)
Subjects: Semiconductor disk laser, Laser linewidth, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Vertical External Cavity Surface-Emitting Lasers, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], VECSEL, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, InP based devices, Quantum dash laser, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience; An Optically-Pumped InAs Quantum Dash-based Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser (OP-QDH-VECSEL) on InP is demonstrated. In multi-mode operation, the device emits up to 163 mW at T=20°C (pump limited) in the 1615-1628 nm wavelength range. When forced to oscillate in the single-frequency regime, it shows a maximum output power of 7.9 mW at 1610 nm, for a T=19.5°C. The emitted light is linearly polarized along the QDH growth direction ([1-10] crystallographic axis). The single-frequency linewidth of the OP-QDH-VECSEL has been estimated to 22 kHz, for a cavity length of 49 mm.
Published: 2017

9. Direct Integration of Red‐NIR Emissive Ceramic‐like AnM6Xi8Xa6 Metal Cluster Salts in Organic Copolymers Using Supramolecular Interactions

Author: Robin, Malo, primary, Dumait, Noée, additional, Amela‐Cortes, Maria, additional, Roiland, Claire, additional, Harnois, Maxime, additional, Jacques, Emmanuel, additional, Folliot, Hervé, additional, and Molard, Yann, additional
Published: 2018
Full Text: View/download PDF

10. Enhancement of VCSEL performances with a new bonding process

Author: Pes, Salvatore, Taleb, Fethallah, Paranthoen, Cyril, Levallois, Christophe, Chevalier, Nicolas, De Sagazan, Olivier, Folliot, Hervé, Alouini, Mehdi, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR, DGA, Région Bretagne, IEMN - Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie UMR CNRS 8520, ANR-14-ASTR-0007,HYPOCAMP,Lasers à cavités verticales accordables hybrides , contrôlées en polarisation et entièrement monolithiques pour la conception systèmes optiques et micro-ondes embarqués et compacts.(2014), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1)
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], optoelectronics, InP, Physics::Optics, wafer bonding, VCSEL, laser, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, cleanroom, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Thermal management, fabrication process, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: National audience; The development of power efficient vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) in the 1.55µm range, with relatively high output power (>1mW) and enhanced thermal dissipation is still challenging, but would represent a real breakthrough for the scientific community, with important perspectives in different areas of fundamental research and applied physics (WDM and FTTH networks, gas sensing and deformation detectors, microwaves, etc.). In this context, a novel bonding technique is presented in this work. This technique, named Through Silicon Holes Electroplated Copper (TSHEC) process, has been validated in the case of quantum wells-based optically-pumped vertical-cavity surface-emitting lasers (QW-OP-VCSELs), where an emission power exceeding 2mW at 20°C has been obtained for a device integrating bottom hybrid Bragg mirrors of 20µm of diameter.
Published: 2016

11. Class-A operation of an optically-pumped 16 µm-emitting quantum dash-based vertical-external-cavity surface-emitting laser on InP

Author: Pes, Salvatore, primary, Paranthoën, Cyril, additional, Levallois, Christophe, additional, Chevalier, Nicolas, additional, Hamel, Cyril, additional, Audo, Kevin, additional, Loas, Goulc’hen, additional, Bouhier, Steve, additional, Gomez, Carmen, additional, Harmand, Jean-Christophe, additional, Bouchoule, Sophie, additional, Folliot, Hervé, additional, and Alouini, Mehdi, additional
Published: 2017
Full Text: View/download PDF

12. Design and Integration in Electro-Optic Devices of Highly Efficient and Robust Red-NIR Phosphorescent Nematic Hybrid Liquid Crystals Containing [Mo6I8(OCOCnF2n+1)6]2− (n = 1, 2, 3) Nanoclusters

Author: Prévôt, Marianne, Amela-Cortes, Maria, Manna, Sumann, Lefort, Ronan, Cordier, Stéphane, Folliot, Hervé, DUPONT, Laurent, Molard, Yann, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Département Optique (OPT), Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Télécom Bretagne-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), This work has been done in the frame of ANR Clustomesogen: ANR-13-BS07–0003–01 and fond de maturation FEDER Région Bretagne.Both organisms are acknowledged. Authors wish to thank Dr. F. Artznerand C. Mériadec for SAXS measurements and Dr. F. Camerel for DSC access., ANR-13-BS07-0003,CLUSTOMESOGEN,Cristaux liquides hybrides organiques-inorganiques luminescents contenant des clusters octaédriques de métaux de transition(2013), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], liquid crystals, hybrid materials, photoluminescence, electro-optic materials
Abstract: International audience; By combining [Mo6I8(C n F2n+1COO)6]2- (n = 1, 2, 3) nanocluster units with liquid crystalline ammonium cations, a new series of hybrid materials is developed that show a nematic liquid crystal phase, the most fluid of all LC phase, on a large range of temperatures including room temperature. The photophysical studies performed in the LC state show that these self-assembled hybrid materials emit in the red-NIR with absolute quantum yields up to 0.7 and show a very good photostability under continuous irradiation. They are further integrated up to 20 wt% in E7, a well-known nematic commercial LC mixture. Mixtures are investigated in terms of homogeneity and stability to select the best suitable candidate for the design of electro-controlled devices. Studies of optical switching, contrast, viscosity, and behavior toward an electrical stimulus demonstrate the high potential of these hybrid materials in the fields of photonic or optoelectronic.
Published: 2015
Full Text: View/download PDF

13. Inside Back Cover: Photoluminescence: Design and Integration in Electro-Optic Devices of Highly Efficient and Robust Red-NIR Phosphorescent Nematic Hybrid Liquid Crystals Containing [Mo6I8(OCOCnF2n+1)6]2- (n = 1, 2, 3) Nanoclusters (Adv. Funct. Mater. 31/2015)

Author: Prévôt, Marianne, Amela-Cortes, Maria, Manna, Sumann K., Lefort, Ronan, Cordier, Stéphane, Folliot, Hervé, DUPONT, Laurent, Molard, Yann, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Département Optique (OPT), Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Télécom Bretagne-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-13-BS07-0003,CLUSTOMESOGEN,Cristaux liquides hybrides organiques-inorganiques luminescents contenant des clusters octaédriques de métaux de transition(2013), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: liquid crystals, hybrid materials, [CHIM]Chemical Sciences, photoluminescence, electro-optic materials
Abstract: International audience; As shown by L. Dupont, Y. Molard, and co-workers on page 4966, the functionalization of [Mo6I8(CnF2n+1COO)6]2− (n = 1, 2, 3) red–near-infrared phosphorescent nanocluster units with specific organic cations leads to a nematic liquid crystalline material that can be homogeneously mixed with E7 commercial liquid crystal. Integration in electro-controlled devices modulates the cluster photoluminescence intensity, demonstrating the potential of these hybrid materials for photonic or optoelectronic applications.
Published: 2015
Full Text: View/download PDF

14. Etudes et caractérisations de V(E)CSELs émettant à 1.55 µm sur InP

Author: Pes, Salvatore, Taleb, Fethallah, Paranthoen, Cyril, Levallois, Christophe, Chevalier, Nicolas, Alouini, Mehdi, Folliot, Hervé, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), DGA / ARED, Société Française d'Optique (SFO), ANR-14-ASTR-0007,HYPOCAMP,Lasers à cavités verticales accordables hybrides , contrôlées en polarisation et entièrement monolithiques pour la conception systèmes optiques et micro-ondes embarqués et compacts.(2014), Pes, Salvatore, Accompagnement spécifique des travaux de recherches et d’innovation défense - Lasers à cavités verticales accordables hybrides , contrôlées en polarisation et entièrement monolithiques pour la conception systèmes optiques et micro-ondes embarqués et compacts. - - HYPOCAMP2014 - ANR-14-ASTR-0007 - ASTRID - VALID, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, TSHEC process, [SPI] Engineering Sciences [physics], FEM simulations, [PHYS] Physics [physics], VCSELs Lasers à Cavité Verticale à Emission par la Surface, [SPI]Engineering Sciences [physics], photonic integration, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, thermal management, VECSELs
Abstract: The development of vertical-(external)-cavity surface-emitting lasers (V(E)CSELs) in the NIR range is still challenging but would represent a real breakthrough for the scientific community, with important perspectives in different areas of fundamental research and applied physics (WDM and FTTH networks, toxic/explosive gas and deformation detectors, biomedical, microwaves, RADAR/LIDAR, THz sources, etc). Here, a study for the realization and optimization of V(E)CSEL devices is presented, together with some preliminary results. Particularly, the integration of nanostructures-based active region (such as quantum dashes, QDHs) and its unconventional performances (in terms of polarizations stability, temperature insensitivity and wide spectral gain) are investigated. Thermal optimization in External-cavity VCSEL through FEM simulation is also presented. Finally, VECSEL coupling constant measurement are described, in the case of QW/QDH-based active regions., Une étude de la gestion du budget thermique sur des structures OP-V(E)CSELs (Optically-Pumped Vertical-(External)-Cavity Surface-Emitting Lasers) sur InP est présentée. Deux solutions technologiques différentes sont comparées à l’aide de simulations par éléments finis (FEM). La première est basée sur le report de la région active sur substrat hôte et sur l’intégration des DBR hybrides et de dissipateurs de Cu localisés, tandis que la deuxième a recours à des miroirs de Bragg GaAs/AlAs à hautes conductivités thermiques, reportés sur des substrats diamant. Les simulations, corrélées par des mesures expérimentales, montrent que la première solution est bien adaptée au cas des VCSEL en cavité courte qui présentent des petits diamètres de pompage (< 50µm). En revanche, la deuxième solution s’avère plus intéressante dans le cas des VECSELs où la présence d’un grand diamètre de mode est accompagnée d’une montée en température imposant l’utilisation de stratégies de dissipation thermique plus efficaces.
Published: 2015

15. Carbon nanotubes incorporated-hybrid waveguides for photonics applications

Author: Bodiou, Loïc, Charrier, Joël, Lemaitre, Jonathan, Delcourt, Enguerran, Bosc, Dominique, Guézo, Maud, Batte, Thomas, Gu, Qingyuan, Le Pouliquen, Julie, Folliot, Hervé, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, RTR SISCom, GO-NTC, Bodiou, Loic, Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Condensed Matter::Materials Science, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, carbon nanotubes, Computer Science::Computational Engineering, Finance, and Science, integrated optics, Physics::Atomic and Molecular Clusters, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Physics::Optics, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], hybrid waveguides
Abstract: International audience; Semiconducting carbon nanotubes (CNT) exhibit large nonlinear- and strong quasi-one dimensional excitonic optical properties. Their integration in integrated waveguides could lead to very efficient light-emitting devices or optical signal processing functions. We described the fabrication and optical characterization of hybrid planar waveguides incorporating CNT. Ways of further enhancing light interaction with the CNT namely ridge waveguides processing and CNT alignment are also presented.
Published: 2014

16. Class-A Operation of InAs Quantum Dash-based Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser

Author: Pes, Salvatore, primary, Audo, Kevin, additional, Paranthoën, Cyril, additional, Levallois, Christophe, additional, Chevalier, Nicolas, additional, Loas, Goulc’hen, additional, Bouhier, Steve, additional, Hamel, Cyril, additional, Gomez, Carmen, additional, Harmand, Jean-Christophe, additional, Bouchoule, Sophie, additional, Folliot, Hervé, additional, and Alouini, Mehdi, additional
Published: 2017
Full Text: View/download PDF

17. Transition metal clusters containing luminescent hybrid liquid crystal in the design of electroswitchable devices

Author: Prévôt, Marianne, AMELA-CORTES, M-A, Cordier, Stéphane, Folliot, Hervé, DUPONT, Laurent, Molard, Yann, Télécom Bretagne (devenu IMT Atlantique), Ex-Bibliothèque, Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Département Optique (OPT), Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Télécom Bretagne-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne
Subjects: [PHYS]Physics [physics], Liquid crystal, [CHIM] Chemical Sciences, [CHIM]Chemical Sciences, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS] Physics [physics]
Abstract: International audience
Published: 2014

18. Boîtes quantiques semi-conductrices : relation entre morphologie, structure électronique et propriétés optiques

Author: Cornet, Charles, Turban, Pascal, Robert, Cédric, Tricot, Sylvain, Perrin, Mathieu, Folliot, Hervé, Even, Jacky, Jancu, Jean-Marc, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Durand, Olivier, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), C'nano NANOTRANS, Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Boyer, Soline
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2013

19. Carrier lifetime and relaxation dynamics in (In)GaAs/GaP quantum dots

Author: Robert, Cédric, Perrin, Mathieu, Cornet, Charles, Barate, Philippe, Balocchi, Andrea, Marie, Xavier, Folliot, Hervé, Durand, Olivier, Even, Jacky, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Groupe d'étude des semiconducteurs (GES), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2013

20. InP/InGaAsP Heterostructures for Hot Carrier Solar Cells (HCSC)

Author: Rodière, Jean, Lombez, Laurent, Guillemoles, Jean-Francois, Folliot, Hervé, Durand, Olivier, Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque (IRDEP), EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: Condensed Matter::Materials Science, 13. Climate action, Characterisation, Characterization, Hot Carrier, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, MATERIAL STUDIES, NEW CONCEPTS, ULTRA-HIGH EFFICIENCY AND SPACE TECHNOLOGY, Physics::Optics, Quasi Fermi Level Splitting, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect, 7. Clean energy, New Materials and Concepts for Cells
Abstract: 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 127-128, We investigated a semiconductor heterostructure based on InGaAsP multi quantum wells using optical and electrical characterizations. The optical analysis allows us to probe the potential of such a structure in the scope of hot carrier solar cell device. Using different photoluminescence techniques, the quasi Fermi level splitting μ is estimated as a function of the excitation power. High value of μ is found as well as high carrier temperature. These results are compared to electrical measurements.
Published: 2013
Full Text: View/download PDF

21. gamma-X competition for the optical transition of (In,Ga)As(N)/GaP quantum dots (QDs)

Author: Robert, Cédric, Cornet, Charles, Durand, Olivier, Pereira Da Silva, K., Turban, Pascal, Mauger, S., Nguyen, Thanh Tra, Even, Jacky, Jancu, Jean-Marc, Perrin, Mathieu, Folliot, Hervé, Rohel, Tony, Létoublon, Antoine, Tricot, Sylvain, Balocchi, Andrea, Barate, Philippe, Marie, Xavier, Koenraad, Paul, Alonso M., I., Goñi, Alejandro R., Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB), Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Madrid] (CSIC), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT), Groupe d'étude des semiconducteurs (GES), Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Department of Applied Physics [Eindhoven], Eindhoven University of Technology [Eindhoven] (TU/e), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2013

22. Sb surface mediated growth of InAs on InP(100) and (311)B substrates

Author: Zhao, Yu, Bertru, Nicolas, Folliot, Hervé, Cornet, Charles, Mauger, S., Koenraad, Paul, Gatel, Christophe, Ponchet, Anne, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Department of Applied Physics [Eindhoven], Eindhoven University of Technology [Eindhoven] (TU/e), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2013

23. Γ-X competition in (In,Ga)As/GaP quantum dots (QDs) : effect of QD size and Indium composition

Author: Robert, Cédric, Cornet, Charles, Turban, Pascal, Mauger, S., Nguyen, Thanh Tra, Even, Jacky, Jancu, Jean-Marc, Perrin, Mathieu, Folliot, Hervé, Rohel, Tony, Tricot, Sylvain, Balocchi, Andrea, Lagarde, David, Marie, Xavier, Koenraad, Paul, Bertru, Nicolas, Durand, Olivier, Le Corre, Alain, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Laboratoire de physique et chimie des nano-objets (LPCNO), Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Department of Applied Physics [Eindhoven], Eindhoven University of Technology [Eindhoven] (TU/e), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), and Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2013

24. Direct Integration of Red‐NIR Emissive Ceramic‐like AnM6Xi8Xa6 Metal Cluster Salts in Organic Copolymers Using Supramolecular Interactions.

Author: Robin, Malo, Dumait, Noée, Amela‐Cortes, Maria, Roiland, Claire, Harnois, Maxime, Jacques, Emmanuel, Folliot, Hervé, and Molard, Yann
Subjects: NANOSTRUCTURED materials, HOMOGENEITY, COPOLYMERS, PHOTODYNAMIC therapy, NANOCOMPOSITE materials
Abstract: Abstract: Hybrid nanomaterials made of inorganic nanocomponents dispersed in an organic host raise an increasing interest as low‐cost solution‐processable functional materials. However, preventing phase segregation while allowing a high inorganic doping content remains a major challenge, and usual methods require a functionalization step prior integration. Herein, we report a new approach to design such nanocomposite in which ceramic‐like metallic nanocluster compounds are embedded at 10 wt % in organic copolymers, without any functionalization. Dispersion homogeneity and stability are ensured by weak interactions occurring between the copolymer lateral chains and the nanocluster compound. Hybrids could be ink‐jet printed and casted on a blue LED. This proof‐of‐concept device emits in the red‐NIR area and generates singlet oxygen, O2 (1Δg), of particular interest for lights, display, sensors or photodynamic based therapy applications. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Published: 2018
Full Text: View/download PDF

25. Sb surfactant mediated growth of InAs/AlAsSb quantum wells up to 8 monolayers

Author: Zhao, Yu, Bertru, Nicolas, Folliot, Hervé, Perrin, Mathieu, Boyer-Richard, Soline, Létoublon, Antoine, Rohel, Tony, Gatel, Christophe, Ponchet, Anne, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), CREATE Region Bretagne Ifonolis n°5000, Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: quantum wells, intersubband, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 42.82.Fv, Sb, Molecular beam Epitax
Abstract: We study the effect of Sb mediated growth on InAs layers on AlAsSb on InP substrate. The structural and optical characterisations show that InAs QW of at least 8ML can be grown without elastic relaxation in the presence of Sb on surface. Without Sb, critical thicknesses for Stranski-Krastanov transition thinner than 3ML are usually observed[6]. The achievement of thick InAs QWs on AlAsSb is promising to reach 1.55μm ISB transition, and envisages the elaboration of new devices for optical network.
Published: 2012

26. coherent integration of photonics on silicon through the growth of GaP/Si

Author: Nguyen, Thanh Tra, Robert, Cédric, Cornet, Charles, Guo, Weiming, Létoublon, Antoine, Perrin, Mathieu, Bertru, Nicolas, Even, Jacky, Jancu, Jean-Marc, Chevalier, Nicolas, Folliot, Hervé, Loualiche, Slimane, Durand, Olivier, Le Corre, Alain, Ponchet, Anne, Elias, Georges, Micha, J.-S., Boudet, Nathalie, Turban, Pascal, Balocchi, Andrea, Lagarde, David, Marie, Xavier, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Structures et propriétés d'architectures moléculaire (SPRAM - UMR 5819), Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CRG & Grands instruments (NEEL - CRG), Institut Néel (NEEL), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT), Laboratoire de physique et chimie des nano-objets (LPCNO), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), CRG et Grands Instruments (CRG), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2012

27. Thermoelectric properties of InAs/InP nanostructures

Author: Salman, Salman, Folliot, Hervé, Le Pouliquen, Julie, Chevalier, Nicolas, Rohel, Tony, Paranthoen, Cyril, Le Corre, Alain, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Boyer, Soline, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2011

28. Carrier injection in GaAsP(N)/GaPN Quantum Wells on Silicon

Author: Cornet, Charles, Robert, Cédric, Nguyen, Thanh Tra, Guo, Weiming, Bondi, Alexandre, Elias, Georges, Létoublon, Antoine, Richard, Soline, Burin, Jean-Philippe, Perrin, Mathieu, Jancu, Jean-Marc, Durand, Olivier, Even, Jacky, Loualiche, Slimane, Folliot, Hervé, Bertru, Nicolas, Ponchet, Anne, Le Corre, Alain, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Abstract: International audience; We report efficient carrier injection in GaAsPN/GaPN quantum wells grown on Si. Electroluminescence of GaAsPN/GaPN and GaAsP/GaP quantum wells is first presented. Nitrogen is found to induce large bandgap bowing in the bandstructure as well as spectacular enhancement of radiative quantum efficiency. Tight-binding bandstructure calculations are then presented which reveal N-induced large bandgap modification. N-localised levels are supposed to play significant role in carrier injection inside GaAsPN/GaPN quantum wells while disorder alloying effects also participate to the achievement of such a high quantum efficiency. GaAsP/GaP and GaAsPN/GaPN quantum wells are finally grown on Silicon substrate, very near the GaP/Si interface. High resolution transmision electron microscopy performed on GaAsP/GaP/Si quantum wells indicate good strain status, as well as GaP/Si interface originating defects. Photoluminescence is finally detected at 810 nm up to 230K on silicon substrate from GaAsPN/GaPN quantum wells. This is explained by both a better carrier injection efficiency related to N-localized energy levels as well as a higher quantum efficiency than GaAsP/GaP/Si quantum wells.
Published: 2011

29. Photoluminescence: Design and Integration in Electro-Optic Devices of Highly Efficient and Robust Red-NIR Phosphorescent Nematic Hybrid Liquid Crystals Containing [Mo6I8(OCOCnF2n+1)6]2−(n= 1, 2, 3) Nanoclusters (Adv. Funct. Mater. 31/2015)

Author: Prévôt, Marianne, primary, Amela-Cortes, Maria, additional, Manna, Sumann K., additional, Lefort, Ronan, additional, Cordier, Stéphane, additional, Folliot, Hervé, additional, Dupont, Laurent, additional, and Molard, Yann, additional
Published: 2015
Full Text: View/download PDF

30. Caractérisation dynamique de la stabilité de polarisation des VCSELs a fils quantiques pour la réalisation de sources telecom accordables

Author: Gauthier, Jean-Philippe, Paranthoen, Cyril, Levallois, Christophe, Lamy, Jean-Michel, Folliot, Hervé, Perrin, Mathieu, Dehaese, Olivier, Chevalier, Nicolas, Shuaib, Ahmad, Durand, Olivier, Le Corre, Alain, Castany, Olivier, Dupont, Laurent, Besnard, Pascal, Hao, Zhenyu, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Département Optique (OPT), Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Télécom Bretagne-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Fève, Sylvain, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, accordable, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], polarisation, fils quantiques, VCSEL, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract: Les performances dynamiques des lasers à émission verticale (VCSELs) émettant aux longueurs d'ondes des télécommunications optiques (1.55 µm), et constitués de puits quantiques (PQs) ou de fils quantiques (FQs) sont analysées et comparées. La polarisation optique des VCSELs à PQs apparaît très instable, et peu prédictible. A l'inverse, les VCSELs à FQs présentent une émission laser fortement polarisée d'une grande stabilité.
Published: 2010

31. Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur silicium

Author: Cornet, Charles, Létoublon, Antoine, Guo, Weiming, Bondi, Alexandre, Richard, Soline, Rohel, Tony, Chevalier, Nicolas, Dehaese, Olivier, Tavernier, Karine, Perrin, Mathieu, Jancu, Jean-Marc, Durand, Olivier, Bertru, Nicolas, Even, Jacky, Loualiche, Slimane, Folliot, Hervé, Le Corre, Alain, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Fève, Sylvain
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], silicium, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, photonique, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, semiconducteurs III-V, croissance MBE
Abstract: National audience; L’intérêt d’une croissance hétérogène cohérente et monolithique de semiconducteurs III-V sur substrat de silicium est exposée au regard des composants optoélectroniques visés. Les derniers développements sur la croissance cohérente de GaP sur silicium, et des possibles émetteurs optiques seront présentés.
Published: 2010

32. Design and Integration in Electro-Optic Devices of Highly Efficient and Robust Red-NIR Phosphorescent Nematic Hybrid Liquid Crystals Containing [Mo6I8(OCOCnF2n+1)6]2−(n= 1, 2, 3) Nanoclusters

Author: Prévôt, Marianne, primary, Amela-Cortes, Maria, additional, Manna, Sumann K., additional, Lefort, Ronan, additional, Cordier, Stéphane, additional, Folliot, Hervé, additional, Dupont, Laurent, additional, and Molard, Yann, additional
Published: 2015
Full Text: View/download PDF

33. Réalisation d'une DEL à puits quantiques de GaAsP sur substrat GaP

Author: Bondi, Alexandre, Guo, Weiming, Folliot, Hervé, Cornet, Charles, Chevalier, Nicolas, Tavernier, Karine, Richard, Soline, Moréac, Alain, Le Corre, Alain, Even, Jacky, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Boyer, Soline
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2010

34. Caractérisation dynamique de la stabilité de polarisation des VCSELs à fils quantiques pour les applications télécom

Author: Gauthier, Jean-Philippe, Paranthoen, Cyril, Levallois, Christophe, Lamy, Jean-Michel, Folliot, Hervé, Perrin, Mathieu, Dehaese, Olivier, Chevalier, Nicolas, Shuaib, Ahmad, Durand, Olivier, Le Corre, Alain, Castany, Olivier, DUPONT, Laurent, Besnard, Pascal, Hao, Zhenyu, Télécom Bretagne (devenu IMT Atlantique), Ex-Bibliothèque, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES), Département Optique (OPT), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Télécom Bretagne-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Télécom Bretagne-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Liquid crystals, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Vertical cavity surface emitting laser
Abstract: National audience; Nous proposons ici létude des propriétés dynamiques de la polarisation dun VCSEL (Laser vertical à émission par la surface) à fils quantiques (FQs) InAs/InP, émettant à 1,6 µm. La stabilité de la polarisation en régime dynamique est analysée et comparée à celle des VCSELs à base de puits quantiques (PQs). Tandis qu'on observe de fortes fluctuations de la polarisation sur des structures à base de PQs, la stabilité de polarisation est atteinte sur les VCSELs à FQs, faisant de ces derniers les candidats idéaux pour des réseaux de télécommunication.
Published: 2010

35. Transition fils boites dans le système InAs/InP (100)

Author: Lu, Wei, Alghoraibi, Ibrahim, Elias, Georges, Nakkar, Abdulhadi, Létoublon, Antoine, Rohel, Tony, Folliot, Hervé, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Boyer, Soline, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: stomatognathic diseases, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Abstract: Oral; National audience
Published: 2009

36. Design of InGaAs/InP 1.55μm vertical cavity surface emitting lasers

Author: Lamy, Jean-Michel, Paranthoen, Cyril, Levallois, Christophe, Richard, Soline, Folliot, Hervé, Chevalier, Nicolas, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Physics::Optics, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect
Abstract: International audience; The design of an electrically pumped InGaAs quantum well based vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) on InP substrate is presented. Such optically pumped VCSELs have already been demonstrated. To design electrically pumped VCSEL, three simulations steps are needed: optical simulation gives access to the electric field repartition, to design the active zone and the Bragg mirrors. Thermal simulation is helpful to design metallic contacts while the energy band diagram is obtained by electrical simulation to design the buried tunnel junction useful for carrier injection. All these simulations are compared to experiment.
Published: 2008
Full Text: View/download PDF

37. Effect of lateral coupling on the carrier redistribution in InAs/InP(311)B high dots surface density

Author: Labbé, Christophe, Nakkar, Abdulhadi, Doré, François, Folliot, Hervé, Létoublon, Antoine, Paranthoen, Cyril, Even, Jacky, Loualiche, Slimane, Lagarde, David, Balocchi, Andrea, Marie, Xavier, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Nanophysique Magnétisme et Optoélectronique (LNMO), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT), Sandie European network of excellence, European Project: 26449,SANDIE, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2008

38. Preliminary results for the realization of light emitters on silicon substrate

Author: Bondi, Alexandre, Guo, Weiming, Pedesseau, Laurent, Richard, Soline, Folliot, Hervé, Cornet, Charles, Labbé, Christophe, Le Corre, Alain, Even, Jacky, Moréac, Alain, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut Charles Gerhardt Montpellier - Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux de Montpellier (ICGM ICMMM), Université Montpellier 1 (UM1)-Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier (ENSCM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier (ENSCM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Université Montpellier 1 (UM1)-Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU), Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2008

39. Croissance par MBE de Boites quantiques InP sur GaP/Si

Author: Guo, Weiming, Bondi, Alexandre, Folliot, Hervé, Cornet, Charles, Létoublon, Antoine, Dehaese, Olivier, Le Corre, Alain, Durand, Olivier, Even, Jacky, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, projet CPER PONANT, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Boyer, Soline
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2008

40. Photocurrent study of InAs/GaInAsP(Q1.18) quantum dots

Author: Richard, Soline, Burin, Jean-Philippe, Labbe, Christophe, Cornet, Charles, Folliot, Hervé, Paranthoen, Cyril, Rohel, Tony, Thoumyre, Françoise, Tavernier, Karine, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Abstract: International audience; We present photocurrent measurements of InAs/InGaAsP quantum dots embedded in a PIN diode grown on InP(311)B substrates. From the 300 K spectrum we deduce the ground and first excited states of the dots. Their energies are consistent with photoluminescence spectroscopy. Absorption coefficient was extracted from photocurrent.
Published: 2008
Full Text: View/download PDF

41. Réalisation d'un VCSEL à pompage électrique, accordable en longueurd'onde pour la bande C

Author: Lamy, Jean-Michel, Castany, Olivier, Paranthoën, Cyril, Levallois, Christophe, Nakkar, Abdulhadi, Folliot, Hervé, Dehaese, Olivier, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, DUPONT, Laurent, Sathaye, Kedar, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Lambda Access, ANR-06-TCOM-0024,LAMBDAACCES,Sources laser accordables à cavité verticale pour les réseaux d'accès à très haut débit(2006), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Abstract: L'objectif est de réaliser des lasers à emission verticales à 1.55 µm, accordables en longueur d'onde et à pompage électrique. La structure de ces composants est constituée d'une zone active sur InP, d'une zone d'accordabilité intra-cavité en composaite à cristal liquide et de deux miroirs de Bragg. Cet article présente le process technologique utilisé pour fabriquer ce composant.
Published: 2008

42. Émission de boites quantiques au delà de 1.55 µm

Author: Bertru, Nicolas, Folliot, Hervé, Rohel, Tony, Le Corre, Alain, Lu, Wei, Even, Jacky, Boyer, Soline, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2008

43. Photoluminescence de nanostructures sur substrat GaP/Si

Author: Bondi, Alexandre, Guo, Weiming, Folliot, Hervé, Cornet, Charles, Labbe, Christophe, Richard, Soline, Pedesseau, Laurent, Moréac, Alain, Le Corre, Alain, Even, Jacky, Loualiche, Slimane, Boyer, Soline, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Caen Normandie (UNICAEN), and Normandie Université (NU)
Subjects: GaP/Si, [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Abstract: National audience; Nous reportons des mesures de Photoluminescence de nanostructures GaP/Si obtenues par croissance EJM
Published: 2008

44. Toward a light-emitter on Si: Growth of InAs and InP nanostructure on GaP substrate

Author: Guo, Weiming, Bondi, Alexandre, Alsahwa, Bassem, Cornet, Charles, Létoublon, Antoine, Chevalier, Nicolas, Folliot, Hervé, Le Corre, Alain, Even, Jacky, Loualiche, Slimane, Boyer, Soline, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Lab-STICC_TB_CID_SFIIS, Laboratoire des sciences et techniques de l'information, de la communication et de la connaissance (Lab-STICC), Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Projet CPER PONANT, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), and Université de Brest (UBO)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2008

45. Optical properties and morphology of the quantum dots InAs/InP (311)B characterized by photoluminescence

Author: Nakkar, Abdulhadi, Folliot, Hervé, Le Corre, Alain, Alghoraibi, Ibrahim, Labbé, Christophe, Lamy, Jean-Michel, Cornet, Charles, Loualiche, Slimane, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Sandie european network of excellence, European Project: 26449,SANDIE, Boyer, Soline, Self-Assembled semiconductor Nanostructures for new Devices in photonics and Electronics - SANDIE - 26449 - OLD, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2007

46. InAs quantum dots grown on GaAsSb buffer layer lattice matched on InP

Author: Lu, Wei, Létoublon, Antoine, Bertru, Nicolas, Folliot, Hervé, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Ulloa, J.-M., Koenraad, Paul, Boyer, Soline, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Cobra (COBRA), Eindhoven University of Technology [Eindhoven] (TU/e), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2007

47. Charge carrier redistribution in ordered Arrays of laterally coupled self-assembled quantum dots

Author: Hayne, Manus, Cornet, Charles, Even, Jacky, Labbé, Christophe, Folliot, Hervé, Moshchalkov, V.V., Loualiche, Slimane, INPAC, Pulsed Fields Group (INPAC), Catholic University of Leuven - Katholieke Universiteit Leuven (KU Leuven), Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), european network of excellence Sandie, European Project: 28571,EUROMAGNET, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne, Boyer, Soline, and A coordinated approach to access, experimental development and scientific exploitation of european large infrastructures for high magnetic fields - EUROMAGNET - 28571 - OLD
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2006

48. Dispersion Monitoring for High-Speed WDM Networks via Two-Photon Absorption in a Semiconductor Microcavity

Author: Marciniak, Marian, Maguire, P.J., Bondarczuk, K., Barry, Liam, O'Dowd, John, Guo, W.H., Lynch, M., Bradley, L., Donegan, J.F., Folliot, Hervé, Research Institute for Networks and Communications Engineering (RINCE), Dublin City University [Dublin] (DCU)-Science Foundation Ireland-Enterprise Ireland-Higher Education Authority-School of Electronic Engineering, Semiconductor Photonics Group, Trinity College Dublin, Ireland (SEMICOND. PHOTONICS GROUP, TRINITY COLL., DUBLIN, IRELAND), Trinity College Dublin, Semiconductor Photonics Research Group, Trinity College Dublin-Science Foundation Ireland-Enterprise Ireland-Higher Education Authority, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ulysses PAI, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne
Subjects: Physics, business.industry, Bandwidth (signal processing), Optical communication, Physics::Optics, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Two-photon absorption, 010309 optics, Wavelength, 020210 optoelectronics & photonics, Optics, microcavity, Wavelength-division multiplexing, 0103 physical sciences, Dispersion (optics), [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Optoelectronics, two-photon absorption, Optical filter, business, wavelength division multiplexing, dispersion monitoring, Photonic crystal
Abstract: International audience; Due to the continued demand for bandwidth, network operators have to increase the data rates at which individual wavelengths operate at. As these data rates will exceed 100 Gbit/s in the next 5 – 10 years, it will be crucial to be able to monitor and compensate for the amount of chromatic dispersion encountered by individual wavelength channels. This paper will focus on the use of the novel nonlinear optical-to-electrical conversion process of Two-Photon Absorption (TPA) for dispersion monitoring. By incorporating a specially designed semiconductor microcavity, the TPA response becomes wavelength dependent, thus allowing simultaneous channel selection and monitoring without the need for external wavelength filtering.
Published: 2006
Full Text: View/download PDF

49. Optical characterisation of InAs/InP self-assembled quantum dots for optimisation of lasing properties

Author: Cornet, Charles, Levallois, Christophe, Caroff, Philippe, Joulaud, Laurent, Folliot, Hervé, Labbé, Christophe, Even, Jacky, Le Corre, Alain, Loualiche, Slimane, Hayne, Manus, Moshchalkov, V.V., Celebi, C., Koenraad, Paul, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INPAC, Pulsed Fields Group (INPAC), Catholic University of Leuven - Katholieke Universiteit Leuven (KU Leuven), Cobra (COBRA), Eindhoven University of Technology [Eindhoven] (TU/e), Boyer, Soline, Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2006

50. Low threshold current density (311)B QD lasers

Author: Bertru, Nicolas, Alghoraibi, Ibrahim, Caroff, Philippe, Paranthoën, Cyril, Folliot, Hervé, Le Corre, Alain, Boyer, Soline, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2006

Catalog

Books, media, physical & digital resources

See catalog results

Searchworks

Select search scope, currently: Articles Catalog books, media & more in Jio Institute collections Articles journal articles & other e-resources

Search

Search Constraints

Refine your results

Search Limiters

Topic

Publication Year Range

Language

Publication Type

Journal

Database

Publisher

116 results on '"Folliot, Hervé"'

Search Results

Catalog

Select search scope, currently: Articles

Catalog

books, media & more in Jio Institute collections

Articles

journal articles & other e-resources