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16 results on '"Ferrah, Djawhar"'

5. Effective patterning and cleaning of graphene by plasma etching and block copolymer lithography for nanoribbons fabrication

Author

Arias-Zapata, Javier, FERRAH, Djawhar, Mehedi, Hasan-Al, Cunge, Gilles, Zelsmann, Marc, Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), and Clot, Marielle

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2018

9. Étude des propriétés physio-chimiques d'interfaes par photoémission

Author

FERRAH, Djawhar, FERRAH, Djawhar, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Université de Lyon 1, Geneviève Grenet, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Diffraction des photoélectrons (XPD), Pt/Gd2O3/Si, X-ray Photoelectron Spectroscopy, InP/ SrTiO3, [ PHYS.COND.CM-MS ] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], III-V semiconductor/ high-k oxide interfaces, Photoémission résolue en temps (PTR), [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Au/Si, Semiconducteur III-V épitaxié sur oxyde high-k, Spectroscopie de photoémission (XPS), [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Time-Resolved Photoelectron Spectroscopy, Graphene, Photoemission, X-ray Photoelectron Diffraction
Abstract

The aim of this thesis is to study the physico-chemical properties of interfaces by photoemission spectroscopy (XPS), photoelectron diffraction (XPD) and time-resolved photoemission. Each chapter is concerned with the study of a specific interface within a different research project. The first study is dedicated to Platinum on Gd2O3 oxide. This oxide is obtained by molecular beam epitaxy on (111) oriented silicon substrate. The study by photoelectron diffraction (XPD) has given evidence for α-PtO2 oriented (0001) Interfacial layer. On this interface, Pt is partially crystallized as bi-domains with (111) orientation. The low wetting of Platinum was proved by photoemission, by x-ray reflectivity, and by atomic force microscopy. To get a better wetting, one should promote the formation of this interfacial platinum oxide layer in order to favour the growth of a Platinum single crystal.The second study is devoted to gold on a (001) oriented silicon substrate. This study has revealed that a native oxide SiO2 encapsulates the heterostructure because of the sample exposition to oxygen. We have shown that the presence of gold facilitates the SiO2 oxide desorption which is achieved at lower temperatures than expected for a native oxide on Silicon. A fine analysis highlights the solid-liquid phase transition, the formation of the eutectic and the diffusion of gold in the silicon substrate.The third study concerns a heterostructure composed of a layer of graphene sheets on 6 H - SiC (0001) substrate obtained by graphitization. By photoemission spectroscopy (XPS), we have identified a spectroscopic signature for the different environments of carbon, i.e., substrate, interface, and grapheme sheets. Using the x-ray photoelectron diffraction (XPD) of these signatures, we were able to determine the epitaxy relationship between the graphene sheets and the substrate. The covalent bonds at the interface can be broken by a supply of oxygen, which decouples the graphene sheets from the substrate.The fourth study is interested in the growth by molecular beam epitaxy of InP, a III-V semiconductor, on SrTiO3, a high-k oxide. The InP/SrTiO3 interface is called “compliant because of an interfacial regular network of dislocations which accommodates the lattice mismatch between the materials. Our contribution has consisted in a XPS/XPD study of the early stages of InP growth.The results (XPD and RHEED) show that InP is orientated (001) and mono-domain with an indirect in-plan relationship that reduces the lattice mismatch. These results are in agreement with those obtained by x-ray diffraction (XRD). AFM shows that the deposit is made of islands which have a surface faceted by dense plans in the [110] direction and vicinal plans in the [100] direction., L’objectif de cette thèse est d’étudier les propriétés physico-chimiques d’interfaces par spectroscopie de photoémission (XPS), diffraction des photoélectrons (XPD), et photoémission résolue en temps (PTR). Chaque chapitre est consacré à l’étude d’une interface spécifique, dans le cadre d’un projet de recherche différent.La première étude est dédiée au dépôt d’une couche métallique de platine sur une couche monocristalline d’oxyde Gd2O3 obtenue par épitaxie sur un substrat de silicium orienté (111). L’étude par photoémission angulaire XPD a mis en évidence la présence d’une couche interfaciale d’α-PtO2 orientée (0001). Sur cette interface, la couche de Pt cristallise partiellement dans l’orientation(111) en bi-domaine. Le faible mouillage de la couche de platine a été mis en évidence par photoémission, par réflectivité des rayons X, et imagerie par microscopie à force atomique. Pour obtenir un meilleur mouillage, il faudrait favoriser la formation d’une couche de mouillage d’oxyde de platine interfaciale afin d’initier la croissance d’un monocristal de platine.La deuxième étude est consacrée au système composé d’une couche d’or déposée sur un substrat de silicium orienté (001). Cette étude a révélé la formation d’un oxyde natif SiO2 encapsulant l’hétérostructure lorsque l’échantillon est exposé à l’oxygène. Nous avons montré que la présence d’or facilite la désorption de cet oxyde qui est obtenue à plus basse température que celle attendue pour un oxyde natif sur silicium. Une analyse fine a permis de mettre en évidence la transition de la phase liquide-solide donc la formation de l’eutectique ainsi que la diffusion de l’or dans le substrat de silicium. La troisième étude concerne une hétérostructure composée d’une couche de quelques feuillets de graphène obtenus par graphitization à partir du substrat 6H-SiC (0001). Par spectroscopie de photoémission (XPS), nous avons mis en évidence une signature spectroscopique des différents environnements du carbone, c.-à-d., du substrat, de l’interface, et des feuillets de graphène. En utilisant ces signatures, par diffraction des photoélectrons (XPD) nous avons pu déterminer la relation d’épitaxie entre les feuillets et le substrat. Ces liaisons covalentes d’interface peuvent être rompues par un apport d’oxygène, découplant ainsi les feuillets de graphène du substrat. La quatrième étude s’intéresse à la croissance du semiconducteur III-V InP par épitaxie sur l’oxyde high-k SrTiO3. L’interface InP/SrTiO3 est dite « complaisante » car elle confine un réseau régulier de dislocations pour ajuster le désaccord de maille entre les matériaux. Notre contribution a consisté en une étude XPS/XPD sur une faible quantité de matière de semiconducteur InP épitaxiée sur un substrat SrTiO3 (001). Les résultats obtenus par diffraction des photoélectrons et RHEED montrent une croissance mono-domaine orientée (001) avec des relations d’épitaxie indirectes dans le plan qui réduisent le désaccord paramétrique. Ces résultats sont en accord avec ceux obtenus par diffraction des rayons X (XRD). L’imagerie AFM montre que le dépôt mouille peu la surface et est fait d’îlots qui présentent une surface libre facettée par des plans cristallographiques denses dans la direction [110] et des plans vicinaux dans la direction [100].

Published
2013

10. X-ray-induced degradation of OEG-terminated SAMs on silica surfaces during XPS characterization

Author

Palazon, Francisco, Gehin, Thomas, FERRAH, Djawhar, Garnier, Anaïs, Botella, Claude, GRENET, Geneviève, Souteyrand, Eliane, CLERICO, J., Chevolot, Yann, INL - Chimie et Nanobiotechnologies (INL - C&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut de chimie et procédés pour l'énergie, l'environnement et la santé (ICPEES), Université de Strasbourg (UNISTRA)-Matériaux et nanosciences d'Alsace (FMNGE), and Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Strasbourg (UNISTRA)-Université de Haute-Alsace (UHA) Mulhouse - Colmar (Université de Haute-Alsace (UHA))-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

International audience; no abstract

Published
2015

13. Control of In droplets for self-catalyzed growth of InP nanowires by VLS-MBE on silicon substrates

Author

DUMONT , Hervé, BARAKAT , Jean-Baptiste, FERRAH , Djawhar, GRENET , Geneviève, Regreny , Philippe, MAVEL , Amaury, Chauvin , Nicolas, Bru-Chevallier , C., Patriarche , G., Salem , B., GENDRY , Michel, Inl, Laboratoire INL UMR5270, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Spectroscopies et Nanomatériaux (INL - S&N), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures ( INL - H&N ), Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ) -École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Université de Lyon, INL - Spectroscopies et Nanomatériaux ( INL - S&N ), Laboratoire de photonique et de nanostructures ( LPN ), Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Laboratoire des technologies de la microélectronique ( LTM ), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 ( UJF ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI] Engineering Sciences [physics], [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.MAT ] Engineering Sciences [physics]/Materials, [ SPI ] Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [ SPI.NANO ] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [ SPI.OPTI ] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

May, 11-15, 2014; International audience; no abstract

Published
2014

14. Elaboration And Characterization Of Self-Assembled Monolayers On Gold And Silica

Author

Palazon, Francisco, FERRAH, Djawhar, Botella, Claude, GRENET, Geneviève, BRYCHE, J., Bartenlian, B., ROJO ROMEO, Pédro, Phaner-Goutorbe, Magali, Souteyrand, Eliane, INL - Chimie et Nanobiotechnologies (INL - C&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institute of Atomic Physics, Université de Roumanie, and INL - Nanophotonique (INL - Photonique)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

International audience; no abstract

Published
2014

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