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284 results on '"Deresmes, D."'

1. Characterization of ion/electron beam induced deposition of electrical contacts at the sub-{\mu}m scale

Author

Brunel, D., Troadec, D., Hourlier, D., Deresmes, D., Zdrojek, M, and Mélin, T.

Subjects
Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics
Abstract

We investigate the fabrication of electrical contacts using ion- and electron-beam induced deposition of platinum at the sub-\mu m scale. Halos associated with the metal surface decoration are characterized electrically in the 0.05-2 \mu m range using transport measurements, conducting atomic force microscopy and Kelvin probe microscopy. In contrast with IBID, EBID electrodes exhibit weakly conductive halos at the sub-\mu m scale, and can thus be used to achieve resist-free electrical contacts for transport measurements at the sub-\mu m scale. Four-point transport measurements using \mu m-spaced EBID contacts are provided in the case of a multiwalled carbon nanotube.

Published
2011
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4. Electron emission device made from planar nanowires

Author

Lerond, Thomas, Chernukha, Yevheniia, Berthe, Maxime, Vaurette, Francois, Deresmes, D., Papanastasiou, Dorina, Bellet, Daniel, Gangloff, Laurent, Melin, Thierry, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Université Grenoble Alpes (UGA), École nationale supérieure de physique, électronique, matériaux (Grenoble INP PHELMA), Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Thales Research and Technology [Palaiseau], THALES [France], Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), PANASSE - ANR-18-CE09-0036, PCMP PCP, Renatech Network, and ANR-18-CE09-0036,PANASSE,Assemblage planaire de nanofils pour émission sur parois latérales(2018)

Subjects
[PHYS]Physics [physics]
Abstract

International audience

Published
2022

5. Pulvérisation réactive pour le dépôt de nitrure de vanadium comme électrodes de micro-supercondensateurs performants et stables en cyclage

Author

Jrondi, A., Lethien, Christophe, Roussel, Pascal, Blanchard, F., Deresmes, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN (CSAM - IEMN ), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 (UCCS), Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), no information, Fédération Française des Matériaux, PCMP PCP, and Renatech Network

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

National audience

Published
2022

9. GAP(111)B-SE Surface for TMD epitaxial growth

Author

Chapuis, Niels, Coinon, Christophe, Deresmes, D., Wallart, Xavier, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), ANR tunne2D, Renatech Network, CMNF, PCMP PCP, and ANR-21-CE24-0030,TUNNE2D,Diodes tunnel miniaturisables à base de matériaux 2D(2021)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], TMD EPITAXIAL GROWTH, GAP(111)B-SE
Abstract

National audience; Over the past few years, 2D-Transition Metal Dichalcogenides (TMDs) have revealed great potential for optoelectronics and nanoelectronics devices, thanks to their exceptional properties, not encountered in other materials. They can be grown by van der Waals epitaxy allowing the use of materials with significant mismatch. Van der Waals epitaxy is usually performed on 2D substrates such as graphene, hBN or mica but 3D substrates can also be used after a proper surface passivation treatment, which for III-V semiconductor substrates has been applied successfully on GaAs(111)B surfaces. Since rather high growth temperatures are needed in order to get high quality-TMD layers [1], GaP might represent an interesting alternative to GaAs considering its higher thermal stability. In this study, we present results relative to the preparation of n and p-type GaP(111)B surfaces and to their Selenium passivation.

Published
2022

10. Electric properties of silver nanowires by multi-probe characterization

Author

Lerond, Thomas, Chernukha, Yevheniia, Berthe, Maxime, Vaurette, Francois, Deresmes, D., Papanastasiou, Dorina T., Bellet, Daniel, Gangloff, Laurent, Melin, Thierry, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Thales Research and Technologies [Orsay] (TRT), THALES [France], Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), PCMP PCP, Renatech Network, and ANR-18-CE09-0036,PANASSE,Assemblage planaire de nanofils pour émission sur parois latérales(2018)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], ComputingMethodologies_GENERAL, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

poster; National audience

Published
2022

11. Imagerie à haute résolution d’assemblages moléculaires par nc-AFM et KPFM à basse température sur Si(111):B

Author

Turek, Natalia, Deresmes, D., Janneoutot, Judicaël, Makoudi, Younes, Palmino, Frank, Chérioux, Frédéric, Godey, S., Melin, Thierry, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174) (FEMTO-ST), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), PCMP PCP, and Renatech Network

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], ComputingMethodologies_GENERAL, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

poster; National audience

Published
2022

12. Correlation between nanoscale thermal and electrical conductivity in PEDOT:OTf thin films

Author

Kondratenko, Kirill, Guérin, David, Deresmes, D., Lenfant, Stéphane, Vuillaume, Dominique, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN (NCM - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), ANR Harvesters, PCMP PCP, Renatech Network, and ANR-16-CE05-0029,Harvesters,Récuperer l'energie thermique de l'environnement à l'aide d'un générateur thermoélectrique polymère pour alimenter un capteur autonome(2016)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], ComputingMethodologies_GENERAL, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

poster; National audience

Published
2022

14. High resolution nc-AFM and KPFM imaging of dipolar molecule assemblies on Si(111):B by stiff-probe non-contact AFM at low-temperature

Author

Turek, Natalia, Godey, S., Deresmes, D., Krzeminski, Christophe, Jeannoutot, Judicaël, Makoudi, Younes, Palmino, Frank, Cherioux, Frédéric, Melin, Thierry, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174) (FEMTO-ST), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Renatech Network, PCMP PCP, Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université de Technologie de Belfort-Montbeliard (UTBM)-Ecole Nationale Supérieure de Mécanique et des Microtechniques (ENSMM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), and Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)

Subjects
[SPI.ACOU]Engineering Sciences [physics]/Acoustics [physics.class-ph], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

oral; National audience; We studied by non-contact AFM (nc-AFM) the formation of molecular self-assemblies on the passivated surface of boron-doped Silicon B-Si(111)-(√3×√3)R30. The investigated molecules (1-(4’cyanophenyl)-2,5-bis(decyloxy)-4-(4’-iodophenyl)benzene) possess aliphatic chains attached to a triphenyl core ended with two possible different terminations (either iodine or cyano group). The use of a passivated semiconductor substrate enables creating regular and extended structures without significant change in electronic properties of molecules [1]. Scanning tunneling microscopy and nc-AFM imaging have been performed using a low-temperature (AFM/STM (JT AFM/STM,SPECS) operated at T=4K with high stiffness Kolibri sensors (k=540 kN/m, f0=1 MHz). The growth of a periodic molecular network is observed, formed by parallel lines made by molecule aromatic cores and interdigitated aliphatic chains placed between adjacent rows. We obtain submolecular resolution in the constant height ∆f images without intentional tip functionalization, but only by conditioning the tip on the Si surface [2]. Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) images of single molecules and molecular assemblies with sub-elementary charge sensitivity [3] and submolecular resolution will be shown. They attest of the dipolar character of asymmetric molecules and are consistent with the formation of dipole-driven molecular arrays.

Published
2021

15. Resistance measurement of individual Ag nanowires and interconnects

Author

Chernukha, Yevheniia, Papanastasiou, Theodora, Lerond, Thomas, Bardet, Laëtitia, Deresmes, D., Melin, Thierry, Gangloff, Laurent, Bellet, Daniel, Berthe, Maxime, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP ), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Physique - IEMN (PHYSIQUE - IEMN), Thales Research and Technologies [Orsay] (TRT), THALES [France], PCMP PCP, Renatech Network, and ANR-18-CE09-0036,PANASSE,Assemblage planaire de nanofils pour émission sur parois latérales(2018)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

Poster P9-01; National audience

Published
2021

21. Recombination centers in electron-irradiated Czochralski silicon solar cells

Author

Zazoui, M., Bourgoin, J.C., Stievenard, D., Deresmes, D., and Strobl, G.

Subjects
Solar cells -- Analysis, Silicon -- Analysis, Electric discharges -- Analysis, Physics
Abstract

Spin-dependent recombination and deep-level transient spectroscopic studies of electron-irradiated Czochralski silicon solar cells reveal recombination centers near the midgap level. An Si dangling-bond due to a vacancy cluster causes the formation of the centers. The hole and electron cross sections vary with temperature and represent minority-carrier lifetime of silicon.

Published
1994

22. Defects in low-temperature electron-irradiated p-type silicon

Author

Nubile, P., Bourgoin, J.C., Stievenard, D., Deresmes, D., and Strobl, G.

Subjects
Silicon -- Research, Irradiation -- Research, Physics
Abstract

The nature and behavior of defects in low-temperature electron-irradiated p-type silicon were investigated using deep-level transient spectroscopy. The results showed that defects which were created after irradiation at 90 and 200 K were different from those observed at 4, 77 and 300 K. This indicated that the presence of two annealing stages between 90 and 200 K and 200 and 300 K. The behavior of electron-induced defects in Si was found to be more complicated than previously thought.

Published
1992

23. Cross-talk artefacts in Kelvin probe force microscopy imaging: A comprehensive study.

Author

Barbet, S., Popoff, M., Diesinger, H., Deresmes, D., Théron, D., and Mélin, T.

Subjects
ANTIQUITIES, KELVIN probe force microscopy, CANTILEVERS, BIOLOGICAL crosstalk, TOBACCO mosaic virus
Abstract

We provide in this article a comprehensive study of the role of ac cross-talk effects in Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM), and their consequences onto KPFM imaging. The dependence of KPFM signals upon internal parameters such as the cantilever excitation frequency and the projection angle of the KPFM feedback loop is reviewed, and compared with an analytical model. We show that ac cross-talks affect the measured KPFM signals as a function of the tip-substrate distance, and thus hamper the measurement of three-dimensional KPFM signals. The influence of ac cross-talks is also demonstrated onto KPFM images, in the form of topography footprints onto KPFM images, especially in the constant distance (lift) imaging mode. Our analysis is applied to unambiguously probe charging effects in tobacco mosaic viruses (TMVs) in ambient air. TMVs are demonstrated to be electrically neutral when deposited on silicon dioxide surfaces, but inhomogeneously negatively charged when deposited on a gold surface. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2014
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26. Top electrode size effect on hysteresis loops in piezoresponse force microscopy of Pb(Zr,Ti)O3-film on silicon structures.

Author

Bravina, S. L., Morozovsky, N. V., Eliseev, E. A., Morozovska, A. N., Costecalde, J., Soyer, C., Remiens, D., and Deresmes, D.

Subjects
HYSTERESIS loop, PIEZORESPONSE force microscopy, ELECTRODES, SILICON research, METALLIC films
Abstract

Experimental and theoretical studies of hysteresis loops in piezoresponse force microscopy (PFM) directed on elucidating the influence of top electrode lateral sizes on loop peculiarities were performed for Pt/Pb(Zr, Ti)O3/Pt/TiOx/SiO2/Si-substrate structures. The set of top Pt electrodes (50 nm to 10 μm of lateral size) was deposited on the Pb(ZrxTi1-x)O3 film (x = 0.54, thickness ≈1 μm) by RF magnetron sputtering. Under approaching the top electrode lateral size to the film thickness, the transition-like behaviour of PFM response amplitude and coercive tip voltage was observed. The existence of the critical value of dimensionless electrode size parameter γd/h ≈ 1 (γ is the dielectric anisotropy factor, d is the electrode size parameter, and h is the film thickness) was interpreted in the framework of the model based on Landau-Ginzburg-Devonshire theory combined with the decoupling approximation subject to the nonlinear electric field dependence of the ferroelectric polarization and dielectric permittivity. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2012
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27. Initial stages of graphitization on SiC(000-1), as studied by phase atomic force microscopy.

Author

Ferrer, F. J., Moreau, E., Vignaud, D., Deresmes, D., Godey, S., and Wallart, X.

Subjects
ELECTRON diffraction, GRAPHITIZATION, PHOTOEMISSION, ATOMIC force microscopy, GRAPHENE
Abstract

The initial stages of graphitization on 4H- and 6H-SiC (000-1) under ultrahigh vacuum at temperatures of 1125-1175°C have been studied by atomic force microscopy (AFM), X-ray photoemission spectroscopy and reflected high energy electron diffraction. A progressive coverage of the surface by graphene has been observed depending on the time and temperature of annealing. Graphene growth mainly starts from the step edges, although it sometimes nucleates in the middle of a SiC terrace. Comparison of the topographic and phase AFM images shows that the latter are the most efficient for identifying graphene before complete coverage of the surface. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2011
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28. Analysis of the degradation induced by focused ion Ga3+ beam for the realization of piezoelectric nanostructures.

Author

Rémiens, D., Liang, R. H., Soyer, C., Deresmes, D., Troadec, D., Quignon, S., Da Costa, A., and Desfeux, R.

Subjects
PIEZOELECTRIC devices, PIEZOELECTRICITY, NANOSTRUCTURES, GALLIUM, ION bombardment, THIN films
Abstract

Piezoelectric nanostructures (islands of dimensions in the lateral size range 50–500 nm) have been fabricated by focused Ga3+ ion beam (FIB) etching on PbZr0.54Ti0.46O3 thin films obtained by magnetron sputtering. The degradation induced by the etching process is investigated through the evolution of electromechanical activity measured by means of local piezoelectric hysteresis loops produced by piezoresponse force microscopy. The analysis of surface potential is performed by kelvin force microscopy and the measurement of current-voltage curves is carried out by conducting atomic force microscopy. Two kinds of structures, namely one based on crystallized films and the other based on amorphous ones, were studied. In this latter case, the amorphous films are postannealed after etching to obtain crystallized structure. For the structures based on the crystallized and then etched films, no piezoelectric signal was registered that evidences a serious degradation of material induced by Ga3+ ion implantation. For the structures based on the films etched in amorphous state and then crystallized, the piezoresponse signal was near to that of the reference films (crystallized and not etched) whatever were the ion dose and the island dimensions. Even for very small lateral size (50 nm), no size effect was observed. The island shapes fabricated by Ga3+ FIB etching process (islands with less than 50 nm lateral size) show a limitation of FIB processing and electron beam lithography seems to be necessary. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2010
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29. Enhancement in nanoscale electrical properties of lead zirconic titanate island fabricated by focused ion beam.

Author

Liang, R. H., Rémiens, D., Deresmes, D., Soyer, C., Troadec, D., Dong, X. L., Yang, L. H., Desfeux, R., Da Costa, A., and Blach, J. F.

Subjects
CRYSTALLIZATION, RANDOM access memory, RAMAN effect, ION bombardment, MICROELECTROMECHANICAL systems, LEAD alloys
Abstract

Lead zirconic titanate (PZT) microscale island (1 μm–100 nm) was fabricated by focused ion beam before its crystallization, followed by the annealing treatment at the crystallization temperature. Local electrical properties were evaluated by piezoresponse force microscopy technique. Compared to the PZT island fabricated after crystallization, the result shows that there is noticeable enhancement in nanoscale electrical properties of PZT island fabricated before crystallization, especially when the island size decreases. Raman spectra and Kelvin force microscopy result both show that there are little degradations on the PZT surface after this amorphous etching process. The mechanism will be discussed in this paper. These results are very beneficial to the development of the ferroelectric film applications in the dynamic random access memory, ferroelectric random access memory, and micro-electro-mechanical system field. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2009
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30. Analysis of the degradation induced by focused ion [Ga.sup.3+] beam for the realization of piezoelectric nanostructures

Author

Remiens, D., Liang, R.H., Soyer, C., Deresmes, D., Troadec, D., Quignon, S., Da Costa, A., and Desfeux, R.

Subjects
Atomic force microscopy -- Usage, Electron beams -- Usage, Gallium -- Electric properties, Gallium -- Mechanical properties, Ion implantation -- Usage, Piezoelectric devices -- Design and construction, Piezoelectric devices -- Usage, Physics
Abstract

The piezoelectric force microscopy technique is employed to analyze the degradation that is caused in the piezoelectric nanostructures because of the etching process. The different properties exhibited by the crystalline and the amorphous structures are also analyzed.

Published
2010

31. Oxygen in gallium arsenide.

Author

Bourgoin, J. C., Stievenard, D., Deresmes, D., and Mimila Arroyo, J.

Subjects
SPECTRUM analysis, EPITAXY, GALLIUM arsenide
Abstract

Presents information on a study which examined the evolution of the deep level transient spectroscopy (DLTS) spectrum associated with the EL2 defect in epitaxial as well as bulk gallium arsenide materials when they are contaminated by oxygen. Discussion on the EL2 DLTS spectrum in oxygen-doped materials; Effects described which are directly correlated with the stoichiometry of the surface region; Analysis of the EL2 spectrum for Al Schottky barriers.

Published
1991
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32. «Impact des faisceaux d’ions sur les propriétés fonctionnelles de couches minces et de nano-îlots piézoélectriques de La₂Ti₂O₇»

Author

Ferri, A., Saitzek, S., Shao, Z., Bayart, A., Declercq, G., Costecalde, J., Deresmes, D., Remiens, Denis, Troadec, David, Desfeux, R., UCCS Équipe Couches Minces & Nanomatériaux, Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 (UCCS), Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille, Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [CHIM]Chemical Sciences, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2014

33. «Impact of Ga+ ion beam irradiation on nanostructured La₂Ti₂O₇ piezoelectric thin films»

Author

Ferri, A., Saitzek, S., Bayart, A., Shao, Z., Declercq, G., Costecade, J., Remiens, Denis, Deresmes, D., Desfeux, R., Troadec, David, UCCS Équipe Couches Minces & Nanomatériaux, Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 (UCCS), Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille, Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN (MAMINA - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 (IEMN-DOAE), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI.ACOU]Engineering Sciences [physics]/Acoustics [physics.class-ph], [PHYS]Physics [physics], [CHIM]Chemical Sciences, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

National audience

Published
2014

34. «Nanostructures piézoélectriques fabriquées par faisceau d’ions Ga+ focalisés sur couches minces»

Author

Desfeux, R., Ferri, A., da Costa, A., Saitzek, S., Chambrier, M-H., Declercq, G., Bayart, A., Legrand, C., Shao, Z., Remiens, Denis, Costecalde, J., Soyer, Caroline, Detalle, M., Quignon, S., Sama, Y., Deresmes, D., Troadec, David, UCCS Équipe Couches Minces & Nanomatériaux, Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 (UCCS), Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille, Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [CHIM]Chemical Sciences, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2013

35. «Growth and Characterization of New Piezoelectric Nanostructures with Low Environmental Impact»

Author

Desfeux, R., Ferri, A., Saitzek, S., Shao, Z., Bayart, A., Declercq, G., Remiens, Denis, Costecalde, J., Deresmes, D., Troadec, David, UCCS Équipe Couches Minces & Nanomatériaux, Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 (UCCS), Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille, Centrale Lille Institut (CLIL)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université d'Artois (UA)-Centrale Lille-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [CHIM]Chemical Sciences, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2013

36. Toward a better understanding of the interfacial growth mechanism of dairy fouling at a stainless steel surface : a multiscale approach

Author

Jimenez, M., Delaplace, Guillaume, Nuns, N., Bellayer, S., Deresmes, D., Ronse, G., Alogaili, G., Traisnel, M., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2013

37. Charge transfers from doped silicon nanocrystals probed by non-contact atomic force microscopy

Author

Borowik, L., Deresmes, D., Nguyen-Tran, T., Roca I Cabarrocas, Pere, Melin, Thierry, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] (LPICM), and École polytechnique (X)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience

Published
2012

38. Fabrication of La2Ti2O7 nanostructures by focused Ga3+ ion beam and characterization by piezoresponse force microscopy

Author

Declercq, G., Ferri, A., Shao, Z., Bayart, A., Saitzek, S., Desfeux, R., Deresmes, D., Troadec, David, Costecalde, J., Remiens, Denis, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012

39. Fabrication par FIB de nano-plots piézoélectriques de La2Ti2O7 et caractérisation électrique locale par SPM

Author

Declercq, G., Ferri, A., Shao, Z., Bayart, A., Saitzek, S., Costecalde, J., Soyer, Caroline, Deresmes, D., Troadec, David, Remiens, Denis, Desfeux, R., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012

40. Mesure du potentiel de surface d'un matériau

Author

Melin, Thierry, Theron, D., Barbet, S., Deresmes, D., Diesinger, H., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

n° de priorité : FR20100000624 20100215 ; également publié en tant que : WO2011098720 (A1) 2011-08-18 ; FR2956484 (B1) 2012-04-20 ; US2012304342 (A1) 2012-11-29 ; EP2537037 (A1) 2012-12-26

Published
2011

41. Asymmetry of polarization reversal and current-voltage characteristics of PZT-film on silicon structures

Author

Bravina, S., Morozovsky, N., Soyer, Caroline, COSTECALDE, J., Deresmes, D., Remiens, Denis, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

42. Fabrication of nanostructured piezoelectric thin films by FIB and nanoscale characterization by piezoresponse force microscopy

Author

Ferri, A., Saitzek, S., ZHENMIAN, S., Desfeux, R., COSTECALDE, J., Soyer, Caroline, Deresmes, D., Troadec, D., Remiens, Denis, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

43. Characterization of ion/electron beam induced deposition of electrical contacts at the sub-��m scale

Author

Brunel, D., Troadec, D., Hourlier, D., Deresmes, D., Zdrojek, M, and M��lin, T.

Subjects
Mesoscale and Nanoscale Physics (cond-mat.mes-hall), FOS: Physical sciences
Abstract

We investigate the fabrication of electrical contacts using ion- and electron-beam induced deposition of platinum at the sub-��m scale. Halos associated with the metal surface decoration are characterized electrically in the 0.05-2 ��m range using transport measurements, conducting atomic force microscopy and Kelvin probe microscopy. In contrast with IBID, EBID electrodes exhibit weakly conductive halos at the sub-��m scale, and can thus be used to achieve resist-free electrical contacts for transport measurements at the sub-��m scale. Four-point transport measurements using ��m-spaced EBID contacts are provided in the case of a multiwalled carbon nanotube.

Published
2011
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44. Sol-gel synthesis and thin films development of CuIn(Ga)S2 : an energy solar scavenging device used for wireless autonomous systems

Author

Bourlier, Y., Lethien, C., Bernard, R., Roussel, P., Deresmes, D., Zegaoui, M., Bouazaoui, M., Rolland, P.A., Rolland, N., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Published
2011

45. Investigation of the negative differential resistance reproducibility in AlN/GaN double barrier resonant tunneling diodes in DC operation

Author

Boucherit, M., Soltani, A., Deresmes, D., Berthe, M., Eva Monroy, Rousseau, M., Jaeger, J. C., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), and Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience; AlN/GaN double-barrier resonant tunnelling diodes were grown by molecular beam epitaxy on GaN/sapphire template and processed into mesa diameters from 2 μm to 4 μm. The current-voltage characteristics were carried out in direct current operation and under-high vacuum. A sharp negative differential resistance (NDR) was detected in the forward bias at 120 K. The NDR was observed for the mesa size of 2 μm at 4 V with a peak-to-valley current ratio of 3.5. The measurement conditions were chosen to make NDR reproducible more than 50 times and apparent in both scan voltage directions after electrical treatment.

Published
2011

46. Hydrothermal growth of high quality, vertically aligned ZnO nanorods on silicon substrate

Author

Gokarna, A., Leroy, F., Gong, S., Roussel, P., Deresmes, D., Dogheche, El Hadj, Rodriguez, C., Cho, Y.H., Decoster, D., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

47. Resolving dopants in semiconductors by scanning tunneling microscopy

Author

Berthe, Maxime, Grandidier, B., Mahieu, G., Xu, T., Deresmes, D., Nys, J.P., Stievenard, D., Ebert, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

48. Kelvin probe force microscopy of charge transfer mechanisms from doped silicon nanocrystals

Author

Borowik, L., Kusiaku, K., Deresmes, D., Théron, D., Diesinger, H., Melin, Thierry, Nguyen-Tran, T., Roca I Cabarrocas, Pere, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau] (LPICM), and École polytechnique (X)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience; The introduction of impurities in semiconductor nanocrystals is of fundamental interest to control their optical, electrical and magnetic properties[1]. Doping is essential to basically enhance electrical conductivity, and to build functional devices. This issue becomes of prime interest at the nanoscale for e.g. self-assembled devices based on organic, molecular or inorganic nanostructures, for which the control of doping can be either technologically difficult during the synthesis, and strongly depend on the environment, as in the case of carbon nanotubes[2] or physically limited, as in the case of silicon nanowires for which internal doping becomes unefficient due to dielectric screening[3].In this presentation, we investigate using ultra-high vacuum non-contact atomic force microscopy and Kelvin probe force microscopy (KFM) the possibility of using doped nanocrystals as electron sources to perform external remote doping of nanostructures and nanodevices. The focus is here to study the mechanisms of charge transfer from nanocrystals at the scale of the individual nanocrystals. To do so, we study the charge transfer from hydrogen-passivated phosphorus-doped[4] silicon nanocrystals towards silicon substrates by means of amplitude-modulation KFM. From the measurement of the electrostatic potential of ionized nanocrystals, we demonstrate that the nanocrystal doping (i) provides an internal passivation of the nanocrystal surface states and (ii) induces a charge transfer following an energy compensation mechanism similar to remote doping, but strongly enhanced by quantum confinement. Results provide a direct measurement of the nanocrystal band-gap opening induced by quantum confinement in the 2-50nm range[5], in agreement with parametrized tight-binding calculations. They also put forward the possibility of using doped nanocrystals to achieve controlled external remote doping of nanostructures and nanodevices, with expected two-dimensional charge densities in the range of 10^11-10^14 cm-2, or linear charge densities in the range of 10^5-10^7 cm-1.References: [1] For a recent review, see: D.J. Norris, A. L. Efros, S. C. Erwin, Science 319,776-1779 (2008) ; S. C. Erwin, L. Zu, M. I. Haftel, A. L. Efros, T. A. Kennedy, and D. J. Norris, Nature 36,91 (2005).; D. Yu, C.J. Wang, and P. Guyot-Sionnest, Science 300, 1277 (2003).[2] V. Derycke, R. Martel, J. Appenzeller, and Ph. Avouris, Appl. Phys. Lett. 80, 2773 (2002).[3] M. T. Bjork, H. Schmid, J. Knoch, H. Riel, W. Riess, Nature Nanotechnology 4, 103-107 (2009); M. Diarra, Y. M. Niquet, C. Delerue, and G. Allan, Phys. Rev. B 75, 045301 (2007).[4] A. R. Stegner, R. N. Pereira, K. Klein, R. Lechner, R. Dietmueller, M. S. Brandt, M. Stutzmann and H. Wiggers, Phys. Rev. Lett. 100, 026803 (2008).[5] L. Borowik, K. Kusiaku, D. Théron, D. Deresmes, H. Diesinger, T. Mélin, T. Nguyen-Tran, P. Roca i Cabarrocas (submitted to Phys. Rev. Lett.)

Published
2009

49. La plate-forme nanocaractérisation et microscopie en champ proche de l'IEMN

Author

Deresmes, D., Nys, J.P., Berthe, Maxime, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2009

50. Reversible electro-optical switch of self-assembled monolayers of azobenzene-derivatized oligothiophenes grafted on gold

Author

Smaali, K., Lenfant, S., Vuillaume, D., Deresmes, D., Karpe, S., Ocafrain, M., Blanchard, P., Jean Roncali, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2009

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