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89 results on '"Coinon C"'

1. Vertical and lateral manipulation of single Cs atoms on the semiconductor InAs(111)A

Author

Ligthart, RAM, Coinon, C, Desplanque, L, Wallart, X, Swart, I, Ligthart, RAM, Coinon, C, Desplanque, L, Wallart, X, and Swart, I

Abstract

The tip of the scanning tunneling microscope can be used to position atoms and molecules on surfaces with atomic scale precision. Here, we report the controlled vertical and lateral manipulation of single Cs atoms on the InAs(111)A surface. The Cs adatom adsorbs on the In-vacancy site of the InAs(111)A—(2x2) surface reconstruction. Lateral manipulation is possible in all directions over the surface, not just along high-symmetry directions. Both pushing and pulling modes were observed in the height profile of the tip. We assembled two artificial structures, demonstrating the reliability of the manipulation procedures. Structures remained intact to a temperature of at least 44 K.

Published
2024

8. Pushing the limit of lithography for patterning two-dimensional lattices in III-V semiconductor quantum wells

Author

Vergel, N. A.Franchina, Post, C., Vaurette, F., Lambert, Y., Yarekha, D., Coinon, C., Fleury, G., Kulmala, T. S., Xu, T., Desplanque, L., Wallart, X., Vanmaekelbergh, D., Delerue, C., Grandidier, B., Vergel, N. A.Franchina, Post, C., Vaurette, F., Lambert, Y., Yarekha, D., Coinon, C., Fleury, G., Kulmala, T. S., Xu, T., Desplanque, L., Wallart, X., Vanmaekelbergh, D., Delerue, C., and Grandidier, B.

Abstract

Building two-dimensional lattices in semiconductor quantum-wells offers the prospect to design distinct energy-momentum dispersions, including conical intersections and nondispersive bands. Here, we compare three lithographic patterning methods, e-beam lithography, block copolymer lithography and thermal scanning probe lithography to produce a honeycomb lattice in an In0.53Ga0.47As quantum well. We weigh up the pros and cons of each method to reach lattice constants smaller than 20 nm with a minimum of dispersion in the pore size.

Published
2021

9. Pushing the limit of lithography for patterning two-dimensional lattices in III-V semiconductor quantum wells

Author

Vergel, N.A. Franchina, primary, Post, C., additional, Vaurette, F., additional, Lambert, Y., additional, Yarekha, D., additional, Coinon, C., additional, Fleury, G., additional, Kulmala, T.S., additional, Xu, T., additional, Desplanque, L., additional, Wallart, X., additional, Vanmaekelbergh, D., additional, Delerue, C., additional, and Grandidier, B., additional

Published
2021
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12. In-plane InGaAs/Ga(As)Sb nanowire based tunnel junctions grown by selective area molecular beam epitaxy.

Author

Bucamp, A, Coinon, C, Lepilliet, S, Troadec, D, Patriarche, G, Diallo, M H, Avramovic, V, Haddadi, K, Wallart, X, and Desplanque, L

Subjects
*MOLECULAR beam epitaxy, *INDIUM gallium arsenide, *TUNNEL diodes, *TUNNEL junctions (Materials science), *NANOWIRES, *CHEMICAL templates
Abstract

In-plane InGaAs/Ga(As)Sb heterojunction tunnel diodes are fabricated by selective area molecular beam epitaxy with two different architectures: either radial InGaAs core/Ga(As)Sb shell nanowires or axial InGaAs/GaSb heterojunctions. In the former case, we unveil the impact of strain relaxation and alloy composition fluctuations at the nanoscale on the tunneling properties of the diodes, whereas in the latter case we demonstrate that template assisted molecular beam epitaxy can be used to achieve a very precise control of tunnel diodes dimensions at the nanoscale with a scalable process. In both cases, negative differential resistances with large peak current densities are achieved. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2022
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13. Single channel 100 Gbit/s link in the 300 GHz band

Author

Chinni, V.K., LATZEL, P., Zegaoui, M., Coinon, C., Wallart, X., Peytavit, Emilien, Lampin, Jean-Francois, Engenhardt, K., Szriftgiser, P., Zaknoune, Mohammed, Ducournau, Guillaume, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Photonique THz - IEMN (PHOTONIQUE THz - IEMN), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 (PhLAM), Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Advanced NanOmeter DEvices - IEMN (ANODE - IEMN), Equipex program 'FLUX', Era-net 'TERALINKS', CPER 'Photonics for society', ACKNOWLEDGMENTThis work was supported by Equipex programs ‘FLUX’, ‘EXCELSIOR’, ANR ‘COM‘TONIQ’, Era-net ‘TERALINKS’, ANR-DFG ‘TERASONIC’ projects. Part of the work was realized under an academic collaboration with Tektronix. In particular, a 50GS/s arbitrary waveform generator (Tektronix AWG70001A)' and, 200GS/s real-time oscilloscope (Tektronix DPO77002SX) were used. We also thank the IEMN, characterization centre, IEMN-IRCICA Telecom platform facilities. This work is supported by the CPER ‘Photonics for society’, and contribute the 'digital world' Hub 3 of the I-Site Univcrsite de Lille Nord de France., Renatech Network, ANR-11-EQPX-0015,Excelsior,Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.(2011), ANR-17-CE24-0044,TERASONIC,Transmissions TERAhertz combinant électronique état SOlide et photoNIQue(2017), ANR-13-INFR-0011,COM'TONIQ,COMmunications quasi-optiques ultra-haut débit à base de phoTONIQue(2013), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF-IEMN), and Photonique THz - IEMN (PHOTONIQ THz - IEMN)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], Bit error rate, Wireless communication, IEEE 802.15 Standard, Optical fibers, Photodiodes
Abstract

International audience; We report on the achievement of single channel 100 Gbit/s transmission, using linear resonant cavity enhanced unitravelling carrier photodiodes and QAM-16 modulation format. The indoor wireless link has been validated for up to 100 Gbit/s and 280 GHz carrier frequency.

Published
2018
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14. Influence of doping level and surface states in tunneling spectroscopy of an In0.53Ga0.47As quantum well grown on p -type doped InP(001)

Author

Franchina Vergel, N. A., primary, Tadjine, A., additional, Notot, V., additional, Mohr, M., additional, Kouassi N’Guissan, A., additional, Coinon, C., additional, Berthe, M., additional, Biadala, L., additional, Sossoe, K. K., additional, Dzagli, M. M., additional, Girard, J.-C., additional, Rodary, G., additional, Desplanque, L., additional, Berndt, R., additional, Stiévenard, D., additional, Wallart, X., additional, Delerue, C., additional, and Grandidier, B., additional

Published
2019
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15. Chemical nature of the Anion antisite in dilute Phosphide GaAs1-(x)P(x) alloy grown at low temperature

Author

Demonchaux, T., Sossoe, K. K., Schnedler, Michael, Coinon, C., Lefebvre, I., Mohou, M. A., Stiévenard, D., Lampin, J. F., Ebert, Philipp, Wallart, X., Grandidier, B., Dzagli, M. M., Nys, J. P., Berthe, M., Troadec, D., Addad, A., Veillerot, M., Patriarche, G., and von Bardeleben, H. J.

Subjects
ddc:530
Abstract

While nonstoichiometric binary III-V compounds are known to contain group-V antisites, the growth of ternary alloys consisting of two group-V elements might give additional degrees of freedom in the chemical nature of these antisites. Using cross-sectional scanning tunneling microscopy (STM), we investigate low-temperature-grown dilute GaAs1−xPx alloys. High concentrations of negatively charged point defects are found. Combined with transmission electron microscopy and pump-probe transient reflectivity, this study shows that the defects have a behavior similar to the group-V antisites. Further analyses with x-ray diffraction point to the preferential incorporation of arsenic antisites, consistent with ab initio calculations, that yield a formation energy 0.83 eV lower than for phosphorus antisites. Although the negative charge carried by the arsenic antisites in the STM images is shown to be induced by the proximity of the STM tip, the arsenic antisites are not randomly distributed in the alloy, providing insight into the evolution of their charge state during the growth.

Published
2018
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16. Chemical nature of the anion antisite in dilute phosphide GaAs1−xPx alloy grown at low temperature

Author

Demonchaux, T., primary, Sossoe, K. K., additional, Dzagli, M. M., additional, Nys, J. P., additional, Berthe, M., additional, Troadec, D., additional, Addad, A., additional, Veillerot, M., additional, Patriarche, G., additional, von Bardeleben, H. J., additional, Schnedler, M., additional, Coinon, C., additional, Lefebvre, I., additional, Mohou, M. A., additional, Stiévenard, D., additional, Lampin, J. F., additional, Ebert, Ph., additional, Wallart, X., additional, and Grandidier, B., additional

Published
2018
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18. Single channel l00 Gbit/s link in the 300 GHz band

Author

Chinni, V.K., primary, Latzel, P., additional, Zegaoui, M., additional, Coinon, C., additional, Wallart, X., additional, Peytavit, E., additional, Lampin, J.F., additional, Engenhardt, K., additional, Szriftgiser, P., additional, Zaknoune, M., additional, and Ducournau, G., additional

Published
2018
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21. Fully relaxed low-mismatched InAlAs layer on an InP substrate by using a two step buffer

Author

Plissard, S., Coinon, C., Androussi, Y., and Wallart, X.

Subjects
Aluminum alloys -- Electric properties, Aluminum alloys -- Thermal properties, Aluminum alloys -- Optical properties, Indium -- Electric properties, Indium -- Thermal properties, Indium -- Optical properties, Photoluminescence -- Measurement, Transmission electron microscopes -- Usage, X-rays -- Diffraction, X-rays -- Usage, Physics
Abstract

The triple axis x-ray diffraction, transmission electron microscopy, and photoluminescence were used to study the strain relaxation in low mismatched [In.sub.x][Al.sub.1-x]As layers. The developed strategy could be used a promising method to limit the thickness of buffer layers and obtain fully relaxed pseudosubstrates.

Published
2010

24. Synthèse optique d'ondes hyperfréquences et millimétriques à très bas bruit de phase :résultats préliminaires

Author

Danion, G. (Gwennaël), Bondu, F. (François), Loas, G. (Goulc'Hen), Frein, L. (Ludovic), Hamel, C. (Cyril), Carré, A. (Anthony), Bouhier, S. (Steve), Vallet, M. (Marc), Brunel, M. (Marc), Rolland, A. (Antoine), Alouini, M. (Mehdi), Brillet, A. (Alain), Coulon, J-P. (Jean-Pierre), Cleva, F. (Frédéric), Merzougui, M. (Mourad), Beck, A. (Alexandre), Ducournau, G. (Guillaume), Lampin, J-F. (Jean-Francois), Zaknoune, M. (Mohamed), Coinon, C. (Christophe), Wallart, X. (Xavier), Peytavit, E. (Emilien), Akalin, T. (Tahsin), Pillet, G. (Gregoire), Morvan, L. (Loic), Baili, G. (Ghaya), Bourderionnet, J. (Jerome), Institut de Physique de Rennes [IPR], Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux [ARTEMIS], Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN], and Thales Research and Technology [Palaiseau]

Subjects
Térahertz, ondes submillimétriques, ondes continues, très bas bruit de phase
Abstract

Nous avons conçu et construit un système optique de synthèse d’ondes hyperfréquences, millimétriques et submillimétriques à très bas bruit de phase. Les résultats préliminaires montrent une densité spectrale de bruit de phase à 10 kHz de la porteuse d’une onde à 9 GHz limitée par l’appareil de mesure. Pour les bruits plus près de la porteuse, le bruit de phase est limité par une modulation d’amplitude résiduelle : le système est en cours de modifications.

Published
2015

25. Oscillateur Micro-Onde à THz Ultra-Stable: Résultats Préliminaires

Author

Danion , Gwennaël, Bondu , François, Loas , Goulc'Hen, Frein , Ludovic, Hamel , Cyril, Carré , Anthony, Bouhier , Steve, Vallet , Marc, Brunel , Marc, Rolland , Alain, Alouini , Mehdi, Cleva , F, Brillet , A, Coulon , J.-P, Merzougi , M, Beck , Alexandre, Ducournau , G, Lampin , J.-F, Zaknoune , M, Coinon , C, Wallart , X, Peytavit , E, Tahsin , A, Pillet , G, Morvan , L, Baili , G, Bourderionnet , J, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux (ARTEMIS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thales Research and Technology [Palaiseau], THALES [France], SFO, ANR-11-BS03-0010,OSMOTUS,OScillateur Micro-onde à THz Ultra-Stable(2011), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), THALES, Institut de Physique de Rennes ( IPR ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux ( ARTEMIS ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 ( IEMN ), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis ( UVHC ) -Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), and ANR-2011-BS0301001,OSMOTUS,OScillateur Micro-onde à THz Ultra-Stable

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics]
Abstract

National audience; Résultats Préliminaires : Oscillateur Micro-Onde à THz Ultra-Stable

Published
2014

26. Sub-THz zero-bias detector with high performances based on Heterostructure low barrier diode (HLBD)

Author

Nadar, S., primary, Zaknoune, M., additional, Wallart, X., additional, Coinon, C., additional, Peytavit, E., additional, Ducournau, G., additional, Gamand, F., additional, Thirault, M., additional, Werquin, M., additional, Jonniau, S., additional, Thouvenin, N., additional, Gaquiere, C., additional, Vellas, N., additional, and Lampin, J.-F., additional

Published
2016
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27. A metal-metal Fabry-Pérot cavity photoconductor for efficient GaAs terahertz photomixers.

Author

Peytavit, E., Coinon, C., and Lampin, J. -F.

Subjects
*LOW temperatures, *PHOTODIODES, *METALS, *MOLECULAR emission cavity analysis, *DENSITY
Abstract

The low responsivity of the low-temperature-grown GaAs based planar photoconductors used in the photomixing experiments can be improved by using a metal-metal Fabry-Pérot cavity. This resonant cavity photoconductor exhibits a dc-responsivity above 0.1 A/W and current density higher than 50 kA/cm2 with a low-temperature-grown-GaAs epitaxial layer presenting a subpicosecond carrier lifetime. Based on these results, up to 100 μW output power at 1 THz could be expected if this photoconductor is used in a photomixing experiment with a resonant antenna. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2011
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28. Oscillateur micro-onde à térahertz ultra-stable

Author

Danion, Gwennaël, Bondu, François, Loas, Goulc'Hen, Frein, Ludovic, Hamel, Cyril, Carré, Anthony, Bouhier, Steve, Vallet, Marc, Brunel, Marc, Rolland, Antoine, Alouini, Mehdi, Brillet, A., Coulon, J.P., Cleva, F., Merzougi, M., Beck, A., Ducournau, G., Lampin, J.F., Zaknoune, M., Coinon, C., Wallart, X., Peytavit, E., Tahsin, A., Pillet, Guillaume, Morvan, L., Baili, G., Bourderionnet, J., Institut de Physique de Rennes ( IPR ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux ( ARTEMIS ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 ( IEMN ), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis ( UVHC ) -Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Thales Research and Technologies [Orsay] ( TRT ), THALES, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux (ARTEMIS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thales Research and Technologies [Orsay] (TRT), THALES [France], Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), and COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2013

29. Microwave to terahertz ultra-stable oscillator

Author

Danion, Gwennaël, Bondu, François, Loas, Goulc'Hen, Frein, Ludovic, Hamel, Cyril, Carré, Anthony, Bouhier, Steve, Vallet, Marc, Brunel, Marc, Rolland, Antoine, Alouini, Mehdi, Brillet, A., Coulon, J.P., Cleva, F., Merzougi, M., Beck, A., Ducournau, G., Peytavit, E., Lampin, J.F., Zaknoune, M., Coinon, C., Wallart, X., Tahsin, A., Pillet, Guillaume, Morvan, L., Baïli, G., Bourderionnet, J., Institut de Physique de Rennes ( IPR ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux ( ARTEMIS ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 ( IEMN ), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis ( UVHC ) -Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Thales Research and Technologies [Orsay] ( TRT ), THALES, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux (ARTEMIS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), TRT Thales Reasearch & Technology, Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), THALES [France], Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015 - 2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 (IEMN), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), and Thales Research and Technologies [Orsay] (TRT)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

Institute of Electrical and Electronics Engineers-Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control Society; International audience

Published
2013

30. Laser bi-fréquences accordables pour la génération d'onde millimétrique et submillimétrique à haute cohérence

Author

Danion, Gwennaël, Bondu, François, Loas, Goulc'Hen, Frein, Ludovic, Hamel, Cyril, Carré, Anthony, Vallet, Marc, Brunel, Marc, Rolland, Antoine, Alouini, Mehdi, Brillet, A., Coulon, J.P., Cleva, F., Merzougi, M., Beck, A., Ducournau, G., Lampin, J.F., Zaknoune, M., Coinon, C., Wallart, X., Peytavit, E., Tahsin, A., Pillet, Guillaume, Morvan, L., Baïli, G., Bourderionnet, J., Institut de Physique de Rennes ( IPR ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux ( ARTEMIS ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 ( IEMN ), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis ( UVHC ) -Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Thales Research and Technologies [Orsay] ( TRT ), THALES, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux (ARTEMIS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thales Research and Technologies [Orsay] (TRT), THALES [France], Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), and COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2012

31. OSMOTUS : oscillateur millimétrique/submillimétrique à très haute pureté spectrale

Author

Bondu , François, Danion , Gwennaël, Loas , Goulc'Hen, Frein , Ludovic, Hamel , Cyril, Carré , Anthony, Bouhier , Steve, Vallet , Marc, Brunel , Marc, Rolland , Antoine, Alouini , Mehdi, Brillet , A., Coulon , J.P., Cleva , F., Merzougi , M., Beck , A., Ducournau , G., Lampin , J.F., Zaknoune , M., Coinon , C., Wallart , X., Peytavit , E., Tahsin , A., Pillet , G., Morvan , L., Baïli , G., Bourderionnet , J., Institut de Physique de Rennes ( IPR ), Université de Rennes 1 ( UR1 ), Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Université de Rennes ( UNIV-RENNES ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux ( ARTEMIS ), Université Nice Sophia Antipolis ( UNS ), Université Côte d'Azur ( UCA ) -Université Côte d'Azur ( UCA ) -Institut national des sciences de l'Univers ( INSU - CNRS ) -Observatoire de la Côte d'Azur, Université Côte d'Azur ( UCA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 ( IEMN ), Ecole Centrale de Lille-Institut supérieur de l'électronique et du nunérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis ( UVHC ) -Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), Thales Research and Technologies [Orsay] ( TRT ), THALES, Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Astrophysique Relativiste Théories Expériences Métrologie Instrumentation Signaux (ARTEMIS), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Thales Research and Technologies [Orsay] (TRT), THALES [France], Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Observatoire de la Côte d'Azur, COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Université Côte d'Azur (UCA)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), and COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [ PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS ] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

National audience

Published
2012

32. Milliwatt-level output power up to 305 GHz generated by photomixing in a GaAs photoconductor

Author

Peytavit, E., Lepilliet, S., Hindle, F., Coinon, C., Akalin, T., Ducournau, G., Mouret, G., Lampin, J.F., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère (LPCA), and Université du Littoral Côte d'Opale (ULCO)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience

Published
2012

33. High electron mobility InAs-based heterostructure on exact (001) Si using GaSb/GaP accommodation layer

Author

Desplanque, L., El Kazzi, S., Coinon, C., ZIEGLER, S., KUNERT, B., Beyer, A., VOLZ, K., Stolz, W., Wang, Y., Ruterana, P., Wallart, X., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2012

34. Active layers bonding of InP/GaAsSb/InP DHBTs in order to enhance thermal dissipation of InP-based devices

Author

Thiam, N.A., Coinon, C., Wallart, X., Zaknoune, M., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

35. Strain relaxation at the GaSb/GaAs and GaSb/GaP interfaces

Author

Desplanque, L., El Kazzi, S., Coinon, C., Wang, Y., Ruterana, P., Wallart, X., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2011

38. Etude morphologique de la croissance par épitaxie par jets moléculaires de GaSb sur substrat GaP

Author

El Kazzi, S., Desplanque, L., Coinon, C., Wallart, X., Wang, Y., Ruterana, P., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

39. Low temperature grown GaAsSb as photoconductive material near 1.06 µm

Author

Wallart, X., Coinon, C., Plissard, S.R., Godey, S., Offranc, O., Magnin, V., Lampin, J.F., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Published
2010

40. Growth of vertical InAs nanowire arrays on InP(111)B by MBE

Author

Caroff, P., Leturcq, R., Coinon, C., Wallart, X., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

National audience

Published
2009

41. Magnetotransport in InAs nanowires grown by molecular beam epitaxy

Author

Leturcq, R., Daymard, J., Stievenard, D., Caroff, P., Coinon, C., Wallart, X., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

National audience

Published
2009

42. Fully relaxed low-mismatched InAlAs layer on an InP substrate by using a two step buffer

Author

Plissard, S.R., Coinon, C., Androussi, Y., Wallart, X., Plissard, S.R., Coinon, C., Androussi, Y., and Wallart, X.

Abstract

The strain relaxation in low mismatched InxAl1-xAs layers has been studied by triple axis x-ray diffraction, transmission electron microscopy, and photoluminescence. Using a two step buffer, a fully relaxed top layer has been grown by adapting the composition and thickness of a first "strained layer." The threading dislocation density in the top layer is below 106/cm2 and strain is relaxed at the substrate/first layer interface by misfit dislocations. This scheme is a promising method to limit the thickness of buffer layers and obtain fully relaxed pseudosubstrates.

Published
2010

49. Selective area molecular beam epitaxy of InSb on InP(111) B : from thin films to quantum nanostructures.

Author

Khelifi W, Capiod P, Barbot C, Coinon C, Deblock Y, Santos CN, Chaize N, Berthe M, Jouneau PH, Amarie S, Lampin JF, Wallart X, Ballet P, Grandidier B, and Desplanque L

Abstract

InSb is a material of choice for infrared as well as spintronic devices but its integration on large lattice mismatched semi-insulating III-V substrates has so far altered its exceptional properties. Here, we investigate the direct growth of InSb on InP(111) B substrates with molecular beam epitaxy. Despite the lack of a thick metamorphic buffer layer for accommodation, we show that quasi-continuous thin films can be grown using a very high Sb/In flux ratio. The quality of the films is further studied with Hall measurements on large-scale devices to assess the impact of the InSb surface and InSb/InP interface on the electronic properties. Taking advantage of the optimized growth conditions for the formation of thin films, the selective area molecular beam epitaxial growth of nanostructures is subsequently investigated. Based on cross-sectional transmission electron microscopy and scanning near-field optical microscopy in the middle-wave infrared, ultra-thin and very long in-plane InSb nanowires as well as more complex nanostructures such as nano-rings and crosses are achieved with a good structural quality., (© 2025 IOP Publishing Ltd. All rights, including for text and data mining, AI training, and similar technologies, are reserved.)

Published
2025
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50. InGaAs quantum dot chains grown by twofold selective area molecular beam epitaxy.

Author

Barbot C, Rondeau-Body C, Coinon C, Deblock Y, Tilmant P, Vaurette F, Yarekha D, Berthe M, Thomas L, Diesinger H, Capiod P, Desplanque L, and Grandidier B

Abstract

Increasing quantum confinement in semiconductor quantum dot (QD) systems is essential to perform robust simulations of many-body physics. By combining molecular beam epitaxy and lithographic techniques, we developed an approach consisting of a twofold selective area growth to build QD chains. Starting from 15 nm-thick and 65 nm-wide in-plane In 0.53 Ga 0.47 As nanowires on InP substrates, linear arrays of In 0.53 Ga 0.47 As QDs were grown on top, with tunable lengths and separations. Kelvin probe force microscopy performed at room temperature revealed a change of quantum confinement in chains with decreasing QD sizes, which was further emphasized by the spectral shift of quantum levels resolved in the conduction band with low temperature scanning tunneling spectroscopy. This approach, which allows the controlled formation of 25 nm-thick QDs with a minimum length and separation of 30 nm and 22 nm respectively, is suitable for the construction of scalable fermionic quantum lattices., (© 2024 IOP Publishing Ltd.)

Published
2024
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