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18 results on '"Brottet, Solène"'

2. Enhanced Light Trapping in GaAs/TiO2-Based Photocathodes for Hydrogen Production

Author

Dursap, Thomas, primary, Fadel, Mariam, additional, Regreny, Philippe, additional, Tapia Garcia, Cristina, additional, Chevalier, Céline, additional, Nguyen, Hai Son, additional, Drouard, Emmanuel, additional, Brottet, Solène, additional, Gendry, Michel, additional, Danescu, Alexandru, additional, Koepf, Matthieu, additional, Artero, Vincent, additional, Bugnet, Matthieu, additional, and Penuelas, José, additional

Published
2023
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3. Hexagonal Ge on self-assisted GaAs Nanowires for light emission

Author

Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose, INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), GdR MatÉpi, ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), and European Project: ECLAUSion

Subjects
Hexagonal Germanium, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Molecular Beam Epitaxy, Semiconductor Nanowires
Abstract

National audience

Published
2023

4. MBE-growth of hex-Ge shells

Author

Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose, INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), and European Project: ECLAUSion

Subjects
Hexagonal Germanium, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Molecular Beam Epitaxy, Semiconductor Nanowires
Abstract

International audience

Published
2023

5. Hexagonal Ge on self-assisted GaAs Nanowires in MBE

Author

Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose, INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), and European Project: ECLAUSion

Subjects
Hexagonal Germanium, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Molecular Beam Epitaxy, Semiconductor Nanowires
Abstract

National audience

Published
2023

6. Growth and Characterization of Hexagonal Germanium on Self-Assisted GaAs Nanowires by MBE

Author

Dudko, Iuliia, Dursap, Thomas, Lamirand, Anne, Botella, Claude, Regreny, Philippe, Danescu, Alexandre, Brottet, Solène, Bugnet, Matthieu, Walia, Sumeet, Chauvin, Nicolas, Penuelas, Jose, INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures (INL - MFN), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Royal Melbourne Institute of Technology University (RMIT University), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), ANR-10-LABX-0064,Imust,Institut for Multiscale Science and Technology : from Fundamental Physics and Chemistry to Engineering in New Material and Processes and Ecotechnologies(2010), ANR-17-CE30-0014,HEXSIGE,Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si(2017), and European Project: ECLAUSion

Subjects
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract

National audience

Published
2022

7. Mechanical Switching of Ferroelectric Domains in 33‐200 nm‐Thick Sol‐Gel‐Grown PbZr 0.2 Ti 0.8 O 3 Films Assisted by Nanocavities

Author

Gonzalez Casal, Sergio, primary, Bai, Xiaofei, additional, Alhada‐Lahbabi, Kevin, additional, Canut, Bruno, additional, Vilquin, Bertrand, additional, Rojo Romeo, Pedro, additional, Brottet, Solène, additional, Albertini, David, additional, Deleruyelle, Damien, additional, Bugnet, Matthieu, additional, Canero Infante, Ingrid, additional, and Gautier, Brice, additional

Published
2022
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10. Mechanical Switching of Ferroelectric Domains in 33‐200 nm‐Thick Sol‐Gel‐Grown PbZr0.2Ti0.8O3 Films Assisted by Nanocavities.

Author

Gonzalez Casal, Sergio, Bai, Xiaofei, Alhada‐Lahbabi, Kevin, Canut, Bruno, Vilquin, Bertrand, Rojo Romeo, Pedro, Brottet, Solène, Albertini, David, Deleruyelle, Damien, Bugnet, Matthieu, Canero Infante, Ingrid, and Gautier, Brice

Subjects
FERROELECTRIC thin films, THICK films, ATOMIC force microscopes, DIELECTRIC polarization, LEAD zirconate titanate, STRAINS & stresses (Mechanics), THIN films, CHEMICAL solution deposition
Abstract

The mechanical switching of ferroelectric domains is achieved in PbZr0.2Ti0.8O3 thin films obtained by the sol‐gel method for thicknesses up to 200 nm. The dielectric polarization can be switched when a force higher than a given threshold value in the order of some μNewtons is applied with the tip of an atomic force microscope. This threshold is determined as a function of the thickness of the films, and local hysteresis loops are recorded under mechanical stress. The possibility of switching the polarization in such unusually thick films is related to the existence in their volume of physical nanoscale defects, which might play the role of pinning centers for the domains. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2022
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11. Two‐dimensional photonic metasurfaces for slow light‐controlled photocatalysis

Author

Capitolis, Jérôme, primary, Hamandi, Marwa, additional, Hochedel, Marion, additional, El‐Jallal, Said, additional, Drouard, Emmanuel, additional, Chevalier, Céline, additional, Leclercq, Jean‐Louis, additional, Penuelas, José, additional, Dursap, Thomas, additional, Brottet, Solène, additional, Devif, Brice, additional, Nguyen, Hai Son, additional, Berhault, Gilles, additional, Chovelon, Jean‐Marc, additional, Ferronato, Corinne, additional, Guillard, Chantal, additional, Puzenat, Eric, additional, Crespo‐Monteiro, Nicolas, additional, Reynaud, Stephanie, additional, Jourlin, Yves, additional, Bugnet, Matthieu, additional, and Seassal, Christian, additional

Published
2021
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13. Two‐dimensional photonic metasurfaces for slow light‐controlled photocatalysis.

Author

Capitolis, Jérôme, Hamandi, Marwa, Hochedel, Marion, El‐Jallal, Said, Drouard, Emmanuel, Chevalier, Céline, Leclercq, Jean‐Louis, Penuelas, José, Dursap, Thomas, Brottet, Solène, Devif, Brice, Nguyen, Hai Son, Berhault, Gilles, Chovelon, Jean‐Marc, Ferronato, Corinne, Guillard, Chantal, Puzenat, Eric, Crespo‐Monteiro, Nicolas, Reynaud, Stephanie, and Jourlin, Yves

Subjects
PHOTOCATALYSIS, OPTICAL properties, WATER electrolysis, ARTIFICIAL photosynthesis, PHOTONICS, TITANIUM dioxide
Abstract

Photocatalysis using semiconductor materials like titania (TiO2) is a key method for environmental purification or solar fuel generation. Nanostructures that maximize incident light absorption are highly desired to enhance depollution rate or solar‐to‐fuel conversion efficiency in limited volumes of catalysts. Here, we report on structural and optical properties of metasurfaces based on a 20 nm thick anatase layer conformally deposited onto a wavelength‐scale two‐dimensional periodic photonic lattice. We investigate the NO degradation using such metasurfaces, and evaluate the impact of the patterning on photocatalytic activities between 340 and 400 nm. In the 380–385 nm range, the mean photochemical efficiency is increased by a factor up to 5.7 compared to flat references, with an overall three‐fold enhancement within the whole spectral range of interest. This approach can be applied to numerous types of systems by varying active materials, leading to substantial improvements in air/water depollution, water splitting or artificial photosynthesis processes. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Published
2022
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14. Study of the Electrical and Electronic Properties of Domains and Domain Walls in Ferroelectrics Combining AFM and STEM Techniques

Author

Gonzalez Casal, Sergio, Albertini, David, Ingrid C., Infante, BABOUX, Nicolas, BROTTET, Solène, Sánchez, Florencio, Vilquin, Bertrand, Bugnet, Matthieu, Bai, Xiaofei, Gautier, Brice, GAUTIER, Brice, INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Institut de Ciencia de materials de barcelone, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Matériaux, ingénierie et science [Villeurbanne] (MATEIS), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), and Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

International audience

Published
2019

15. AlAs/InAlAs superlattice sacrificial layer for epitaxial lift-off of solar cells within the InP lattice parameter

Author

Chancerel, François, Regreny, Philippe, Leclercq, Jean-Louis, Brottet, Solène, Gendry, Michel, Blanchard, Nicholas, Jaouad, A., Darmon, M., Fafard, S., Aimez, Vincent, INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2 ), Université de Sherbrooke [Sherbrooke]-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke [Sherbrooke], Institut Lumière Matière [Villeurbanne] (ILM), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon, Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Sherbrooke [Sherbrooke]-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Sherbrooke (UdeS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] (3IT), Université de Sherbrooke (UdeS), INL - Nanophotonique (INL - Photonique), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), and Inl, Laboratoire INL UMR5270

Subjects
[PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS] Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [PHYS] Physics [physics], [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

International audience; no abstract

Published
2017

17. Indium-Oxide Nanoparticles for RRAM devices compatible with CMOS backend- off-line

Author

Leon Perez, Edgar, GUENERY, Pierre-Vincent, ABOUZAID, O., Ayadi, Khaled, BROTTET, Solène, Moeyaert, J., Labau, S., Baron, T., Blanchard, Nicholas, BABOUX, Nicolas, militaru, Liviu, SOUIFI, Abdelkader, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), INL - Plateforme Technologique Nanolyon (INL - Nanolyon), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CSNSM SEMI, Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse (CSNSM), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut de Recherche en Informatique Fondamentale (IRIF (UMR_8243)), Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Dispositifs Electroniques (INL - DE), Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (CEA-LETI), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Université de Lyon-Université de Lyon-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon, Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Institut National de Physique Nucléaire et de Physique des Particules du CNRS (IN2P3)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), and Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) - Grenoble-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract

International audience; no abstract

Published
2017

18. Enhanced Light Trapping in GaAs/TiO 2 -Based Photocathodes for Hydrogen Production.

Author

Dursap T, Fadel M, Regreny P, Tapia Garcia C, Chevalier C, Nguyen HS, Drouard E, Brottet S, Gendry M, Danescu A, Koepf M, Artero V, Bugnet M, and Penuelas J

Abstract

Photoelectrochemical cells (PEC) are appealing devices for the production of renewable energy carriers. In this context, III-V semiconductors such as GaAs are very promising materials due to their tunable band gaps, which can be appropriately adjusted for sunlight harvesting. Because of the high cost of these semiconductors, the nanostructuring of the photoactive layer can help to improve the device efficiency as well as drastically reduce the amount of material needed. III-V nanowire-based photoelectrodes benefit from the intrinsically high aspect ratio of nanowires, their enhanced ability to trap light, and their improved charge separation and collection abilities and thus are particularly attractive for PECs. However, III-V semiconductors often suffer from corrosion in aqueous electrolytes, preventing their utilization over long periods under relevant working conditions. Here, photocathodes of GaAs nanowires protected with thin TiO 2 shells were prepared and studied under simulated sunlight irradiation to assess their photoelectrochemical performances in correlation with their structural degradation, highlighting the advantageous nanowire geometry compared to its thin-film counterpart. Morphological and electronic parameters, such as the aspect ratio of the nanowires and their doping pattern, were found to strongly influence the photocatalytic performances of the system. This work highlights the advantageous combination of nanowires featuring a buried radial p-n junction with Co nanoparticles used as a hydrogen evolution catalyst. The nanostructured photocathodes exhibit significant photocatalytic activities comparable with previous noble-metal-based systems. This study demonstrates the potential of a GaAs nanostructured semiconductor and its reliable use for photodriven hydrogen production.

Published
2023
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