Author: "Bertru, Nicolas" - Searchworks@Jio Institute Digital Library Search Results

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152 results on '"Bertru, Nicolas"'

1. Assessment of GaPSb/Si tandem material association properties for photoelectrochemical cells

Author: Chen, Lipin, Alqahtani, Mahdi, Levallois, Christophe, Létoublon, Antoine, Stervinou, Julie, Piron, Rozenn, Boyer-Richard, Soline, Jancu, Jean-Marc, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Léger, Yoan, Bertru, Nicolas, Wu, Jiang, Parkin, Ivan P., and Cornet, Charles
Subjects: Physics - Applied Physics, Condensed Matter - Materials Science
Abstract: Here, the structural, electronic and optical properties of the GaP1-xSbx/Si tandem materials association are determined in view of its use for solar water splitting applications. The GaPSb crystalline layer is grown on Si by Molecular Beam Epitaxy with different Sb contents. The bandgap value and bandgap type of GaPSb alloy are determined on the whole Sb range, by combining experimental absorption measurements with tight binding (TB) theoretical calculations. The indirect (X-band) to direct ({\Gamma}-band) cross-over is found to occur at 30% Sb content. Especially, at a Sb content of 32%, the GaP1-xSbx alloy reaches the desired 1.7eV direct bandgap, enabling efficient sunlight absorption, that can be ideally combined with the Si 1.1 eV bandgap. Moreover, the band alignment of GaP1-xSbx alloys and Si with respect to water redox potential levels has been analyzed, which shows the GaPSb/Si association is an interesting combination both for the hydrogen evolution and oxygen evolution reactions. These results open new routes for the development of III-V/Si low-cost high-efficiency photoelectrochemical cells.
Published: 2020

2. Dual bandgap operation of a GaAs/Si photoelectrode

Author: Piriyev, Mekan, Loget, Gabriel, Léger, Yoan, Chen, Lipin, Létoublon, Antoine, Rohel, Tony, Levallois, Christophe, Le Pouliquen, Julie, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, and Cornet, Charles
Published: 2023
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3. Photoelectrode/electrolyte interfacial band lineup engineering with alloyed III–V thin films grown on Si substrates.

Author: Piriyev, Mekan, Loget, Gabriel, Léger, Yoan, Le, Hanh Vi, Chen, Lipin, Létoublon, Antoine, Rohel, Tony, Levallois, Christophe, Le Pouliquen, Julie, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, and Cornet, Charles
Abstract: In this work, we demonstrate how the classical concept of band gap engineering usually used in III–V semiconductor devices can be extended to the engineering of the band lineup between semiconducting photoelectrodes and electrolytes. The performances of photoelectrodes made of GaP1−xAsx epilayers in the full compositional range and grown on low-cost Si substrates were studied and compared with those of photoelectrodes grown on GaAs and GaP substrates. We first show that the changes of incident photon to current conversion efficiency (IPCE) with the As content in GaP1−xAsx alloys are related to the band gap nature (direct or indirect) and band gap energy variations. Then, from flat band potential measurements during Mott–Schottky experiments, valence and conduction band energies of GaP1−xAsx alloys are positioned versus the reversible hydrogen potential. A weak change of conduction band energies and a large evolution of valence band energies are obtained, in good agreement with expected theoretical trends. Such results show that both band gaps and semiconductor/electrolyte band lineups can be engineered through alloying of III–V semiconductors deposited on silicon substrates. This band lineup engineering strategy is expected to be of great interest to address specific redox reactions in the electrolyte, provided that suitable protecting or passivating layers can be used to limit surface/interface recombinations. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Published: 2024
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4. Photoelectrode/Electrolyte interfacial band lineup engineering with alloyed III-V thin films grown on Si substrate.

Author: Piriyev, Mekan, primary, Loget, Gabriel, additional, Leger, Yoan, additional, Le, Vi Hanh, additional, Chen, Lipin, additional, Letoublon, Antoine, additional, Rohel, Tony, additional, Levallois, Christophe, additional, Le Pouliquen, Julie, additional, Fabre, Bruno, additional, Bertru, Nicolas, additional, and Cornet, Charles, additional
Published: 2023
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5. Transport in photoelectrochemical heterojunctions: Interface-controlled physics

Author: Léger, Yoan, Le, Hanh Vi, Piriyev, Mekan, Chen, Lipin, Le Corre, Brieg, Zhao, Yiran, Loget, Gabriel, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de Physique des Solides (LPS), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-20-CE29-0006,LiCORN,Conversion lumineuse par électrochimiluminescence photoinduite(2020), and ANR-21-CE09-0020,PIANIST,Propriétés physiques de matériaux hybrides semi-métal/semi-conducteur III-V/Si(2021)
Subjects: [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], [PHYS.QPHY]Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract: International audience; Widely investigated in the 70’s and 80’s, photo-electrochemistry of semiconductors (SC-PEC) has regained a huge interest in the context of global warming, especially with the quest of solar fuel production. Considerable advances have indeed been made from those days to understand and tailor the physics of semiconductor photoelectrodes, with the development of protection and catalytic coatings for aqueous operation,[1] and the development of novel electrochemical schemes such as photo-induced electrochemiluminescence.[2]Compared to photovoltaics where solar spectrum harvesting and carrier transport are the main challenges, PEC devices also require the management of the electrolyte/SC interface. In most photoelectrodes, this Schottky-like interface is the heart of the device, enabling to feed the electrolyte with the ad-hoc photo-carrier, depending on the intended chemical reaction. Still, it is also the place where harmful effects can appearsuch as surface trapping and corrosion. Engineering of this interface is thus crucial in view of chemical stability, photovoltage and overpotential optimization.In this talk, we will first introduce the basics of SC photo-electrodes, emphasizing on the conceptual gaps between experiments and numerical simulations of the devices. This will allow us to address the concept of III-V thin films on silicon for PEC where the physics of the device not only depends on the electrolyte/III-V interface but also on the III-V/silicon one and on structural defects with semimetal properties which cross the III-V layer.[3] These novel heterojunctions show promising performances at both poles of PEC cells for solar hydrogen production (see Figure 1).
Published: 2022

6. MBE-grown GaAs on a low-cost Si substrate for solar hydrogen production

Author: Vi, Hanh, Piriyev, Mekan, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Rohel, Tony, Létoublon, Antoine, Levallois, Christophe, Tavernier, Karine, Léger, Yoan, Bertru, Nicolas, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and European Materials Research Society
Subjects: [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2022

7. Tunable bandgap III-V alloys on a low-cost Si substrate for solar-assisted water splitting

Author: Piriyev, Mekan, Le, Hanh Vi, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Levallois, Christophe, Rohel, Tony, Létoublon, Antoine, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2022

8. Hétéro-épitaxie III-V/Si : contrôle des propriétés des surfaces et interfaces pour la photo-électrochimie

Author: Cornet, Charles, Chen, Lipin, Piriyev, Mekan, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Patriarche, Gilles, Léger, Yoan, Beck, Alexandre, Ponchet, Anne, Skibitzki, Oliver, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Innovations for High Performance Microelectronics (IHP), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-21-CE09-0020,PIANIST,Propriétés physiques de matériaux hybrides semi-métal/semi-conducteur III-V/Si(2021), and ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience; L’intégration monolithique de semi-conducteurs III-V sur substrat de Si a de nombreux avantages dans le domaine de la photonique, de l’électronique, ou de l’énergie. Dans cet exposé, nous montrerons tout d’abord le rôle fondamental des surfaces et interfaces et de leur structure atomique lors de la croissance III-V sur Si. Nous montrerons ensuite que les parois d’antiphase créées lors de la croissance cristalline se comportent comme des singularités 2D avec des propriétés de confinement de porteurs et de phonons originales. Enfin, nous montrerons comment ces singularités peuvent dans certains cas se comporter comme des inclusions semi-métalliques, et comment il est possible de s’en servir pour la production d’hydrogène solaire.
Published: 2022

9. Hybrid ambipolar 2D semimetal/semiconductor III-V/Si heterostructures: Promises for photonics, energy harvesting and electronics

Author: Cornet, Charles, Chen, Lipin, Piriyev, Mekan, Rodriguez, Jean-Baptiste, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Cerutti, Laurent, Patriarche, Gilles, Léger, Yoan, Beck, Alexandre, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Levallois, Christophe, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Tournié, Eric, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux (MAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Photonique et Ondes (PO), The authors acknowledge the French National Research Agency for funding through the ANR project PIANIST (ANR-21-CE09-0020), the French program on Investment for the Future (ANR-11-EQPX-0016), Rennes Métropole through the 'REMOTE' project and the H2020 program of the European Union (GA 780240). This work received support from the RENATECH network for part of the transmission electron microscopy studies and within NanoRennes for technological support. DFT calculations were performed at Institut FOTON and the work was granted access to the HPC resources of TGCC/CINES/IDRIS under the allocation 2020-A0080911434 and 2021-A0100911434 made by GENCI, VEBLEO international organization, ANR-21-CE09-0020,PIANIST,Propriétés physiques de matériaux hybrides semi-métal/semi-conducteur III-V/Si(2021), and ANR-11-EQPX-0016,EXTRA,Centre d'Excellence sur les Antimoniures(2011)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2021

10. Epitaxial III–V/Si Vertical Heterostructures with Hybrid 2D‐Semimetal/Semiconductor Ambipolar and Photoactive Properties

Author: Chen, Lipin, primary, Léger, Yoan, additional, Loget, Gabriel, additional, Piriyev, Mekan, additional, Jadli, Imen, additional, Tricot, Sylvain, additional, Rohel, Tony, additional, Bernard, Rozenn, additional, Beck, Alexandre, additional, Le Pouliquen, Julie, additional, Turban, Pascal, additional, Schieffer, Philippe, additional, Levallois, Christophe, additional, Fabre, Bruno, additional, Pedesseau, Laurent, additional, Even, Jacky, additional, Bertru, Nicolas, additional, and Cornet, Charles, additional
Published: 2021
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11. III-V/Si photoelectrodes with ambipolar properties

Author: Chen, Lipin, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Piriyev, Mekan, Jadli, Imen, Tricot, Sylvain, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Beck, Alexandre, Le Pouliquen, Julie, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Levallois, Christophe, Fabre, Bruno, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2021

12. Bandgap engineering of III-V semiconductors on silicon for solar hydrogen production

Author: Piriyev, Mekan, Chen, Lipin, Léger, Yoan, Rohel, Tony, Létoublon, Antoine, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2021

13. Is a substrate miscut really required for high quality III-V/Si monolithic integration?

Author: Cornet, Charles, Charbonnier, Simon, Lucci, Ida, Chen, Lipin, Létoublon, Antoine, Tavernier, Karine, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, RODRIGUEZ, Jean-baptiste, Cerutti, Laurent, Tournié, Eric, Léger, Yoan, Bahri, Mounib, Patriarche, Gilles, Largeau, Ludovic, Ponchet, Anne, Turban, Pascal, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Matériaux (MAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Surfaces, Interfaces et Nano-Objets (CEMES-SINanO), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Renatech, ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2021

14. III-V/Si antiphase boundaries used as 2D-semimetallic topological vertical inclusions for solar hydrogen production

Author: Chen, Lipin, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Piriyev, Mekan, Jadli, Imen, Tricot, Sylvain, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Beck, Alexandre, Le Pouliquen, Julie, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Levallois, Christophe, Fabre, Bruno, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Renatech +, Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Cornet, Charles
Subjects: [CHIM.MATE] Chemical Sciences/Material chemistry, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2021

15. MBE-grown GaAs(x)P(1-x)/Si photoelectrodes for solar hydrogen production

Author: Piriyev, Mekan, Chen, Lipin, Léger, Yoan, Levallois, Christophe, Rohel, Tony, Létoublon, Antoine, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2021

16. Robust 2D semimetallic inclusions boost performances of III-V/Si heterostructures for water-splitting

Author: Chen, Lipin, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Piriyev, Mekan, Jadli, Imen, Tricot, Sylvain, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Beck, Alexandre, Le Pouliquen, Julie, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Levallois, Christophe, Fabre, Bruno, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2021

17. Theoretical and experimental studies of (In,Ga)As/GaP quantum dots

Author: Robert, Cedric, Thanh, Tra Nguyen, Cornet, Charles, Turban, Pascal, Perrin, Mathieu, Balocchi, Andrea, Folliot, Herve, Bertru, Nicolas, Pedesseau, Laurent, Nestoklon, Mikhail O, Even, Jacky, Jancu, Jean-Marc, Tricot, Sylvain, Durand, Olivier, Marie, Xavier, and Le Corre, Alain
Published: 2012
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18. Performances of III-P/Si based photoelectrodes for solar hydrogen production

Author: Chen, Lipin, Piriyev, Mekan, Létoublon, Antoine, Durand, Olivier, Pedesseau, Laurent, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2021

19. Assessment of GaPSb/Si tandem material association properties for photoelectrochemical cells

Author: Chen, Lipin, primary, Alqahtani, Mahdi, additional, Levallois, Christophe, additional, Létoublon, Antoine, additional, Stervinou, Julie, additional, Piron, Rozenn, additional, Boyer-Richard, Soline, additional, Jancu, Jean-Marc, additional, Rohel, Tony, additional, Bernard, Rozenn, additional, Léger, Yoan, additional, Bertru, Nicolas, additional, Wu, Jiang, additional, Parkin, Ivan P., additional, and Cornet, Charles, additional
Published: 2021
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20. Massive Onset Potential Shifting with an Epitaxial GaAs/Si Photocathode for Solar H2 Production.

Author: Le, Hanh Vi, Piriyev, Mekan, Febvre, Sylvain, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Harel, Sylvie, Rockett, Angus, Steirer, Kenneth, Rohel, Tony, Tavernier, Karine, Le Pouliquen, Julie, Largeau, Ludovic, Patriarche, Gilles, Bernard, Rozenn, Leger, Yoan, Bertru, Nicolas, and Cornet, Charles
Published: 2024
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21. Influence des paramètres de croissance de l'homoépitaxie silicium par UHV- CVD sur la reconstruction de surface du silicium

Author: Bernard, Rozenn, Bertru, Nicolas, Rohel, Tony, Tavernier, Karine, Lucci, Ida, Léger, Yoan, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: [PHYS]Physics [physics]
Abstract: International audience; Le développement de composants III-V monolithiquement intégrés sur silicium nécessite la maitrise des défauts cristallins générés à l’interface III-V/Si. La qualité de la surface du substrat de silicium et la structuration des dimères de silicium semblent jouer un rôle prépondérant dans la formation de certains défauts cristallins, tels que les parois d’antiphase. Nous verrons que la préparation de surface du substrat de silicium ainsi que l’épitaxie d’un buffer de silicium par UHV-CVD sont indispensables pour contrôler les défauts générés à l’interface III-V/Si. Après une présentation de l’équipement UHV-CVD et de ses possibilités, nous montrerons l’influence des paramètres de croissance sur le réarrangement des dimères de silicium en surface. Nous verrons qu’il est possible de favoriser la formation de marches monoatomiques ou biatomiques, selon la désorientation du substrat. Nous présenterons également des essais d’optimisation de dopage d’homoépitaxies silicium, en vue de la réalisation de jonction P-N silicium.
Published: 2020

22. GaPSb/Si tandem material with APBs for efficient overall water splitting

Author: Chen, Lipin, Alqahtani, Mahdi, Levallois, Christophe, Létoublon, Antoine, Le Pouliquen, Julie, Piron, Rozenn, Boyer-Richard, S., Pedesseau, Laurent, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Wu, Jiang, Parkin, Ivan, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), University College of London [London] (UCL), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.CATA]Chemical Sciences/Catalysis, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2020

23. TEM analysis of stress in GaInAs/(001)InP epitaxial systems.

Author: Rocher, André, Cabié, Martiane, Ponchet, Anne, and Bertru, Nicolas
Published: 2003
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24. Strong Electron–Phonon Interaction in 2D Vertical Homovalent III–V Singularities

Author: Chen, Lipin, primary, Skibitzki, Oliver, additional, Pedesseau, Laurent, additional, Létoublon, Antoine, additional, Stervinou, Julie, additional, Bernard, Rozenn, additional, Levallois, Christophe, additional, Piron, Rozenn, additional, Perrin, Mathieu, additional, Schubert, Markus Andreas, additional, Moréac, Alain, additional, Durand, Olivier, additional, Schroeder, Thomas, additional, Bertru, Nicolas, additional, Even, Jacky, additional, Léger, Yoan, additional, and Cornet, Charles, additional
Published: 2020
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25. Epitaxial III–V/Si Vertical Heterostructures with Hybrid 2D‐Semimetal/Semiconductor Ambipolar and Photoactive Properties.

Author: Chen, Lipin, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Piriyev, Mekan, Jadli, Imen, Tricot, Sylvain, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Beck, Alexandre, Le Pouliquen, Julie, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Levallois, Christophe, Fabre, Bruno, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, and Cornet, Charles
Subjects: HETEROSTRUCTURES, CHARGE carriers, MECHANICAL properties of condensed matter, MATERIALS management, TOPOLOGICAL property, ENERGY harvesting, HETEROJUNCTIONS, PHOTOCATHODES
Abstract: Hybrid materials taking advantage of the different physical properties of materials are highly attractive for numerous applications in today's science and technology. Here, it is demonstrated that epitaxial bi‐domain III–V/Si are hybrid structures, composed of bulk photo‐active semiconductors with 2D topological semi‐metallic vertical inclusions, endowed with ambipolar properties. By combining structural, transport, and photoelectrochemical characterizations with first‐principle calculations, it is shown that the bi‐domain III–V/Si materials are able within the same layer to absorb light efficiently, separate laterally the photo‐generated carriers, transfer them to semimetal singularities, and ease extraction of both electrons and holes vertically, leading to efficient carrier collection. Besides, the original topological properties of the 2D semi‐metallic inclusions are also discussed. This comb‐like heterostructure not only merges the superior optical properties of semiconductors with good transport properties of metallic materials, but also combines the high efficiency and tunability afforded by III–V inorganic bulk materials with the flexible management of nano‐scale charge carriers usually offered by blends of organic materials. Physical properties of these novel hybrid heterostructures can be of great interest for energy harvesting, photonic, electronic or computing devices. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Published: 2022
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26. III-V/Si photoelectrodes: a new route for solar hydrogen production

Author: Cornet, Charles, Chen, Lipin, Alqahtani, Mahdi, Levallois, Christophe, Létoublon, Antoine, Stervinou, Julie, Piron, Rozenn, Boyer-Richard, S., Pedesseau, Laurent, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Léger, Yoan, Loget, Gabriel, Wu, Jiang, Parkin, Ivan, Fabre, Bruno, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), University College of London [London] (UCL), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), C'Nano-PACA, Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2019

27. Universal growth mechanism of III-V/Si: using antiphase boundaries for devices

Author: Cornet, Charles, Lucci, Ida, Chen, Lipin, Pedesseau, Laurent, Bernard, Rozenn, Rohel, Tony, Levallois, Christophe, Piron, Rozenn, Létoublon, Antoine, Léger, Yoan, Bertru, Nicolas, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), The ab initio simulations have been performed on HPC resources of CINES under the allocation 2016-[x2016096724] made by GENCI (Grand Equipement National de Calcul Intensif)., ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2019

28. Solar Water Splitting: surface energy engineering of GaP Template on Si

Author: Pedesseau, Laurent, Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Turban, Pascal, Léger, Yoan, Rohel, Tony, Bertru, Nicolas, Létoublon, Antoine, Vallet, Maxime, Ponchet, Anne, Largeau, Ludovic, Patriarche, Gilles, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [CHIM.MATE]Chemical Sciences/Material chemistry, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2019

29. GaPSb/Si photoelectrode for Solar Fuel Production

Author: Chen, Lipin, Levallois, Christophe, Létoublon, Antoine, Le Pouliquen, Julie, Piron, Rozenn, Boyer-Richard, Soline, Jancu, Jean-Marc, Pedesseau, Laurent, Rohel, Tony, Bernard, Rozenn, Léger, Yoan, Bertru, Nicolas, Parkin, Ivan, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), University College of London [London] (UCL), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic
Abstract: International audience; Solar water splitting consists in the production of hydrogen fuel by photoelectrochemical (PEC) reactions. It offers a clean, environmentally friendly solution to sustain the global energy supply and has driven many researches recently [1-2]. Efficient solar water splitting demands suitable photoelectrodes, which should enable high light absorption and feature a band gap with appropriate band alignment to realize charge transfer from the photoelectrode to water. In this work, we investigate the potential of a new photoelectrode material GaPSb/Si for solar water splitting. Relaxed GaPSb monocrystalline alloy was grown on cheap silicon substrate by molecular beam epitaxy (MBE) without any evidence of phase separation. The band structure of GaPSb/Si is determined by combining experimental optical measurements with tight binding (TB) theoretical calculations, confirming the appropriate band alignment for water splitting. Moreover, PEC characterizations were carried out on different GaPSb/Si samples, demonstrating good PEC performances. GaPSb/Si thus appears as a promising candidate for low-cost high-efficiency solar water splitting.[1] D. Kang, T. W. Kim, S. R. Kubota, A. C. Cardiel, H. G. Cha, K.-S. Choi, Chemical reviews 2015, 115, 12839.[2] I. Lucci, S. Charbonnier, M. Vallet, P. Turban, Y. Léger, T. Rohel, N. Bertru, A. Létoublon, J.-B. Rodriguez, L. Cerutti, E. Tournié, A. Ponchet, G. Patriarche, L. Pedesseau, C. Cornet, Advanced Functional Materials 2018, 28, 1801585.
Published: 2019

30. A universal mechanism to describe III-V epitaxy on Si

Author: Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Pedesseau, Laurent, Vallet, Maxime, Cerutti, Laurent, Rodriguez, Jean-Baptiste, Tournié, Eric, Bernard, Rozenn, Létoublon, Antoine, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Rennesson, Stephanie, Semond, Fabrice, Patriarche, Gilles, Largeau, Ludovic, Turban, Pascal, Ponchet, Anne, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA), Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Région Bretagne, HPC resources of CINES under the allocation 2016-[x2016096724] made by GENCI (Grand Equipement National de Calcul Intensif)., ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), ANR-17-CE24-0019,ORPHEUS,Phénomènes optiques du second ordre dans les microdisques de phosphure de gallium intégrés sur silicium(2017), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS)
Subjects: [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2019

31. Large scale textured GaP(114) growth on vicinal Si substrate by Molecular Beam Epitaxy for water splitting applications

Author: Lucci, Ida, Charbonnier, Simon, Vallet, Maxime, Turban, Pascal, Léger, Yoan, Rohel, Tony, Bertru, Nicolas, Létoublon, Antoine, RODRIGUEZ, Jean-baptiste, Cerutti, Laurent, Tournié, Eric, Patriarche, Gilles, Ponchet, Anne, Pedesseau, Laurent, Cornet, C., Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (C2N), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Subjects: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
Abstract: International audience; Solar photoelectrochemical (PEC) water-splitting devices have been studied for decades with the aim to convert and store the solar energy into clean hydrogen fuels. Recently GaP-based PEC devices have been proposed, because of the adapted GaP bandgap (2.25eV). Moreover, surface texturation at the electrode level has been investigated to optimize the PEC devices efficiency. In this work, we present a large scale stress-free GaP textured surface grown by Molecular Beam Epitaxy on vicinal Si substrate. We then explain the GaP{114} facets stability by density functional theory, we finally present the advantages of using this textured surface, in water splitting applications.
Published: 2018

32. Shape transition in InAs nanostructures formed by Stranski-Krastanow growth mode on InP (001) substrate

Author: Ponchet, Anne, primary, Pedesseau, Laurent, additional, Le Corre, Alain, additional, Cornet, Charles, additional, and Bertru, Nicolas, additional
Published: 2019
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33. Photoelectrochemical water oxidation of GaP1−xSbx with a direct band gap of 1.65 eV for full spectrum solar energy harvesting

Author: Alqahtani, Mahdi, primary, Sathasivam, Sanjayan, additional, Chen, Lipin, additional, Jurczak, Pamela, additional, Piron, Rozenn, additional, Levallois, Christophe, additional, Létoublon, Antoine, additional, Léger, Yoan, additional, Boyer-Richard, Soline, additional, Bertru, Nicolas, additional, Jancu, Jean–Marc, additional, Cornet, Charles, additional, Wu, Jiang, additional, and Parkin, Ivan P., additional
Published: 2019
Full Text: View/download PDF

34. Quantitative evaluation of microtwins and antiphase defects in GaP/Si nanolayers for a III–V photonics platform on silicon using a laboratory X-ray diffraction setup1

Author: Ping Wang, Yan, Letoublon, Antoine, Nguyen Thanh, Tra, Bahri, Mounib, Largeau, Ludovic, Patriarche, Gilles, Cornet, Charles, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, and Durand, Olivier
Subjects: microtwins, laboratory X-ray diffraction, antiphase defects, GaP/Si nanolayers, semiconductors, Research Papers
Abstract: A laboratory X-ray diffraction setup is reported, which allows quantitative characterization of the microtwin and antiphase domain densities in epitaxial GaP/Si thin layers., This study is carried out in the context of III–V semiconductor monolithic integration on silicon for optoelectronic device applications. X-ray diffraction is combined with atomic force microscopy and scanning transmission electron microscopy for structural characterization of GaP nanolayers grown on Si. GaP has been chosen as the interfacial layer, owing to its low lattice mismatch with Si. But, microtwins and antiphase boundaries are still difficult to avoid in this system. Absolute quantification of the microtwin volume fraction is used for optimization of the growth procedure in order to eliminate these defects. Lateral correlation lengths associated with mean antiphase boundary distances are then evaluated. Finally, optimized growth conditions lead to the annihilation of antiphase domains within the first 10 nm.
Published: 2015

35. Optical properties of GaP/Si active microdisks containing InGaAs/GaP quantum dots

Author: Tremblay, Ronan, Rohel, Tony, Le Corre, Alain, Bernard, Rozenn, Bertru, Nicolas, Durand, Olivier, Léger, Yoan, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), Labex Cominlabs et ANR, Prem C, ANR-12-BS03-0002,OPTOSI,Intégration par épitaxie de composants optoélectroniques III-V sur Si(2012), ANR-11-LABX-0007,CEMPI,Centre Européen pour les Mathématiques, la Physique et leurs Interactions(2011), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: [PHYS.COND.CM-GEN]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Other [cond-mat.other]
Abstract: International audience; Taking advantage of low production costs and large integration scale, silicon photonics is a promising way to improve on-chip data routing and reduce electronic consumption. The small lattice mismatch between Si and GaP promotes the latter as a good candidate for III-V pseudomorphic integration, but questions remain on the interest of this platform for photonics. In this context, GaP/Si microdisks constitute a model system to explore the assets of the platform for optics [1]. GaP being an indirect material, nanostructure engineering is required to realize active devices. We presently focus on (In,Ga)As/GaP quantum dots(QDs), which theoretically feature a cross-over between direct /indirect bandgap emission and type-I/type-II depending on their In content, size and strain field [2], [3]. In this contribution, we investigate optical properties of these QDs by using temperature (Fig. 1) and excitation dependent PL experiments for various growth parameters to probe these electronic states and promote the direct emission. At low temperature, the appearance of a low energy contribution in the emission spectrum is reported. The origins of the PL peaks and their interplay will be discussed in the framework of type-I/type-II and direct/ indirect transitions. Moreover, we demonstrate room temperature photoluminescence of these QDs in a GaP/Si microdisk where the QD layer is located at only 200nm from the III-V/Si interface (Fig. 2) highlighting overall good structural quality of the GaP/Si device. This research project is supported by the Labex Cominlabs project ANR-10-LABX-07-01 and the OPTOSI ANR project N°12-BS03-002-02.[1]P. Guillemé et al., Opt. Express, vol. 24, no 13, p. 14608, 2016.[2]C. Robert et al., Phys. Rev. B, vol. 94, no 7, 2016.[3]G. Stracke et al., Appl. Phys. Lett., vol. 104, no 12, p. 123107, 2014.
Published: 2017

36. Indium content impact on structural and optical properties of (In,Ga)As/GaP quantum dots

Author: Tremblay, Ronan, Rohel, Tony, Léger, Yoan, Le Corre, Alain, Bernard, Rozenn, Bertru, Nicolas, Durand, Olivier, Cornet, Charles, Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES), Labex Cominlabs et ANR, ANR-12-BS03-0002,OPTOSI,Intégration par épitaxie de composants optoélectroniques III-V sur Si(2012), ANR-11-LABX-0007,CEMPI,Centre Européen pour les Mathématiques, la Physique et leurs Interactions(2011), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract: International audience; Despsite many efforts undertaken by the semiconductor scientific community, the demonstration of room-temperature laser source electrically pumped monolithically grown on silicon substrate is still an important challenge [1]. Amongst III-V semiconductors, GaP appears as a promising candidate thanks to its small lattice mismatch with Si [2]. Nevertheless, devices based on GaP materials need to deal with the difficulty to obtain efficient active area due to its indirect character. To overcome this, (In,Ga)As quantum dots (QDs) [3] were proposed. In this contribution, Influence of indium content on structural and optical properties is investigated in order to promote the direct optical transition of QDs. Four nominal In content: 10, 25, 35 and 50% of (In,Ga)As/GaP QDs grown by solid source molecular beam epitaxy (SS-MBE) on GaP substrate are analyzed by photoluminesence and atomic force microscopy (AFM) experiments. Significant redshift is reported in comparison between QDs with 10% to 35% of In content due to the valence band modification [4]. Moreover, it is shown that, while for low In contents a monomodal QDs distribution is observed [Fig1.a], a bimodal one appears for In contents reaching 35% and beyond [Fig1.b]. Controlling this distribution is a great challenge for obtaining a direct bandgap emission with GaP-based materials.This research project is supported by the Labex Cominlabs project: "3D Optical Many Cores" and the OPTOSI ANR project N°12-BS03-002-02.[1]C. Cornet, Y. Léger, et C. Robert, Integrated Lasers on Silicon. ISTE-Elsevier, 2016.[2]Y. Furukawa, H. Yonezu, A. Wakahara, S. Ishiji, S. Y. Moon, et Y. Morisaki, « Growth of Si/III–V-N/Si structure with two-chamber molecular beam epitaxy system for optoelectronic integrated circuits », J. Cryst. Growth, vol. 300, no 1, p. 172‑176, mars 2007.[3]M. Heidemann, S. Höfling, et M. Kamp, « (In,Ga)As/GaP electrical injection quantum dot laser », Appl. Phys. Lett., vol. 104, no 1, p. 11113, janv. 2014.[4]C. Robert et al., « Electronic, optical, and structural properties of (In,Ga)As/GaP quantum dots », Phys. Rev. B, vol. 86, no 20, p. 205316, nov. 2012.
Published: 2017

37. GaP Template on Si for Solar Water Splitting: Surface Energy Engineering

Author: Pedesseau, Laurent, primary, Cornet, Charles, additional, Charbonnier, Simon, additional, Vallet, Maxime, additional, Turban, Pascal, additional, Leger, Yoan, additional, Rohel, Tony, additional, Lucci, Ida, additional, Létoublon, Antoine, additional, Rodriguez, Jean-Baptiste, additional, Cerutti, Laurent, additional, Tournié, Eric, additional, Ponchet, Anne, additional, Patriarche, Gilles, additional, and Bertru, Nicolas, additional
Published: 2018
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38. A Stress‐Free and Textured GaP Template on Silicon for Solar Water Splitting

Author: Lucci, Ida, primary, Charbonnier, Simon, additional, Vallet, Maxime, additional, Turban, Pascal, additional, Léger, Yoan, additional, Rohel, Tony, additional, Bertru, Nicolas, additional, Létoublon, Antoine, additional, Rodriguez, Jean‐Baptiste, additional, Cerutti, Laurent, additional, Tournié, Eric, additional, Ponchet, Anne, additional, Patriarche, Gilles, additional, Pedesseau, Laurent, additional, and Cornet, Charles, additional
Published: 2018
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39. AlGaP-growth and doping by MBE

Author: Tremblay, Ronan, Burin, Jean-Philippe, Rohel, Tony, Gauthier, Jean-Philippe, Almosni, Samy, Létoublon, Antoine, Léger, Yoan, Le Corre, Alain, Bertru, Nicolas, Durand, Olivier, Cornet, Charles, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, ANR: Cominlabs projet 3DCORE '3D Many-Core Architectures based on Optical Network on Chip',Cominlabs 3DCORE,ANR-10LABX-07-01 - labex Cominlabs - projet 3DCORE, ANR-12-BS03-0002,OPTOSI,Intégration par épitaxie de composants optoélectroniques III-V sur Si(2012), Cornet, Charles, Laboratoires d'excellence - Centre Européen pour les Mathématiques, la Physique et leurs Interactions - - CEMPI2011 - ANR-11-LABX-0007 - LABX - VALID, BLANC - Intégration par épitaxie de composants optoélectroniques III-V sur Si - - OPTOSI2012 - ANR-12-BS03-0002 - BLANC - VALID, Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and ANR-11-LABX-0007,CEMPI,Centre Européen pour les Mathématiques, la Physique et leurs Interactions(2011)
Subjects: [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience; Here, we study the growth of n‐ and p‐doped AlGaP alloys on GaP substrate, in view of their use in laser devices. The impact of growth temperature and growth rate on structural and electrical properties is studied with atomic force microscopy, C(V), Hall effect measurements, SIMS analysis and deep level transient spectroscopy (DLTS). Typical structural defects are identified and characterized. As a main result, it is found that doping of the AlGaP is disabled when the growth temperature is not high enough. This is evidenced by DLTS measurements that reveal deep level trapping.
Published: 2016

40. Structural and optical properties investigation of (In,Ga)As/GaP quantum dots for direct bandgap emission

Author: Tremblay, Ronan, Rohel, Tony, Léger, Yoan, Le Corre, Alain, Bernard, Rozenn, Bertru, Nicolas, Durand, Olivier, Cornet, Charles, Cornet, Charles, Laboratoires d'excellence - Centre Européen pour les Mathématiques, la Physique et leurs Interactions - - CEMPI2011 - ANR-11-LABX-0007 - LABX - VALID, BLANC - Intégration par épitaxie de composants optoélectroniques III-V sur Si - - OPTOSI2012 - ANR-12-BS03-0002 - BLANC - VALID, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-11-LABX-0007,CEMPI,Centre Européen pour les Mathématiques, la Physique et leurs Interactions(2011), ANR-12-BS03-0002,OPTOSI,Intégration par épitaxie de composants optoélectroniques III-V sur Si(2012), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, and ANR: Cominlabs projet 3DCORE '3D Many-Core Architectures based on Optical Network on Chip',Cominlabs 3DCORE,ANR-10LABX-07-01 - labex Cominlabs - projet 3DCORE
Subjects: [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience; Room temperature electroluminescence of a GaP‐based LED on Si and photoluminescence of (In,Ga)As quantum dots (QDs) located at 200nm of the III‐V/Si interface were obtained, illustrating the good structural quality of the GaP/Si template used. The last step towards room temperature lasing on Si is thus reaching the direct bandgap emission. In this work, we investigate the structural and optical properties of (In,Ga)As/GaP QDs, and show that it is possible to incorporate 35% of In with a high density of QDs, and discuss the results obtained in view of the direct bandgap emission.
Published: 2016

41. Analyse quantitative des antiphases dans des nanocouches épitaxiales GaP/Si pour la photonique sur silicium

Author: Wang, Yanping, Létoublon, Antoine, Nguyen, Thanh Tra, Cornet, Charles, Bertru, Nicolas, Boudet, Nathalie, Stodolna, Julien, Ponchet, Anne, Even, Jacky, Le Corre, Alain, Durand, Olivier, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CRG & Grands instruments (NEEL - CRG), Institut Néel (NEEL), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CRG et Grands Instruments (CRG), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2015

42. Quantitative evaluation of microtwins and antiphase defects towards a GaP/Si platform for monolithic integrated photonics

Author: Wang, Yanping, Létoublon, Antoine, Nguyen, Thanh Tra, Patriarche, G., Ponchet, Anne, Cornet, C., Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Loualiche, Slimane, Le Corre, Alain, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), ANR-11-JS03-0006,SINPHONIC,Photonique sur Silicium par intégration cohérente d'alliages à base de nitrures dilués(2011), ANR-11-PRGE-0007,MENHIRS,Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium(2011), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2015

43. Lattice-matched GaAsPN/GaP single junction solar cell for high-efficiency tandem solar cells on silicon

Author: Almosni, Samy, Cornet, Charles, Létoublon, Antoine, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Levallois, Christophe, Even, Jacky, Rolland, Alain, Râle, Pierre, Lombez, Laurent, Guillemoles, Jean Francois, Durand, Olivier, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque (IRDEP), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF), ANR-11-PRGE-0007,MENHIRS,Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium(2011), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Cornet, Charles, and Production renouvelable et gestion de l'électricité - Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium - - MENHIRS2011 - ANR-11-PRGE-0007 - PROGELEC - VALID
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NANO] Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, [PHYS.COND] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2015

44. Monolithic integration of GaAsPN dilute-nitride compounds on silicon substrates: toward the III-V/Si tandem solar cell

Author: Durand, Olivier, Almosni, Samy, Wang, Yanping, Cornet, Charles, Létoublon, Antoine, Levallois, Christophe, Rolland, Alain, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Râle, P., Lombez, L., Guillemoles, J.-F., Ponchet, Anne, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque (IRDEP), EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), ANR-11-PRGE-0007,MENHIRS,Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium(2011), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience; GaAsPN semiconductors are promising material for the elaboration of high efficiencies tandem solar cells on silicon substrates. GaAsPN diluted nitride alloy is studied as the top junction material due to its perfect lattice matching with the Si substrate and its ideal bandgap energy allowing a perfect current matching with the Si bottom cell. We review our recent progress in materials development of the GaAsPN alloy and our recent studies of all the different building blocks toward the elaboration of a PIN solar cell. A lattice matched (with a GaP(001) substrate) 100 nm-thick GaAsPN alloy has been grown by MBE. After a post-growth annealing step, this alloy displays a strong absorption around 1.8-1.9 eV eV, and efficient photoluminescence at room temperature suitable for the elaboration of the targeted solar cell top junction. An early stage GaAsPN PIN solar cell prototype have been grown on a GaP (001) substrate. The quantum efficiency and the I-V curve show that carriers have been extracted from the GaAsPN alloy absorber, with an open-circuit voltage around 1 eV, while however displaying a low short circuit current meaning that the GaAsPN structural properties needs an optimization. Considering all the pathways for improvement, the >2% efficiency obtained under AM1.5G is however promising, therefore validating our approach for obtaining a lattice-matched dual junction solar cell on silicon substrate. This work was supported by the French ANR, project MENHIRS (grant N°ANR-2011-PRGE-007-0).
Published: 2015

45. Epitaxie cohérente de composés GaP et GaAsPN à azote dilué sur substrats de Si pour l’élaboration de cellules PV tandem III-V/Si

Author: Durand, Olivier, Almosni, Samy, Wang, Yanping, Cornet, Charles, Létoublon, Antoine, Levallois, Christophe, Pedesseau, Laurent, Rolland, Alain, Even, Jacky, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Ponchet, Anne, Râle, Pierre, Lombez, Laurent, Guillemoles, Jean Francois, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque (IRDEP), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF), ANR-11-PRGE-0007,MENHIRS,Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium(2011), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), and Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC)
Subjects: [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2014

46. Photoelectrochemical water oxidation of GaP1-xSbx with a direct band gap of 1.65 eV for full spectrum solar energy harvesting.

Author: Alqahtani, Mahdi, Sathasivam, Sanjayan, Lipin Chen, Jurczak, Pamela, Piron, Rozenn, Levallois, Christophe, Létoublon, Antoine, Léger, Yoan, Boyer-Richard, Soline, Bertru, Nicolas, Jancu, Jean-Marc, Cornet, Charles, Jiang Wu, and Parkin, Ivan P.
Published: 2019
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47. Analyse quantitative par diffraction des rayons X des défauts plans dans GaP/SI pour la photonique sur Si

Author: Wang, Yanping, Nguyen, Thanh Tra, Létoublon, Antoine, Cornet, Charles, Bertru, Nicolas, Boudet, Nathalie, Stodolna, Julien, Ponchet, Anne, Even, Jacky, Le Corre, Alain, Durand, Olivier, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CRG & Grands instruments (NEEL - CRG), Institut Néel (NEEL), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CRG et Grands Instruments (CRG), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Subjects: [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2014

48. Quantitative evaluation of microtwins and antiphase defects in GaP/Si nanolayers for III-V photonics platform on silicon

Author: Wang, Yanping, Létoublon, Antoine, Nguyen, Thanh Tra, Stodolna, Julien, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Ponchet, Anne, Magen, C., Boudet, Nathalie, Micha, Jean-Sébastien, Even, Jacky, Cornet, Charles, Durand, Olivier, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Universidad de Zaragossa, Structures et propriétés d'architectures moléculaire (SPRAM - UMR 5819), Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), CPER PONANT, ANR-11-JS03-0006,SINPHONIC,Photonique sur Silicium par intégration cohérente d'alliages à base de nitrures dilués(2011), ANR-11-PRGE-0007,MENHIRS,Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium(2011), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Télécom Bretagne, Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut Nanosciences et Cryogénie (INAC), and Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)
Subjects: ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2014

49. Development of GaAsPN alloy for its integration in III-V/Si tandem solar cell

Author: Almosni, Samy, Robert, Cédric, Cornet, Charles, Nguyen, Thanh Tra, Wang, Yanping, Râle, Pierre, Lombez, Laurent, Guillemoles, Jean Francois, Létoublon, Antoine, Levallois, Christophe, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Durand, Olivier, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Tyndall National Institute [Cork], European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque (IRDEP), EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC), CPER PONANT, ANR-11-PRGE-0007,MENHIRS,Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium(2011), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL (ENSCP), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-EDF R&D (EDF R&D), EDF (EDF)-EDF (EDF), Cornet, Charles, and Production renouvelable et gestion de l'électricité - Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium - - MENHIRS2011 - ANR-11-PRGE-0007 - PROGELEC - VALID
Subjects: [SPI.OPTI] Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.NRJ] Engineering Sciences [physics]/Electric power, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2014

50. Low cristalline defect density in GaP/Si nanolayers

Author: Wang, Yanping, Stodolna, Julien, Nguyen, Thanh Tra, Létoublon, Antoine, Kuyyalil, Jithesh, Bertru, Nicolas, Le Corre, Alain, Ponchet, Anne, Magen, C., Even, Jacky, Cornet, Charles, Durand, Olivier, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), Universidad de Zaragossa, CPER PONANT, ANR-11-PRGE-0007,MENHIRS,Intégration monolithique de cellules solaires III-V à haut rendement sur substrats de silicium(2011), ANR-11-JS03-0006,SINPHONIC,Photonique sur Silicium par intégration cohérente d'alliages à base de nitrures dilués(2011), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2014

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