1. Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
- Author
-
Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников
- Subjects
рост кристаллов GaAs, анизотропия ,эпитаксия молекулярно-лучевая ,гетероэпитаксия полупроводников ,наноразмерные структуры ,эпитаксия газофазовая ,полупроводники тройные, синтез ,физика роста кристаллов ,подложки ,арсенид галлия, эпитаксия ,Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) ,физика поверхностей полупроводников ,комплексообразование GaAs, модель ,легирование GaAs ,физика поверхностей, моделирование ,труды ученых ТГУ ,эпитаксиальные технологии ,эпитаксия полупроводников ,кристаллическая решетка LT-GaAs ,монокристаллы, выращивание ,эпитаксия жидкофазовая ,сверхпроводниковые аномалии в LT-GaAs ,гомоэпитаксия полупроводников ,гетеропереходы ,германий, эпитаксия ,автоэпитаксия полупроводников ,термодинамика транспортных реакций - Published
- 2005