Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ

Subjects

Subjects :

рост кристаллов GaAs, анизотропия
эпитаксия молекулярно-лучевая
гетероэпитаксия полупроводников
наноразмерные структуры
эпитаксия газофазовая
полупроводники тройные, синтез
физика роста кристаллов
подложки
арсенид галлия, эпитаксия
Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск)
физика поверхностей полупроводников
комплексообразование GaAs, модель
легирование GaAs
физика поверхностей, моделирование
труды ученых ТГУ
эпитаксиальные технологии
эпитаксия полупроводников
кристаллическая решетка LT-GaAs
монокристаллы, выращивание
эпитаксия жидкофазовая
сверхпроводниковые аномалии в LT-GaAs
гомоэпитаксия полупроводников
гетеропереходы
германий, эпитаксия
автоэпитаксия полупроводников
термодинамика транспортных реакций

Details

Language :

Russian

Database :

OpenAIRE

Journal :

Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 17-23

Accession number :

edsair.od......3810..1f738660f47708860da403ab7c40d0aa