206 results on '"İnce Film"'
Search Results
2. A STATISTICAL TAGUCHI METHOD STUDY FOR GRAPHENE OXIDE-TITANIUM OXIDE (GO-TiO2) THIN FILM COATING ON GLASS SUBSTRATES USING THE SPIN COATING METHOD.
- Author
-
BALKAYA, İbrahim Fırat, GENGEÇ, Nevin ATALAY, and MİNDİVAN, Harun
- Subjects
SUBSTRATES (Materials science) ,CONTACT angle ,TITANIUM dioxide films ,COATING processes ,SPIN coating - Abstract
Copyright of Mugla Journal of Science & Technology is the property of Mugla Journal of Science & Technology and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2024
- Full Text
- View/download PDF
3. Tavlama İşleminin SILAR Tekniğiyle Elde Edilen Cu3SnS4 İnce Filmlerin Yapısal ve Optik Özellikleri Üzerine Etkisi.
- Author
-
ASTAM, Aykut and ÇETİN, Cemal
- Abstract
Cu3SnS4 thin films were deposited on glass substrates using successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method at room temperature and annealed at different temperatures in the nitrogene atmosphere to investigate the effects of the post-deposition annealing process on the structural and optical properties of the films. Structural, surface morphological, and optical properties of films were analysed using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray analysis (EDAX), Raman spectroscopy, and optical absorption measurements. XRD results revealed that the films consisted of a tetragonal Cu3SnS4 phase before annealing, and increasing annealing temperature caused the improvement of crystal structure and the formation of Cu4SnS4, Cu2S and CuS secondary phases. SEM images showed that the films were composed of nanometer-sized randomly shaped particles. EDAX measurements revealed the existence of Cu, Sn and S elements and also showed that the amounts of Sn and S elements decreased with increasing annealing temperature. Raman spectra confirmed the formation of the Cu3SnS4 phase and secondary phases of Cu4SnS4, Cu2S and CuS at high annealing temperatures. From optical absorption measurements, it was determined that the films had direct transitions and the band gap energies decreased from 1.62 eV to 1.47 eV with increasing annealing temperature. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2024
- Full Text
- View/download PDF
4. CO2 Gaz Sensörü Uygulamaları için CuO İnce Film Üretimi ve Karakterizasyonu
- Author
-
Enes Nayman and Mehmet Fatih Gözükızıl
- Subjects
cuo ,thin film ,gas sensor ,dip coating ,semiconductor ,i̇nce film ,gaz sensörü ,daldırarak kaplama ,yarıiletken ,Technology ,Engineering (General). Civil engineering (General) ,TA1-2040 ,Science ,Science (General) ,Q1-390 - Abstract
Katma değeri yüksek, ileri teknoloji ve yüksek maliyet gerektiren malzemelere alternatif olarak ince film kaplama yöntemleri ile eşdeğer yüzey özelliklerine sahip ekonomik malzemeler üretilebilmektedir. İnce film biriktirme yapılarak farklı sensörler, fotovoltaik hücreler, elektronik uygulamalar ve filtreler gibi çeşitli teknolojik malzemelerin temelini oluşturan yarı iletken yüzeyler üretmek mümkündür. Çeşitli fosil yakıtlar ve atıkların yanması ile farklı gazlar açığa çıkmaktadır. Çevreye zarar vermekte ve sağlığa olumsuz etkileri olan bu gazların tespit edilmesi gerekmektedir. CuO yarıiletken ince filmler karbondioksit, etanol, amonyak gibi farklı gazların belirlenmesi ve gerekli uyarıların verilmesinde gaz sensörü olarak kullanımı amacı üzerine çalışmalar yapılmaktadır. Bu çalışma kapsamında cam yüzeyler üzerine CuO yarıiletken ince filmler biriktirilerek gaz sensörü olarak kullanımı test edilmiştir. CuO yarı iletken ince filmlerin CO2 gazının tespitinde alternatif bir gaz sensörü olarak kullanılabileceği tespit edilmiştir.
- Published
- 2023
- Full Text
- View/download PDF
5. Kalkopirit İnce Film Güneş Hücrelerinde Yeni Çalışmalar: Gümüş Alaşımlama.
- Author
-
Ağca, Semih
- Abstract
Copyright of International Journal of Engineering Research & Development (IJERAD) is the property of International Journal of Engineering Research & Development and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2024
- Full Text
- View/download PDF
6. Effect of Gallium Content on Diode Characteristics and Solar Cell Parameters of Cu(In1-xGax)(Se0.98Te0.02)2 Thin Film Solar Cells Produced by Three-stage Co-evaporation at Low Temperature.
- Author
-
AĞCA, Semih and ÇANKAYA, Güven
- Subjects
GALLIUM ,DIODES ,SOLAR cells ,CHALCOPYRITE ,THIN films - Abstract
Copyright of Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji is the property of Gazi University and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2023
- Full Text
- View/download PDF
7. CO2 Gaz Sensörü Uygulamaları için CuO İnce Film Üretimi ve Karakterizasyonu.
- Author
-
GÖZÜKIZIL, Mehmet Fatih and NAYMAN, Enes
- Abstract
Copyright of Duzce University Journal of Science & Technology is the property of Duzce University Journal of Science & Technology and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2023
- Full Text
- View/download PDF
8. CIGS İnce Film Yüzeyindeki Morfolojik Farklılıkların GLCM Görüntü İşleme Yöntemi ile İncelenmesi
- Author
-
Salih Akyürekli, Murat Kaleli, İsmail Serkan Üncü, and Celal Alp Yavru
- Subjects
thin film ,sem ,afm ,glcm ,haralick texture features ,i̇nce film ,haralick doku özellikleri ,Science (General) ,Q1-390 - Abstract
Çalışmada Mo folyolar ve cam üzerine DC saçtırma yöntemiyle kaplanmış Mo ince filmler üzerine aynı anda termal buharlaştırma metoduyla CIGS yarıiletken malzemesi biriktirilmiştir. İki grup Mo alt katmanların AFM cihazı ile topoğrafyaları ve ortalama yüzey pürüzlülükleri elde edilmiştir. CIGS ince filmlerin kalınlıkları SEM cihazı ile kesit görüntüleri alınarak, 1,122 µm olarak tespit edilmiştir. Numunelerin XRD ölçümleri alınarak yapısal farklılıkları belirlenmiştir. Mo folyo ve ince film alt katmanı üzerine biriktirilen CIGS ince filmlerin yüzeyinden 5000, 10000, 25000 ve 50000 büyütmelerde SEM görüntüleri alınmıştır. Elde edilen SEM görüntülerinin GLCM metodu ile Haralick doku özellikleri incelenmiş, elde edilen sonuçlar değerlendirilerek alt katman Mo topoğrafyasının CIGS ince filmlerin morfolojisi üzerine etkisi araştırılmıştır. Hesaplanan Haralick doku özelliklerinin görece geniş alanlardan daha küçük alanlara doğru değişimleri değerlendirilmiştir. A grubu numunelerden elde edilen görüntülerde enerji değerinin 0,21 ile 0,54 arasında, karşıtlık değerinin 0,15 ile 0,35 arasında, korelasyon değerinin 0,66 ile 0,65 arasında ve homojenite değerinin 0,82 ile 0,92 arasında değiştikleri tespit edilmiştir. B grubunda aynı doku özelliklerinin farklılık gösterdiği görülmüştür. Alttaş farklılığının yapı ve morfoloji üzerine etkisi, SEM görüntülerinin doku özellikleri farklılıkları ile açıklanmıştır.
- Published
- 2022
- Full Text
- View/download PDF
9. DC Saçtırma Metoduyla Üretilmiş Çift Katmanlı Mo İnce Filmlerin Yarı Kantitatif Doku Analizinin Yapılması ve Kutup Figürlerinin Araştırılması.
- Author
-
YAVRU, Celal Alp and KALELİ, Murat
- Abstract
Molybdenum (Mo) material is used in many different fields thanks to its unique properties. The compatibility of interface states between layers is investigated using texture analysis of thin films. The textures of the films may change according to the production parameters and subsequent processes. For this reason, it is necessary to determine the ideal production parameters in order to produce Mo thin films with the most suitable texture depending on the usage area. In this study, Mo thin films in BCC structure and (110) plane, which are often desired in CIGS solar cell applications, could be produced. The fabrication was carried out using a bi-layer fabrication strategy to improve the adhesion and electrical conductivity of the Mo film to the substrate surface. Surface, topography and structure analyzes of the produced films were performed with SEM, AFM and XRD systems, and polar figures were obtained by semi-quantitative texture analysis. When the topographic and detailed structural analysis results are compared with each other and with other studies in the literature, the usability of the production parameters revealed in this study has been demonstrated. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2023
- Full Text
- View/download PDF
10. Damla Döküm Yöntemi ile Üretilen Perovskit Filmlerin Yaşlanma Süreçlerinin Elektriksel Karakterizasyon Teknikleri ile Belirlenmesi
- Author
-
Gökhan Yılmaz and Ayşegül Çoşğun
- Subjects
damla döküm yöntemi ,kimyasal buhar biriktirme ,perovskit ,ince film ,yaşlandırma ,drop casting ,chemical vapour deposition ,perovskite ,thin film ,ageing ,Science (General) ,Q1-390 - Abstract
Organik-hibrit güneş hücreleri arasında en popüler olan metil amonyum kurşun iyodür (MAPbI3) fazlı perovskit güneş hücreleridir. Bunun nedeni perovskit güneş hücrelerinin sahip oldukları eşsiz özellikler ve yüksek verimlilikleridir. Ancak perovskite güneş hücreleri üretimlerinden hemen sonra verimlilik kaybı yaşamaktadır. Üretim yöntemleri bu verimlilik kaybının nedenlerinden biri olarak gösterilmektedir. Perovskite üretim yöntemleri incelendiğinde spin kaplama, termal buharlaştırma ve termal kimyasal buhar biriktirme (Thermal CVD) en çok kullanılan yöntemler olarak görülmektedir. Damla döküm yöntemi ise bölgesel olarak kristal üretiminde etkili bir yöntem olarak görülmektedir. Bu çalışmada kimyasal buhar biriktirme ve damla döküm yöntemleri birlikte kullanılarak MAPbI3 filmler üretilmiştir. Elde edilen filmlerin morfolojik ve yapısal özellikleri SEM ve XRD yöntemleri kullanılarak belirlenmiştir. Üretilen perovskit filmler su buharına maruz bırakılmıştır. Su buharına bağlı olarak malzemelerde oluşan yaşlanma süreçleri elektriksel iletkenlik yöntemleri ile karakterize edilmiştir.
- Published
- 2022
- Full Text
- View/download PDF
11. Structural, Surface and Optical Characterization of ZnO Thin Films Deposited by SILAR and Spin-Coating Methods.
- Author
-
Özden, Melih and Duman, Çağlar
- Subjects
OPTICAL properties of zinc oxide ,ZINC oxide films ,X-ray diffraction ,WAVELENGTHS ,SPIN coating - Abstract
Copyright of Erzincan University Journal of Science & Technology is the property of Erzincan Binali Yildirim Universitesi and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2022
- Full Text
- View/download PDF
12. PREPARATION OF YB-DOPED SRCEO3 SPUTTER TARGETS FOR PROTONIC SOLID OXIDE FUEL CELLS.
- Author
-
Pişkin, Fatih
- Subjects
SOLID oxide fuel cells ,CALCINATION (Heat treatment) ,CHELATING agents ,SPECIFIC gravity - Abstract
Copyright of Mugla Journal of Science & Technology is the property of Mugla Journal of Science & Technology and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2022
- Full Text
- View/download PDF
13. Farklı Oranlarda Sürfaktan İçeren PbS İnce Filmlerin Fiziksel Özelliklerinin İncelenmesi.
- Author
-
Yücel, Ersin
- Abstract
Copyright of Bilecik Seyh Edebali University Journal of Social Sciences is the property of Bilecik Seyh Edebali University Journal of Social Sciences and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2022
- Full Text
- View/download PDF
14. Sol-Gel Yöntemiyle Farklı Çözücüler Kullanılarak Farklı Kaplama Kalınlıklarında Üretilen ZnO:Er Nano İnce Filmlerin Karakterizasyonu.
- Author
-
OZTURK, Ozgur, ASIKUZUN, Elif, HACIOGLU, Zeynep Banu, and SAFRAN, Serap
- Abstract
Copyright of Journal of Polytechnic is the property of Journal of Polytechnic and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2022
- Full Text
- View/download PDF
15. Potasyum Katkılamanın Ag:ZnO Filmlerinin Yapısal Özellikleri Üzerine Etkisinin İncelenmesi.
- Author
-
SARF, Fatma and YAKAR, Emin
- Published
- 2022
- Full Text
- View/download PDF
16. Çözücü ve Isıl İşlem Sürecinin MoS2 İnce Filmlerinin Yapısal Özelliklerine Etkisinin İncelenmesi.
- Author
-
Kıvrak, Burak and Akyol, Mustafa
- Abstract
Copyright of Dokuz Eylul University Muhendislik Faculty of Engineering Journal of Science & Engineering / Dokuz Eylül Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Fen ve Mühendislik Dergisi is the property of Dokuz Eylul Universitesi Muhendislik Fakultesi Fen ve Muhendislik Dergisi and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2022
- Full Text
- View/download PDF
17. The Effect of Thickness Difference on the Structural Morphological and Optical Properties of CdO Films Produced with the SILAR Method at Room Temperature.
- Author
-
ALBAYRAK, Mensur, KIYAK, Onur, and GÜNEY, Harun
- Subjects
CADMIUM oxide ,SEMICONDUCTOR thin films ,SURFACE morphology ,OPTICAL properties of semiconductors ,TEMPERATURE effect - Abstract
Copyright of Erzincan University Journal of Science & Technology is the property of Erzincan Binali Yildirim Universitesi and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2022
- Full Text
- View/download PDF
18. Electrochemical, Optical and Morphological Characterizations of Cu Doped ZnO Nanostructure Thin Films Prepared by Spin Coating Method.
- Author
-
YAĞCİ, Özlem
- Subjects
ELECTROCHEMICAL analysis ,ZINC oxide ,SPIN coating ,COPPER ,THIN films - Published
- 2021
- Full Text
- View/download PDF
19. Effect of Various Precursors on ZnO Thin Films by USP Technique.
- Author
-
SAĞLAM, Hilal Kübra, SARITAŞ, Sevda, and ERTUĞRUL, Mehmet
- Subjects
ZINC oxide ,THIN films ,PYROLYSIS ,GRAIN size ,ULTRASONIC imaging - Abstract
Copyright of Erzincan University Journal of Science & Technology is the property of Erzincan Binali Yildirim Universitesi and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2021
- Full Text
- View/download PDF
20. A Study on the Structural, Morphological and Optical Properties of Cu2-xse Thin Films Deposited by Thermal Evaporation.
- Author
-
Terlemezoglu, Makbule
- Subjects
- *
COPPER compounds , *METALLIC thin films , *ANNEALING of metals , *X-ray diffraction , *ATOMIC force microscopy , *SURFACE morphology - Abstract
In this work, the influence of post-annealing on the structural, morphological, and optical properties of copper selenide thin films deposited on glass substrate by thermal evaporation was investigated in detail. The post-annealing process at different ambient temperatures in a nitrogen atmosphere was applied to thin films deposited at room temperature. The X-ray diffraction (XRD) patterns showed the presence of cubic Cu2-xSe phase, and it was observed that the crystallinity improves with increasing annealing temperature. In addition, it was deduced that the average crystallite size increased with the annealing temperature. Scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) were employed to investigate the surface morphology of thin films. It was seen that all samples have compact and densely packed surface morphology and grains on the surface become larger. Surface roughness increased from 11nm to 53 nm as the annealing temperature increased. On the other hand, the optical properties of as-deposited and annealed thin films were investigated by utilizing a UV-Visible spectrophotometer. The direct bandgap energies of as-deposited and annealed samples were estimated to be 2.34 eV, 2.31 eV, and 2.29 eV by using the well-known Tauc relation, respectively. The direct bandgap energy of thin films was also calculated using the derivative spectroscopy technique. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2021
- Full Text
- View/download PDF
21. Pinhole-Free PbS Thin Films Obtained by Chemical Bath Deposition Method.
- Author
-
Yıldızay, Hale
- Subjects
- *
CHEMICAL solution deposition , *LEAD sulfide , *METALLIC thin films , *X-ray diffraction , *SCANNING electron microscopy - Abstract
In this study, the (Lead Sulfide) PbS thin films with one, two, and three layers were fabricated by employing the chemical bath deposition method. Layer by layer production of PbS thin films was realized for the first time as seen in the literature review. For investigating the crystal structures, the X-ray diffraction (XRD) analysis was used. The structural analyses indicated that the crystallite size was decreased from about 40 nm to 8-10 nm depending on the number of layers. The surface micrographs of the films were obtained using scanning electron microscopy (SEM). When the PbS film was obtained in one layer, some cracks, pinholes, and voids were observed on the sample surface. However, no cracks, voids, or pinhole formation were found on the film surface when the films were coated in two and three layers. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2021
- Full Text
- View/download PDF
22. Kimyasal Püskürtme Tekniği ile Üretilen PbS İnce Filmin Karakterizasyonu.
- Author
-
Kurtaran, Sema
- Abstract
In this study, lead sulfide (PbS) films were coated on microscope glass at the substrate temperature of 370±5 °C by ultrasonic chemical spray pyrolysis technique, which is an easy and economical method. The effect of PbS films obtained with different molarity Pb additions on their structural, surface, optical, and electrical properties was investigated. Their optical, structural, surface, and electrical properties were characterized using UV, spectrophotometer, scanning electron microscopy, Atomic force microscopy, and X-ray spectroscopy analyses. From the X-ray diffraction (XRD) analysis, the PbS thin film was found to have a hexagonal structure. The roughness of the PbS thin film was determined by Atomic Force Microscopy (AFM). From the optical absorption spectrum, it was calculated that the PbS thin film has a narrow optic band gap of 1.69-1.89 eV. The thickness values of the produced films were determined using the spectroscopic ellipsometry technique. The Cauchy-Urbach model was used to determine the thickness of the films. The potential for use of PbS films for photovoltaic solar cell applications was investigated. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2021
- Full Text
- View/download PDF
23. Characteristic Comparison of an Intraoral Thin Film Containing Astaxanthin Nanoemulsion Using Sodium Alginate and Gelatin Polymers.
- Author
-
Lusi NURDIANTI, Taofik RUSDIANA, Iyan SOPYAN, Norisca Aliza PUTRIANA, Hanifa Rifdah AIMAN, and Tengku Ruhul FAJRIA
- Subjects
- *
SODIUM alginate , *GELATIN , *ASTAXANTHIN , *THIN films , *BIOPOLYMERS , *POLYMERS - Abstract
Objectives: The present study was conducted to compare the characteristics of a thin film containing an astaxanthin-loaded nanoemulsion (TFANE) using two kinds of natural polymers, namely sodium alginate and gelatin. Materials and Methods: An astaxanthin nanoemulsion was prepared by using the self-nanoemulsifying method, followed by incorporation into a polymer matrix system by the solvent casting method to form TFANE. A characteristic comparison between the sodium alginate and gelatin matrix systems was carried out by comparing the physical and mechanical film properties. At the end of the study, in vitro dissolution tests were also assessed. Results: An intraoral film with good physical and mechanical properties containing an astaxanthin-loaded nanoemulsion was developed successfully using a natural polymer matrix system. The film, made from a gelatin matrix system containing an astaxanthin nanoemulsion, was more flexible and harder than films made from a sodium alginate matrix system, where all of the films have ideal characteristics for intraoral delivery. The dissolution test results showed that, with both sodium alginate and gelatin, more than 90% of the drug was released at 15 minutes. Conclusion: Gelatin as a natural polymer appears to be promising for the preparation of an intraoral thin film delivery system. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2021
- Full Text
- View/download PDF
24. Electrical Properties of The Heterojunction Diode Produced Based on IGZO Thin Film.
- Author
-
YİĞİT GEZGİN, Serap, GÜNDOĞDU, Yasemin, and KILIÇ, Hamdi Şükür
- Subjects
INDIUM gallium zinc oxide ,ELECTRIC properties of solids ,THIN films ,HETEROJUNCTIONS ,DIODES - Published
- 2021
- Full Text
- View/download PDF
25. Döndürerek Kaplama Yöntemi ile Hazırlanan Ca katkılı TiO2 İnce Filmlerin Optik ve Morfolojik Özellikleri.
- Author
-
ÇALIGÜLÜ, Uğur, ORHAN, Ayhan, BARLAS, Zafer, and DARCAN, Nida
- Abstract
In this study, TiO2 based thin films were prepared by adding 1%, 3%, 5% and 10% Ca and samples were produced by sol gel spin coating method. While the samples were being produced, coating was carried out using a rotation speed of 1000 rpm and a rotation time of 30 seconds. The coating process was repeated 3 times. Transmittance, absorption and reflection graphs of films were drawn by UV-VIS spectroscopy and optical band gap was calculated. The sample with the lowest forbidden energy range was found to have undoped TiO2 (3.59 eV). The forbidden energy range of the samples was calculated as 3.68, 3.76, 3.74 and 3.77 for Ca contribution at 1, 3, 5 and 10%, respectively. The permeability graphs of the samples were examined and it was determined that the permeability values were between 70% and 90%. When the absorption graph was examined, it was seen that the average absorption in the visible region was in the range of approximately 0.75% to 4.5% due to the high transparency of the samples. Two-dimensional and three-dimensional images of films produced using Atomic Force Microscope (AFM) were analyzed. When the AFM analyzes were examined, it was seen that there were nano-sized grains. Surface properties, reflection, permeability and absorption curves of thin films produced by sol-gel method were examined and at the end of these investigations, it was determined that the surface morphology and optical properties of thin films changed depending on the Ca additive ratio. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2021
- Full Text
- View/download PDF
26. Molibden Oksit, Pluronic®F127 ve Mantarın Lityum tetraborat/ITO Elektrotların Kapasitif Özelliklerine Etkilerinin İncelenmesi.
- Author
-
GÜR, Bahri and AYHAN, Muhammed Emre
- Published
- 2021
- Full Text
- View/download PDF
27. Kimyasal Banyo Depolama Yöntemi ile Üretilen PbS İnce Filmleri Üzerine Tavlamanın Etkileri.
- Author
-
Yıldırım, Ayça Kıyak
- Abstract
In this study, two films were produced by both using sodium sulphide and without sodium sulphide. The produced films were annealed at 400 °C. From the XRD data, it was observed that the intensity of the peaks increased after the annealing. The surface structures of the films were examined with a SEM instrument. With annealing it was understood that the surface structures of the films were completely changed and the holes were disappeared. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2020
- Full Text
- View/download PDF
28. Sılar metodu ile hazırlanan Cu2O ince filmlerin fiziksel özellikleri
- Author
-
Doğan ÖZASLAN, Mustafa GÜNEŞ, and Cebrail GÜMÜŞ
- Subjects
silar method ,thin film ,cu2o ,physical properties ,silar metodu ,i̇nce film ,fiziksel özellikler ,Engineering (General). Civil engineering (General) ,TA1-2040 - Abstract
Silar metodu kullanılarak 70 °C’de cam alttabanlar üzerine polikristal Cu2O ince filmleri elde edildi. XRD analizleri filmlerin kübik yapıda olduğunu gösterdi ve örgü parametreleri hesaplandı. Filmlerin yüzey morfolojisi alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu (FE-SEM) ile görüntülendi. Filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV/vis spektrofotometresi kullanılmıştır. Filmlerin oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik (% T) değerleri 300-1100 nm dalga boyu aralığında belirlenmiştir. Yarıiletken Cu2O ince filmlerinin görünür bölgedeki optik geçirgenlik değerleri %50-70 olarak bulunmuştur. Filmlerin enerji bant aralığı değerleri (Eg) 2.53-2.62 eV bulundu.
- Published
- 2017
29. TERMİYONİK VAKUM ARK İLE ÜRETİLEN InGaAsN İNCE FİLMLERİN BAZI FİZİKSEL ÖZELLİKLERİ
- Author
-
Şadan Korkmaz
- Subjects
ingaasn ,surface properties ,optical properties ,thin film ,ingasn ,yüzey özellikleri ,optik özellikler ,i̇nce film ,Technology ,Engineering (General). Civil engineering (General) ,TA1-2040 - Abstract
Bu çalışmada InGaAsN ince filmler ilk defa farklı bir teknik olan Termiyonik Vakum Ark (TVA) tekniği ile üretilmiştir. InGaAsN ince filmler üretilirken TVA üretim parametreleri belirlenmiştir. İnce filmler üç farklı alt taş üzerine gerçekleştirilmiştir. Bunlar cam, Si ve Polietilen tereftalat (PET) alt taş malzemedir. Üretilen ince filmlerin XRD analizleri ile kristal yapıları aydınlatılmaya çalışılmıştır. Yüzey bileşenleri için EDX analizi kullanılmıştır. Filmlerin yüzey oluşumları atomik kuvvet mikroskobu ile görüntülendi. UV-Vis spektrofotometresi ile elde edilen soğurma değerlerinden ise yapıların yasak enerji aralıkları değerleri incelenmiştir. Sonuçlara göre, farklı alt taşlar üzerine farklı atomik bileşimler elde edilmiştir.
- Published
- 2017
- Full Text
- View/download PDF
30. Metal katkılı magnezyum oksit ince filmlerin üretimi ve devre elemanlarında uygulaması
- Author
-
Türkeri, Murat, Güllü, Ömer, and Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı
- Subjects
Spray Prolysis ,İnce Film ,MIS Diode ,MgO ,MIS Diyot ,Thin Film ,Sprey Piroliz - Abstract
Teknolojik gelişmeler ve nanobilim, hem yeni bir olgunun, sanayi devrimlerinin icadının teşvik edilmesinde hem de 21. yüzyıl için ekonominin gelişmesinde önemli bir rol oynamıştır. Son zamanlarda geçiş metali oksitleri teknolojik açıdan kendine özgün özellikleri nedeniyle araştırmacıların ilgisini çekmiştir. Demir oksit ve çinko oksit nanoyapıları gibi tüm geçiş metali oksitleri arasında Magnezyum oksit (MgO) filmler, optik, optoelektronik, biyosensör, gaz algılama, kataliz, dönüştürücüler ve kapasitörler dâhil olmak üzere çeşitli bilim ve teknoloji alanlarındaki muazzam potansiyel uygulamaları nedeniyle geniş ilgi görmüştür. Metal oksitleri ilgi çekici ve ilginç yapıları, özellikleri ve değişik olgu kısımları ile son zamanlarda teknoloji ve bilim alanlarında ve uygulamalarında ilgi çeken malzemeler arasındadırlar. Birçok metal oksit akıllı camlar, gaz sensörleri, elektrokromik ve benzeri birçok alanda kullanılmaktadır. Sprey piroliz tekniği ile elde ettiğimiz Magnezyum oksit (MgO) filmlerinin özelliklerinine daha iyi çözüm bulmak amacıyla, cam veya inorganik yarıiletken (Silisyum) tabakasının üzerine büyütülmüştür. Farklı parametreler kullanılarak püskürtme tekniği ile en iyi ince film elde etmek için en uygun şartlar araştırılmıştır. Fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırarak kontak oluşturmak için Silisyum yarıiletkeni üzerine ince film oluşturulduktan sonra ince filmlerin parlak yüzeyine alüminyum iletkeni ile kaplama yapılıp incelenmiştir. Karanlık ortamda incelenen bir Al/MgO/p-Si MIS Schottky diyotunun elektriksel ve arayüzey özellikleri, akım-gerilim (I-V) özellikleriyle analiz edilmiştir. Ayrıca cam üzerinde oluşturulan MgO ince filminin yapısal, yüzeysel, optiksel ve elektriksel özellikleri de sırasıyla X-Işını Kırınımı (XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ve UV-Visible Spektroskopisi yöntemleriyle incelenmiştir., Technological advances and nanoscience have played an important role both in promoting the invention of a new phenomenon, industrial revolutions, and in developing the economy for the 21st century. Recently, transition metal oxides have attracted the attention of researchers due to their unique technological properties. Among all transition metal oxides, such as iron oxide and zinc oxide nanostructures, Magnesium oxide (MgO) films have attracted wide attention due to their enormous potential applications in various fields of science and technology, including optics, optoelectronics, biosensors, gas sensing, catalysis, converters and capacitors. Metal oxides, with their intriguing and interesting structures, properties and different phenomena, are among the materials that have recently attracted attention in technology and science fields and applications. Many metal oxides are used in many fields such as smart glasses, gas sensors, electrochromics and many others. In order to find a better solution to the properties of Magnesium oxide (MgO) films obtained by spray pyrolysis technique, they were grown on glass or inorganic semiconductor (Silicon) layer. Optimal conditions were investigated to obtain the best thin film by sputtering technique using different parameters. After forming thin films on the Silicon semiconductor to form contacts by evaporation by physical evaporation method (PVD), the bright surface of the thin films was coated with aluminum conductor and examined. The electrical and interfacial properties of an Al/MgO/p-Si MIS Schottky diode were analyzed by current-voltage (I-V) characteristics. In addition, the structural, surface, optical and electrical properties of MgO thin film formed on glass were also investigated by X-Ray Diffraction (XRD), Atomic Force Microscopy (AFM) and UV-Visible Spectroscopy, respectively.
- Published
- 2023
31. Düşük Tellür Katkılı CuInGaSe2 İnce Filmlerin Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi.
- Author
-
ATASOY, Yavuz
- Subjects
- *
THIN films , *PHASE separation , *DIFFRACTION patterns , *RAMAN spectroscopy , *HIGH temperature physics , *ELECTRON beams - Abstract
In this study, Cu(In,Ga)(Se1-yTey)2 thin films were obtained by evaporation of the bulk form compound with electron beam followed by annealing at elevated temperature. The X-ray diffraction patterns (XRD), Raman spectra, surface images and atomic concentration measurements of the samples were analyzed and compared with the structural properties of the undoped and low Te doped samples. In XRD patterns, it was observed that a phase separation such as Cu(In,Ga)Se2 and CuIn3Se5 formed in the CIGS thin film, but with the Te content, this phase separation was disappeared. Experimental values of A1 Raman modes of the samples were compared with the values obtained by a theoretical approach. It was seen that the film surface became more uniform and the particles formed in sub-micron dimensions as the Te content increase in the film. Similarly, it was observed that the composition profile in the structure improved (the amount of Ga increased) and that the targeted amount of Te almost entered the structure. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2019
- Full Text
- View/download PDF
32. SILAR Yöntemi İle Oda Sıcaklığında Üretilen CdO Filmlerinin Yapısal Morfolojik ve Optik Özelliklerine pH Değişimin Etkisi.
- Author
-
ALBAYRAK, Mensur, KIYAK, Onur, and GÜNEY, Harun
- Subjects
- *
OPTICAL measurements , *THIN films , *LIGHT absorption , *PH effect , *SCANNING electron microscopy - Abstract
In this study, pH effect was investigated on CdO thin films which were grown by SILAR technique on glass substrates room temperature. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and UV vis spectrophotometer measurements were examined for structural, morphological and optical properties of thin films. The XRD results showed that thin films exhibited orientation at different angles and planes at pH 11.5 and higher. SEM images showed significant changes in the surface morphology of the films with the change of pH value. The optical absorption measurements showed that the band gap was increased due to the pH increase. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2019
- Full Text
- View/download PDF
33. Deposition and Characterization of ZnSnSe2 Thin-Films Deposited by Using Sintered Stoichiometric Powder.
- Author
-
SÜRÜCÜ, Özge BAYRAKLI and GÜLLÜ, Hasan Hüseyin
- Subjects
THIN films ,ANNEALING of crystals ,X-ray diffraction ,AMORPHOUS substances ,CRYSTALLIZATION ,POLYCRYSTALS ,ELECTRIC conductivity - Abstract
Copyright of Journal of Polytechnic is the property of Journal of Polytechnic and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2019
- Full Text
- View/download PDF
34. Korning Cam ve Si Alttaşlar Üzerine RF Magnetron Püskürtme ile Büyütülen SnO2 İnce Filmlerin Derinlik Profil Analizi.
- Author
-
AKIN SÖNMEZ, Nihan
- Abstract
SnO2 thin films having tetragonal structure were grown on (100) oriented n-type Si and corning glass substrates at room temperature with RF magnetron sputtering technique. The atomic distribution and interfacial evaluation of the deposited structures were evaluated with the depth profile spectra obtained by the Secondary Ion Mass Spectrometer. It was seen that the atomic distribution of Sn and O showed a uniform distribution throughout the film depth. However, it was precisely determined by SIMS technique that an ultra-thin SiO2 layer was formed between the SnO2 film, which was deposited on Si, and Si substrate. The formed SiO2 interlayer thickness was determined to be dependent on the sputtering kinetics i.e. RF deposition power. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2019
- Full Text
- View/download PDF
35. Farklı Üretim Parametrelerinin Katı Faz Kristalizasyon (SPC) Tekniği Kullanılarak Üretilen Polikristal Silisyum İnce Filmlerin Kalitesi Üzerine Etkilerie.
- Author
-
TÜZÜN ÖZMEN, Özge, SEDANİ, Salar Habibpur, KARAMAN, Mehmet, GÖKŞEN, Kadir, and TURAN, Raşit
- Abstract
Copyright of Journal of Polytechnic is the property of Journal of Polytechnic and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2019
- Full Text
- View/download PDF
36. SILAR yöntemi ile üretilen CuO filmlerin yapısal, morfolojik ve optik özelliklerine ikili katkılamanın (Zn, Li) etkisi
- Author
-
Raşit Aydın, Bünyamin Şahin, and Fatih Bayansal
- Subjects
lityum ,çinko ,ikili katkılama ,SILAR ,ince film ,CuO ,Engineering (General). Civil engineering (General) ,TA1-2040 ,Chemistry ,QD1-999 - Abstract
Bu çalışmada katkısız CuO ve farklı konsantrasyonlarda Li-katkılı Li-ZnCuO filmler cam altlıklar üzerine SILAR yöntemi ile başarılı bir şekilde büyütüldü. Üretilen bu filmler metalurjik mikroskop (MM), X-ışını kırınımı (XRD) ve UV-Vis. spektroskopi ile karakterize edildi. MM sonuçları, CuO filmlerin morfolojisi üzerine Li-Zn ikili katkılama konsantrasyonunun önemli bir etkiye sahip olduğunu gösterdi. XRD verileri filmlerin nanoboyutta kristalize olduklarını ve kristallenme kalitesinin katkı konsantrasyonuna bağlı olarak değiştiğini açığa çıkardı. Uv-Vis. analiz sonuçları, filmlerin hem optik bant aralığı değerlerinde hem de geçirgenliklerinde katkı konsantrasyonuna bağlı olarak önemli farklılıkların oluştuğunu ortaya koydu.
- Published
- 2016
- Full Text
- View/download PDF
37. Effect of wettability and electronic properties on photocataylytic performance of ZNO atomic layer deposition films formed on fabric structures
- Author
-
Arat, Asife Büşra, Akyıldız, Halil İbrahim, and Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Tekstil Mühendisliği Anabilim Dalı.
- Subjects
Fotokataliz ,Atomic layer deposition (ALD) ,Mobility ,Mobilite ,Atomik katman biriktirme (ALD) ,İnce film ,ZnO ,Islanabilirlik ,Wettability ,Thin film ,Photocatalysis - Abstract
Bu tez çalışmasında Atomik Katman Biriktirme yöntemi (ALD) ile kumaş yapılar üzerine farklı döngü sayılarında (30, 65, 100, 130, 190 ve 310) ZnO ince film kaplamalar gerçekleştirilmiş ve elde edilen numunelerin yüzey özelliklerinin nasıl etkilendiği ıslanabilirlik ve elektriksel özelliklerin analiziyle incelenmiştir. Döngü sayısının artmasının bu özellikleri üzerine etkisi incelenmiş olup en sonunda da tüm bu değişimlerin filmlerin fotokatalitik etkinliklerini nasıl etkilediği gözlemlenmiştir. ZnO ince filmlerin morfolojisi, kristal yapıları, yapıda meydana gelen kusurlar ve optik özellikleri sırasıyla SEM, XRD, PL ve UV-Vis analizleriyle incelenmiştir. Döngü sayısının artmasıyla film kalınlığının arttığı, kristal yapıların ve tanecik boyutunun büyüdüğü gözlemlenmiştir. Yine döngü sayısının artmasıyla belli bir döngü sayısına kadar yapıdaki kusurların azaldığı bir değerden sonra döngü sayısının artmasıyla yapıdaki kusurların arttığı gözlemlenmiştir. Yapıdaki kusurların filmlerin yüzey üzerinde etkili olduğu temas açısı ve Hall Effect ölçümleriyle anlaşılmaktadır. 100 döngü kaplanmış numunede maksimum ıslanabilirlik, mobilite ve fotokatalitik etkinlik değeri gözlemlenmiştir. 100 döngüye kadar bu değerlerde iyileşme kaydedilirken 100 döngüden sonra, döngü sayısının artmasıyla bu değerlerde tersine değişimler meydana gelmiştir. In this thesis, ZnO thin film coatings with different cycle numbers (30, 65, 100, 130, 190, and 310) were carried out on fabric structures by Atomic Layer Deposition Method (ALD), and how the surface of the obtained samples was affected was investigated by analyzing their wettability and electrical properties. The effect of increasing the number of cycles on these properties was examined, and finally, it was observed how all these changes affected the photocatalytic activities of the films. SEM, XRD, PL, and UV-Vis analyses investigated surface morphology of thin films, crystal structures, defects in the structure, and optical properties of ZnO thin films. It was observed that the film thickness increased, the crystal areas increased, and the average particle size increased with the increase in the number of cycles. Again, it was observed that the defects in the structure increased with the number of cycles, after a value that decreased until a certain number of cycles with the increase of the number of cycles. It is understood by the contact angle and Hall Effect measurements that the defects in the structure are practical on the surface of the films. Maximum wettability, mobility, and photocatalytic efficiency values were observed in the 100 cycles coated sample. While improvement was observed in these values up to 100 cycles, after 100 cycles, reverse changes occurred in these values with the increase in the number of cycles.
- Published
- 2023
38. Molibden Oksit-Oktadesilamin/Pluronic®F127 Kompozit Elektrotların Kapasitif Özelliklerinin İncelenmesi.
- Author
-
GÜR, Bahri and AYHAN, Muhammed Emre
- Abstract
Transition metal oxides (TMOs) are of great interest for their catalytic stability and semi-conductive properties. For supercapacitor electrodes, TMOs are used to alternative materials due to the enhancement of energy density and specific capacitance. In this study, molybdenum trioxideoctadecylamine (MoO3-ODA) and molybdenum trioxide- EOnPOmEOn-type block-copolymer composite thin films on ITO were prepared by Spin Coating method. MoO3-ODA/ITO and MoO3- Pluronic®F127/ITO electrodes were fabricated with above mentioned thin films and their electrochemical properties were investigated. Our results demonstrated that electrical conductivity increased in the presence of ODA and Pluronic®F127 (EO106PO70EO106). Furthermore, molybdenum trioxide composite structure prepared with Pluronic®F127 shown better electrochemical energy storage capacity. Our electrochemical studies and results show that MoO3 composite structures with Pluronic®F127 can be a promising approach to fabricate new generation high-performance supercapacitors. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2019
- Full Text
- View/download PDF
39. Farklı Alt Tabanlar Üzerinde Büyütülen Galyum Selenit (GaSe) İnce Filmlerinin Yapısal, Morfolojik ve Optik Özelliklerinin İncelenmesi.
- Author
-
ERTAP, Hüseyin, ALKAN, Yunus, and KARABULUT, Mevlüt
- Abstract
Structural, morphological and optical properties of (Gallium Selenide) GaSe thin films grown on glass and gallium selenide single crystal substrates with Modified Chemical Bath Deposition (M-CBD) method have been investigated by using XRD, AFM and UV-Vis techniques. XRD measurements showed that GaSe thin films grown on glass and GaSe single crystal substrates were at rhombohedral and hexagonal structures, respectively. The average particle sizes of GaSe thin films grown on glass and GaSe single crystal substrates were determined form AFM images as 33.2 nm and 35.3 nm, respectively. It was observed that the particle sizes of films grown on both glass and GaSe substrate increased while the band gaps decreased with annealing. Urbach energies of GaSe thin films grown on glass substrates were found to be bigger than Urbach energies of GaSe thin films grown on GaSe single crystal substrates. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2019
- Full Text
- View/download PDF
40. Meyer-Neldel Rule in Ac Conductivity of Cu Doped ZnO Thin Films.
- Author
-
CAN, Nursel, CAN ÖMÜR, Birsel, and ALTINDAL, Ahmet
- Subjects
- *
ELECTRIC conductivity , *ZINC oxide thin films , *COPPER - Abstract
Ac charge transport mechanisms have been comparatively investigated in ZnO thin films having different Cu dopant. A comparative study of the applicability of quantum mechanical tunelling and correlated barrier hopping model to obtained ac electrical conductivity results has been performed. Comparing the temperature dependence of the frequency exponent shows that the correlated barrier hopping model best describes the experimental data on the ac conductivity in ZnO:Cu thin films. In order to gain an understanding of the applicability of Meyer-Neldel rule, the dependence of the thermal activation energy on Cu doping concentration in these films has also been studied. The obtained experimental results indicated that Meyer-Neldel rule can be succesfully applied ac conductivity data for highly Cu doped films but not others which has been explained on the basis of distribution variations in density of states. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2018
- Full Text
- View/download PDF
41. Effects of Relatively High Temperature on Thin Films of PbS Fabricated by Chemical Bath Deposition Method.
- Author
-
KIYAK YILDIRIM, Ayça
- Subjects
- *
CHEMICAL solution deposition , *HIGH temperatures , *THIN films , *LEAD sulfide , *X-ray diffractometers - Abstract
Chemical bath deposition (CBD) method was used to deposit thin films of PbS. In the experiments, PbS was obtained at four temperatures which are 55, 65, 75 and 85 °C. The effects of relatively high temperature were investigated in detail. The structural properties of the PbS films were examined by using X-ray diffractometer (XRD). According to the XRD, it was found that when temperature was increased, the preferred orientation shifted from (111) plane to the (002) plane at a deposition temperature higher than 75 °C. Besides, crystallite sizes (cs), lattice constants (a), average stresses (S), micro strains (ε) and dislocation densities (δ) were obtained from the XRD results. Surface properties of the PbS thin films were researched by using scanning electron microscope (SEM). It was seen from the SEM images that there was crack on the surface of the films when the film was obtained at 55 °C. On the other hand, no cracks were observed in the SEM images of PbS films of 30000 magnifications produced at temperatures higher than 55 °C. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2018
- Full Text
- View/download PDF
42. ZnO Kaplama Miktarının n-ZnO/p-Si Heteroeklem Güneş Hücresinin Verimliliğine Etkisi.
- Author
-
ALGÜN, Gökhan
- Abstract
In this study, the effect of zinc oxide (ZnO) coating amount on the efficieny of n-type zinc oxide/p-type silicon (n-ZnO/p-Si) heterojunction solar cell was investigated. ZnO nanoparticles were synthesized by sol gel method. The synthesized nanoparticles were coated on glass substrates and p-Si substrates using spin coating method. The coating process was carried out in different amounts as 2, 4, 5 and 15 times. After the coating process, the thin film coated substrates were placed in a square furnace and annealed at 500 °C for 30 min. Structure characterization and surface morphology were analyzed using X-ray diffraction (XRD) method and scanning electron microscopy (SEM). For each n- ZnO/p-Si heterojunction solar cell structure, short circuit current (Isc) and open circuit voltage (Voc) were determined by electrical measurements and efficiency (η) calculations were made. All processes were performed at room temperature. According to this study, the efficiency of solar cells increases with increasing the amount of ZnO coating up to a critical thickness and decreases when the critical thickness is exceeded (due to the more ZnO coating). From this it was concluded that the amount of ZnO coating (ZnO layer thickness) is an important parameter affecting the performance of solar cells. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2018
- Full Text
- View/download PDF
43. TlSe ince filminin dalgalı iletkenliği.
- Author
-
ULUTAS, Kemal
- Abstract
Copyright of Journal of Polytechnic is the property of Journal of Polytechnic and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)
- Published
- 2018
- Full Text
- View/download PDF
44. Formation of organic - inorganic hybrid alucone thin films by molecular layer deposition method
- Author
-
Fidan, Nergis Nur, Akyıldız, Halil İbrahim, and Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Polimer Malzemeler Anabilim Dalı.
- Subjects
MLD (Molecular layer deposition) ,Alukon ,MLD (Moleküler katman biriktirme) ,EG (Etilen glikol) ,EG (Ethylene glycol) ,TMA (Trimethyl aluminum) ,Hybrid ,Hibrit ,Alucone ,GL (Gliserol) ,İnce film ,GL (Glycerol) ,Thin film ,TMA (Trimetil alüminyum) - Abstract
Bu çalışmada MLD (Moleküler Katman Biriktirme) yöntemi ile hibrit alukon ince filmler biriktirilmiştir. Hibrit alukon ince filmler; silisyum tabaka, cam lamel ve cam kumaş yüzeyler üzerinde üretilmiştir. TMA-EG ve TMA-GL olarak farklı prekürsörler kullanılıp, iki farklı alukon üretimi gerçekleştirilmiştir. Üretim sırasında birikme oranının takibi için QCM cihazından yararlanılmıştır. Kaplama yapılmış olan yüzeyler üzerinde FT-IR analizi ile yüzey kimyasına bakılmıştır. Silisyum tabaka üzerinde film kalınlığının tespiti amacıyla elipsometre analizi yapılmıştır. Hibrit alukon ince filmin üretimi sırasında kontrolsüz büyüme, oksidasyon ve sızma gibi durumlar ile karşılaşılmış olup çözümler üretilmiştir. In thus study, hybrid alucone thin films were deposited by the MLD (Molecular Layer Deposition) method. Hybrid alucone thin films; ıt is produced on silicon wafer, glass slide and glass fabric surfaces. Two different alucons were produced by using different precursors as TMA-EG and TMA-GL. QCM device was used to monitor the accumulation rate during production. Surface chemistry was examined by FT-IR analysis on coated surfaces. In order to determine the film thickness on the silicon layer, ellipsometry analysis was performed. During the production of hybrid alucone thin film, situations such as uncontrolled growth, oxidation and infiltration were encountered and solutions were produced.
- Published
- 2022
45. Production and characterization of MgF2 based anti-reflective thin film coatings on CdS
- Author
-
Öztatlı, Aybars, Akay, Sertan Kemal, and Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Bilimleri Enstitüsü/Fizik Anabilim Dalı.
- Subjects
Yansıma önleyici kaplama ,Thermal evaporation ,İnce film ,Termal buharlaşma ,MgF2 ,Anti-reflective coating ,Thin film ,Tavlama ,CdS ,Annealing - Abstract
Optoelektronik uygulamalarda yansıma kayıplarını önlemek için ince film kaplama çalışmalarından yararlanıldığı bilinmektedir. Bu tez çalışmasında, farklı kırılma indislerine sahip malzemeler kullanılarak yansıma önleyici ince film yapıların geliştirilmesi hedeflenmiştir. Bu amaçla, Fiziksel Buhar Biriktirme (PVD) yöntemi kullanılarak, cam alttaşlar üzerine II-IV grubu yarıiletken bileşiği olan Kadmiyum Sülfür (CdS) ve bir toprak alkali metal florürü olan Magnezyum Florür (MgF2) ince filmlerinin büyütülmesi gerçekleştirilmiştir. İnce film yapıların yansıma önleyici özelliklerinin belirlenebilmesi için, cam alttaştan daha yüksek kırılma indisine sahip CdS üzerine, cam alttaştan daha düşük kırılma indisine sahip MgF2 kaplama malzemesi olarak tercih edilmiştir. Farklı kalınlıklarda üretilen çift katmanlı yansıma önleyici ince film kaplamaların yapısal, optik ve morfolojik özellikleri, X-Işınları Kırınımı (XRD), UV-vis spektrofotometre, Enerji Dağılımlı X-Işını Spektroskopisi (EDS) ve Alan Etkili Taramalı Elektron Mikroskobu (FESEM) yardımıyla incelenmiştir. Analizler sonucunda, CdS ince filmler üzerine ikinci katman olarak büyütülen MgF2 ince film yapının optik yansıma kayıplarını görünür bölgede %30'a kadar azalttığı ve buna bağlı olarak geçirgenliği arttırdığı gözlenmiştir. Ayrıca yapılar ayrı ayrı tavlanmış ve tavlamanın optik kayıpları azaltmada etkisinin olup olmadığı araştırılmıştır. It is known that thin film coating studies are used to prevent reflection losses in optoelectronic applications. In this thesis, it is aimed to develope anti-reflective thin film structures by using materials with different refractive indices. For this purpose, Cadmium Sulfide (CdS) thin film, an II-IV group semiconductor compound, and Magnesium Fluoride (MgF2) thin film, an alkaline earth metal fluoride, are grown on glass substrates using the Physical Vapor Deposition (PVD) method. In order to determine the anti-reflective properties of the thin film structures, MgF2, which has a lower refractive index than the glass substrate, is preferred as the coating material on CdS thin film, which has a higher refractive index than the glass substrate. The structural, optical and morphological properties of double-layer anti-reflective thin film coatings produced in different thicknesses are investigated with X-Ray Diffraction (XRD), UV-vis spectrophotometer, Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy (EDS) and Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM), respectively. As a result of the analyzes, it is observed that MgF2 structure grown as a second layer on CdS thin films is reduced optical reflection losses up to 30% in the visible region and accordingly increased the transmittance. Moreover, the structures are annealed separately and it is investigated whether or not annealing has an effect on reducing optical losses.
- Published
- 2022
46. Investigations on Structural, Electrical and Optical Properties of Polycrystalline CdInTe Thin Films Grown by Thermal Evaporation
- Author
-
Koray Yılmaz and Deniz Gölcür
- Subjects
Semiconductors ,thin films ,thermal evaporation ,Hall effect ,Yarıiletken ,ince film ,termal buharlaştırma ,Hall etkisi ,Science (General) ,Q1-390 - Abstract
Abstract: In this study, properties of thermally evaporated polycrystalline CdInTe thin films were investigated. The surface morphology, composition and crystal structure of the films were determined by means of SEM, EDXA and XRD analysis. Temperature dependent Hall effect measurements were carried out in the temperature range of 200-400 K. In the whole temperature region, the dominant transport mechanism of the films was found to be thermionic emission of the carriers over the grain boundaries. The room temperature conductivity, mobility and electron concentration values were found to be 1.8x10-2 (ï—.cm)-1, 50 cm2V-1s-1 and 1.1x10-15 cm-3, respectively. The mobility-temperature dependence showed that ionized impurity, neutral donor impurity and acoustic phonon scattering mechanisms were effective over the low (216-256 K), intermediate (256-317 K) and high temperature (317-357 K) regions, respectively. The optoelectronic properties of the films were also investigated by absorption in 190-1100 nm wavelength region and photoconductivity measurements in 80-400 K temperature range. Key words: Semiconductors, thin films, thermal evaporation, Hall effect Termal Buharlaştırma ile Büyütülmüş Polikristal CdInTe İnce Filmlerin Yapısal, Elektriksel ve Optik Özelliklerinin Araştırılması Özet: Bu çalışmada, termal buharlaştırma yoluyla üretilmiş polikristal CdInTe ince filmlerin özellikleri araştırılmıştır. Filmlerin yüzey morfolojisi, kompozisyonu ve kristal yapısı SEM, EDXA ve XRD analizleri ile incelenmiştir. Sıcaklığa bağlı Hall etkisi ölçümleri 200-400 K sıcaklık aralığında gerçekleştirilmiştir. Tüm sıcaklık aralığında etkin akım mekanizmasının termoiyonik emisyon olduğu tespit edilmiştir. Oda sıcaklığında iletkenlik, mobilite ve elektron konsantrasyonu sırasıyla 1.8x10-2 (ï—.cm)-1, 50 cm2V-1s-1 ve 1.1x10-15 cm-3 olarak bulunmuştur. Mobilite-sıcaklık değişimi ölçümlerinden iyonize safsızsızlık, nötral verici safsızlığı ve akustik fonon saçılma mekanizmalarının sırasıyla (216-256 K), (256-317 K) ve (317-357 K) sıcaklık aralıklarında etkin olduğu belirlenmiştir. Filmlerin optoelektronik özellikleri 190-1100 nm dalgaboyu aralığında soğurma ve 80-400 K sıcaklık aralığında fotoiletkenlik ölçümleri ile araştırılmıştır. Anahtar kelimeler: Yarıiletken, ince film, termal buharlaştırma, Hall etkisi
- Published
- 2014
47. Bakır-İndiyum-Sülfür Kalkoprit Yarıiletken İnce Filmlerin Fotoelektrokimyasal Güneş Pili Uygulamaları
- Author
-
Parlak, Mehmet, Sankır, Nurdan Demirci, Parlak, Mehmet, and Sankır, Nurdan Demirci
- Abstract
Fotoelektrokimyasal güneş pilleri, suyun hidrojen ve oksijene ayrışması için gerekli olan enerjinin güneşten sağlandığı, böylece solar enerjinin kimyasal enerjiye dönüştürülerek depolanmasına olanak tanıyan sistemlerdir. Bu sayede elde edilen hidrojen yakıt pillerinde doğrudan elektriğe çevrilebileceği gibi kimya endüstrisinde değerli bir girdi olarak kullanılabilmektedir. Fotoelektrokimyasal güneş pillerinin en önemli bileşeni foto aktif elektrotlardır. Bu elektrotların suyun hidrolizi için uygun yasak bölge enerji aralığına ve foto korozyona karşı yüksek dayanıma sahip olmaları gerekmektedir. Bunların yanı sıra elektrotların büyük alanlara maliyet etkin şekilde uygulanabilmeleri de üretilen cihazların yaygın kullanımı açısından önem arz etmektedir. Literatürde bu motivasyonlardan yola çıkarak pek çok yarıiletken farklı yöntemlerle cam veya bükülebilir alttaşlar üzerinde büyütülerek fotoelektrokimyasal performansları incelenmiştir. Proje kapsamında ise kalkoprit yarıiletken ailesinin I-III-VI2 grubu üçlü bileşiklerinden olan bakır-indiyum-sülfür (CuInS2) ince filmlerin fotoelektrokimyasal güneş pili uygulamalarında kullanımı ve performansı incelenmiştir. Bu doğrultuda iki farklı üretim yönteminin avantaj ve dezavantajları karşılaştırılmış, ayrıca CuInS2 ince filmlerin galyum ve çinko katkılanmasının fotoelektrokimyasal özelliklere ve güneş pili performansına olan etkileri araştırılmıştır. Projenin son aşamasında ise pillerin bükülebilir alttaşlar üzerine aktarılması ve böylece büyük alan uygulamaları için öncül çalışmaların gerçekleştirilmesi sağlanmıştır. Projede CuInS2 ince film elektrotların üretimi için sprey piroliz ve fiziksel buhar depolama yöntemleri kullanılmıştır. Böylelikle fotovoltaik cihaz uygulamalarında kullanılan iki farklı üretim yönteminin bakır tabanlı kalkoprit elektrot üretimindeki avantaj ve dezavantajları karşılaştırılabilmiştir. Bu da üretim koşullarının yapısal, optoelektriksel özellikler ve fotoelektrokimyasal performans üzerindeki etkiler
- Published
- 2022
48. İşlevsel derecelendirilmiş kaplamalara bağlı ince filmlerin mekanik modellenmesi
- Author
-
Güler, Mehmet Ali, Gülver, Yusuf Fuat, Güler, Mehmet Ali, and Gülver, Yusuf Fuat
- Abstract
Bu tezde, sonlu boyda ince film, hemen altında işlevsel derecelendirilmiş kaplama veen altta ise homojen yarım düzlem destek bulunan birleşik bir yapı, çeşitli yüklemeşartları altında iki boyutlu lineer elastisite teorisi uygulanarak incelenmiştir. Bu tipyapılarda yükleme; film/kaplama üretimi işleminden dolayı kalıntı yüklerinden,yapının kullanımı esnasında maruz kaldığı mekanik veya termal yüklerden kaynaklıgerilmelerden oluşabilmektedir. Bu çalışmanın temel amacı, arayüzey veyakaplamada çatlak başlangıcı ve ilerlemesi sorununa neden olabilen film uçlarındaoluşan gerilme yığılmalarını veya tekillik şiddetlerini incelemektir. Arka plandakitemas mekaniği problemi, ince film membran; işlevsel derecelendirilmiş malzemeli(İDM) kaplama ve homojen destek de elastik sürekli ortam kabul edilerek formüleedilmiştir. İDM kaplama ve homojen destek için elastisite çözümü ve arayüzeylerdeyer değiştirmelerin sürekliliği kabulü sayesinde probleme hâkim tümlev (integral)denklemi bulunmuştur. Bu tümlev denklemi tekil olup, bilinmeyen film-kaplamaarayüzey gerilmesi fonksiyonu için Çebişef polinomlarının özelliklerindenyararlanılarak doğrusal cebirsel bir denklem sistemine indirgenerek, sayısal olarakçözülmüştür. Hesaplanan sonuçlar, film-kaplama arayüzeyi boyunca oluşan kaymagerilmesi dağılımı, film uçlarındaki kayma gerilmesi tekillik şiddeti ve film ekseniboyunca oluşan normal gerilme dağılımıdır. Bu çalışma, yapının geometrik vemekanik değiştirgenlerinin (parametrelerinin) ve aynı zamanda yükleme tipinin,gerilme dağılımları ve film ucu kayma gerilmesi tekillik şiddeti üzerinde ne kadaretkili olduğunu göstermiştir. Bu değiştirgenlerin değerinin ayarlanması ve kaplamaiçin doğru derecelendirme şekli seçilmesiyle kaplamanın yorulma veya kırılmasındave filmin hasar görmesinde veya bozulmasında önemli rol oynayabilen film ucukayma gerilmesi tekillik şiddeti ve filmde oluşan eksenel normal gerilmedeğerlerinin düşürülmesi mümkündür., In this thesis, a compound structure consisting of thin film bonded to the coating offunctionally graded material (FGM) which resides on the homogeneous half plane isstudied by applying two dimensional linear elasticity theory under various loadingconditions. In these problems the loading consists of stresses caused by residualstresses resulting from film/coating processing and thermal or mechanical loadingsduring service life of the structure. The primary interest in this study is in examiningstress concentrations or strength of singularities near the film ends, which may causecrack initiation and propagation in the coating or along the interface. The underlyingcontact mechanics problem is formulated by assuming that the film is a ?membrane?and the FGM coating and homogeneous substrate are elastic continua. By using theelasticity solution for the FGM coating and the homogeneous substrate, andcontinuity of displacements at the interfaces, the governing integral equation for theproblem is found. This integral equation comes out to be singular and may bereduced to a linear algebraic system of equations by using the properties ofChebychev polinomials, and then solved for the unknown interfacial shear stressnumerically. The calculated results are the interfacial shear stress between the filmand the graded coating, strength of stress singularity at the end of the film and theaxial normal stress in the film. This study reveals that both mechanical andgeometrical parameters of the structure as well as loading type have a great effect onthe stress distribution and the strength of shear stress singularity at the film ends. Byadjusting these parameters and the type of the grading, it is possible to lower thestrength of shear stress singularity and the axial normal stress in the film that mayhave a bearing on the fatigue and fracture of the coating and damage or failure duringor after the production stage of the thin film.
- Published
- 2022
49. CIGS İnce Film Yüzeyindeki Morfolojik Farklılıkların GLCM Görüntü İşleme Yöntemi ile İncelenmesi
- Author
-
YAVRU, Celal Alp, ÜNCÜ, İsmail Serkan, KALELİ, Murat, and AKYÜREKLİ, Salih
- Subjects
İnce Film ,SEM ,AFM ,GLCM ,Haralick Doku Özellikleri ,Thin Film ,Haralick Texture Features ,Fizik, Uygulamalı ,Physics, Applied - Abstract
In the study, CIGS semiconductor material was deposited on Mo foils and Mo thin films coated with DC sputtering method on glass by co-evaporation method. The topography and average surface roughness of the two groups of Mo substrates were obtained by the AFM device. The thickness of the CIGS thin films was determined as 1.122 µm from the cross-section SEM image. The structural differences of the samples were determined by taking XRD measurements. SEM images were taken at 5000, 10000, 25000, and 50000 magnifications from the surface of CIGS thin films deposited on Mo foil and thin film substrates. Haralick texture features of the obtained SEM images were examined by GLCM method, the results obtained were evaluated and the effect of substrate Mo topography on the morphology of CIGS thin films was investigated. According to the calculated Haralick features, the changes from large areas to smaller areas were evaluated. In the images obtained from group A samples, it was determined that the energy value in the range of 0.21 and 0.54, the contrast value between 0.15 and 0.35, the correlation value between 0.66 and 0.65 and the homogeneity value between 0.82 and 0.92. It was observed that the same features differed in group B. The effect of substrate difference on structure and morphology is explained by the differences in Haralick texture features of SEM images., Çalışmada Mo folyolar ve cam üzerine DC saçtırma yöntemiyle kaplanmış Mo ince filmler üzerine aynı anda termal buharlaştırma metoduyla CIGS yarıiletken malzemesi biriktirilmiştir. İki grup Mo alt katmanların AFM cihazı ile topoğrafyaları ve ortalama yüzey pürüzlülükleri elde edilmiştir. CIGS ince filmlerin kalınlıkları SEM cihazı ile kesit görüntüleri alınarak, 1,122 µm olarak tespit edilmiştir. Numunelerin XRD ölçümleri alınarak yapısal farklılıkları belirlenmiştir. Mo folyo ve ince film alt katmanı üzerine biriktirilen CIGS ince filmlerin yüzeyinden 5000, 10000, 25000 ve 50000 büyütmelerde SEM görüntüleri alınmıştır. Elde edilen SEM görüntülerinin GLCM metodu ile Haralick doku özellikleri incelenmiş, elde edilen sonuçlar değerlendirilerek alt katman Mo topoğrafyasının CIGS ince filmlerin morfolojisi üzerine etkisi araştırılmıştır. Hesaplanan Haralick doku özelliklerinin görece geniş alanlardan daha küçük alanlara doğru değişimleri değerlendirilmiştir. A grubu numunelerden elde edilen görüntülerde enerji değerinin 0,21 ile 0,54 arasında, karşıtlık değerinin 0,15 ile 0,35 arasında, korelasyon değerinin 0,66 ile 0,65 arasında ve homojenite değerinin 0,82 ile 0,92 arasında değiştikleri tespit edilmiştir. B grubunda aynı doku özelliklerinin farklılık gösterdiği görülmüştür. Alttaş farklılığının yapı ve morfoloji üzerine etkisi, SEM görüntülerinin doku özellikleri farklılıkları ile açıklanmıştır.
- Published
- 2022
50. Production and electrical characterization of PTCDI-C8/P-Si hybrid organic/inorganic heterojunction diode
- Author
-
Erdal, Murat, Özaydın, Cihat, and Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı
- Subjects
Sol-Gel ,Sol-Jel ,İnce Film ,Elektriksel Karekterizsayson ,Electrical Characterization ,Heteroeklem ,Fotovoltaik Özellik ,PTCDI-C8 ,Photovoltaic Property ,Heterojunction ,Thin Film - Abstract
PTCDI-C8, yüksek mobilite ve n-tipi yarıiletken özelliklere sahip elektronik ve optoelektronik cihazlar için çok önemli bir organik malzemedir. Organik-inorganik hibrit cihazların yaygın olarak kullanılması, organik moleküllü yarı iletkenlerin farklı optoelektronik cihazlarda kullanılmasını ve elektriksel özelliklerinin ortaya çıkarılmasını önemli hale getirmiştir. Bu çalışmada, PTCDI-C8 yarı iletken organik molekülün ince bir filminin p-tipi silikon üzerinde sol-jel spin kaplama tekniği ile büyütülmesiyle PTCDI-C8/p-Si heteroeklemi oluşturulmuştur. Karşılaştırma için, aynı koşullar altında ara katmanı olmayan p-Si/Al metal-yarı iletken (MS) diyot da üretildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem ve p-Si/Al MS diyotun elektriksel özellikleri, oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri ile araştırıldı. Her iki diyot da iyi doğrultucu özellikler gösterdi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin idealite faktörü (2.1), bariyer yüksekliği (0.74 eV) ve seri direnci (248 kΩ) I–V karakteristiklerinden elde edildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem için elde edilen engel yükseklği(BH), geleneksel Al/p-Si Schottky diyotu için elde edilenden daha yüksektir. PTCDI-C8 organik ince film tabakası, Al/p-Si Schottky diyotun etkin bariyer yüksekliğini değiştirerek Al metal ve p-Si arasında fiziksel bir bariyer oluşturdu. Cihazın fotovoltaik parametreleri de 100 mW/cm2 ve AM1.5 aydınlatma koşulunda belirlenmiştir. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin açık devre voltajı (Voc = 320 mV) ve kısa devre akımı (Isc = 1,91 µA) ile bir fotodiyot davranışı sergiler., PTCDI-C8 is a very important organic material for electronic and optoelectronic devices with high mobility, n-type semiconductor properties. The widespread use of organic-inorganic hybrid devices has made it important to use organic molecule semiconductors in different optoelectronic devices and to reveal their electrical properties. In this work, PTCDI-C8/p-Si heterojunction was formed by growing a thin film of PTCDI-C8 semiconductor organic molecule on p-type silicon by sol-gel spin coating technique. For comparison, p-Si/Al metal-semiconductor (MS) diode without interlayer was also produced under the same conditions. Electrical properties of PTCDI-C8/p-Si/Al heterojunction and p-Si/Al MS diode were investigated by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements at room temperature. Both junctions showed good rectifying properties. The ideality factor (2.1), barrier height (0.74 eV) and series resistance (248 kΩ) of the PTCDI-C8/p-Si/Al heterojunction were obtained from I–V characteristics. The barrier height obtained for the PTCDI-C8/p-Si/Al heterojunction is higher than that of obtained for the conventional Al/p-Si Schottky diode. PTCDI-C8 organic thin film layer formed a physical barrier between Al metal and p-Si, modifying the effective barrier height of the Al/p-Si Schottky diode. The photovoltaic parameters of the device have been also determined under 100 mW/cm2 and AM1.5 illumination condition. The PTCDI-C8/p-Si/Alg heterojunction exhibits a photodiode behavior with open circuit voltage (Voc = 320 mV) and short circuit current (Isc = 1.91 µA).
- Published
- 2022
Catalog
Discovery Service for Jio Institute Digital Library
For full access to our library's resources, please sign in.