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Two different types of boron-doped graphene/copper interfaces synthesized using two different flow rates of Ar through the bubbler containing the boron source were studied. X-ray photoelectron spectra (XPS) and optically stimulated electron emission (OSEE) measurements have demonstrated that boron-doped graphene coating provides a high corrosion resistivity of Cu-substrate with the light traces of the oxidation of carbon cover. The density functional theory calculations suggest that for the case of substitutional (graphitic) boron-defect only the oxidation near boron impurity is energetically favorable and creation of the vacancies that can induce the oxidation of copper substrate is energetically unfavorable. In the case of non-graphitic boron defects oxidation of the area, a nearby impurity is metastable that not only prevent oxidation but makes boron-doped graphene. Modeling of oxygen reduction reaction demonstrates high catalytic performance of these materials., 15 pages, 8 figures, to appear in Appl. Surf. Sci

Various thin polystyrene, PS, and poly(methyl methacrylate), PMMA and PS + PMMA blend films have been examined using the technique of recording X-ray photoelectron spectrum while the sample is subjected to +/- 10 V d.c, bias, and three different forms of (square-wave (SQW), sinusoidal (SIN) and triangular (TRG)), a.c. pulses. All films exhibit charging shifts as observed in the position of the corresponding C1s peak under d.c. bias. The a.c. pulses convert the single C1s peak to twinned peaks in the case of the square-wave form, and distort severely in the cases of the SIN, and TRG forms, and all three of them exhibit strong frequency dependence. In order to mimic and better understand the behavior of these polymeric materials, an artificial dielectric system consisting of a clean Si-wafer coupled to an external 1 M Omega resistor and 56 nF capacitor is created, and its response to different forms of voltage stimuli, is examined in detail. A simple electrical circuit model is also developed treating the system as consisting of a parallel resistor and a series capacitor. With the help of the model, the response of the artificial system is successfully calculated as judged by comparison with the experimental data. Using one high frequency SQW measurements, the off-set in the charging shift clue to the extra low-energy neutralizing electrons is estimated. After correcting the corresponding off-set shifts, the XPS spectra of the three different PS films, one PMMA, and one PS + PMMA blend film are re-examined. As a result of these detailed analysis, there emerges a clear relationship between the thicknesses of the PS films with their charging abilities. In the blend film, PS and PMMA domains are electrically separated, and exhibit different charging shifts, however, the presence of one is felt by the other. Hence, the PS component shifts are larger in the blend, due to the presence of PMMA domains, which has intrinsically a larger R-eff, and conversely the PMMA component shifts are smaller due to the presence of PS domains. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

En utilisant la photoémission des rayons UV, résolue angulairement (ARUPS), la photoémission de rayons X (XPS) et la diffraction d'électrons lents (LEED), nous avons étudié la croissance de films de CoSi2 épitaxiques sur Si(111). Trois structures de surface (1 × 1) différentes, appelées CoSi 2(111)-Co, CoSi2(111) et CoSi2(111)-Si, sont générées en contrôlant soigneusement les dépôts de Co ou de Si (de l'ordre de la monocouche) et les conditions de recuit. La structure de surface CoSi 2(111)-Co est un cristal de CoSi2 exposant un plan d'atomes de Co. La structure de surface CoSi2(111) est compatible avec un cristal de CoSi2 exposant un plan d'atomes de Si, alors que la structure CoSi2(111)-Si est un cristal terminé par trois plans de Si. La coordination des atomes de Co de surface est respectivement, quatre, sept et huit pour ces trois structures. Deux méthodes de préparation, basses températures (≤ 400 °C) appelées « réactive MBE » et dépôt séquentiel, produisent des couches de CoSi2 uniformes et très homogènes en épaisseur. Dans ces conditions, nous avons pu observer, dans des films de CoSi2 de très faibles épaisseurs (≤ 40 Å), les effets quantiques provenant du confinement de particules dans un puits de potentiel étroit, dans la direction normale à la surface.

The influence of sputtering and annealing on the properties of MoTe 2 films was investigated by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, electron microprobe analysis, electron spectroscopy (X.P.S.), X ray analysis and optical absorption. It was found that stoiechiometric thin films are obtained after appropriate annealing. The c-axis of the crystallites is perpendicular to the plane of the substrate. The optical gap (0.9 eV≤E 0 ≤0.93 eV) was determined to be almost equal to that of MoTe 2 single crystal. The chemical shifts of the X.P.S. lines were found to be in good agreement with those of a single crystal reference L'influence des conditions de pulverisation et des traitements thermiques ulterieurs sur les proprietes structurales de couches minces de MoTe 2 a ete etudiee par microscopie electronique a balayage et a transmission, microsonde electronique, spectroscopies d'electrons (X.P.S.), analyse aux rayons X et absorption optique. On montre que des couches stœchiometriques peuvent etre obtenues apres un traitement thermique adequat. L'axe c des cristallites de MoTe 2 est perpendiculaire au plan du substrat. La largeur de bande interdite (0,9 eV≤E 0 ≤0,93 eV) determinee par absorption optique est proche de celle admise pour les monocristaux. Les energies de liaisons des raies X.P.S. sont en bon accord avec celles des monocristaux de reference

L'oxydation initiale (dans le domaine de la monocouche) de Si(001)-2 x 1 a été étudiée dans de larges domaines de température de substrat (TA < Ts < 800 °C ), de pression de O2 (10-8 à 10-5 mbar) par photoémission X (XPS) et UV (UPS). Les variations de recouvrement en oxygène en fonction de ces paramètres permettent de séparer les domaines de points (Ts, P (O2), où l'oxydation est dite passivante (basse Ts, quel que soit P(O 2)) de ceux où elle est combustive (mode de nettoyage à T s élevée, P(O2) faible). Les observations en faveur de la différenciation des modes de croissance à haute et basse T s concernent les environnements locaux déduits des pics Si 2p, les vitesses d'oxydation en fonction de la pression et du temps d'exposition, la disparition des états de surface observés en UPS et liés à la dimérisation 2 × 1. A basse Ts les environnements chimiques locaux sont de type intermédiaire (Si-(Si XO4-X), 0 < X < 4 ). Le collage initial est fort et correspond à une disparition initiale de 2 liaisons pendantes par atome d'oxygène fixé mais faiblit fortement pour des recouvrements proches de la monocouche. Les recouvrements induits par une certaine quantité de molécules de O2 incidentes sont indépendants du fait que cette quantité résulte d'une augmentation de temps d'exposition ou de pression. Cela dénote une chimisorption initiale, spatialement homogène, mais limitée par manque de diffusion aux plans atomiques de surface. A haute T s le collage initial est quasi nul, la désorption étant prépondérante à faible pression (mode de nettoyage). A partir d'une pression critique, on bascule dans le mode passivant avec une croissance initiale hétérogène (avec juxtaposition d'îlots ou flaques de SiO2 et de zones de Si libres d'oxydation) celle-ci affectant peu la reconstruction 2 × 1 et ce jusqu'à des recouvrements moyens en O supérieurs à la monocouche. Le taux d'oxydation est maintenant plus grand lorsque l'exposition est augmentée par variation de pression que par variation de temps. L'étude de la décroissance des états de surface avec le recouvrement d'oxygène sur des surfaces désorientées ou non permet de corréler cette nucléation initiale à la présence de marches le long de la direction [110].

Les proprietes d'interfaces al/inp (hauteur de barriere, distribution d'etats d'interface et densite d'etats de valence du phosphore et de l'aluminium) preparees par differentes manieres (clivage sous ultra-vide ou a l'air, nettoyage chimique suivi ou non d'un bombardement ionique de faible energie et traitement thermique) ont ete etudiees en couplant des methodes electriques: caracteristiques i-v, c-v et spectroscopie de capacite schottky (scs) et une methode physico-chimique: spectroscopie d'emission x induite par electrons (exes). Les spectres d'exes montrent que de fortes perturbations de l'inp sont induites par les differentes methodes de preparation. Ces perturbations sont detectees dans la zone interfaciale analysee qui est de l'ordre de 100 a. Elles sont dues a differents phenomenes: existence de liaisons pendantes (clivage sous ultra-vide), inhomogeneites structurelles (clivage a l'air), amorphisation (nettoyage chimique), presence d'aip et/ou incorporation d'argon (bombardement ionique). Cependant, malgre ces modifications physico-chimiques de la zone interfaciale, la barriere de schottky reste confinee dans une gamme etroite de valeurs (0,35-0,5 ev). Ceci est attribue a la presence systematique d'un etat localise mis en evidence dans le gap par scs en e#c-0,37 ev

Nous avons etudie la codeposition de couches minces de nickel et de gallium sur des substrats de GaAs (001) et GaAs (111) dans la perspective d'une epitaxie d'un compose metallique, si possible thermodynamiquement stable. Les codepots ont ete realises a temperature ambiante dans un bâti d'epitaxie par jets moleculaires equipe d'un canon a electrons pour l'evaporation du nickel. Quatre techniques ont ete mises en œuvre pour controler la composition; deux ex situ: la retrodiffusion d'ions He + de 2 MeV (RBS), qui nous a servi de reference, et l'analyse X dans un microscope electronique a balayage; et deux in situ: les spectroscopies de photo-emission electronique X et UV (XPS et UPS). En UPS nous avons utilise d'une part l'evolution de la forme de la bande de valence en fonction de la composition, d'autre part le deplacement chimique du doublet Ga 3d par rapport au niveau de Fermi du au transfert de charge entre Ni et Ga. Les couches deposees ont ete caracterisees par diffraction X sur goniometre a poudre θ-2θ equipe d'un monochromateur arriere. Les caracterisations electriques (R □ ) et par canalisation d'ions He + (χ min ) montrent que la resistivite est minimale et la canalisation maximale pour les couches les mieux texturees, correspondant aux composes definis NiGa et Ni 2 Ga 3 . Ces composes ont des conductivites du meme ordre de grandeur que les siliciures de metaux de transition

The structure of ZnSiAs 2 single crystals was studied by X-rays, while chemical shift of binding energies and composition were determined by electron spectrometry (XPS) and microprobe analysis. Electrical measurements, conductivity and thermoelectric power have been performed in the temperature range 195-550 K. The Hall coefficient is given between 180 and 400 K. Experimental results are interpreted with the help of a p type compensated semiconductor. The fitting of the experimental results shows that two main processes contribute to the total conductivity: hopping in the broadened acceptor level and hole scattering by lattice modes and ionized impurities in the valence band. The acceptor and donor levels may be related to vacancies in the single crystal Apres controle de la structure cristalline, de la composition ainsi que de l'etat des liaisons de chaque echantillon par diffraction X, microsonde electronique et spectroscopie d'electrons (ESCA( 1 )) les proprietes electriques du ZnSiAs 2 ont ete etudiees par mesure de resistivite et de pouvoir thermoelectrique (PTE) entre 195 et 550 K. Ces mesures ont ete completees par celles du coefficient de Hall entre 180 et 400 K. Le modele le plus simple permettant de rendre compte des courbes experimentales est celui d'un semiconducteur compense de caractere p. Le niveau accepteur legerement elargi est le siege de mecanismes de conduction par sauts. L'ajustement des courbes a partir de ce modele montre que trois mecanismes de diffusion gouvernent essentiellement les proprietes electriques du materiau: interactions trous-modes acoustiques du reseau et trous-impuretes ionisees dans la bande de valence et conduction par sauts thermiquement actives dans le niveau accepteur. L'origine des niveaux donneur et accepteur est vraisemblablement liee au leger ecart a la stoechiometrie mis en evidence par microanalyse et spectroscopie d'electrons

RF cleaning of thin films of NbN is studied by X-ray photo-electron spectroscopy (XPS) and compared with Nb cleaning. A comparison between air-oxidized Nb and NbN films shows that the NbN oxidation is less dependent on polluting elements than the Nb one. By thermal oxidation at different pressures and temperatures (≤10 −2 mbar and ≤200°C) there is formation of an interface composed essentially of NbO x (x Le decapage de films minces de NbN par plasma d'argon Radio Frequence a ete etudie par spectroscopie de photo-electrons X (XPS) et compare a celui des films de Nb. Une comparaison des oxydations natives de ces films met en evidence le fait que l'oxydation de NbN depend moins des elements polluants presents que celle du Nb. Une etude de l'oxydation thermique de films de NbN a differentes pressions et differentes temperatures (≤10 −2 mbar et ≤200°C) montre qu'il y a formation d'un interface constitue essentiellement de sous-oxydes de niobium puis de pentoxyde de niobium Nb 2 O 5 , l'azote diffusant dans la couche oxyde. L'epaisseur d'oxydes formes, ainsi que l'epaisseur de l'interface metal-pentoxyde restent inferieures a celles obtenues pour les films de Nb