Search

Spin coating was used to deposit the interfacial layer of the organometallic complex (OM complex) as a thin film on p-Si. Al/OM complex/p-Si Schottky diode structure was achieved at room temperature after the required procedures. Current-Voltage (I-V) and Capacitance-Voltage (C-V) measurements of an interface-layered Schottky diode were used to compute the diode's characteristic parameters. Among the I-V readings, the barrier height (Φb0) and ideality factor (n) were computed, and the results were 0.797 eV and 1.615, respectively. The series resistance (Rs) was found and compared with the Cheung and Norde functions. Additionally, doping density (Na) values and barrier height were found out from C-V measurements in the frequency range of 10 kHz to 1 MHz, and the Φb0 values from I-V and C-V observations were compared. The difference in the barrier height values obtained from I-V and C-V was attributed to the inhomogeneity of the barrier height, the presence of the interfacial layer, the thickness of the interface layer and the series resistance effect, as well as the different nature of both methods., Organometalik kompleksi (OMcomplex) arayüzey tabakası olarak p-Si üzerinde ince bir film olarak biriktirmek için döndürmeli kaplama kullanıldı. Al/OMcomplex/p-Si Schottky diyot yapısı gerekli işlemlerden sonra oda sıcaklığında elde edilmiştir. Arayüz katmanlı Schottky diyotun Akım-Gerilim (I-V) ve Kapasitans-Gerilim (C-V) ölçümleri diyotun karakteristik parametrelerini hesaplamak için kullanıldı. I-V okumalarından bariyer yüksekliği (Φb0) ve idealite faktörü (n) hesaplandı ve sonuçlar sırasıyla 0.797 eV ve 1.615 oldu. Seri direnç (Rs), Cheung ve Norde fonksiyonları ile bulunarak karşılaştırıldı. Ayrıca 10 kHz ile 1 MHz frekans aralığında yapılan C-V ölçümlerinden doping yoğunluğu (Na) değerleri ve engel yüksekliği bulunmuş ve I-V ve C-V gözlemlerinden ulaşılan Φb0 değerleri karşılaştırılmıştır. I-V ve C-V den elde edilen engel yüksekliği değerlerinin farklılığı, engel yüksekliğinin homojen olmayışı, arayüzey tabakasının varlığı, arayüzey tabakasının kalınlığı ve seri direnç etkilerinin yanı sıra her iki yöntemin farklı tabiatına atfedilmiştir.

Bu çalışmada DC saçtırma yöntemi ile Mo metalinin n-Si yarıiletken üzerine saçtırılması ile n-Si/Mo metal-yarıiletken kontağı elde edilmiştir. Oda sıcaklığında ve karanlıkta yapılan akım-gerilim ölçümlerinde yapının doğrultucu kontak özelliği gösterdiği görülmüştür. Oluşturulan n-Si/Mo Schottky diyotunun elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlılığını incelemek amacıyla 80-300 K aralığında akım-gerilim ölçümleri alınmıştır. Schottky diyotun elektriksel özellikleri için termoiyonik emisyon teorisi kullanılmıştır. Yapılan ölçümlerde n-Si/Mo Schottky diyotunun idealite faktörünün artan sıcaklıkla azaldığı tespit edilmiştir. Yapılan analizlerde ayrıca idealite faktörü ile engel yüksekliği arsında lineer bir bağıntının olduğu ve ideal n-Si/Mo Schottky diyotu için engel yüksekliğinin 0,64 eV olduğu gösterilmiştir. Elde edilen I-V eğrilerinin ileri beslem gerilim altında lineerlikten saptığı gözlemlenmiştir. Bu sapmanın nedeninin diyotun sahip olduğu seri direnç etkisine atfedilmiştir. Norde tarafından önerilen fonksiyonlar yardımı ile yapının sıcaklığa bağlı seri direnç ve engel yükseklikleri hesaplanmıştır. Yapılan bu analizlerde engel yüksekliği değerlerinin aynen lnI-V verileriyle elde edilen sonuçlarla uyum içinde gözlemlenmiştir. lnI-V verileri ve Norde fonksiyonları ile hesaplanan engel yükseklikleri arasındaki farklığın yöntemler arasındaki farktan kaynaklandığı ifade edilmiştir. Bunun asıl nedeni olarak lnI-V verileri ile engel yüksekliği hesaplanırken doğru beslem akım-gerilim grafiğinin lineer kısmının dikkate alınmasına rağmen Norde fonksiyonları ile engel yüksekliği hesaplanmasında tüm doğru beslem akım-gerilim verilerinin kullanılması gösterilmiştir. In this study, n-Si/Mo metal-semiconductor contact was obtained by scattering Mo metal on n-Si semiconductor by DC scattering method. In current-voltage measurements made at room temperature and in the dark, it was seen that the structure has a rectifier contact feature. In order to examine the temperature dependence of the electrical properties of the n-Si/Mo Schottky diode created, current-voltage measurements in the range of 80-300 K were taken. Thermoionic emission theory is used for the electrical properties of Schottky diode. In the measurements made, it was determined that the ideal factor of n-Si/Mo Schottky diode decreases with increasing temperature. The analyzes also showed that there is a linear correlation between the ideality factor and the obstacle height, and the obstacle height for the ideal n-Si/Mo Schottky diode is 0.64 eV. It was observed that the obtained I-V curves deviate from linearity under forward feed voltage. The reason for this deviation is thought to be due to the series resistance effect of the diode. With the help of the functions proposed by Norde, the series resistance and obstacle heights depending on the temperature were calculated. In these analyzes, it was observed that the height of the obstacles increased exactly in parallel with the results obtained with the lnI-V data. It was stated that the difference between lnI-V data and Norde functions and calculated obstacle heights was caused by the difference between the methods. As the main reason for this, while calculating the obstacle height with the lnI-V data, the linear portion of the correct supply current-voltage graph is used, while using the correct supply current-voltage data to calculate the obstacle height with Norde functions.

Bu çalışmada; [100] doğrultusunda büyütülmüş, 300 μm kalınlıkta, donor konsantrasyonu 1-5x1017 cm-3 olan ve bir yüzü parlatılmış n-InP yarıiletkeni kullanıldı. Uygun kimyasal temizleme işleminden sonra yarıiletken kristalin alt yüzüne In omik kontak yapıldı. Üst yüzüne Safranine T boyası metanol çözeltisi (0.2’lik) ile kaplandıktan sonra organik tabakanın da üst yüzeyine alt kontak yapıldı. İmal edilen Al / ST / n-InP Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri, oda sıcaklığında karanlık ve ışık altında akım-gerilim (I-V) ölçümü ve 100 kHz'lik adımlarla 100-900 kHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) özellikleri araştırılmıştır. Bariyer yüksekliği (ɸB) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler, düz beslem I-V verisi kullanılarak modifiye Norde fonksiyonundan ve Cheung fonksiyonlarından elde edilmiştir. Diyotun arayüzey durum yoğunluğu (Nss) de hesaplanmıştır. Ortaya çıkan yapı mükemmel doğrultucu özelliklere sahiptir, In this study, the [100] direction is enlarged in a thickness of 300 µm, the donor concentration 1-5x1017cm-3,and a face-polished n-InP semiconductors was used.After appropriate chemical cleaning process,the semiconductor crystal of the lower face funny In contact was made .Methanol upper face Safranine T dye solution (0.2%) is covered with the organic layer to the upper surface of the lower contact was made. Manufactured Al/ST/n-InP Schottky diodes electrical and surface properties at room temperature in the dark and the light, under the current-voltage (I-V) in the frequency range 100-900 kHz with 100 kHz steps measurement and capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage their properties were investigated. The barrier height (ΦB) and series resistance (Rs), some parameters such as, plain feed, the I-V data were obtained from Cheung functions and modified using the Norde function.Diode interface state density (Nss) were also calculated. The resulting structure has the characteristics of a perfect rectifier.

Bu tez çalışması Pamukkale Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Koordinasyon Birimi tarafından 2013FBE021 nolu proje ile desteklenmiştir. Bu çalışmada; Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) ince filmleri termal ve e-demeti buharlaştırma yöntemleri ile cam tabanlar üzerine büyütülmüştür. Üretilen filmler değişik sıcaklıklarda tavlanarak, yapısal özellikleri XRD, SEM ve Raman analizleri ile incelenmiştir. Yapısal analizler sonucunda iki farklı buharlaştırma yöntemi ile üretilen filmlerin kesterit yapıya sahip olduğu ve tavlama etkisine bağlı olarak daha düzenli yapıya geçerek tanecik boyutlarının arttığı gözlemlenmiştir. Filmlerin elektriksel parametreleri sıcaklığa bağlı iletkenlik ve Hail etkisi ölçümleri ile araştırılmıştır. Yapılan ölçümler sonucunda üretilen tüm filmlerin p-tipi iletkenliğe sahip olduğu, tavlama etkisi ile iletkenliklerinin ve taşıyıcı konsantrasyonlarının arttığı belirlenmiştir. Filmlerin ışığa karşı duyarlılıkları, sıcaklığa bağlı fotoiletkenlik ölçümleri ile incelenmiştir. Numunelerin fotoiletkenliğinin artan ışık şiddeti ile arttığı tespit edilmiştir. Optik soğurma ölçümleri ile filmlerin yasak enerji aralıkları araştırılmış ve tavlama etkisi ile birlikte yasak enerji aralıklarında düşüş gözlenmiştir. Mo/CZTSe/Metal yapısında Schottky diyotları üretilerek; gümüş (Ag), indiyum (In) ve alüminyum (Al) gibi farklı metallerin üst kontak olarak kullanılması ile bu diyotlarm doğrultucu özellikleri araştırılmıştır. Karanlık ortamda yapılan akım/kapasitans-voltaj ölçümleri ile diyotlarm elektriksel parametreleri belirlenmiştir. Al metali kullanılarak oluşturulan diyotun doğrultucu özellik göstermediği ve omik davranışa sahip olduğu belirlenmiştir. Ag ve In kontak kullanılarak üretilen Schottky eklemlerinin ise doğrultucu davranış sergilediği tespit edilerek, diyotlara ait bariyer yükseklikleri, taşıyıcı yoğunlukları ve kontak potansiyelleri hesaplanmıştır. Heteroeklem güneş hücreleri, Mo//?-CZTSe//?-CdS yapısında oluşturulmuştur. Karanlık ve aydınlık altında akım-voltaj ölçümleri ile üretilen güneş hücrelerinin diyot özelliği gösterdiği tespit edilmiştir. In this study, Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) thin films have been produced on glass substrates by thermal and e-beam evaporation methods. The structural properties of deposited thin films, annealed at different temperatures, were examined through XRD, SEM and Raman analysis. Structural measurements have indicated that films were kesterite structure, the size of grains and crystallization of the films increased with increasing annealing temperatures. Hall effect and temperature dependent conductivity measurements were used to determine electrical parameters of the films. It is observed that all films having p-type conduction, carrier concentration and conductivity of the samples increases with increasing annealing temperature. In order to study photosensitivity of the films, photoconductivity measurements depending on light intensity were carried out. Photoconductivity of the films increases with increasing intensity of light. The optical band gaps of these films which were determined by optical absorption measurements indicated a slightly decrease with annealing. Schottky diode structures in the form of Mo/p-CZTSe/Metal were fabricated and rectifying properties of these devices were investigated with various top metal contacts such as Ag, A1 and In. The electrical parameters of the diodes were determined by dark current/capacitance-voltage measurements. It has been determined that the diode with A1 contacts has shown ohmic behavior. The rectifying behavior have been observed for Ag and In top contacts. The barrier heights, carrier densities and contact potentials of the diodes were also calculated. Heterostructures were obtained in the form of Mo//?-CZTSe/w-CdS. Dark and illuminated current-voltage measurements indicated that all samples have shown diode characteristics.

Bu çalışmada yeni sentezlenmiş Ru(II) kompleksi ile oluşturulan Au/Ru(II) kompleks/n-Si yapısının elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlılığı incelendi. Bu amaçla n-Si alttaşa önce Au metalinin buharlaştırılması ve 420 C'de tavlanmasi ile omik kontak oluşturuldu. Ardından dönel kaplama yöntemi ile Ru(II) kompleks ince filmi n-Si yarıiletken üzerine oluşturuldu ve Au metalinin oluşturulan yapı üzerine buharlaştırılması ile Au/Ru(II) kompleks/n-Si diyotu oluşturulmuş oldu. Oluşturulan yapının doğrultucu özelliğe sahip olduğu görüldü. Au/Ru(II) kompleks/n-Si diyotunun akım-gerilim (I-V) ölçümleri geniş sıcaklık aralığında (77-350 K) gerçekleştirildi. Diyotun temel elektriksel parametreleri olan idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri her sıcaklık için hesaplandı. Yapılan hesaplamalarda, yapının idealite faktörü ve seri direnç değerlerinin sıcaklık arttıkça azaldığı, engel yüksekliğinin ise sıcaklık ile orantılı olarak arttığı görülmüştür. Ayrıca, yapının I-V ölçümleri güneş simülatörü altında farklı ışık yoğunluklarında ölçülmüş, yapının ışığa karşı duyarlı oldukları görüldü. Yapının ışığa duyarlılık, açık devre gerilimi (VOC) ve kısa devre akımı (ISC) gibi fotoelektriksel özelliklerinin ışık yoğunluğu ile artmakta olduğu görüldü. Bu sonuç yapının arayüzeyine düşen ışık miktarı arttıkça, arayüzeyde oluşan elektron-deşik çiftlerinin artmasına atfedildi. Anahtar Kelimeler: Schottky Diyot, Ru(II) kompleksi, elektriksel özellikler, fotoelektriksel özellikler In this study, the dependence of the electrical properties of Au/Ru (II) complex/n-Si structure formed by the newly synthesized Ru (II) complex on the temperature was investigated. For this purpose, an ohmic contact was formed by evaporation of the Au metal and annealing at 420 C for the n-Si subtrate. Then, the Ru (II) complex thin film was formed on the n-Si semiconductor by the spin coating and Au/Ru (II) complex/n-Si diode was formed by evaporation of the Au metal on the formed structure. It has been seen that the created structure has the rectifier property. Current-voltage (I-V) measurements of Au/Ru (II) complex/n-Si diodes were performed at wide temperature range (77-350 K). Basic electrical parameters of diode such as ideal factor, barrier height and series resistance values were calculated for each temperature. It was seen that the ideality factor and the series resistance values decreased with increasing temperature and the barriers increased with temperature. In addition, the I-V measurements of the structure were measured at different light intensities under a solar simulator, and it was found that the structure was sensitive to light. It was seen that the photoelectric properties such as sensitivity to light, open circuit voltage (VOC) and short circuit current (ISC) are increased by light intensity. It was attributed that the increase of the amount of light falling to the interface results the increase of the electron-hole pairs formed at the interface. Key Words: Schottky Diode, Ru(II) Complex, electrical properties, photoelectrical properties

Bu çalışmada, karides kabuklarından elde edilen kitin asit klorürler, karboksilik asitler ve anhidritle etkileştirildi. Kitin ve yeni sentezlenen maddeler farklı tekniklerle karakterize edildi. Ayrıca kitin ve sentezlenen kitin türevleri ile diyot oluşturularak karakterize edildi. Kitin sırasıyla 3,5-dinitrobenzoil klorür (35DK), ftaloil diklorür (FD), o-asetilsalisiloil klorür (OAK), 4-nitrobenzoil klorür (4NK), 4,5-dikloroftalik asit (45DA), difenik asit (DA), kumarin-3-karboksilik asit (K3KA) ve benzofenon-3,3’,4,4’-tetrakarboksilik dianhidrit (B33’44’TD) maddeleri ile etkileştirildi. Kitin ve yeni sentezlenen maddeler FT-IR, katı faz CCP/MAS NMR, XRD, SEM, TGA, DSC ve iletkenlik ölçümü teknikleri ile karakterize edildi. Kitin ve yeni sentezlenen maddelerin yapılarını belirlemek için FT-IR ve C CP/MAS NMR spektroskopileri kullanılmıştır. FT-IR ve 13C CP/MAS NMR spektrumları esterleşme tepkimesinin gerçekleştiğini göstermiştir. Kitin ve sentezlenen maddelerin kristal boyutları ve kristallik indeksleri XRD analizleri ile karşılaştırıldı. XRD analiz sonuçları sentezlenen maddelerin kitine göre daha düşük kristallik derecesine sahip olduklarını göstermiştir. SEM analizi ile kitin ve sentezlenen maddelerin yüzey morfolojisi belirlendi. Termogravimetrik analiz (TGA) yöntemi ile kitin ve sentezlenen maddelerdeki kütle kaybı artan sıcaklığın bir fonksiyonu olarak belirlendi. Diferansiyel taramalı kalorimetri (DSC) tekniği ile kitin ve sentezlenen maddeler tarafından soğurulan veya salıverilen ısı miktarı sıcaklığın bir fonksiyonu olarak belirlendi. Sentezlenen maddelerin elektriksel iletkenlikleri ölçüldü ve K4NK, K35DK, K45DA, KOAK, KFD, KB33’44’TD maddelerinin yarı iletken özellik gösterdikleri tespit edildi. Ayrıca sentezlenen maddelerin diyotları (Au/polimer/n-Si) yapıldı ve bu diyotların karanlıkta ve aydınlatma altında akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. Aydınlatma için 100 mW/cm2 şiddetindeki ışık kaynağı kullanıldı. I-V grafiklerinden sentezlenen maddelerin diyotlarının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Daha sonra, bu diyotlara ilişkin bazı parametreler (idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (R)) hesaplandı. Son olarak, bu diyotların ışığa karşı duyarlılıkları incelendi ve bu diyotlara ilişkin bazı fotoelektrik özellikler belirlendi. Anahtar kelimeler: Kitin, polimer, sentez, karakterizasyon, asit klorür, anhidrit, schottky diyot, idealite faktörü, engel yüksekliği In this study, chitin obtained from shrimp shells was interacted with acid chlorides, carboxylic acids and anhydride. The chitin and new synthesized materials were characterized with different techniques. In addition, these diodes were characterized by forming diodes with chitin and synthesized chitin derivatives. Chitin was interacted with 3,5-dinitrobenzoyl chloride, phthaloyl dichloride, o-asetylsalicyloyl chloride, 4-nitrobenzoyl chloride, 4,5-dichlorophthalic acid, diphenic acid, coumarin-3-carboxylic acid and benzophenone-3,3’,4,4’-tetracarboxylic dianhydride, respectively. The chitin and the synthesized materials were characterized by FT-IR, solid state 12 C CP/MAS NMR, XRD, SEM, TGA, DSC and conductivity measurement techniques. FT-IR and 13 C CP/MAS NMR spectroscopies were used to determine the structure of chitin and synthesized materials. FT-IR and 13C CP/MAS NMR spectra showed that esterification reaction is realized. Crystal size and crystalline index of the chitin and synthesized materials were compared by XRD analysis. XRD analysis results showed that synthesized materials have lower crystallinity degree according to chitin. Surface morphology of chitin and synthesized materials was determined by SEM analysis. Mass loss in chitin and synthesized materials with thermogravimetric analysis (TGA) method was determined as a function of increasing temperature. The amount of heat absorbed or released by chitin and synthesized materials with differential scanning calorimetry (DSC) technique was determined as a function of temperature. The electrical conductivity of the synthesized materials was measured and it was found that K4NK, K35DK, K45DA, KOAK, KFD, KB33’44’TD are semiconductor. Besides, the diodes of synthesized materials (Au/polymer/n-Si) were constructed, and the current-voltage (I-V) measurements of these diodes in dark and under illumination were taken. It has been used a light source of 100 mW/cm intensity for lighting. It was seen from I-V graphics that the diodes of synthesized materials show rectifier property. Later on, some parameters (ideality factor (n), barier height (Φb) and series resistance (R)) related to these diodes were calculated. Lostly, the susceptibility of these diodes to light was investigated, and some photoelectric properties related to these diodes were determined. s Keywords: Chitin, polymer, synthesis, characterization, acid chloride, anhydride, schottky diode, ideality factor, barrier height Bu çalışma Dicle Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Koordinatörlüğü tarafından ZGEF.15.012 Proje numarasıyla desteklenmiştir.

Bu çalışmada, Al/Alpc(aluminium phtalocyanine)/p-Si yapısının Schottky diyotu üretildi ve bu diyotun 80-300K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım-voltaj (I-V) ve oda sıcaklığında kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri alındı. Akım-voltaj ölçümlerden yararlanarak diyodun idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği (?B0) ve doyum akımı değerleri hesaplandı. I-V ölçümleri -2V ile +2V gerilim aralığında 20 mV adımla yapıldı. Norde fonksiyonları yardımıyla seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Diyotun idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) sıcaklığa önemli ölçüde bağlı olup, artan sıcaklıkla azaldığı ,engel yüksekliğinin de artan sıcaklıkla arttığı belirlendi. C?V grafiğinden de anlaşılacağı gibi diyotun ters beslemde kapasite değerleri daha küçük değerler olarak gözlenirken düz beslemde gerilim arttıkça kapasitenin arttığı gözlenmiştir. In this study, the Al/Alpc(aluminium phtalocyanine)/p-Si Schottky diode was produced and the I-V measurements of this diode were taken at the temperature range of 80-300K for different temperatures. C-V measurement of this diode were taken at the room temperature (300 K).Using these measures, the ideality factor (n), zero-bias barrier height (?B0), saturation current (I0) of the diode were calculated. The I-V measurement was done with 20 mV steps between -2V and +2V. By the Norde function, series resistance (Rs) was calculated. It was found that, particularly, the ideality factor (n) and series resistance (Rs) of the diode depend on the temperature, and it decreases with increasing temperature. It was determined that the barrier height increases when the temperature increases. As shown by C?V graph, the capacitance of diode increases with increasing positive voltage and decreases with increasing negative voltage.

Bu çalışmada (100) yönelimine sahip ve özdirenci 1-10 Ωcm olan p-Si yarıiletkeni kullanıldı. Dönel kaplama metodu kullanılarak ittrium katkılı ve katkısız kadmiyum oksit'in p-Si üzerinde ince filmi hazırlandı. Alüminyum yüksek vakum ortamında, termal olarak buharlaştırıldı. Böylece Al/Y:CdO/p-Si yapısı oluşturuldu. Al/Y:CdO/p-Si yapılarının oda sıcaklığında ve karanlık ortamda akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. İdealite faktörü ve engel yüksekliği gibi diyot parametreleri, lnI-V grafiği kullanılarak belirlendi. İdealite faktörü Al/CdO/p-Si yapısı için 2,45 olarak hesaplanırken Al/Y:CdO/p-Si yapılarının idealite faktörünün 1,84 değerine kadar düştüğü başka bir ifadeyle diyotların ideal davranışa yaklaştığı görüldü. Y katkılı CdO aratabakanın engel yüksekliğini arttırdığı gözlendi. Norde fonksiyonları kullanılarak F(V)-V grafikleri çizildi. Bu grafikten seri direnç ve engel yükseklikleri hesaplandı. Ayrıca tüm diyotların 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında I-V ölçümleri yapıldı. Işık şiddeti arttıkça ters beslem akımının da arttığı gözlendi. Yapının fotodiyot özelliği gösterdiği anlaşıldı ve diyotun optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceği gösterilmiş oldu. Anahtar Kelimeler: Schottky Diyot, Norde Fonksiyonları, İttrium,Kadmiyum Oksit,Katkılama In this study, p-Si semiconductor with (100) orientation and resistivity of 1-10 Ωcm was used. Yttrium-doped and undoped cadmium oxide thin films were prepared on p-Si by using spin coating method. Aluminium was thermally evaporated in high vacuum environment. Therefore, Al/Y:CdO/p-Si structures were formed. Current-voltage (I-V) measurements of Al/Y:CdO/p-Si structures were performed in the dark at room temperature. It is noted that the the structures showed rectification feature from I-V graphics. Ideality factors and parameters such as diode barrier height were determined using lnI-V plot. Ideality factor for Al/CdO/p-Si structure was calculated as 2.45 and the ideality factor for Al/Y:CdO/p-Si structures have fallen to 1.84 value in other words diodes got closer to the ideal behavior. Y-doped CdO interlayer to increased barrier height. F(V) -V graphs were plotted using the modified Norde functions. From this plot, the series resistance and barrier height was calculated. In addition, I-V measurements of the Al/Y:CdO/p-Si were repeated under light which had intensity of 100 mW/cm2. It was observed that reverse bias current of the diode increased with the light intensity. Therefore, the structure showed fotodiode characteristic and it can be used in optoelectronic applications. Key Words: Schottky Diode, Norde Function, Yttrium, Cadmium Oksit, Doping

In this study, The diode characteristics of the thin film of metal-oxide (CuO) was investigated. Spin coating method was used to grow CuO nano-structured thin films interfaced between the metal and semiconductor and an diode structure of Al / CuO / p-Si / Al was produced. Ideality factor (n) and barrier height (ΦB0) were calculated from conventional (I-V) characteristics of Al /CuO/p-Si /Al diode structure and series resistance values (Rs) were calculated by using Norde functions. Scanning electron microscope (SEM) images of that films were obtained. Furtheremore, the optical properties of CuO films were analyzed with UV-VIS spectroscopy, and then the optical energy band gap was determined as 2.08 eV. The calculations suggest that the produced diode was a rectifier diode with photodiodes feature., Bu çalışmada, Metal-yarıiletken arasına yerleştirilen ince metal-oksit (CuO) filmin diyot karakteristikleri üzerine etkisi araştırıldı. Metal yarıiletken arasına yerleştirilen CuO nano yapılı ince filmleri büyütmek için spin coating metodu kullanıldı ve bir Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısı üretildi. Üretilen Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısının geleneksel (I-V) karakteristiklerinden, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB0) ve Norde fonksiyonları kullanılarak seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Elde edilen filmlerin, taramalı elektron mikroskobu (SEM) görüntüleri alındı. Ayrıca CuO filmlerin optiksel özellikleri UV-VIS spektroskopisi ile incelenmiş ve buradan optiksel enerji bant aralığının 2.08 eV olduğu belirlendi. Hesaplamalara göre, üretilen diyotun doğrultucu diyot olduğu ve fotodiyot özellik gösterdiği görüldü.

Bu çalışmada konjugasyonu artırılmış 5 adet diester sentezlendi. Konjigasyonu artırmak için diasit klorurleriyle fenolik yapılar etkileştirildi. Bu esterlerin yapıları UV-Vis, FT-IR, 1H NMR ve 13C NMR spektroskopisi ile aydınlatıldı. Daha sonra iletkenlik ölçümleri yapıldı. Herbir diester için metal-diester-yarıiletken yapılar oluşturuldu. Akım–gerilim (I-V) grafikleri çizildi. Diyot özelliğine sahip oldukları belirlendi., In this study five diester compounds have been synthesied which were improved their conjugations. In order to improve conjugation of diacid chlorides were reacted with phenolic structures. The structures of these esters were identified by UV-Vis, FT-IR, 1H NMR and 13C NMR spectroscopies. Then metal-diester-semiconductor structures were formed for each diester I-V ghraphics were plotted. They have showed diode properties from these graphics.

Bu çalışmada, elektriksel ve optiksel özelliklerini incelemek için daha önce sentezlenmiş, ? bağları açısından zengin ve ligandları farklı olan [Cu2(L5 )(NO3)2][NO3]2, [Cu2(L2 )(NO3)2][NO3]2, [Cu2(L7 )(ClO4)2][ClO4]2, [Cu2(L8 )(ClO4)2][ClO4]2 ve [Cu2(L4 )(ClO4)2][ClO4]2 organik Cu(II) kompleksleri kullanıldı. Kompleksler sırasıyla C1, C2, C3, C4 ve C5 ile adlandırıldı. Optiksel özelliklerin incelenmesi için komplekslerin ince filmleri cam ve n-Si üzerine spin kaplama metodu ile oluşturuldu. Cam üzerine oluşturulan ince filmlerin UV-VIS spekrometresi soğurma ölçümlerinden optiksel enerji band aralığı (Eg) belirlendi. n-tipi Si altlık üzerine oluşturulan ince filmlerinin spektroskopik elipsometre ölçümlerinden kırılma indisi (n) ve sönüm katsayısı (k) gibi optiksel parametrelerinin spektrumları belirlendi. Elektriksel özelliklerinin incelenmesi için komplekslerin ince filmleri inorganik yarıiletkenler üzerine spin kaplama metodu ile oluşturuldu. Böylece organikinorganik (OI) yapıları oluşturuldu. Au metalinin organik-inorganik yapılar üzerine buharlaştırılması ile metal/organik/yarıiletken (Au/Cu(II) kompleks/n-Si) yapısı oluşturuldu. Ligandları farklı olan Cu(II) kompleksleri ile oluşturulan Au/Cu(II) kompleks/n-Si yapılarının elektriksel karakterizasyonu için karanlıkta ve oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. İdealite faktörü (n), engel yüksekliği ( ) ve doyma akımı (I0) gibi diyot parametreleri belirlendi ve literatürdeki ara tabakasız Au/n-Si diyotları ile karşılaştırıldı. I-V ölçümlerinden hesaplanan diyot parametreleri Cheung fonksiyonları ile yeniden hesaplandı ve karşılaştırıldı. Tüm yapıların farklı frekanslarda ve oda sıcaklığında kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri alındı. C-V ölçümlerinden elde edilen sonuçlar I-V ölçümlerinden elde edilenlerle karşılaştırıldı. Ayrıca metal/organik/yarıiletken yapısının fotoelektriksel karakterizasyonu için tüm yapıların I-V ölçümleri güneş simülatörü ile 100 mW/cm 2 ışık şiddetine ve AM1.5 spektrumuna sahip ışık altında alınarak incelenmiş ve kısa devre akımı (Isc) ve açık devre gerilimi (Voc) gibi fotovoltaik parametreleri belirlenmiştir. Anahtar Kelimeler: Cu(II) kompleks, İnce film, Schottky diyot, Organik-inorganik heteroeklem, Elektriksel özellikler, Optik özellikler In this study, previously synthesized [Cu2(L5 )(NO3)2][NO3]2, [Cu2(L2 )(NO3)2][NO3]2, [Cu2(L7 )(ClO4)2][ClO4]2, [Cu2(L8 )(ClO4)2][ClO4]2 and [Cu2(L4 )(ClO4)2][ClO4]2 organic Cu(II) complexes which have rich ? bonds and different ligands were used to examine the electrical and optical properties. The complexes were named as C1, C2, C3, C4 and C5, respectively. Thin films of Cu(II) complexes were formed by spin coating method on glass and n-Si substrates to investigate optical properties. Optical energy band gap (Eg) of thin films which formed on glass substrate were determined by measuring the UV-VIS absorption spectrometry. Optical parameters such as refractive index (n) and extinction coefficient (k) spectra of thin films on n-type Si substrate were determined by spectroscopic ellipsometry measurements. To investigate the electrical properties, thin films of the complexes were formed by spin coating on inorganic semiconductors. Thus organic-Inorganic (OI) structures were fabricated. Metal/Organic/Inorganic (Au/Cu(II) complex/n-Si) structure was created by evaporation of Au metal on organic/inorganic structure. For electrical characterization of Au / Cu(II) complex / n-Si structures current-voltage (I-V) measurements were taken at room temperature in the dark conditions. Diode parameters such as ideality factor (n), barrier height ( ) and saturation current (I0) were determined and obtained parameters have been compared with Au/n-Si diode in the literature. Obtained results from I-V measurements have been also compared with results re-calculated by Cheung?s method. Capacity-voltage (C-V) measurements of all structures were taken at different frequency and room temperature. The results obtained from I-V measurements have been compared with those obtained from C-V measurements. Furthermore, photoelectrical characterization of metal/organic/semiconductor structures were investigated from I-V measurement under a solar simulator with 100 mW/cm2 light intensity and AM1.5 condition and their photovoltaic parameters such as short-circuit current (Isc) and open circuit voltage (Voc) were determined. Key Words: Cu (II) complex, Thin films, Schottky diode, Organic-inorganic heterojunction, Electrical properties, , Optical properties

Bu çalışmada, (100) yönelimli, 280 kalınlığında, bor (B) katkılı p tipi Si kullanılarak termal buharlaştırma metodu ile Al/p-Si diyot hazırlandı. Bu diyotun 296-380 K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler kullanılarak, farklı yöntemlerle schottky diyotun idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç parametreleri hesaplandı., In this study; We have prepared Al/p-Si Schottky diodes in the (100) orientation, with the thickness of 280 B-doped obtained by thermal evaporating system. Current-voltage (I-V) characteristic of this diode were measured at different temperatures in the range of 296-380 K. Using these experimental data ideality factory, barrier height and series resistance parameters of this Schottky diode was calculated with different methods.