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11 results on '"Pallecchi, Emiliano"'

1. Towards 500 GHz Non-volatile Monolayer 6G Switches

Author

Kim, Myungsoo, Ducournau, Guillaume, Skrzypczak, Simon, Szriftgiser, P., Yang, Sung Jin, Wainstein, Nicolas, Stern, Keren, Happy, Henri, Yalon, Eilam, Pallecchi, Emiliano, Akinwande, Deji, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Photonique THz - IEMN (PHOTONIQUE THZ - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Carbon - IEMN (CARBON - IEMN), Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 (PhLAM), Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), The University of Texas at Austin, Technion - Israel Institute of Technology [Haifa], This work was supported in part by the U-K Brand Research Fund (1.220028.01) of UNIST and an ONR grant N00014-20-1-2104. Datacom measurements is supported bythe DYDICO cluster of the I-Site ULNE, the IEMN ‘Telecom UHD’ Flagship and the CPER ‘Photonics for society’. 300 GHz transmitter and receiver chains were established with thesupport of ANR TERASONIC, SPATIOTERA and the TERIL-WAVES projects. This work was partially supported by ANR grant ANR-19-CE24-000, PCMP CHOP, ANR-19-CE24-0004,SWIT,SWItches à base de dichalcogénures de métaux de transition pour des applications RF(2019), ANR-17-CE24-0044,TERASONIC,Transmissions TERAhertz combinant électronique état SOlide et photoNIQue(2017), and ANR-19-CE24-0012,SPATIOTERA,Multiplexage SPATIal en gamme térahertz pour les cOmmunications sans fil à 1 TERAbit/s(2019)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience; High performance non-volatile analog switches based on monolayer MoS₂ are realized up to 480 GHz, covering the sixth-generation (6G) communication band. Due to its robust layered structure, crystalline MoS₂ enables low insertion loss and high isolation radio-frequency (RF) switch that utilizes its memristive property. Compared to other emerging switch technologies based on MEMS, RRAM, and phase-change memory (PCM); MoS₂ switches show superior sub-nanosecond pulse switching, low power consumption, and high data-rate operation. We demonstrate eye-diagram and constellation diagram with various modulation methods and remarkable data transmission rate up to 100 Gbit/s in a non-volatile RF switch. Notably, the operating frequencies are about 10× higher than previous reports on RF switches. This monolayer RF switch is expected to enable analog components for next-generation 6G communication and connectivity front-end systems.

Published
2022

2. Commutateur RF fabriqué à partir de matériau 2D

Author

Skrzypczak, S., Kim, Myungsoo, Ducournau, Guillaume, Vignaud, Dominique, Gassilloud, Remy, A., Cresti, David-Vifflantzeff, J., Deblock, Yves, Hadid, Jawad, Okada, Etienne, Avramovic, Vanessa, Happy, Henri, Akinwande, Deji, Pallecchi, Emiliano, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Carbon - IEMN (CARBON - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), The University of Texas at Austin, Photonique THz - IEMN (PHOTONIQUE THZ - IEMN), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes (UGA)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP ), Université Grenoble Alpes (UGA), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Je remercie le personnel de la caractérisation et de la salle blanche de IEMN pour leur aide dans ce travail. Ce travail a pu être réalisé grâce au réseau RENATECH, et a bénéficié du soutien de l’ANR-2019-SWIT., Renatech Network, CMNF, PCMP CHOP, and ANR-19-CE24-0004,SWIT,SWItches à base de dichalcogénures de métaux de transition pour des applications RF(2019)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

National audience; Les commutateurs RF sont utilisés dans les modules de communication sans fils (transmetteurs) et dans les systèmes où la reconfiguration est nécessaire. Ce travail présente des commutateurs RF à base de matériau 2D (MoS2 et hBN) avec des accès coplanaires optimisés et compatibles avec des pointes de mesures radiofréquences, d’espacement de 50/100µm. Les dispositifs ont été caractérisés en DC et dans la bande 0.25-67GHz. Les commutateurs sont non-volatiles et possèdent un ratio ON/OFF de 29dB @ 50GHz

Published
2022

3. Master Nanosciences Nanotechnologies de l’Université de Lille: une formation aux technologies émergentes

Author

Bollaert, Sylvain, Pallecchi, Emiliano, Gaillot, Davy, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Advanced NanOmeter DEvices - IEMN (ANODE - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Carbon - IEMN (CARBON - IEMN), Télécommunication, Interférences et Compatibilité Electromagnétique - IEMN (TELICE - IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), and Carbon - IEMN (CARBON-IEMN)

Subjects
stomatognathic diseases, [SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

oral; National audience

Published
2021

4. Non-linearity of RF switch based on 2D materials

Author

Skrzypczak, S., Myungsoo, K., Ducournau, Guillaume, Vignaud, Dominique, Gassilloud, R., Cresti, A., David-Vifflantzeff, J., Deblock, Yves, Hadid, J., Avramovic, Vanessa, Happy, Henri, Akinwande, D., Pallecchi, Emiliano, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), Photonique THz - IEMN (PHOTONIQUE THZ - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN (PCMP - IEMN), Carbon - IEMN (CARBON - IEMN), PCMP CHOP, and Renatech Network

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

International audience

Published
2021

5. Physical and Electrical Characterization of Synthesized Millimeter Size Single Crystal Graphene, Using Controlled Bubbling Transfer

Author

Salk, Soukaina, Pandey, Reetu Raj, Pham, Phi, Zhou, Di, Wei, Wei, Cochez, Guillaume, Vignaud, Dominique, Pallecchi, Emiliano, Burke, Peter, Happy, Henri, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), University of California [Irvine] (UC Irvine), University of California (UC), Carbon - IEMN (CARBON - IEMN), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL)-Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN (CMNF - IEMN), EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN (EPIPHY - IEMN), We acknowledge support from the Army Research Office through the ARO (Contract No: W911NF-18-1-0076 and W911NF2010103), National Institutes of Health (Contract No: CA182384), the European Union’s Horizon 2020 research and innovation program under phase of the Graphene Flagship GrapheneCore2 785219 and GrapheneCore3 881603 and the French American Cultural Exchange (FACE) Partner University Fund program. This work was also partly supported by the French RENATECH network., Renatech Network, European Project: 785219,H2020,GrapheneCore2(2018), and European Project: 881603,H2020,H2020-SGA-FET-GRAPHENE-2019, GrapheneCore3(2020)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], Chemistry, electrical characterization, Raman spectroscopy, bubble-free transfer, defect-free, QD1-999, monocrystalline graphene, Article, electrochemical delamination
Abstract

International audience; In this work, we have investigated the influence of the transfer process on the monocrystalline graphene in terms of quality, morphology and electrical properties by analyzing the data obtained from optical microscopy, scanning electron microscopy, Raman spectroscopy and electrical characterizations. The influence of Cu oxidation on graphene prior to the transfer is also discussed. Our results show that the controlled bubbling electrochemical delamination transfer is an easy and fast transfer technique suitable for transferring large single crystals graphene without degrading the graphene quality. Moreover, Raman spectroscopy investigation reveals that the Cu surface oxidation modifies the strain of the graphene film. We have observed that graphene laying on unoxidized Cu is subject to a biaxial strain in compression, while graphene on Cu oxide is subject to a biaxial strain in tension. However, after graphene was transferred to a host substrate, these strain effects were strongly reduced, leaving a homogeneous graphene on the substrate. The transferred single crystal graphene on silicon oxide substrate was used to fabricate transmission line method (TLM) devices. Electrical measurements show low contact resistance ~150 Ω·µm, which confirms the homogeneity and high quality of transferred graphene.

Published
2021
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6. Physical and electrical characterization of bubble free transferred single crystal graphene

Author

Pandey, Reetu Raj, Salk, Soukaina, Pandey, Reetu, Pham, Phi, Zhou, Di, Vignaud, Dominique, Pallecchi, Emiliano, Burke, Peter, Happy, Henri, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), University of Lille, University of California [Irvine] (UCI), University of California, Carbon-IEMN (CARBON-IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), University of California [Irvine] (UC Irvine), University of California (UC), and Carbon - IEMN (CARBON - IEMN)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], [SPI]Engineering Sciences [physics], electrical characterization, Raman spectroscopy, bubble-free transfer, [CHIM]Chemical Sciences, defect-free, [NLIN]Nonlinear Sciences [physics], monocrystalline graphene, electrochemical delamination
Abstract

Monocrystalline graphene is desirable for practical applications since the large-scale polycrystalline graphene grown by chemical vapor deposition is limited in terms of performance. The transfer of graphene film from the metallic growth substrate to a host substrate, which is generally required for practical applications, can further damage the graphene by inducing strain, defects and wrinkles or by leaving contamination such as polymer residues. In this work, we have investigated the influence of the transfer process on the monocrystalline graphene in terms of quality, morphology and electrical properties by analyzing the data obtained from optical microscopy, scanning electron microscopy, Raman spectroscopy and electrical characterizations. The influence of copper oxidation on graphene prior to the transfer is also discussed. Our results show that the "Bubble-free" electrochemical delamination transfer is an easy and fast transfer technique suitable for transferring large single crystals graphene with an almost defect free surface. Moreover, Raman spectroscopy investigation reveals that the Cu surface oxidation modify the strain of the graphene film. We have observed that graphene laying on unoxidized Cu is submitted to a biaxial strain in compression, while graphene on Cu oxide is submitted to a biaxial strain in tension. However, after graphene was transferred to a host substrate, these strain effects disappeared leaving a homogeneous graphene on the substrate. Finally, we used the transferred single crystal graphene on silicon oxide substrate to fabricate transmission line method (TLM) devices. These electrical measurements show low contact resistance ~150 Ω.µm, which confirms the homogeneity and good quality of transferred graphene. Therefore, electrochemical delamination process can be used to transfer large single crystal graphene in a fast and reliable way.

Published
2020

7. Graphene field-effect transistors with velocity saturation

Author

MELE, David, WILMART, Q., Boukhicha, M., Graef, H., Fruleux, D., Schmitt, A., Palomo, J., Rosticher, M., Taniguchi, T., Watanabe, K., Bouchiat, V., BAUDIN, E., Berroir, J.M., Feve, G., BOCQUILLON, E., Pallecchi, Emiliano, Placais, B., Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Carbon - IEMN (CARBON - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), flagship graphene, Renatech Network, European Project: 785219,H2020,GrapheneCore2(2018), European Project: 881603,H2020,H2020-SGA-FET-GRAPHENE-2019, GrapheneCore3(2020), and Carbon-IEMN (CARBON-IEMN)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics], ComputingMethodologies_GENERAL, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract

poster; National audience

Published
2020

8. Small-signal model for 2D-material based field-effect transistors targeting radio-frequency applications: the importance of considering nonreciprocal capacitances

Author

Pasadas, Francisco, Wei, Wei, Pallecchi, Emiliano, Happy, Henri, Jim��nez, David, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Carbon-IEMN (CARBON-IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Instituto Ramon y Cajal de Investigacion Sanitaria [Madrid, Spain] (IRYCIS), Universidad de Alcalá - University of Alcalá (UAH), European UnionEuropean Commission [604391], European Union's through the Horizon 2020 Research and Innovation Program [696656], and Ministerio de Economia y CompetitividadSpanish Government [TEC2012-31330, TEC2015-67462-C2-1-R]

Subjects
Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, 2d materials, s-parameters, FOS: Physical sciences, small-signal, fet, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect, charge conservation, [SPI]Engineering Sciences [physics], Mesoscale and Nanoscale Physics (cond-mat.mes-hall), Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, radio-frequency (rf) figures of merit (foms), monolithic microwave integrated circuit (mmic)
Abstract

A small-signal equivalent circuit of 2D-material based field-effect transistors is presented. Charge conservation and non-reciprocal capacitances have been assumed so the model can be used to make reliable predictions at both device and circuit levels. In this context, explicit and exact analytical expressions of the main radio-frequency figures of merit of these devices are given. Moreover, a direct parameter extraction methodology is provided based on S-parameter measurements. In addition to the intrinsic capacitances, transconductance and output conductance, our approach allows extracting the series combination of drain/source metal contact and access resistances. Accounting for these extrinsic resistances is of upmost importance when dealing with low dimensional field-effect transistors., 8 pages, 10 figures, 4 tables

Published
2017

9. Key parameters of CVD-grown graphene on copper foil and its transfer for radio-frequency applications

Author

Wei, Wei, Deokar, Geetanjali, Belhaj, Mohamed Moez, Mele, D., Pallecchi, Emiliano, Pichonat, Emmanuelle, Vignaud, Dominique, Happy, Henri, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

International audience; To synthesize monolayer graphene and realize defect free transfer for electronic devices application are still challenges. In this letter, we present the fabrication and characterization of graphene field effect transistor (GFET), with respect to key parameters of graphene growth on Cu by chemical vapor deposition (CVD) and an optimized transfer process. Scanning electron microscopy, Raman spectroscopy and Hall effect measurement were used for characterizing graphene quality. It was found that monolayer graphene with a low defect density and hole mobility up to 3180cm2/Vs at n=1.3 10^12 cm-2, could be obtained. For device characterization, We report an intrinsic current gain cut-off frequency (ft) of 15.5 GHz and maximum oscillation frequency of 12 GHz, deduced from the S-parameters measurements for device with gate length of 100 nm. This study demonstrate the potential of CVD-grown graphene for high speed electronics in combination with a technological process compatible with arbitrary substrates.

Published
2014

10. [Invited] High frequency electronic devices : impact of beyond graphene materials

Author

Happy, Henri, MELE, David, Colambo, Ivy, Khenissa, Mohamed S., Belhaj, Mohamed, Pallecchi, Emiliano, Ouerghi, A., Vignaud, Dominique, Dambrine, Gilles, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), and Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

Considering graphene field effect transistors (GFETs), considerable efforts have been made during the recent years to reach impressive current gain cut-off frequency (ft) over 400 GHz. Unfortunately, for these devices, the maximum frequency of oscillation (fmax) remains under 100GHz. This deviation of the ratio fmax/ft is a drawback for HF applications. Based on the small signal equivalent circuit, the presentation will focus on the methodologies to overcome these limitations, by introducing new 2D materials in the fabrication process. One of the most urgent is the limitation imposed due to the underlying substrate. Graphene's intrinsic performances are achieved due to its 2D gas of massless dirac fermions and these could be drastically effected by the use of deficient substrates inducing high amount of scattering due to surface roughness, interfacial phonons,.... Therefore, much effort on developing the process technology is required such as pairing graphene to h-BN material.

Published
2014

11. Transistors à effet de champ à base du graphène sur SiC avec grille en T : homogénéité et performances

Author

Khenissa, Mohamed Salah, MELE, David, Belhaj, Mohamed, Colambo, Ivy, Pallecchi, Emiliano, Vignaud, Dominique, Happy, Henri, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), and Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

Subjects
[SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract

Dans ce papier, nous vous présentons notre travail sur les transistors à effet de champ à base de graphène GFET à grille isolée. Les transistors ont été réalisés sur le graphène épitaxié dont la synthétisation a été faite sur la face Si d'un substrat SiC, en utilisant l'Al203 comme un oxyde de grille avec une constante diélectrique k élevée. Afin de réduire la résistance d'accès de la grille, on a choisi une géométrie de grille en T. La mobilité de Hall est de l'ordre de 780 cm²/Vs à température ambiante, pour une concentration de porteurs intrinsèques de l'ordre de 8,7 10+12/cm². Nous avons utilisé le Nickel en tant que matériau de contact, la résistance de contact a été mesurée par la méthode de lignes de transmission (TLM) où la valeur de ρc est de 2 x 10-6 Ω.cm². Nous avons caractérisé nos composants du régime statique DC jusqu'à 67 GHz. Nos transistors ont donné une fréquence de coupure maximale ft de 43 GHz et une fréquence d'oscillation maximale fmax de 23 GHz ouvrant la possibilité de réaliser un circuit amplificateur allant jusqu'à 10 GHz. Enfin, nous avons étudié l'homogénéité des GFETs réalisés à travers la surface entière de l'échantillon (¼ de 2 pouces).

Published
2014

Catalog

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