Search

Copyright of Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales is the property of Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Fisicas y Naturales and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)

Copyright of Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales is the property of Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Fisicas y Naturales and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)

En esta revisión, los aislantes topológicos son considerados como materiales para el desarrollo de dispositivos espintrónicos. En primer lugar, se introduce el término de aislante topológico y se explican sus propiedades asociadas. Posteriormente, se estudian los conceptos de las corrientes de espín en los que se fundamenta la espintrónica para luego mostrar algunos desarrollos teóricos y experimentales que se han llevado a cabo con los aislantes topológicos. Finalmente, se da un panorama de los retos y oportunidades que se tienen a futuro.En esta revision, los aislantes topologicos son considerados como materiales para el desarrollode dispositivos espintronicos. En primer lugar, se introduce el termino de aislante topologico y se explicansus propiedades asociadas. Posteriormente, se estudian los conceptos de las corrientes de espn en los quese fundamenta la espintronica para luego mostrar algunos desarrollos teoricos y experimentales que se hanllevado a cabo con los aislantes topologicos. Finalmente, se da un panorama de los retos y oportunidadesque se tienen a futuro.

Copyright of Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales is the property of Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Fisicas y Naturales and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)

Copyright of Latin-American Journal of Physics Education is the property of Latin-American Physics Education Network and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)

In the last years the research in ZnO has seen a period of intensive work which can be attributed to the new available synthesis methods and characterization techniques. New potential applications have thus emerged for ZnO-based ceramics, provided that a stable and reproducible doping would be achieved. However this still represents a major challenge. In this new trend, Mn and Co represent a couple of interesting candidates for the obtaining of new ZnO-doped structures. But although a lot of work has been done in the past with both systems, a detailed analysis of the specialized literature yet reveals a worrisome lack of knowledge about these materials. In the present contribution the diffusion behavior and the solid state reactivity of both Zn-Mn-O and Zn-Co-O systems is analyzed in order to determine the possibility of obtaining a homogeneous doping of ZnO. The obtained results indicate that, whereas a stable Co:ZnO solid solution is easily attainable, the achievement of a homogeneous Mn:ZnO solid solution would be restricted to severe experimental conditions that limit its application for practical purposes.En los últimos años, la investigación entorno al ZnO ha experimentado un periodo de intensa labor que bien puede atribuirse a los nuevos métodos de síntesis y a las nuevas técnicas de caracterización disponibles. En consecuencia han surgido nuevas aplicaciones potenciales para los materiales basados en ZnO, siempre y cuando se alcance un dopado estable y reproducible del cerámico. Sin embargo, esto es algo que todavía supone un serio reto. Dentro de esta nueva tendencia, el Mn y el Co representan un par de candidatos interesantes para la obtención de nuevas estructuras de ZnO dopado. Sin embargo, aunque se ha trabajado con ambos sistemas desde hace bastante tiempo, lo cierto es que un análisis detallado de la literatura especializada de los últimos años todavía revela un serio desconocimiento entorno a dichos materiales. En este trabajo se ha analizado la difusión y la reactividad en estado sólido de ambos sistemas, Zn-Mn-O y Zn-Co-O, con objeto de determinar si es posible obtener un dopado homogéneo del ZnO. Los resultados obtenidos indican que sí que es posible conseguir una disolución sólida estable cuando se emplea cobalto como dopante, la obtención de una disolución sólida con manganeso sólo es posible bajo ciertas condiciones experimentales muy estrictas que limitan su aplicación práctica.

Se estudia la dinámica de un paquete de ondas gaussiano de huecos pesados, en presencia de interacción espín-órbita tipo Rashba, para un sistema semiconductor cuasi-unidimensional. Se utiliza un esquema en diferencias finitas, basado en la aproximación de Cayley, y se extiende a la solución de la ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo para huecos. Se muestra el fenómeno de la precesión del espín de los huecos, a través de una simulación numérica de la evolución temporal de las componentes del paquete. Es posible evaluar parámetros relevantes, e. g. dimensiones y tiempos de inversión de la polarización, en un dispositivo modelado como transistor de efecto campo de espín, que utilice en calidad de portadores a los huecos.

Copyright of Visión Electrónica is the property of Fondo de Universidad Distrital Francisco Jose de Caldas and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)

Copyright of DYNA - Ingeniería e Industria is the property of Publicaciones Dyna SL and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)

La habilidad de manipulación de los estados de los espines electrónicos ha llevado a grandes avances tecnológicos, principalmente en la capacidad de almacenamiento y transferencia de información. Para este fin se han usado materiales nanoestructurados fabricados con diferentes configuraciones que son capaces de hacer una selección de estados de espines (SEE). El principal obstáculo de este tipo de materiales es el tamaño por ser un diseño artificial. Sin embargo, existen materiales, generalmente óxidos, que por naturaleza tienen la propiedad de SEE y podrían reemplazar a los materiales estructurados y diseñados por el hombre. Pero para que su aplicación sea viable se necesita entender claramente el origen de la naturaleza de la SEE de estos materiales. El objetivo de este trabajo fue producir un material que posea la capacidad SEE para, en un futuro, usarlo como herramienta de trabajo en el estudio de este fenómeno. La perovskita SrFEO3-X posee diversos grados de magnetorresistencia como mecanismo en la SEE, fenómeno que es relacionado a su estructura helimagnética en temperaturas por debajo de los 130 K. Al ser este un óxido cerámico, su obtención comúnmente se lleva a cabo bajo presiones y temperaturas superiores a 1000 C, condiciones que debilitan su viabilidad aplicativa. Sin embargo, nosotros proponemos rutas que conllevan a la formación del compuesto en polvo a temperaturas no mayores a 700 C y posteriormente demostramos que usando estas rutas, métodos químicos y spin-coating como método de deposición, se pueden fabricar películas delgadas sobre sustratos de silicio que debido a la disminución de temperaturas se evita una alta difusión de este hacia la película de perovskita. El producto en polvo fue caracterizado estructuralmente usando difracción de rayos-X en configuración Bragg-Brentano, mientras que por medio de espectroscopía Mossbaüer se encontró las propiedades hiperfínas de los núcleos de hierro en este tipo de muestras. Por otro lado, la estructura cristalina de las películas delgadas también fue caracterizadas por medio de difracción de rayos-X, pero esta vez con una configuración de haz rasante. Usando las oscilaciones de Kiessig obtenidas mediante reflectometría de rayos-X se determinó el espesor de cada una de las películas y a su vez permitiendo evidenciar un patrón de crecimiento en cada deposición. [ABSTRACT FROM AUTHOR]