6 results on '"Halfaya, Yacine"'
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2. Towards P-Type Conduction in Hexagonal Boron Nitride: Doping Study and Electrical Measurements Analysis of hBN/AlGaN Heterojunctions
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Mballo, Adama, primary, Srivastava, Ashutosh, additional, Sundaram, Suresh, additional, Vuong, Phuong, additional, Karrakchou, Soufiane, additional, Halfaya, Yacine, additional, Gautier, Simon, additional, Voss, Paul L., additional, Ahaitouf, Ali, additional, Salvestrini, Jean Paul, additional, and Ougazzaden, Abdallah, additional
- Published
- 2021
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3. Natural Boron and 10B‑Enriched Hexagonal Boron Nitride for High-Sensitivity Self-Biased Metal–Semiconductor–Metal Neutron Detectors.
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Mballo, Adama, Ahaitouf, Ali, Sundaram, Suresh, Srivastava, Ashutosh, Ottapilakkal, Vishnu, Gujrati, Rajat, Vuong, Phuong, Karrakchou, Soufiane, Kumar, Mritunjay, Li, Xiaohang, Halfaya, Yacine, Gautier, Simon, Voss, Paul L., Salvestrini, Jean Paul, and Ougazzaden, Abdallah
- Published
- 2022
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4. Investigation of the performance of HEMT based NO, NO2 and NH3 exhaust
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Halfaya, Yacine, Bishop, Chris, Soltani, A., Suresh, Sundaram, Aubry, Vincent, Voss, Paul L., Salvestrini, Jean-Paul, Ougazzaden, Abdallah, Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Georgia Tech Lorraine [Metz], Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-Georgia Institute of Technology [Atlanta]-CentraleSupélec-Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS), CentraleSupélec-Université de Lorraine (UL), IMPACT N4S, and ANR-15-IDEX-0004,LUE,Isite LUE(2015)
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[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] ,ComputingMilieux_MISCELLANEOUS - Abstract
International audience
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- 2016
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5. Optimization, fabrication and characterization of a gas sensor based HEMTs AlGaN/GaN heterostructure for automotive applications
- Author
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Halfaya, Yacine, UL, Thèses, Georgia Tech Lorraine [Metz], Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-Georgia Institute of Technology [Atlanta]-CentraleSupélec-Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Lorraine, and Abdallah Ougazzaden
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III-Nitrure ,[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] ,Capteurs de gaz pour NOx et NH3 ,Hemt transistor ,Gallium nitride semiconductor ,Sélectivité ,Gas sensors ,Polluants d'échappement ,[PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] ,Epitaxy - Abstract
The work of the thesis focuses on the development of a new type of gas sensors based III-Nitride semiconductor materials (gallium nitrides). These materials have many advantages that could be used to develop sensitive and selective NOx sensors for the control of pollution emitted by diesel exhaust line. To limit the polluting gases emitted by internal combustion engines in general and diesel in particular (NO, NO2, NH3, CO, ...), different European standards have been established. To meet these standards, anti-pollution systems (consisting of particle filters, catalysts, NOx sensors, ... etc) are used. NOx sensors currently used in automobiles are based on a solid electrolyte. Their operation is based on the measurement of the oxygen concentration. This enables an estimate of the total concentration of NOx gas (indirect measurement) after filtering NOx from O2 and decomposing NOx into O2. These sensors do not detect NH3 at the outlet of the exhaust line, and do not give accurate information on the relationship between NO and NO2 (lack of selectivity) which is important factor for an optimal functioning of selective catalyst (SCR performance improvement). Hence there exists a need for a more efficient and selective in particular gas sensor to improve the control systems, post-treatment and diagnosis. Our approach is to use a HEMT (High Electron Mobility Transistor) transistor based on gallium nitride with a combination of a functional layer instead of the gate. The interaction of the gas molecules with the functional layer gives a signature (output signal variation) specific for each type of gas that helps to improve the selectivity. The project contains two parts: the optimization of the chosen structure and the optimization of the functional layer in order to achieve selective detection between various gaseous pollutants. This technology is interesting for development of gas sensors through the possibility of detection low voltage variations and the possibility of operating in harsh environments. The thesis is part of OpenLab "Materials and Processes" in a collaboration between Georgia Tech-CNRS laboratory and the PSA Peugeot-Citroen Group, Le travail de la thèse s’articule sur le développement d’un nouveau type de capteurs de gaz à base des matériaux semi-conducteurs III-Nitrure (Les nitrures de gallium). Ces matériaux présentent de nombreux avantages qui pourraient être utilisées pour concevoir des capteurs NOx sensibles et sélectifs pour le contrôle des pollutions émises par la ligne d’échappement Diesel. Afin de limiter et déduire les gaz polluants émis par les moteurs à explosion en générale et les moteurs Diesel en particuliers (NO, NO2, NH3, CO, …), différentes normes européennes ont été établies. Pour respecter ces normes, plusieurs modifications sur les moteurs et les lignes d’échappement des véhicules ont été effectuées (filtres à particules, catalyseurs, capteurs NOx, …). Les capteurs NOx utilisés actuellement sont à base d’électrolyte solide. Ils sont basés dans leur fonctionnement sur la mesure de la concentration d’oxygène présente dans le gaz d’échappement qui permet de son tour l’estimation de la concentration totale des gaz NOx (mesure indirecte). Ces capteurs ne détectent pas le NH3 à la sortie de la ligne d’échappement, et ne donnent pas une information précise sur le rapport entre NO et NO2 (manque de sélectivité) qui est un facteur important pour le bon fonctionnement de catalyseur sélectif SCR (amélioration de rendement) ; d’où la nécessité d’un capteur de gaz plus performant et en particulier sélectif afin d’améliorer les systèmes de contrôle, de post-traitement et de diagnostic. Notre approche consiste à utiliser un transistor HEMT (High Electron Mobility Transistor) à gaz bidimensionnel d’électrons à base de nitrure de Gallium avec l’association d’une couche fonctionnelle à la place de la grille. L’interaction des molécules de gaz avec cette couche fonctionnelle donne une signature (variation de signal de sortie) spécifique pour chaque type de gaz qui aide à l’amélioration de la sélectivité. Le projet contient deux parties : l’optimisation de la structure choisie et l’optimisation de la couche fonctionnelle afin d’obtenir une détection sélective entre les différents gaz polluants. Cette technologie est intéressante pour développer des capteurs de gaz grâce aux possibilités de détecter des faibles variations de tensions et aux possibilités de fonctionnement dans des environnements sévères. La thèse de doctorat s’inscrit dans le cadre de l’OpenLab materials and processes en collaboration entre le laboratoire Georgia-Tech lorraine et l’entreprise Peugeot-Citroën PSA
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- 2016
6. Investigation of the Performance of HEMT-Based NO, NO2 and NH3 Exhaust Gas Sensors for Automotive Antipollution Systems.
- Author
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Halfaya, Yacine, Bishop, Chris, Soltani, Ali, Sundaram, Suresh, Aubry, Vincent, Voss, Paul L., Salvestrini, Jean-Paul, and Ougazzaden, Abdallah
- Subjects
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HIGH electron mobility transistor circuits , *NITROGEN oxides , *WASTE gases , *GAS detectors , *ELECTRIC properties of aluminum gallium nitride - Abstract
We report improved sensitivity to NO, NO2 and NH3 gas with specially-designed AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMT) that are suitable for operation in the harsh environment of diesel exhaust systems. The gate of the HEMT device is functionalized using a Pt catalyst for gas detection. We found that the performance of the sensors is enhanced at a temperature of 600 °C, and the measured sensitivity to 900 ppm-NO, 900 ppm-NO2 and 15 ppm-NH3 is 24%, 38.5% and 33%, respectively, at 600 °C. We also report dynamic response times as fast as 1 s for these three gases. Together, these results indicate that HEMT sensors could be used in a harsh environment with the ability to control an anti-pollution system in real time. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
- Published
- 2016
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