Développement d’un procédé de passivation pour memristors compatible CMOS

Les memristors, ou mémoires résistives analogiques, constituent une catégorie de composants passifs permettant notamment de grandes avancées dans le domaine de l’intelligence artificielle et des réseaux de neurones. Ils répondent notamment aux besoins croissants de mémoire et de puissance de calcul, limités actuellement par les architectures numériques traditionnelles. Néanmoins, pour voir leur adoption dans des puces par l’industrie, il est nécessaire de montrer que l’intégration de memristors est réalisable à grande échelle en termes de procédés, de performances et de fiabilité. Ce projet de recherche de maîtrise s’attelle ici à développer l’une des briques de procédés nécessaires pour rendre cette intégration complète, à savoir la passivation de ces memristors en cours de fabrication, dans le but de les rendre plus stables et de les isoler du monde extérieur. Le procédé développé ici va se concentrer sur des matériaux et des procédés que l’on trouve habituellement dans l’industrie de la microélectronique, rendant le procédé complet compatible Back-End-Of-Line.