Back to Search Start Over

Pengaruh konsentrasi doping cu pada morfologi dan sifat optik fotodetektor berbasis zn1-xcuxo/ito / Nurmala Ismawardani</p>

Authors :
Ismawardani, Nurmala
1. Dr. Robi Kurniawan, M.si ; 2. Dra. Hartatiek, M.si
Ismawardani, Nurmala
1. Dr. Robi Kurniawan, M.si ; 2. Dra. Hartatiek, M.si
Publication Year :
2022

Abstract

Pada fotodetektor telah banyak digunakan dalam berbagai aplikasi komersial militer dan pada bidang medis khususnya dalam pemanfaatan sinar UV. Namun pada sinar UV cukup berbahaya jika radiasinya mengenai manusia yang dapat menyebabkan penyakit kulit kanker kulit dan kerusakan pada organ dalam. Cara mengatasi hal tersebut telah dilakukan sintesis fotodetektor berbasis ZnO pada Zn1-xCuxO didoping Cu dengan menggunakan metode hidrotermal. Hal ini telah dipelajari secara luas karena proses produksi yang ramah terhadap lingkungan harga terjangkau dan mempunyai karakteristik yang unik. Tujuan penelitian ini untuk mengetahui bentuk morfologi dan sifat optik pada senyawa nano ZnO yang sudah di sintesis dengan Cu-doped. Bahan dasar yang digunakan sebagai pelarut antara lain zinc nitrate tetrahydrate [Zn(NO3)2.4H2O] dan Tembaga Nitrat Trihidrat [Cu(NO3)2.3H2O]. Penambahan variasi doping tembaga (Cu yang digunakan antara lain 5 dan 10% wt Cu serta menggunakan ZnO tanpa doping sebagai material pembanding. Hasil karakterisasi pada penelitian ini menggunakan pengujian XRD untuk mengetahui struktur kristal pada sampel menggunakan metode Rietveld SEM menggunakan analisis surface maping untuk mengetahui morfologi FTIR untuk mengetahui ikatan kimia pada sampel UV-Vis Spectrophotometer menentukan panjang absorbansi dan nilai band gap menggunakan analisis Tauc Plot dan dilakukan uji efisiensi konduktivitas listrik pada dielektrik (i-V). Analisis hasil pengujian berhasil membentuk struktur morfologi nanosheet dengan ukuran partikel rentang 25 nm ndash 42 nm dengan hasil pengujian UV-vis menunjukan bahwa terjadinya kenaikan energi gap sebesar 2 41 eV menjadi 3 45 eVpada panjang gelombang absorbansi sebesar 200-800nm. Hal ini disebabkan karena adanya Burstein-Moss effect yang mengakibatkan bergabungnya fermi level kedalam pita konduksi serta didapatkan nilai efisiensi konduktivitas listrik pada dopan 10%wt Cu sebesar 0 0131% mengalami penurunan dengan adanya penyempitan luas permukaan

Details

Database :
OAIster
Notes :
id
Publication Type :
Electronic Resource
Accession number :
edsoai.on1373205127
Document Type :
Electronic Resource