Dispositif d'amelioration de la mobilite des porteurs dans un canal de mosfet sur carbure de silicium

La présente invention concerne un dispositif MOSFET agencé sur un substrat 10 comprenant une première 11 et une seconde 14 bande fortement dopées recouvertes d'une première 13 et d'une seconde 15 prise de contact, ces deux bandes étant séparées par un canal 18 figurant lui aussi sur le substrat 10, le canal étant recouvert d'une couche diélectrique 20 elle-même surmontée d'une troisième prise de contact 21. Le dispositif est remarquable en ce que le canal 18 intègre un film mince 19 légèrement dopé à l'interface avec la couche diélectrique 20, les atomes dopant étant répartis de chaque côté de l'interface.