Optoelectronic Properties of GaN Nanostructures and Novel II-III Oxynitrides Grown by Molecular Beam Epitaxy

The photoluminescence of GaN nanowires shows temporal instability. Based on this, the influence of air components and temperature on the nanowire surface is investigated. Under intense UV light, the material decomposes in water, with the a- plane being more stable than the m- plane. This is used to fabricate stable nanogrids. In/Ga-Zn-O-N films are prepared via MBE growth and the position of the band edges, the size of the optical band gap, the electrical and electrochemical properties of the materials are investigated.
Die Photolumineszenz von GaN-Nanodrähten zeigt zeitliche Instabilität. Davon ausgehend wird der Einfluss von Luftbestandteilen und der Temperatur auf die Nanodraht Oberfläche untersucht. Unter intensivem UV-Licht zersetzt sich das Material in Wasser, wobei die a- beständiger als die m-Facette ist. Dies wird benutzt, um stabile Nanogitter herzustellen. Es werden In/Ga-Zn-O-N Schichten via MBE-Wachstum hergestellt und die Position der Bandkanten, die Größe der optischen Bandlücke, die elektrischen und elektrochemischen Eigenschaften der Materialien werden untersucht.