Utilization of As50Se50 thin films in electron beam lithography

Chalcogenide glass of As50Se50 composition have been intensively studied for its interesting physical and chemical properties. Presented manuscript explores the applicability of As50Se50 thermally evaporated thin films in electron beam lithography exploiting wet etching in amine based solution. As50Se50 films proved to be highly sensitive negative resist. Decrease of the etching selectivity with increasing accelerating voltage and its increase with increasing exposure dose were observed. Height irregularities of prepared structures connected with the electron beam scattering and preferential etching of upper edges were observed and thoroughly studied. Comparison of photoinduced chemical resistance changes showed same trends as in case of electron beam induced changes - chemical resistance significantly increased with increasing exposure dosages.
Chalkogenidová skla As50Se50 byla intenzivně studována pro jejich zajímavé fyzikální a chemické vlastnosti. Tato práce je zaměřena na možnost aplikace vakuově napařených vrstev As50Se50 pro elektronovou litografii s využitím mokrého leptání v zásaditých roztocích aminů. Tenké vrstvy As50Se50 prokázaly vysokou sensitivitu jako negativní rezist. Byl taktéž pozorován pokles leptací selektivity s nárůstem urychlovacího napětí a naopak nárůst selektivity s rostoucí expoziční dávkou. Byly pozorovány a podrobně studovány výškové nerovnoměrnosti připravených struktur, které byly spojené s rozptylem elektronového paprsku a preferenčním leptáním horních hran zapsaných objektů. Porovnání fotoindukovaných změn chemické odolnosti prokázalo stejné trendy jako v případě elektrony indukovaných změn - chemická odolnost výrazně vzrostla s rostoucí expoziční dávkou.