Fusión de los niveles L1 y L2 de la jerarquía de memoria cache utilizando DWM

[ES] El presente trabajo aborda la necesidad cada vez mayor por parte de la industria de los semiconductores de contar con memorias cache más densas y con un menor consumo energético que las actuales. Debido a que la tecnología actual más utilizada, SRAM, no puede ofrecer estas mejoras, este trabajo propone el uso de las memorias magnéticas DWM (Domain Wall Memory) como tecnología emergente sustitutiva. El presente trabajo aborda principalmente uno de los mayores inconvenientes de DWM como es la latencia variable por acceso a los datos almacenados en una cinta magnética. Este hecho es especialmente crítico en las caches de primer nivel (L1) al encontrarse en el pipeline del procesador y conllevar un impacto directo en el rendimiento del sistema. Para superar este problema, se propone un diseño de cache de datos L1 ascendente. En primer lugar, se diseña una celda de memoria DWM capaz de almacenar múltiples bits y de reducir el impacto de la latencia variable de acceso mediante el uso de múltiples puertos de acceso sobre la cinta, entre otras características. A continuación, se diseña un módulo de cache que integra múltiples celdas DWM, de manera que los conjuntos se organizan de manera entrelazada entre los puertos, favoreciendo la localidad espacial que exhiben las aplicaciones en L1 y por tanto reduciendo la problemática de la latencia variable de acceso. Finalmente, el uso de módulos DWM permite implementar el vector de datos completo de una memoria cache de datos asociativa por conjuntos de $n$ vías. La alta densidad de DWM permite fusionar los niveles L1 y L2 en un sólo nivel DWM con el objetivo de aumentar el rendimiento frente a un diseño de jerarquía de cache convencional SRAM. La propuesta de cache DWM se implementa y evalúa en el simulador ciclo-a-ciclo Multi2Sim, ampliamente utilizado tanto en la industria como en la academia. Los resultados experimentales muestran que la cache DWM reduce significativamente la penalización media por acceso a memoria, los f
[CA] El present treball aborda la necessitat cada volta més apressant per part de la indús- tria dels semiconductors de trobar memòries cau més denses i amb un menor consum energètic que les actuals. Com que la tecnologia actual més utilitzada, SRAM, no pot oferir aquestes millores, aquest treball propose l’ús de les memòries magnètiques DWM (Domain Wall Memory com a tecnologia de substitució.) Aquest treball tracta principalment un dels majors inconvenients de les DWM, com és la latència variable per accés a les dades emmagatzemades en una cinta magnètica. Aquest fet es especialment crític en les memòries cau de primer nivell (L1) al trovar-se en el pipeline del processador i implicar un impacte directe en el rendiment del sistema. Per a superar aquest problema, es propose un disseny de memòria L1 de dades ascendent. En primer lloc, es dissenya una cel·la de memòria DWM capaç d’emmagatzemar múlti- ples bits i de reduir l’impacte de la latència variable d’accés per mitjà de l’ús de múltiples ports d’accés sobre la cinta, entre altres característiques. A continuació, es dissenya un mòdul de memòria cau que integre múltiples cel·les DWM, de manera que els conjunts s’organitzen de manera entrellaçada entre els ports, afavorint la localitat espacial que ex- hibeixen les aplicacions en L1 i per tant reduint la problemàtica de la latència variable d’accés. Finalment, l’ús de mòduls DWM permet implementar el vector de dades com- pletes d’una memòria cau de dades associatives per conjunts de n vies. L’alta densitat de DWM permet fusionar els nivells L1 i L2 en un només nivell DWM amb l’objectiu d’augmentar el rendiment enfront d’un disseny de jerarquia de memòria cau convencio- nal SRAM. La proposta de memòria cau amb DWM s’implementa i avalue en el simulador cicle- a-cicle Multi2Sim, àmpliament utilitzat tant en la indústria com en l’acadèmia. Els re- sultats experimentals mostren que la memòria cau DWM redueix significativament la penalització mitjana per accés a memòria
[EN] The present work addresses the growing need of the semiconductor industry for denser cache memories with lower power consumption than the current ones. Since the most widely used current technology, SRAM, cannot offer these improvements, this work proposes the use of DWM (Domain Wall Memory) magnetic memories as a substitute emerging technology. This work mainly addresses one of the major drawbacks of DWM, which is the variable latency for accessing data stored on a magnetic tape. This fact is especially critical in first-level (L1) caches as they are located in the processor pipeline and have a direct impact on the system performance. To overcome this problem, a bottom-up L1 data cache design is proposed. First, it is designed a DWM memory cell capable of storing multiple bits and reducing the impact of the variable access latency by using multiple access ports on the tape, among other features. Next, it is designed a cache module that integrates multiple DWM cells, such that the sets are organized in an interleaved structure between ports, favoring the spatial locality exhibited by applications on L1 and thus reducing the variable access latency issue. Finally, the use of DWM modules allows implementing the complete data array of an associative data cache with n-way sets. The high density of DWM allows merging the L1 and L2 levels into a single DWM level with the goal of increasing performance over a conventional SRAM cache hierarchy design. The proposed DWM cache is implemented and evaluated on the Multi2Sim cycle-accurate simulator, which is widely used in both industry and academia. Experimental results show that the DWM cache significantly reduces the average memory access penalty, misses per kilo-instruction, and stall cycles in the reorder buffer compared to a conventional cache design. This leads to a 10% improvement in the average system performance not only over a conventional SRAM-based design but also over the state-of-the-art DWM design, referred