Procedimiento de fabricación de un transistor de efecto de campo de unión JFET

La invención se refiere a un método para producir un transistor de efecto de campo que tiene una puerta de zanja que comprende:. - la formación (110) de al menos una zanja (11, 12, 13) en un sustrato semiconductor (1) que tiene un primer tipo de conductividad, comprendiendo dicho sustrato dos caras opuestas llamadas cara frontal y cara posterior,. - la implantación primaria (120) de iones que tienen un segundo tipo de conductividad para implantar cada zanja del sustrato para formar un área de compuerta activa,. - el depósito (160) de una capa de silicio policristalino que tiene el segundo tipo de conductividad en el área de la compuerta activa implantada,. - la oxidación (160) de la capa de silicio policristalino, y. - la metalización (180) del sustrato en las caras delantera y trasera del mismo para formar una fuente activa y áreas de drenaje.