Elektrická charakterizace unipolárního tranzistoru s kanálem tvořeným z grafenu

Bakalářská práce se zabývá základními vlastnostmi grafenu, způsoby jeho syntézy, dopování, přenosu, charakterizace a také popisem a výrobou unipolárního tranzistoru s kanálem z grafenu. Praktická část se zaměřuje na jeho elektrickou charakterizaci. Konkrétně je práce blíže zaměřena na měření odporu kanálu, jeho závislosti na hradlovém napětí, hledání Diracova bodu a určení závislosti vodivosti kanálu na délce žíhání. Ve druhé části je zkoumán posun Diracova bodu a změna elektrických vlastností grafenu při ohýbání MEMS struktury s unipolárním tranzistorem s kanálem z grafenu.
This work deals with basic properties of graphene, methods of its synthesis, doping, transfer, characterization and description of basic properties and fabrication of field-effect transistor with graphene channel. The practical part focuses on electrical characterization of a field-effect transistor with graphene channel. Concretely on measuring the channel resistance, its dependence on gate voltage, finding the Dirac point and determining the dependence of the channel conductivity on the annealing lenght. Lastly, the shift of the Dirac point and the change of the electrical properties of graphene during bending of a MEMS structure with a unipolar transistor with a graphene channel are investigated.