The types of the short range order of the atom network in the Ge-Sb-Se amorphous films

The structure of chalcogenide semiconductors amorphous films on all system Ge-Sb-Se was investigated by electron diffraction method. The basic types of the short range order of the disorder network, realized in the amorphous films the given system are certain. Models of structure of amorphous condensates of system Ge-Sb-Se in various concentration areas are offered.
Приведены экспериментальные результаты электронографических исследований структуры атомной сетки аморфных пленок системы Ge-Sb-Se с химическими составами, размещенными по всему треугольнику Гиббса. Установлены основные типы ближнего и промежуточного порядка, которые реализуются в таких конденсатах. Предложены модели атомной структуры аморфных пленок с разными типами ближнего порядка.
Приведені експериментальні результати електронографічних досліджень структури атомної сітки аморфних плівок системи Ge-Sb-Se з хімічними складами, розміщеними по всьому трикутнику Гібса. Встановлені основні типи ближнього та проміжного порядку, які реалізуються в таких конденсатах та запропоновані моделі їх атомної структури.