微小重力下での気相法による化合物半導体の結晶成長

微小重力下で化合物半導体薄膜を結晶成長することにより、地上で結晶成長を行う時と比較して、熱対流、偏析、静圧が無いなどの特徴があり、地上では転位密度が低い結晶が得られにくい半導体においても、微小重力下では良好な結晶が得られる可能性がある。また、気相法によるエピタキシャル成長の結晶成長機構を解明する手段としても有用である。本研究ではシリコン基板上に格子定数の異なる化合物半導体を微小重力下で結晶成長し、微小重力の影響を実験的に明らかにし、結晶成長機構、結晶欠陥発生機構の解明を行い、高品質の結晶を得ることを目的とする。実際の実験では、微小重力下でInP/GaPやInN/GaN多層膜を結晶成長するための予備調査、地上での予備実験を行う。
NASDA Special Publication
宇宙開発事業団特別報告