Back to Search
Start Over
Quality assessment of photovoltaic cells with p-n junction
- Source :
- Electronics and Communications; Том 19, № 5 (2014); 22-25; Электроника и Связь; Електроніка та Зв'язок; 2312-1807; 1811-4512
- Publication Year :
- 2015
-
Abstract
- In this work research results for photovoltaic cells with different efficiencies and fill factors are given. Perfection factors’ expressions are theoretically derived using modified Bessel functions. Bessel functions have arguments that proportional to temperature, p-n junction’s m factor and amplitudes of used harmonic voltages with different frequencies. It is determined that the integral perfection index is the most differential frequency voltage’s value measured when load is less than effective resistance of photovoltaic structure with p-n junction. References 7, figures 1, tables 2.<br />В работе представлены результаты исследований кремниевых фотоэлектрических преобразователей с различными значениями коэффициентов полезного действия и факторов заполнения. Приводятся теоретически полученные выражения параметров качества, основанные на применении модифицированных функций Бесселя, аргументы в которых пропорциональны температуре, m-фактору p-n перехода и амплитудным значениям, применяемых разночастотных гармонических напряжений. Приводится интегральный показатель качества, являющийся наибольшим значением напряжения разностной частоты при нагрузках равных эффективному сопротивлению фотоэлектрической структуры с p-n переходом.Библ. 7, рис. 1, табл. 2<br />В роботі наводяться результати досліджень кремнієвих фотоелектричних перетворювачів з різними значеннями коефіцієнтів корисної дії та факторів заповнення. Також наводяться теоретичні вирази для параметрів якості, які отримуються з використанням модифікованих функцій Бесселя, аргументи в яких пропорційні температурі, m-фактору p-n перехода та амплітудним значенням, різночастотних гармонічних напруг. Пропонується інтегральний показник якості, який є найбільшим значенням напруги різницевої частоти коли навантаження равні ефективному опору фотоелектричної структури з p-n переходом. Бібл. 7, рис. 1, табл. 2
Details
- Database :
- OAIster
- Journal :
- Electronics and Communications; Том 19, № 5 (2014); 22-25; Электроника и Связь; Електроніка та Зв'язок; 2312-1807; 1811-4512
- Notes :
- application/pdf, Electronics and Communications, Russian
- Publication Type :
- Electronic Resource
- Accession number :
- edsoai.ocn910026299
- Document Type :
- Electronic Resource