Электротранспорт в тонких модифицированных пленках селенида и сульфида мышьяка

В исследованных халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) обнаружен эффект влияния модификации на характер температурной зависимости электропроводности. Величина последней увеличивается с уменьшением ширины запрещенной зоны и, соответственно, с увеличением энергии активации. Указанная энергия коррелирует с изменением высоты потенциального барьера на контакте между металлом и халькогенидным стеклообразным полупроводником для различных составов материалов As2Se3 и As2S3. Отмечена существенная роль одиночной пары электронов, принадлежащей атомам модифицирующей примеси. Пара электронов отвечает за реализацию неупорядоченной и дефектной структуры, а также за формирование энергетической системы локальных состояний, оказывающих влияние на процесс переноса носителей заряда.