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Cálculo de Esforço nos Semicondutores do Inversor Fonte Z

Authors :
Vitor T. Odaguiri
Rubens T. Hock Jr
Alessandro L. Batschauer
Source :
Eletrônica de Potência, Vol 21, Iss 3 (2016)
Publication Year :
2016
Publisher :
Associação Brasileira de Eletrônica de Potência, 2016.

Abstract

Este trabalho apresenta o cálculo dos esforços de corrente nos semicondutores do inversor fonte Z trifásico operando com a modulação Boost Simples. O inversor fonte Z possui uma malha de impedância conhecida como malha Z, que possibilita realizar as funções CC-CC elevador e CC-CA em um único estágio. Por possuir essa característica, este conversor se torna uma opção interessante em aplicações com células fotovoltaicas. Serão apresentadas as etapas de operação e as equações que regem o funcionamento do inversor operando com a modulação Boost Simples para que se possa entender o desenvolvimento do equacionamento dos valores médio e eficaz nos semicondutores. A etapa Boost é definida por uma nova etapa conhecida como shoot-through, em que os semicondutores do mesmo braço conduzem simultaneamente. Esta característica altera profundamente o comportamento das correntes, exigindo um cálculo complexo dos esforços. Para validar os cálculos, os resultados teóricos são comparados com os resultados obtidos na simulação, assim como os dados experimentais.

Details

Language :
English, Portuguese
ISSN :
14148862 and 1984557X
Volume :
21
Issue :
3
Database :
Directory of Open Access Journals
Journal :
Eletrônica de Potência
Publication Type :
Academic Journal
Accession number :
edsdoj.3b6688173e1247cd87fc6d141ee1cf5a
Document Type :
article
Full Text :
https://doi.org/10.18618/REP.2016.3.2613