Gaz Akış Hızının Fiziksel Buhar İletimi Yöntemiyle Büyütülen Antrasen Tek Kristallerin Özellikleri Üzerine Etkisi

Elektronik cihazlar uygulamalarında kullanılan organik yarıiletkenlerin moleküler yapıları ve düzenlilikleri cihaz performansı üzerinde oldukça önemli özelliklerdir. Bu çalışmada, elektronik cihazlarda sıklıkla tercih edilen antrasenin fiziksel buhar iletimi (PVT) yöntemiyle büyük boyutlu ve yüksek moleküler düzene sahip tek kristalleri büyütülmüştür. Açık sistem PVT yönteminde kullanılan argon gazının akış hızının büyütülen tek kristallerin yapısal, optik ve elektriksel özellikleri üzerine etkisi incelenmiştir. Büyütülen tek kristaller optik mikroskop, AFM, XRD ve UV-Vis absorpsiyon spektroskopisi ile karakterize edilmiştir. Yapısal ve optik analizler sonucunda gaz akış hızının kristal özellikleri üzerinde büyük etkiye sahip olduğu gözlenmiştir. 3,0 L sa-1 argon akış hızında büyütülen antrasen tek kristallerinin en ince (670 nm) ve en yüksek elektriksel iletkenlik değerine (1,80x10-4 S cm-1) sahip olduğu belirlenmiştir. Yapılan çalışma, yüksek performanslı elektronik cihazlarda kullanılacak organik yarıiletken tek kristallerinin özelliklerinin gaz akış hızı ile değiştirilebileceği gösterilmiştir.