Amorf Yarıiletken InTe İnce Filminin Üretilmesi ve Karakterizasyonu

Bu çalışmada, InTe amorf yarıiletken malzemenin, X ışını difraksiyonu, elektriksel iletkenliği, optik ve dielektrik özellikleriaraştırıldı. X-ışını difraksiyon sonuçları InTe numunesinin amorf yapıya sahip olduğunu gösterir. Numunenin elektrikseliletkenliğinin sıcaklığa bağlılığı araştırıldı ve bulunan sonuçlar numunenin bir amorf yarıiletken olduğunu doğrular. InTenumunesi fotoiletkenlik özellik gösterir. Numunenin optik band aralığı ve optik sabitleri geçirgenlik ve yansıma spektrumlarıkullanılarak hesaplandı. Numunede doğrudan optik geçişler meydana geldi. Numunenin kırılma indisi dispersiyon eğrisi tekosilatör modeline uydu. Numunenin dielektrik özellikleri frekansın ve sıcaklığın bir fonsiyonu olarak araştırıldı. Dielektrikparametrelerin sıcaklık ve frekansla değiştiği bulundu. Elektrik modulus eğrileri dielektrik relaksasyon olayını analiz etmek içinkullanıldı.
In this study, X-ray diffraction, electrical conductivity, optical and dielectrical properties of the InTe amorphous semiconductormaterial have been investigated. X-ray diffraction results show that InTe sample has an amorphous structure. Temperaturedependence of electrical conductivity of the sample has been investigated and the obtained results confirm that InTe is anamorphous semiconductor. The InTe sample shows photoconductivity behavior. The optical band gap and optical constants ofthe sample were calculated using transmittance and reflectance spectra. In the sample, the direct optical transitions take placeThe refractive index dispersion curve of the sample obeys the single oscillator model. The dielectrical properties of the samplehave been investigated as a function of frequency and temperature. It was found that the dielectrical parameters were changedwith temperature and frequency. The electrical modulus curves were used to analyze the dielectrical relaxation processes.