Implementation plasma chemical etching in submicron technology wsi structure

При освоєнні діапазону суб– і наномікронних елементів інтегральних схем виникає ряд проблем, яких або взагалі не було при розробці технології виготовлення з мінімальними розмірами елементів більше , або вони не представлялись значними. Дана стаття розкриває саме перспективу та альтернативу використання субмікронної технології плазмохімічного травлення та впровадження її у виробництво
При освоении диапазона суб– и наномикронных элементов интегральных схем возникает ряд проблем, которых либо вообще не было при разработке технологии изготовления с минимальными размерами элементов больше , или они не представлялись значительными. Данная статья раскрывает именно перспективу и альтернативу использования субмикронной технологии плазмохимического травления и внедрения ее в производство.
With the development of a range of sub–micron devices elements inthralnyh large schemes, a number of problems, which either did not exist in the development of technology of integrated circuits with minimum dimensions of elements, or they did not identify significant. Thus reducing the geometric dimensions topology structures LSI, accompanied by a decrease in the thickness of the functional layers of multilayer structures used to represent a theoretical requirements for selectivity and anisotropy etching layers introduced defects and radiation damage to the surface of the processed wafers of silicon or gallium arsenide structures of integrated circuits. To determine the optimal technological regimes digestion ranged basic operating parameters of the process – the composition and working gas pressure, bias voltage and holder, holder distance to the source plasma. This article reveals the same perspective and alternative use of submicron technology of plasma chemical etching.