Back to Search Start Over

RELATIVISTIC THEORY OF SPECTRA OF PIONIC ATOMS: RADIATION TRANSITION PROBABILITIES

Authors :
Serga, I. N.
Source :
Photoelectronics; № 24 (2015); 44-49
Publication Year :
2015
Publisher :
Odessa I. I. Mechnikov National University, 2015.

Abstract

A new theoretical approach to the description of spectral parameters pionic atoms in the excited states with precise accounting relativistic, radiation and nuclear effects is applied to the study of radiation parameters of transitions between hyperfine structure components. As an example of the present approach presents new data on the probabilities of radiation transitions between components of the hyperfine structure transitions 5g-4f, 5f-4d in the spectrum of pionic nitrogen are presented and it is performed comparison with the corresponding theoretical data by Trassinelli-Indelicato.<br />Новый теоретический подход к описанию спектральных параметров пионных атомов в возбужденном состоянии с учетом релятивистских, радиационных эффектов применен к изучению параметров радиационных переходов между компонентами сверхтонкой структуры. В качестве примера применения представленного подхода, представлены новые данные о вероятности радиационных переходов между компонентами сверхтонкой структуры переходов 5g-4f, 5f-4d в спектре пионного азота и проведено сравнение с соответствующими теоретическими данными Trassinelli-Indelicato.<br />Новий теоретичний підхід до опису спектральних параметрів піонних атомів у збудженому стані з урахуванням релятивістських, радіаційних ефектів на основі рівняння Клейна-ГордонаФока застосовано до вивчення параметрів радіаційних переходів між компонентами надтонкої структури. Як приклад застосування представленого підходу, представлені нові дані про ймовірностей радіаційних переходів між компонентами надтонкої структури переходів 5g-4f, 5f-4d в спектрі піоного азоту і проведено порівняння з відповідними теоретичними даними Trassinelli-Indelicato.

Details

Language :
English
ISSN :
02352435
Database :
OpenAIRE
Journal :
Photoelectronics
Accession number :
edsair.scientific.p..6ba4ebc826278c7dcea2d0d1664c77de