Упругие модули, рамановские спектры и теплопроводность в халькогенидных стеклах системы Ge-As-S

Different way of changing composition along As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 lines the mean coordination does not determine the same elastic properties and the same short range order structure. At deviation in composition in ternary glasses from composition of pseudo-binary As2S3-GeS2 line and increase Ge/S ratio from 0.50 (GeS2) to 0.66 (Ge2S3) in terminal terms of As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 lines, respectively, the realgar, pararealgar (As4S4) and dimorphite (As4S3) phase separation in the structural matrix of ternary As2S3-Ge2S3 glasses in intermediate composition region is increases with increasing Ge/S ratio. The decrease in thermal conductivity is observed for both lines in the region of intermediate composition with nanophase inclusions.
При разном образе изменения состава вдоль разрезов As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 средняя координация не определяет одни и те же упругие свойства и такую же структуру ближнего порядка. При отклонении состава тройных стекол от состава стекол псевдо-бинарного разреза As2S3-GeS2 и увеличении отношения Ge/S от 0.50 (GeS2) до 0.66 (Ge2S3) в крайних членах разрезов As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3, соответственно, в матрице структуры тройных стекол As2S3-Ge2S3, с ростом отношения Ge/S в области промежуточных составов нарастают выделения нанофаз реальгара, парареальгара (As4S4) и диморфита (As4S3). Для обоих разрезов в области промежуточных составов с нанофазными выделениями наблюдается уменьшение теплопроводности.
При різному способі зміни складу вздовж розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3 середня координація не визначає одні і ті ж самі пружні властивості і таку ж структуру ближнього порядку. При відхиленні складу потрійних стекол від складу стекол псевдобінарного розрізу As2S3-GeS2 і збільшенні відношення Ge/S від 0.50 (GeS2) до 0.66 (Ge2S3) в крайніх членах розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3, відповідно, в матриці структури потрійних стекол As2S3-Ge2S3, з ростом відношення Ge/S в області проміжних складів наростає виділення нанофаз реальгару, парареальгару (As4S4) та диморфіту (As4S3). Для обох розрізів в області проміжних складів з нанофазними виділеннями спостерігається зменшення теплопровідності.