INFLUENCE OF ADATOMS DIPOLE-DIPOLE INTERACTION ON THE DISPERSION LAW AND ACOUSTIC PHONON MODE WIDTH OF QUASI-RAYLEIGH WAVE

У роботі в межах довгохвильового наближення розвинуто теорію дисперсії поверхневої пружної акустичної хвилі, що розповсюджується на поверхні напівпровідника GaAs (110), яка покрита адсорбованими атомами металу (або молекулами О2).Отримані дисперсійне рівняння та ширина акустичної фононної моди квазірелеєвської хвилі з врахуванням диполь-дипольної взаємодії, взаємодії, пов’язаної з силами дзеркального зображення, прикладеними до поверхні кристала, та взаємодії адатомів з атомами підкладки і з поверхневою акустичною хвилею через деформаційний потенціал.Диполь-дипольна взаємодія адсорбованих атомів металу (або молекул газу) на поверхні напівпровідника GaAs (110) розраховувалась у межах узагальненої моделі напівпровідника Халдейна-Андерсона, яка враховує електростатичну взаємодію адатомів.Проведено числовий розрахунок залежності частоти поверхневої акустичної квазірелеєвської хвилі від хвильового вектора та ширини акустичної фононної моди з врахуванням диполь-дипольної взаємодії адсорбованих молекул О2 на поверхні GaAs (110) при температурах 100 К і 300 К.Показано, що як диполь-дипольна взаємодія адсорбованих молекул О2 на GaAs (110), так і зростання температури від 100 К до 300 К приводить до збільшення ширини поверхневої пружної акустичної моди.
В рамках нелокального упругого взаимодействия адсорбированного атома с атомами матрицы с учетом диполь-дипольного взаимодействия адатомов и сил зеркального изображения найдено в длинноволновом приближении закон дисперсии поверхностной квазирелеевськой акустической волны, учитывающий зависимость от концентрации адатомов, деформационного потенциала и температуры субстрата. Рассчитано изменение энергетической ширины поверхностной акустической моды, обусловленной диполь-дипольным взаимодействием адсорбированных атомов при температурах 100 К и 300 К.
The dispersion theory of surface elastic acoustic wave is developed in the work within the long-wave approximation. This surface wave emission occurs the semiconductor GaAs (110) surface, which is covered by adsorbed atoms of metal (or molecules O2).The dispersion equation and the acoustic phonon mode width of the quasi-Rayleigh wave are received. The dipole-dipole interaction and the interaction related by mirror image forces acting on the crystal surface, and the interaction between the adatoms and the substrate atoms and the surface acoustic wave through the deformation potential, are taken into account.The dipole-dipole interaction between the adsorbed atoms of metal (or molecules of gas) on the surface of the semiconductor GaAs (110) was calculated within the generalized Haldane-Anderson model of semiconductor, which takes into account the electrostatic adatoms interaction.A numerical calculation of the dependence of surface acoustic quasi-Rayleigh wave frequency on wave vector and the acoustic phonon mode width is realized.The dipole-dipole interaction of O2 molecules adsorbed on the GaAs (110) surface at the temperatures 100 K and 300 K is taking into account.It is shown that the dipole-dipole interaction of adsorbed molecules O2 on GaAs (110) and the temperature increase from 100 K to 300 K lead to the increase of the elastic surface acoustic mode width.