Особенности формирования пленочных структур на основе полупроводниковых сульфидов Sn методом SILAR

Объектами исследований в данной работе являлись тонкие пленки SnS[x]. Сульфид олова является альтернативным фотовольтаическим материалом в новом поколении тонкопленочных солнечных ячеек, способным заменить хорошо известные функциональные материалы на основе CdTe, содержащие токсичный кадмий. Кроме того, новые возможности применения оптических свойств SnS в видимом диапазоне спектра открывает переход от микрокристаллического состояния в наноструктурированное.