Résonateur reconfigurable à base de lignes couplées à éléments d'accord intégrés sur substrat silicium

International audience; This paper presents a particular technique of reconfiguration of coupled line resonators. The reconfigurability is obtained by doping one or more parts of the silicon substrate located at the level of the coupled lines, thus creating one or more distributed diodes. The entire circuit goes through a co-design offering great flexibility and a considerable reduction in losses linked to the interconnection between the passive and active element. A first two-state resonator is presented, it has a resonance frequency close to 2.5 GHz in the OFF state and a frequency of 1.5 GHz in the ON state; the latter being adjustable as a function of the position of the doped zone. A second three-state resonator is also presented, its resonant frequency switches from 2.5 GHz in the OFF state, to 1.62 GHz in the ON1 state then to 2.13 GHz in the ON2 state.; -Ce papier présente une technique particulière de reconfiguration de résonateurs à lignes couplées. La reconfigurabilité est obtenue par le dopage d'une ou plusieurs parties du substrat silicium situées au niveau des lignes couplées, créant ainsi une ou plusieurs diodes distribuées. L'intégralité du circuit passe par une coconception offrant une grande flexibilité et une réduction considérable des pertes liées à l'interconnexion entre l'élément passif et actif. Un premier résonateur deux états est présenté, il possède une fréquence de résonance proche de 2,5 GHz à l'état OFF et une fréquence de 1,5GHz à l'état ON ; cette dernière étant ajustable en fonction de la position de la zone dopée. Un deuxième résonateur trois états est également présenté, sa fréquence de résonance commute de 2,5 GHz à l'état OFF, à 1,62 GHz à l'état ON1 puis à 2,13 GHz à l'état ON2.