Положення остівного рівня Ge(3d5/2) в залежності від конфігурації адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)(4×2)

Розрахунки (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) хімічних зсувів компоненти 3d5/2 остівного рівня атомів германію, адсорбованих на реконструйованій грані Si(001)(2×4), показали, що їх хімічний зсув залежить від конфігурації адсорбційного комплексу. При впровадженні одного атома германію у кристалічну підкладинку зсув позитивний, а впровадження двох атомів призводить до негативного хімічному зсуву. Calculations (DFT, B3LYP, 6-31 G**) chemical shifts of the components 3d5/2 of core level of germanium atoms adsorbed on the reconstructed Si(001)(2×4) face have shown that their chemical shift depends on the configuration of the adsorption complex. When introducing a germanium atoms into the crystalline substrate shift is positive, and the introduction of two atoms leads to the chemical shift negative. Расчеты (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) химических сдвигов компоненты 3d5/2 остовного 3d уровня атомов германия, адсорбированных на реконструированной грани Si(001)(4×2), показали, что их химический сдвиг зависит от конфигурации адсорбционного комплекса. При внедрении одного атома германия в кристаллическую подложку сдвиг положителен, а внедрение двух атомов приводит к отрицательному химическому сдвигу.