Back to Search
Start Over
Положення остівного рівня Ge(3d5/2) в залежності від конфігурації адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)(4×2)
- Source :
- Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку – КМХТ-2016 : збірник наукових статей П’ятої міжнародної науково-практичної конференції
- Publication Year :
- 2016
- Publisher :
- НТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського», 2016.
-
Abstract
- Розрахунки (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) хімічних зсувів компоненти 3d5/2 остівного рівня атомів германію, адсорбованих на реконструйованій грані Si(001)(2×4), показали, що їх хімічний зсув залежить від конфігурації адсорбційного комплексу. При впровадженні одного атома германію у кристалічну підкладинку зсув позитивний, а впровадження двох атомів призводить до негативного хімічному зсуву. Calculations (DFT, B3LYP, 6-31 G**) chemical shifts of the components 3d5/2 of core level of germanium atoms adsorbed on the reconstructed Si(001)(2×4) face have shown that their chemical shift depends on the configuration of the adsorption complex. When introducing a germanium atoms into the crystalline substrate shift is positive, and the introduction of two atoms leads to the chemical shift negative. Расчеты (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) химических сдвигов компоненты 3d5/2 остовного 3d уровня атомов германия, адсорбированных на реконструированной грани Si(001)(4×2), показали, что их химический сдвиг зависит от конфигурации адсорбционного комплекса. При внедрении одного атома германия в кристаллическую подложку сдвиг положителен, а внедрение двух атомов приводит к отрицательному химическому сдвигу.
Details
- Language :
- Russian
- Database :
- OpenAIRE
- Journal :
- Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку – КМХТ-2016 : збірник наукових статей П’ятої міжнародної науково-практичної конференції
- Accession number :
- edsair.od......2635..815712c7673623e2a46c00264261042a