Features in the Formation of a Recombination Current in the Space Charge Region of Silicon Solar Cells

Dark I–V curves of silicon solar cells with various Shockley–Reed–Hall lifetimes have been studied. The lifetimes are determined from the short-circuit-current internal quantum yield. The recombination currents in the space charge region (SCR) are found to be formed within time intervals that are at least an order of magnitude shorter than the charge-carrier bulk lifetime. This effect can be associated with a high defect concentration (and, therefore, a high deep-level concentration) in the SCR of examined Si structures. The parameters of deep centers that are responsible for the recombination in the SCR have been evaluated.
Дослiджено темновi ВАХ кремнiєвих сонячних елементiв з рiзними часами життя Шоклi–Рiда–Холла, якi визначались з спектральних залежностей внутрiшнього квантового виходу струму короткого замикання. Встановлено, що рекомбiнацiйнi струми в областi просторового заряду (ОПЗ) формуються на основi часiв життя, менших, принаймнi на порядок, за об’ємнi часи життя. Це пояснено великою концентрацiєю дефектiв, якi приводять до появи глибоких рiвнiв, в ОПЗ дослiджуваних структур кремнiю. Оцiнено параметри глибоких рiвнiв, вiдповiдальних за рекомбiнацiю в ОПЗ.