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Non linear optical property of poly(phenylene vinylene) in porous silicon substrates

Authors :
Kok Wai Cheah
Vladimir Skarka
Mohammed Guendouz
C. Simos
P. Nguyen
P. Le Rendu
P. Joubert
Thien-Phap Nguyen
M. de Kok
Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN)
Université de Nantes - UFR des Sciences et des Techniques (UN UFR ST)
Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN)
Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)
Propriétés Optiques des Matériaux et Applications (POMA)
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université d'Angers (UA)
Institut for Material Research (IMO)
Limburgs Universitair Centrum
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON)
Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes)
Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Rennes 1 (UR1)
Université de Rennes (UNIV-RENNES)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne
Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Ecole Polytechnique de l'Université de Nantes (EPUN)
Université de Nantes (UN)-Université de Nantes (UN)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Université d'Angers (UA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes)
Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Source :
Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics, Porous Semiconductors-Science and Technology 4th international conference (PSST 2004), Porous Semiconductors-Science and Technology 4th international conference (PSST 2004), Mar 2004, Cullera-Valencia, Spain. pp.3222-3226, ⟨10.1002/pssc.200461123⟩
Publication Year :
2004
Publisher :
HAL CCSD, 2004.

Abstract

oral session 6 " Novel Forms & Structures " [O-28]; International audience; We present a new technique to fill porous silicon layers of 5 µm thick with poly(p phenylene vinylene) (PPV), a polymer having high nonlinear coefficient in view of preparing waveguide devices. By analyzing the samples with different optical techniques, we have demonstrated that this method was efficient in filling the substrate within the whole thickness of the porous layer. Furthermore, the nonlinear properties of the polymer was found to be enhanced, which is promising for the use of these structures as waveguides in integrated optic applications.

Details

Language :
English
Database :
OpenAIRE
Journal :
Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics, Porous Semiconductors-Science and Technology 4th international conference (PSST 2004), Porous Semiconductors-Science and Technology 4th international conference (PSST 2004), Mar 2004, Cullera-Valencia, Spain. pp.3222-3226, ⟨10.1002/pssc.200461123⟩
Accession number :
edsair.doi.dedup.....f8aa5853db74d7b4cd232d498c4a120d
Full Text :
https://doi.org/10.1002/pssc.200461123⟩