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Differential phase-contrast dark-field electron holography for strain mapping

Authors :
Martin Hÿtch
Thibaud Denneulin
Florent Houdellier
Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES)
Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse)
Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT)
Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP)
Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP)
Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599)
Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP)
Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP)
Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse)
Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
Source :
Ultramicroscopy, Ultramicroscopy, 2016, 160, pp.98-109. ⟨10.1016/j.ultramic.2015.10.002⟩
Publication Year :
2016
Publisher :
HAL CCSD, 2016.

Abstract

cited By 6; International audience; Strain mapping is an active area of research in transmission electron microscopy. Here we introduce a dark-field electron holographic technique that shares several aspects in common with both off-axis and in-line holography. Two incident and convergent plane waves are produced in front of the specimen thanks to an electrostatic biprism in the condenser system of a transmission electron microscope. The interference of electron beams diffracted by the illuminated crystal is then recorded in a defocused plane. The differential phase recovered from the hologram is directly proportional to the strain in the sample. The strain can be quantified if the separation of the images due to the defocus is precisely determined. The present technique has the advantage that the derivative of the phase is measured directly which allows us to avoid numerical differentiation. The distribution of the noise in the reconstructed strain maps is isotropic and more homogeneous. This technique was used to investigate different samples: a Si/SiGe superlattice, transistors with SiGe source/drain and epitaxial PZT thin films. © 2015 Elsevier B.V.

Details

Language :
English
ISSN :
03043991
Database :
OpenAIRE
Journal :
Ultramicroscopy, Ultramicroscopy, 2016, 160, pp.98-109. ⟨10.1016/j.ultramic.2015.10.002⟩
Accession number :
edsair.doi.dedup.....ef307f57d174674a8f331f6ac1b22788
Full Text :
https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2015.10.002⟩