Back to Search
Start Over
Characterization of GaAs/GaAlAs Heterostructures Grown on GaAs Substrate using High Resolution X-ray Diffraction Method
- Source :
- Volume: 20, Issue: 4 558-564, Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi
- Publication Year :
- 2020
- Publisher :
- Afyon Kocatepe Üniversitesi, 2020.
-
Abstract
- Nano yapıların X- ışını kırınımı (XRD) yöntemi kullanılarak karakterizasyonu, bu yapıların bileşimi, örgü zorlanması ve heteroepitaksiyel katmanları hakkında bilgi verir. Bu bilgiler optoelektronik cihazların üretiminde önemli rol oynamaktadır. Bu makalede, yaygın olarak kullanılan GaAlAs malzemesi hakkında genel bilgilerden bahsedilmektedir. Ek olarak, X- ışını kırınım yönteminin malzemelerin karakterizasyonu için önemi, malzemelerin büyütme ve yapının oluşum süreci hakkında önemli bilgiler sağlamasıdır. Epitaksiyel olarak büyütülmüş GaAs/GaAlAs heteroyapılarının yapısal karakterizasyonu X- ışını kırınım yöntemi kullanılarak analiz edilmiştir. Deneysel sonuçları karşılaştırmak için Rigaku Global Fit simülasyon programı kullanıldı, simülasyon ile deneysel sonuçların yüksek oranda uyumlu olduğu görüldü.<br />Characterization of nanostructures using X-ray diffraction (XRD) method gives information on the composition, the lattice strain, and heteroepitaxial layers of the structures. These information are useful for fabrication process of optoelectronic devices. In this paper, we give fundamental description to the commonly used material, GaAlAs. In addition, the importance of X ray diffraction method for characterization of the materials provides crucial information for the growth and development process of the materials. Structural characterization of epitaxial growth GaAs/GaAlAs heterostructures are analyzed using the X- ray diffraction (XRD) method. Rigaku Global Fit simulation program is performed to compare the experimental results, and the simulation and the experimental results agree with each other.
- Subjects :
- GaAs,GaAs/GaAlAs,XRD,MBE,Epitaxial Growth
Materials science
Engineering
021105 building & construction
0211 other engineering and technologies
Mühendislik
02 engineering and technology
General Medicine
010501 environmental sciences
01 natural sciences
GaAs,GaAs/GaAlAs,XRD,MBE,Epitaksiyel Büyütme
0105 earth and related environmental sciences
Subjects
Details
- Language :
- Turkish
- ISSN :
- 21493367
- Database :
- OpenAIRE
- Journal :
- Volume: 20, Issue: 4 558-564, Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi
- Accession number :
- edsair.doi.dedup.....db6fdca003070a58461f11b41efa5f2c