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MRL Crossbar-Based Full Adder Design

Authors :
Amer Baghdadi
Khaled Alhaj Ali
Jalal Jomaah
Mostafa Rizk
Jean-Philippe Diguet
Lab-STICC_IMTA_CACS_IAS
Laboratoire des sciences et techniques de l'information, de la communication et de la connaissance (Lab-STICC)
Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique)
Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique)
Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL)
Département Electronique (IMT Atlantique - ELEC)
IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique)
Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
International University of Beirut (BIU)
Lab-STICC_UBS_CACS_MOCS
École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM)
Université de Brest (UBO)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM)
Université de Brest (UBO)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Faculty of Sciences [Lebanese University]
Lebanese University [Beirut] (LU)
École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique)
Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-École Nationale d'Ingénieurs de Brest (ENIB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique)
Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Lebanese University [Beirut]
Source :
ICECS, 2019 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), 2019 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), Nov 2019, Genoa, Italy. pp.674-677, ⟨10.1109/ICECS46596.2019.8964702⟩
Publication Year :
2019
Publisher :
IEEE, 2019.

Abstract

Memristor technology has acquired great interest in the field of non-volatile memories as well as logic computation. The nano-scale structure of memristor and the possibility of its integration with MOSFETs have triggered many efforts to reconstruct basic digital building blocks. Recently, Memristor Ratioed Logic (MRL) has been introduced as a hybrid memristor-CMOS logic design style, which has been functionally validated. In this paper, a 1-bit full adder is designed by implementing MRL in crossbar array. The new design methodology efficiently integrates memristors at the top of CMOS layer. The corresponding layout and simulation results are performed using Cadence Virtuoso toolset targeting CMOS 65 nm process. The obtained results and their corresponding comparison illustrate promising outcomes in terms of implementation area, energy consumption and speed.

Details

Database :
OpenAIRE
Journal :
2019 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS)
Accession number :
edsair.doi.dedup.....d4c128bd139db766865cdccd150213ea